Diode barrière Schottky

Les diodes à barrière Schottky sont des dispositifs semi-conducteurs formés en assemblant une couche métallique avec un matériau semi-conducteur de type n modérément dopé.

Lorsqu’un métal entre en contact avec un semi-conducteur, le transfert de charge aligne les niveaux de Fermi.

Si le niveau initial de Fermi du semi-conducteur est supérieur au niveau de Fermi pré-contact du métal, il augmente son potentiel, formant une région d'appauvrissement associée à la barrière de Schottky.

Avec les semi-conducteurs de type n, cette région contient des charges positives provenant d'ions donneurs non compensés, s'alignant avec les charges négatives du métal.

Avec les semi-conducteurs de type p, le processus est inversé, ce qui conduit à une région d'appauvrissement avec des charges négatives pour correspondre aux charges positives du métal.

La jonction métal-semi-conducteur se comporte comme une diode, permettant un flux de courant unidirectionnel de l’anode métallique à la cathode semi-conductrice tout en agissant comme un circuit ouvert dans l’autre sens.

Les diodes Schottky conduisent principalement le courant à travers des porteurs majoritaires et n’ont pas d’effets de stockage de charge