12.15
Le transistor à effet de champ à oxyde métallique-semi-conducteur, ou MOSFET, est un dispositif semi-conducteur à trois bornes : la source, le drain et la grille et est également connu sous le nom d’IGFET, MISFET et MOST.
Il peut s’agir d’un canal n ou d’un canal p, en fonction du dopage du substrat et des régions source ou de drainage.
Dans un MOSFET à canal n, le substrat comporte deux sources et régions de drainage de type n fortement dopées. Une fine couche de dioxyde de silicium se développe à la surface, et du métal est déposé sur le dessus pour former l’électrode-grille.
Avec une tension de grille nulle, aucun courant ne circule de la source vers le drain, à l’exception d’un petit courant de fuite.
Lorsqu’un biais positif est appliqué à la grille, les électrons du substrat se déplacent vers la grille, formant une couche d’inversion et permettant un grand flux d’électrons de la source vers le drain. La conductance de ce canal peut être modulée en faisant varier la tension de grille.
Le courant conventionnel circule du drain à la source et s’appelle le courant de drain.
Les MOSFET font partie intégrante de diverses applications, notamment les smartphones, les ordinateurs portables et les voitures électriques.
Le transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) joue un rôle central dans l'électronique moderne, grâce à sa polyvalence et son eff…
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