12.14
Les condensateurs MOS ont trois couches : la couche inférieure est un substrat semi-conducteur, la couche intermédiaire est une couche isolante et la couche métallique supérieure est l'électrode de grille, qui contrôle la tension du condensateur.
À une tension de grille nulle, aucun courant ne circule et le condensateur n’est pas chargé.
L'application d'une tension négative au niveau de la grille attire des trous à la surface du semi-conducteur, formant une zone d'accumulation. L’appareil se comporte comme un condensateur conventionnel.
En appliquant une tension positive, les trous sont repoussés dans le substrat, établissant une région de charge spatiale appelée région d’appauvrissement, qui agit comme une autre capacité en série.
Avec une tension suffisamment élevée, la concentration d’électrons à la surface augmente, formant une couche d’inversion et diminuant encore la capacité. Il en résulte une forte augmentation du courant.
La suppression de la tension dissipe la charge accumulée, fait disparaître le canal et éteint l’appareil.
Les condensateurs MOS sont utilisés dans les dispositifs de mémoire comme la DRAM, où l’écriture des données implique l’application d’une tension de grille pour créer une couche d’inversion, qui stocke temporairement la charge. La présence ou l’absence de cette charge représente des données binaires, qui nécessitent une actualisation périodique en raison de leur nature transitoire.
Un condensateur métal-oxyde-semiconducteur (MOS) est une structure fondamentale largement utilisée dans la technologie des dispositifs à semi-conducte…
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