Condensador MOS

Los condensadores MOS tienen tres capas: la capa inferior es un sustrato semiconductor, la intermedia es una capa aislante y la capa superior de metal es el electrodo de compuerta, que controla el voltaje del condensador.

A voltaje de puerta cero, no fluye corriente y el condensador está descargado.

La aplicación de un voltaje negativo en la puerta atrae agujeros a la superficie del semiconductor, formando una región de acumulación. El dispositivo se comporta como un condensador convencional.

Aplicando un voltaje positivo, los orificios se repelen hacia el sustrato, estableciendo una región de carga espacial llamada región de agotamiento, que actúa como otra capacitancia en serie.

Con un voltaje lo suficientemente alto, la concentración de electrones en la superficie aumenta, formando una capa de inversión y disminuyendo aún más la capacitancia. Esto da como resultado un fuerte aumento de la corriente.

Al eliminar el voltaje se disipa la carga acumulada, haciendo desaparecer el canal y apagando el dispositivo.

Los condensadores MOS se utilizan en dispositivos de memoria como DRAM, donde la escritura de datos implica la aplicación de voltaje de puerta para crear una capa de inversión, que almacena temporalmente la carga. La presencia o ausencia de esta carga representa datos binarios, que necesitan una actualización periódica debido a su naturaleza transitoria.