Características del MOSFET

Los parámetros esenciales de los MOSFET incluyen la longitud del canal, el ancho del canal, el espesor del óxido, la profundidad de la unión y el dopaje del sustrato.

Con voltaje de puerta cero, los electrodos de la fuente al drenaje forman dos uniones p-n consecutivas, lo que permite solo una corriente de fuga inversa desde la fuente hasta el drenaje. Esto se conoce como la región de corte.

Un sesgo positivo en la puerta convierte la estructura MOS para formar una capa de inversión de superficie o un canal n entre dos regiones n plus.

Con un voltaje de drenaje menor, los electrones fluyen desde la fuente hasta el drenaje a través del canal conductor, actuando como una resistencia, con su conductancia ajustable a través del voltaje de la puerta. Esta es la región lineal donde la corriente de drenaje es proporcional al voltaje de la fuente de drenaje.

Cada MOSFET tiene un voltaje umbral, el voltaje mínimo de la fuente de puerta necesario para crear una ruta conductora entre la fuente y el drenaje.

A medida que aumenta el voltaje de drenaje, se satura, reduciendo el espesor de la capa de inversión cerca del borde de la longitud del canal a cero. Este punto de pellizco marca el inicio de la región de saturación, donde la corriente de drenaje permanece constante a pesar de un aumento del voltaje de drenaje.