12.4
Considérons la configuration de l’émetteur commun du BJT.
Les dépendances de tension et de courant sont mesurées expérimentalement pour comprendre les caractéristiques courant-tension.
Pour les caractéristiques d’entrée, la tension base-émetteur est modifiée tout en maintenant la tension collecteur-émetteur constante.
Le graphique résultant montre la dépendance de type Shockley du courant du collecteur sur la tension base-émetteur.
Les caractéristiques de sortie représentent le courant du collecteur en fonction de la tension collecteur-émetteur, en maintenant le courant de base constant.
La région de saturation correspond à une petite tension collecteur-émetteur où le courant du collecteur chute vers zéro. Ici, la résistance du transistor entre les bornes du collecteur et de l'émetteur est faible.
Lorsque la tension collecteur-émetteur augmente, le transistor entre dans la région active. Ici, la résistance collecteur-émetteur du transistor devient infiniment élevée tandis que le courant du collecteur reste indépendant de la tension collecteur-émetteur.
Cependant, dans la pratique, une légère augmentation du courant du collecteur est remarquée, ce qui est dû à l’élargissement de la région d’appauvrissement et au raccourcissement de la longueur de la base.
C’est ce qu’on appelle l’effet précoce, conduisant à une résistance de sortie finie du transistor.
Le transistor à jonction bipolaire (BJT), en particulier dans une configuration à émetteur commun, présente des caractéristiques courant-tension disti…
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