Name: Préparation de macroporeuses Épitaxial Quartz Films de silicium par dépôt chimique Solution (Vidéo) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-12-21T15:00:00.000+00:00
Duration: 7 min 37 s
Description: Apprenez à préparer des films macroporeux piézoélectriques de quartz sur silicium par chimie douce. Cette méthode de dépôt par trempage permet l'intégration nanométrique pour les technologies de capteurs.

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Ce travail a été partiellement financé par un projet PEPS de Cellule Energie INSIS-CNRS (1D-RENOX) à ACG et le gouvernement espagnol (MAT2012-35324 et Pie-201460I004).

1. Préparation du Sol <ol><li> Préparer une solution d&#39;orthosilicate de tétraéthyle préhydrolysé (TEOS), le jour avant la préparation des films de gel dans une hotte de laboratoire dans lequel une balance de laboratoire et d&#39;un agitateur magnétique sont placés. Dans cette étape et dans le protocole de porter une blouse de laboratoire, des gants et des lunettes de sécurité. <ol><li> Dans un bécher de 50 ml contenant une barre d&#39;agitation magnétique revêtu de Téflon pèse 1,68 g de CTAB, ajouter 48,13 ml d&#39;éthanol et 3,00 ml de HCl 35%, couvrir le bécher avec un verre de montre et mélanger jusqu&#39;à ce que le CTAB est complètement dissous. </li><li> Ajouter 7,37 ml de TEOS goutte à goutte au bécher (à un taux d&#39;environ 1-2 gouttes par seconde) tout en remuant, couvrir le ballon avec un verre de montre et laisser remuer O / N. </li></ol></li><li> Le lendemain, préparer une solution aqueuse 1 M de Sr 2+. Effectuer cette les étapes suivantes et juste avant la préparation des films de gel, car une solution vieillie est sujette à re-précipitation du sel Sr. <ol><li> Peser 6,6654 g de SrCl2 · 6H 2 O dans une fiole jaugée de 25 ml. </li><li> Ajouter de l&#39;eau ultra-pure (par exemple, Milli-Q) à 25 ml (ménisque tangente à la marque de ballon) et boucher la fiole avec un bouchon en plastique et secouez doucement le flacon pour dissoudre le chlorure de strontium. </li></ol></li><li> Ajouter 2 ml de la solution aqueuse 1 M de Sr 2+ dans le bêcher en verre de 50 ml contenant le sol qui a été laissé sous agitation O / N. Agiter la solution pendant 25 min. </li><li> Eliminer les résidus qui ont été éventuellement générés selon les protocoles de protection sécurité et d&#39;environnement du laboratoire. </li></ol> 2. Gel Film dépôt sur Si (100) Supports <ol><li> Préparation des substrats <ol><li> Couper plaques de silicium de l&#39;ordre de 2 cm par 5 cm, sur un type p de 2 pouces (100) plaquette de silicium d&#39;une épaisseur de 200 microns par clivage de la plaquette dans une direction parallèle ou perpendiculaire à la plate de la plaquette à l&#39;aide d&#39;une pointe de diamant ou une objet tranchant. Effectuez cette étape dans l&#39;annonceVance, par exemple le jour avant le dépôt des films de gel. </li><li> Juste avant le dépôt des gels, nettoyer les substrats avec de l&#39;éthanol et les laisser sécher ou utiliser un flux d&#39;azote ou de l&#39;air comprimé pour accélérer le séchage. Effectuez cette étape en attendant l&#39;achèvement de l&#39;étape 1.3. </li></ol></li><li> Enduire les films. Afin d&#39;obtenir une structure de macropores homogène effectuer cette étape dans des conditions d&#39;humidité relative entre 20% et 55% à température ambiante. <ol><li> Établir une séquence de revêtement par immersion. Sélectionner des positions initiales et finales en tenant compte de la longueur réelle de la dalle de Si et le niveau de la solution dans le bécher de sorte que la dalle est d&#39;au moins 2 cm au-dessus du niveau de la solution à la position de départ et de 1 cm au-dessus du fond de la bêcher à la fin de l&#39;immersion. Réglez les deux vitesses d&#39;immersion et de retrait à 150 mm / min. Réglez le temps d&#39;immersion (de temps à la position finale) à zéro. </li><li> À l&#39;issue de l&#39;étape 1.3 Placer le bécher avec le soilution dans une position bien centrée sous la dalle Si accroché au bras dip-coucheuse. </li><li> Fixer une extrémité de la dalle Si au bras immersion cathodique avec le clip, assurant la dalle est aussi perpendiculairement que possible par rapport à l&#39;horizontale. </li><li> Exécuter la séquence de revêtement par immersion et déclipser la dalle Si du bras dip-coucheuse. Répétez les étapes 2.2.3 et 2.2.4 avec dalles Si supplémentaires pour produire plus de films, en prenant soin de ne pas prolonger au-delà de ces préparations 1 h, pour assurer que la stabilité de la solution ne soit pas compromise. </li></ol></li><li> Jeter les solutions qui ont été éventuellement générés selon les protocoles de protection sécurité et d&#39;environnement du laboratoire. </li></ol> 3. Gel Film cristallisation par traitement thermique <ol><li> Traitement thermique des films de gel de Si (100). <ol><li> Programme d&#39;un four pour effectuer le traitement thermique suivant dans une atmosphère d&#39;air: chauffage de la température ambiante à 1 000 ° C à 3 ° C / min, maintien à 1000 °; C pendant 5 heures et refroidissement à TA à 3 ° C / min. </li><li> Placez les substrats de Si revêtus par immersion dans une nacelle en alumine, l&#39;introduire dans le four et exécuter le traitement thermique. </li></ol></li><li> Nettoyage des films cristallisées. <ol><li> Plonger les films cristallisés pendant 3 heures dans HNO 3 concentré afin d&#39;éliminer les accumulations de Sr 2+ qui ont été expulsés à la surface du film lors de la cristallisation, puis rincez les films d&#39;abord avec de l&#39;eau déminéralisée, puis avec de l&#39;éthanol. </li></ol></li></ol>

