Configurations de BJT

Les transistors à jonction bipolaire ont différentes configurations en fonction du contact commun.

La configuration de base commune comprend une borne de base partagée pour l’entrée et la sortie.

Il présente un gain de tension inhabituellement élevé, ce qui le rend adapté aux circuits d’amplification à un étage comme les préamplificateurs de microphone. Cependant, il atténue le signal de courant d’entrée car la sortie de courant du collecteur est inférieure à l’entrée de courant de l’émetteur.

En revanche, la configuration à émetteur commun, qui est la plus populaire pour les amplificateurs à transistor, a une impédance d’entrée, un courant et un gain de puissance plus importants que la configuration de base commune.

Cette configuration agit comme un circuit d’amplification inverseur, avec le signal de sortie déphasé de 180 degrés par rapport au signal de tension d’entrée.

Enfin, la configuration du collecteur commun, également connue sous le nom de circuit suiveur de tension, possède une impédance d’entrée très élevée et une impédance de sortie relativement faible.

Bien que son gain de tension soit inférieur à l’unité, il fournit une amplification de courant importante. Cette configuration sans inversion est bénéfique pour les applications d’adaptation d’impédance et de mise en mémoire tampon de tension.