Polarización de uniones metal-semiconductores

La polarización de uniones metálicas y semiconductoras de tipo n implica aplicar un voltaje al metal mientras se conecta a tierra el semiconductor. La corriente resultante es positiva cuando fluye del metal al semiconductor.

Para las uniones de Schottky, la aplicación de un voltaje positivo reduce el nivel de Fermi del metal, reduciendo la barrera para los electrones en el semiconductor y permitiendo el flujo neto de electrones desde el semiconductor al metal. Esto da como resultado una corriente de polarización directa que aumenta rápidamente.

Por el contrario, el voltaje negativo eleva el nivel de Fermi de los metales, bloqueando el flujo de electrones del semiconductor al metal. Sin embargo, algunos electrones superan la barrera de unión, lo que conduce a una pequeña corriente de polarización inversa.

Para uniones óhmicas, incluso un pequeño voltaje positivo desencadena una gran corriente de polarización directa debido a la ausencia de cualquier barrera. Bajo la polarización inversa, existe una pequeña barrera para el flujo de electrones desde el metal hasta el semiconductor, que desaparece si la polarización inversa supera unas pocas décimas de voltio.

El comportamiento se invi