12.11
Un transistor à effet de champ est un dispositif unipolaire à trois bornes comprenant une grille, un drain et une borne source.
Les porteurs de charge s’écoulent de la source au drain à travers un canal dont la conductivité est contrôlée par la différence de potentiel appliquée entre la grille et la borne de la source.
Sur la base de la structure de la diode de grille, les FET sont classés en FET de jonction, FET métal-semi-conducteur et FET métal-oxyde-semi-conducteur.
Les JFET contrôlent la conductivité du canal par l’extension de la jonction pn porte-canal. Avec leur impédance d’entrée plus faible, ils sont couramment utilisés dans les circuits analogiques.
Les MESFET utilisent des diodes métal-semi-conductrices pour rectifier le contact, offrant des avantages tels qu’une fabrication à basse température et une résistance plus faible. Ils sont utilisés dans les applications micro-ondes en raison de leur réponse en haute fréquence.
Les MOSFET, connus pour leur impédance d’entrée élevée, sont le type le plus courant et sont fréquemment utilisés dans les circuits numériques.
Les FET peuvent être classés en fonction du matériau semi-conducteur du canal.
Ils sont utilisés dans les amplificateurs, les commutateurs et les régulateurs de tension. Leur impédance d’entrée élevée, leur taille compacte, leur faible bruit et leur faible consommation d’énergie les rendent avantageux par rapport aux transistors à jonction bipolaire
.Les transistors à effet de champ (FET) font partie intégrante des circuits électroniques et se distinguent par leur configuration à trois bornes : la…
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