12.18
MOSFET: Modo de agotamiento
Los MOSFET de modo de agotamiento ya están encendidos sin polarización de puerta, pero necesitan un voltaje de fuente de puerta para apagarse.
Funcionan como JFET, donde el canal de la fuente de drenaje es inherentemente conductor debido al dopaje del canal. Esto crea una ruta de baja resistencia entre el drenaje y la fuente, lo que permite que la corriente fluya sin ningún sesgo de compuerta.
Para los MOSFET de agotamiento de canal n, las características de drenaje muestran que un voltaje de puerta positivo creciente ensancha el canal, aumentando así la corriente de drenaje.
A medida que el voltaje de la puerta se vuelve más negativo, la corriente de drenaje disminuye. Este comportamiento se invierte para los MOSFET de agotamiento del canal p.
El voltaje de umbral de la puerta es el voltaje de la puerta a la fuente en el que el canal se cierra por completo, deteniendo el flujo de corriente.
La corriente de saturación es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo a un voltaje cero de puerta a fuente.
Los MOSFET de agotamiento funcionan como un interruptor de encendido normal, lo que los hace útiles en circuitos lógicos digitales como resistencias de carga.
Son ampliamente utilizados en circuitos de suministro de energía auxiliar de arranque, circuitos de barrido de voltaje, circuitos de monitoreo de corriente y relés de estado sólido, entre otras aplicaciones.
Los MOSFET en modo de agotamiento representan un subconjunto único de tecnología MOSFET, que funciona de manera fundamentalmente diferente a sus contr…
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