Caractéristiques du MOSFET

Les paramètres essentiels des MOSFET comprennent la longueur du canal, la largeur du canal, l’épaisseur de l’oxyde, la profondeur de jonction et le dopage du substrat.

Avec une tension de grille nulle, les électrodes source-drain forment deux jonctions p-n dos à dos, ne permettant qu’un courant de fuite inverse de la source vers le drain. C’est ce qu’on appelle la région limite.

Un biais positif à la porte convertit la structure MOS pour former une couche d’inversion de surface ou un canal n entre deux régions n plus.

Avec une tension de drain mineure, les électrons circulent de la source vers le drain à travers le canal conducteur, agissant comme une résistance, avec sa conductance réglable via la tension de grille. Il s’agit de la région linéaire où le courant de drain est proportionnel à la tension drain-source.

Chaque MOSFET a une tension de seuil, la tension de grille minimale de la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre la source et le drain.

Au fur et à mesure que la tension de drain augmente, elle sature, réduisant à zéro l’épaisseur de la couche d’inversion près du bord de la longueur du canal. Ce point de pincement marque le début de la région de saturation, où le courant de drain reste constant malgré une tension de drain croissante.