12.15
El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, o MOSFET, es un dispositivo semiconductor con tres terminales: la fuente, el drenaje y la puerta y también se conoce como IGFET, MISFET y MOST.
Puede ser de canal n o canal p, dependiendo del dopaje del sustrato y de las regiones de origen o drenaje.
En un MOSFET de canal n, el sustrato tiene dos regiones de fuente y drenaje de tipo n muy dopadas. Se cultiva una fina capa de dióxido de silicio en la superficie y el metal se deposita en la parte superior para formar el electrodo de puerta.
Con voltaje de compuerta cero, no fluye corriente desde la fuente hasta el drenaje, excepto por una pequeña corriente de fuga.
Cuando se aplica una polarización positiva en la puerta, los electrones del sustrato se mueven hacia la puerta, formando una capa de inversión y permitiendo un gran flujo de electrones desde la fuente hasta el drenaje. La conductancia de este canal se puede modular variando el voltaje de la puerta.
La corriente convencional fluye desde el desagüe hasta la fuente y se denomina corriente de drenaje.
Los MOSFET son parte integral de diversas aplicaciones, incluidos teléfonos inteligentes, computadoras portátiles y automóviles eléctricos.
El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) desempeña un papel fundamental en la electrónica moderna, gracias a su versa…
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