<ol><li>Esser, A. T., Smith, K. C., Gowrishankar, T. R., Vasilkoski, Z., Weaver, J. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mechanisms+for+the+intracellular+manipulation+of+organelles+by+conventional+electroportation%5BTitle%5D)+AND+%22Biophys.+J%22%5BJournal%5D)">Mechanisms for the intracellular manipulation of organelles by conventional electroportation.</a> Biophys. J. 98 (11), 2506-2514 (2010).</li>
<li>Stava, E., Yu, M., Shin, H. C., Shin, H., Kreft, D. J., Blick, R. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Rapid+fabrication+and+piezoelectric+tuning+of+micro-+and+nanopores+in+single+crystal+quartz%5BTitle%5D)+AND+%22Lab+Chip%22%5BJournal%5D)">Rapid fabrication and piezoelectric tuning of micro- and nanopores in single crystal quartz.</a> Lab Chip. 13 (1), 156-160 (2013).</li>
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<li>Bertone, J. F., Cizeron, J., Wahi, R. K., Bosworth, J. K., Colvin, V. L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+quartz+nanocrystals%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of quartz nanocrystals.</a> Nano Lett. 3, 655-659 (2003).</li>
<li>Jiang, Y., Brinker, C. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrothermal+synthesis+of+monodisperse+single-crystalline+alpha-quartz+nanospheres%5BTitle%5D)+AND+%22Chem.+Comm%22%5BJournal%5D)">Hydrothermal synthesis of monodisperse single-crystalline alpha-quartz nanospheres.</a> Chem. Comm. 47 (26), 7524-7526 (2011).</li>
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<li>Carretero-Genevrier, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Soft-Chemistry-Based+Routes+to+Epitaxial+%CE%B1-Quartz+Thin+Films+with+Tunable+Textures%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Soft-Chemistry-Based Routes to Epitaxial α-Quartz Thin Films with Tunable Textures.</a> Science. 340 (6134), 827-831 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Clem, P. G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Quartz+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Quartz on Silicon.</a> Science. 340 (6134), 818-819 (2013).</li>
<li>Brinker, C. J., Lu, Y., Sellinger, A., Fan, H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaporation-Induced+Self-Assembly%3A+Nanostructures+Made+Easy%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Evaporation-Induced Self-Assembly: Nanostructures Made Easy.</a> Adv. Mater. 11 (7), 579-585 (1999).</li>
<li>Griffith, C. S., Sizgek, G. D., Sizgek, E., Scales, N., Yee, P. J., Luca, V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mesoporous+Zirconium+Titanium+Oxides.+Part+1%3A+Porosity+Modulation+and+Adsorption+Properties+of+Xerogels%5BTitle%5D)+AND+%22Langmuir%22%5BJournal%5D)">Mesoporous Zirconium Titanium Oxides. Part 1: Porosity Modulation and Adsorption Properties of Xerogels.</a> Langmuir. 24 (21), 12312-12322 (2008).</li>
<li>Lu, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Continuous+formation+of+supported+cubic+and+hexagonal+mesoporous+films+by+sol-gel+dip-coating%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Continuous formation of supported cubic and hexagonal mesoporous films by sol-gel dip-coating.</a> Nature. 389 (6649), 364-368 (1997).</li>
<li>Drisko, G. L., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Water-Induced+Phase+Separation+Forming+Macrostructured+Epitaxial+Quartz+Films+on+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Funct.+Mater%22%5BJournal%5D)">Water-Induced Phase Separation Forming Macrostructured Epitaxial Quartz Films on Silicon.</a> Adv. Funct. Mater. 24 (35), 5494-5502 (2014).</li>
</ol>

