Croissance épitaxiale de perovskite Strontium Titanate sur Germanium via Atomic Layer Deposition

L’objectif global de cette procédure est de cultiver des oxydes de pérovskite cristalline à haute constante diélectrique dans un processus évolutif pour fonctionner comme des gadoxydes directement sur le géranium, une future plate-forme microélectronique. Cette méthode peut répondre à des questions clés dans le domaine de la microélectronique : les oxydes cristallins qui se lient à travers l’interface peuvent-ils produire des films avec des densités de piégeage et des états d’interface extrêmement faibles ? Le principal avantage de cette technique est qu’elle est facile à mettre en œuvre dans un environnement de fabrication et qu’elle devrait être facilement extensible à des architectures de dispositifs tridimensionnels.

En général, les personnes qui ne connaissent pas cette méthode auront du mal à manipuler les précurseurs et à chronométrer la séquence pour produire des étapes pour leur matériel particulier dans le réacteur. Nous avons d’abord eu l’idée de cette méthode lorsque des collaborateurs ont regroupé des pérovskites directement sur du géranium en utilisant l’épitaxie par jets moléculaires et nous avons pensé à adapter leur processus au dépôt de couches atomiques. La démonstration visuelle de cette méthode est essentielle car le nettoyage de l’échantillon, l’étape de transfert et le moment doivent être modifiés pour d’autres systèmes tout en assurant une surface de croissance propre et reconstruite.