12.11
Un transistor de efecto de campo es un dispositivo unipolar de tres terminales que comprende una puerta, un drenaje y un terminal de fuente.
Los portadores de carga fluyen desde la fuente hasta el drenaje a través de un canal, cuya conductividad está controlada por la diferencia de potencial aplicada entre la puerta y el terminal de la fuente.
Según la estructura del diodo de puerta, los FET se clasifican en FET de unión, FET de metal-semiconductor y FET de metal-óxido-semiconductor.
Los JFET controlan la conductividad del canal a través de la extensión de la unión pn-canal de puerta. Con su impedancia de entrada más baja, se usan comúnmente en circuitos analógicos.
Los MESFET utilizan diodos semiconductores metálicos para rectificar el contacto, lo que proporciona ventajas como la fabricación a menor temperatura y la menor resistencia. Se utilizan en aplicaciones de microondas debido a su respuesta de alta frecuencia.
Los MOSFET, conocidos por su alta impedancia de entrada, son el tipo más común y se utilizan con frecuencia en circuitos digitales.
Los FET se pueden clasificar aún más en función del material semiconductor del canal.
Se utilizan en amplificadores, interruptores y reguladores de voltaje. Su alta impedancia de entrada, tamaño compacto, bajo ruido y menor consumo de energía los hacen ventajosos sobre los transistores de unión bipolar.
Los transistores de efecto de campo (FET) son parte integral de los circuitos electrónicos y se distinguen por su configuración de tres terminales: co…
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