Les auteurs ont rien à révéler.

La méthode présentée est une approche bottom-up pour produire des films de quartz macroporeuses sur Si. Par rapport à la méthode standard de production de films de quartz, une technologie de haut en bas basé sur la coupe et le polissage de gros cristaux hydrothermique cultivées, la méthode décrite dans le protocole permet d&#39;obtenir des films beaucoup plus minces avec des épaisseurs comprises entre 150 et 450 nm, qui peuvent être contrôlées avec le le taux de retrait. Tous les détails expérimentaux concernant le cont...

Quand un matériau piézoélectrique comme α-quartz est soumis à une tension de polarisation il subit une déformation mécanique. Si ce matériau est poreux, ces changements de volume peuvent conduire à l&#39;expansion des pores ou de contraction, la création d&#39;un système sensible similaire à ce qui peut être observé à vivre organites biologiques. 1 déformable poreuse α-quartz a été produite en utilisant la microfabrication, 2, mais ces techniques ne peuvent pas encore produire des structures de pores 3-D, et des diamètres de pores sont de l&#39;ordre de plusieurs centaines de nanomètres. La cristallisation de la silice amorphe structuré a été entravée par la nucléation inhomogène causée par les énergies de surface élevées et la déformation architecturale due à grossissement et la fusion. De plus, comme toutes les formes de silice sont construits sur des réseaux SiO 4 tétraédriques extrêmement stables, les énergies libres de formation de la silice amorphe, du quartz α-SiO 2 et d&#39;autres formes polymorphes sont à peu près égales dans une gamme étendue des températures, Making, il est difficile de produire des α-quartz comme une seule polymorphe de la cristallisation d&#39;un gel de silice amorphe. 3 Un autre aspect qui rend plus difficile la cristallisation contrôlée de silice amorphe structurée est que le quartz présente une vitesse de nucléation relativement lente, mais un taux de croissance extrêmement rapide, rapporté entre 10-94 nm / s. 4,5 nucléation lente couplée à la croissance rapide tend à générer des cristaux beaucoup plus grande que la structure nanoporeuse original, donc la morphologie d&#39;origine est perdue. Les métaux alcalins, tels que Na + et Li +, ont été utilisés pour cristalliser α-quartz, souvent en combinaison avec un traitement hydrothermique. 5,6 En outre, un Ti4 + / Ca 2+ combinaison a été utilisée pour cristalliser des particules sphériques de silice dans quartz par un circuit de chimie douce en utilisant alcoxydes de silicium. 7 Toutefois, la cristallisation contrôlée d&#39;un film de silice amorphe structurée en quartz reste un défi. 2 cristallisé sous la pression ambiante et des températures relativement basses. 8,9 épitaxie, provient de la non-concordance favorable entre α-quartz et le substrat&gt; de silicium &lt;100, produire des films minces piézoélectriques orientés. Induite par évaporation-auto-assemblage pour produire des films de silice mésoporeuse a été utilisé depuis 1999. 10 Cette technique a été étudié et appliqué à une multitude d&#39;agents servant de modèle dans diverses conditions pour produire des pores de tailles et de mésophases variables. Il a été constaté que les changements dans la taille de subnanométriques mésopore peuvent avoir un effet dramatique sur la diffusion de soluté à travers des systèmes poreux 11, validant cette grande attention à la structure de pore. De plus, l&#39;accessibilité au réseau de pore interne de silice peut être obtenue en commandant la phase micellaire de la matrice 12. Ici, la voie de synthèse tchapeau permet un contrôle sans précédent sur ​​la taille de l&#39;épaisseur et des pores de couches de silice amorphe en utilisant une nouvelle séparation de phase est mise en évidence. 13 Ces films sont infiltrés avec des sels de Sr (II) et cristallisé à l&#39;a-quartz à 1000 ° C sous air à la pression ambiante. La taille de pores capable de retenir à l&#39;aide de ce processus de cristallisation est déterminée, et l&#39;effet de l&#39;épaisseur de paroi et l&#39;épaisseur du film est étudiée. Enfin la piézo-électricité et la déformabilité du système de pores sont étudiés.

<table><tbody><tr><td>Coucheuse par immersion</td><td>Nadetech&nbsp ;</td><td>ND-DC 11/150&nbsp ;</td><td></td></tr><tr><td>Four</td><td>Nabertherm&nbsp ;</td><td>R 50/250/12</td><td></td></tr><tr><td>Microscope à force atomique</td><td>Agilent&nbsp ;</td><td>5500 LS</td><td></td></tr><tr><td>Plaquettes de silicium</td><td>SHE Europe Ltd.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SrCl2&middot ; 6H2O</td><td>Aldrich</td><td>13909</td><td></td></tr><tr><td>CTAB</td><td>Aldrich</td><td>H5582</td><td></td></tr><tr><td>Éthanol Absolu&nbsp ;</td><td>Aldrich</td><td>161086</td><td></td></tr><tr><td>HCl 35 % solution</td><td>PanReac</td><td>721019</td><td></td></tr><tr><td>TEOS</td><td>Aldrich</td><td>131903</td><td></td></tr></tbody></table>

préparation de macroporeuses Épitaxial quartz films de silicium par dépôt chimique solution

Preparation of Macroporous Epitaxial Quartz Films on Silicon by Chemical Solution Deposition

Ce travail décrit le protocole détaillé de préparation de films de quartz épitaxial macroporeux piézoélectriques sur des substrats de silicium(100). Il s’agit d’un procédé en trois étapes basé sur la préparation d’un sol dans une synthèse en un seul pot, qui est suivie du dépôt d’un film de gel sur des substrats Si(100) par auto-assemblage induit par évaporation à l’aide de la technique de dip-coating, et se termine par un traitement thermique du matériau pour induire la cristallisation du gel et la croissance du film de quartz. La formation d’un gel de silice est basée sur la réaction d’un orthosilicate tétraéthyle et de l’eau, catalysée par le HCl, dans l’éthanol. Cependant, la solution contient deux composants supplémentaires qui sont essentiels pour la préparation de films de quartz épitaxial mésoporeux à partir de ces gels de silice enduits par trempage sur Si. Les ions alcalino-terreux, comme le Sr2+, agissent comme des agents de fusion du verre qui facilitent la cristallisation de la silice et, en combinaison avec le bromure de cétyle triméthylammonium (CTAB), la matrice amphiphile forme une séparation de phase responsable de la macroporosité des films. La bonne adéquation entre les paramètres des cellules de quartz et de silicium est également essentielle dans la stabilisation du quartz par rapport aux autres polymorphes de SiO2 et est à l’origine de la croissance épitaxiale.

Le déroulement de la synthèse matériau a été contrôlée par la surveillance des aspects différents. Après le processus de revêtement par immersion, on peut observer l&#39;aspect des films, l&#39;apparition éventuelle de structures de diffraction dans le spot réfléchie d&#39;un laser vert et de la microscopie électronique à balayage (MEB) des images en mode rétrodiffusion des électrons (figure 1A-B). Après le processus de cristallisation, il est important d&#39;enregistrer...

Un protocole est présenté pour la préparation de films épitaxiaux macroporeux piézoélectriques de quartz sur silicium par chimie de solution par trempage et traitements thermiques dans l’air.

Préparation de macroporeuses Épitaxial Quartz Films de silicium par dépôt chimique Solution

This work describes the detailed protocol for preparing piezoelectric macroporous epitaxial quartz films on silicon(100) substrates. This is a three-step ...

L'objectif général de cette synthèse est de préparer des films minces épitaxiés de quartz sur des substrats de silicium, ce qui est important pour parvenir à une intégration ascendante à l'échelle nanométrique de deux matériaux pertinents pour les technologies de l'information et de la détection. La motivation principale de ce travail était d'obtenir une intégration Pentax de deux matériaux technologiquement pertinents. Il s'agit de la première fois que l'intégration directe de Quas sur du silicone est réalisée à l'aide de la chimie douce.Cette méthodologie est très polyvalente puisqu'elle permet d'obtenir des films minces mésoporeux, poreux et macroporeux, ce qui est très avantageux pour des applications de détection et de catalyse. Les propriétés électriques de ces films minces à base de cœur sont intéressantes pour la fabrication de capteurs électromécaniques, car des fréquences de résonance élevées sont attendues pour des structures dont l'épaisseur ne dépasse pas un micron. Pesez d'abord 1,68 gramme de bromure de triméthylammonium subtil, 48,13 millilitres d'éthanol, soit 37,90 grammes, et 3 millilitres d'acide chlorhydrique à 35 %.Soit 3,67 g dans un bécher de 100 millilitres contenant une barre magnétique enrobée de téflon. Couvrez le bécher avec une coupelle en verre et agitez jusqu'à ce que le bromure de triméthylammonium se soit complètement dissous. Ajoutez 7,37 millilitres de tétraéthoxysilane.Cela correspond à 6,88 grammes ajoutés goutte à goutte dans le bécher, puis recouvrez le flacon d'une coupelle de montre et laissez le mélange agiter toute la nuit. Le lendemain, préparez une solution molaire de chlorure de strontium hexahydraté en dissolvant 6,6654 grammes de sel de chlorure de strontium hexahydraté dans de l'eau milli Q dans un flacon Erlenmeyer de 25 millilitres.Agiter doucement le flacon avec un petit volume d'eau Milli Q pour dissoudre le sel de strontium. Une fois que le sel de chlorure de strontium hexahydraté est complètement dissous, remplir le flacon avec de l'eau Milli Q et le fermer avec un bouchon en plastique. Ensuite, ajouter deux millilitres de la solution aqueuse un molaire de strontium, deux plus, au bécher en verre de 100 millilitres contenant la solution qui avait été laissée sous agitation pendant la nuit.Agiter la solution pendant 25 minutes. Pour préparer les substrats. Découper des plaquettes de silicium d'environ deux centimètres sur cinq centimètres à partir d'un silicium de type P de deux pouces.1 0 0 plaquette avec une épaisseur de 200 microns en clivant l'onde dans une direction. Parallèlement à la platine de la plaquette juste avant le dépôt des gels. Nettoyer les substrats avec de l'éthanol, puis utiliser un flux d'azote comprimé pour accélérer le processus de séchage.Ensuite, établir une séquence de trempage en sélectionnant les positions initiale et finale, en tenant compte de la longueur de la lame de silicium et du niveau de la solution de manière à ce que la lame se trouve à au moins deux centimètres au-dessus de la solution à la position de départ et à un centimètre au-dessus du fond du bécher. À la fin de l'immersion, régler les vitesses d'immersion et de retrait à 150 millilitres par minute et le temps d'immersion à zéro. Une fois la solution préparée, placer le bécher contenant la solution dans une position bien centrée sous la lame de silicium suspendue au bras du trempageur.Ensuite, exécutez la séquence de trempage. Une fois terminée, retirez la plaque de silicone du bras du dispositif de trempage. À ce stade, programmez un four pour effectuer le traitement thermique suivant en atmosphère d'air.Placer les substrats en silicone recouverts par trempage dans un bateau Illumina et insérer celui-ci dans le four. Ensuite, effectuer le traitement thermique selon le protocole de traitement thermique. Plonger les films cristallisés pendant trois heures dans de l'acide nitrique concentré afin d'éliminer les accumulations de strontium, deux plus, exposées à la surface du film lors de la cristallisation.Enfin, rincez les films d'abord avec de l'eau déionisée, puis avec de l'éthanol après le dépôt. L'aspect bleu-vert du substrat indique une bonne répartition des ions strontium deux plus sur le film. Si une séparation de phase s'est produite et présente une périodicité proche de celle de la longueur d'onde du laser, des taches de diffraction peuvent être observées.Un examen simple du matériau révèle une séparation de phase entraînant une structure de macropores et une distribution de strontium deux plus en bordure des macropores. Cette image de microscopie électronique à balayage à émission de champ montre dans quelle mesure la structure macroporeuse initiale a été préservée après la cristallisation. Des études de microscopie électronique en transmission à haute résolution en coupe transversale et de diffraction des rayons X confirment l'orientation 1 0 0 du quartz et la croissance épitaxiale de haute qualité de films minces de quartz sur des substrats de silicium 1 0 0. Le modèle 3D illustre la relation épitaxiale dans le plan entre le film de quartz, en orange, et le substrat de silicium, en gris, vu selon l'axe de zone 0 1 1.Si le film est piézoélectrique, il se déforme sous la tension appliquée, et cela peut être détecté par la déflexion de la pointe à une fréquence de résonance particulière à l’aide de la technique de microscopie en force de réponse piézoélectrique. L’amplitude de cette déflexion est proportionnelle à l’amplitude du champ alternatif appliqué, et le coefficient piézoélectrique est de l’ordre de deux TER par volt. Après avoir visionné cette vidéo, vous devriez être capable de préparer des films à base de Aachi, mais n’oubliez pas d’utiliser une solution d’extraction fraîche et de travailler à une humidité relative inférieure à 50 %. Cette méthodologie peut fournir de nouvelles perspectives sur le rôle catalytique et cinétique des métaux alcalino-terreux lors du processus de diversification de la silice, ce qui permet d’exercer un contrôle précis sur la synthèse des quats sous différentes formes.Un des avantages de cette méthode est qu'elle peut être combinée à des techniques émergentes de nanofabrication ou à la lithographie conventionnelle largement utilisée dans l'industrie de la microélectronique afin de produire des dispositifs de détection.

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Chimie

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Ces travaux présentent un protocole détaillé pour la microfabrication du porte-à-faux nanostructuré de α quartz sur un substrat technologique silicon-on-isolateur (SOI) à partir de la croissance épitaxique du film de quartz avec la méthode de revêtement de trempette, puis la nanostructuration du film mince par lithographie nanoimprint.

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices

Le présent protocole décrit les outils de manipulation des microélectrodes intracorticales planaires de silicium lors de traitements de modification de surface par dépôt de gaz et réactions de solution aqueuse. L’assemblage des composants utilisés pour manipuler les appareils tout au long de la procédure est expliqué en détail.

Outils pour le traitement de surface des microélectrodes intracorticales planes au silicium

Apprenez à préparer des films macroporeux piézoélectriques de quartz sur silicium par chimie douce. Cette méthode de dépôt par trempage permet l'intégration nanométrique pour les technologies de capteurs.

Préparation de macroporeuses Épitaxial Quartz Films de silicium par dépôt chimique Solution

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