Name: Croissance épitaxiale de perovskite Strontium Titanate sur Germanium via Atomic Layer Deposition (Vidéo) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-07-26T14:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 45 s
Description: Découvrez la croissance épitaxiale de SrTiO3 sur germanium par déposition atomique couche par couche. Cette méthode permet d'obtenir des films cristallins à faible densité de pièges pour la microélectronique avancée.

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Cette recherche a été soutenue par la National Science Foundation (prix CMMI-1437050 et DMR-1207342), l’Office of Naval Research (Grant N00014-10-10489) et l’Air Force Office of Scientific Research (Grant FA9550-14-1-0090).

1. Préparation de Sr et Ti Précurseurs pour les expériences ALD <ol><li> Chargez les saturateurs, secs et propres et de nouveaux précurseurs dans l&#39;antichambre d&#39;une boîte à gants. Suivez la procédure de chargement de la boîte à gants pour assurer une bonne purge de l&#39;air et de l&#39;humidité. Transférer les matériaux dans la chambre principale. Remarque: Ce groupe utilise saturateurs en interne construites (voir Figure 3) avec des composants achetés dans le commerce. Les détails de l&#39;ensemble de saturateur se trouvent dans la liste des réactifs et équipements spécifiques. </li><li> Stocker le précurseur de strontium (bis de strontium (de triisopropylcyclopentadienyl) [Sr (i Pr 3 Cp) 2]) et précurseur de titane (tétraisopropylate de titane [Ti (O- i Pr) 4], TTIP) dans un environnement inerte (par exemple, une boîte à gants ) après l&#39;ouverture de l&#39;emballage d&#39;origine fourni par le fabricant. Remarque: Ce groupe utilise une boîte à gants avec un taux d&#39;humidité ne grand à 5 ppm. </li><li> Charger le précurseur dans le saturateur de telle sorte que le précurseur occupe environ 2/3 de la partie en verre du saturateur (environ 5 g). </li><li> Remontez les saturateurs et assurer une bonne étanchéité étanchéité est obtenue. Remarque: Ce groupe utilise joint métallique raccords d&#39;étanchéité de visage pour obtenir fuites des joints étanches. </li><li> Décharger les saturateurs remplis à partir de la boîte à gants et connecter les saturateurs remplis au collecteur d&#39;ALD. Nota: Les précurseurs chargés peuvent être utilisées plusieurs fois sur une période prolongée. Les précurseurs dans le système de ce groupe nécessitent généralement remplir tous les six mois comme ils deviennent consommées. Sr (i Pr 3 Cp) 2 est un liquide brun à la fois la température ambiante et la température de fonctionnement pour cette étude (130-140 ° C). TTIP est un liquide clair. Lorsque TTIP se détériore, généralement due à l&#39;humidité et / ou de la contamination de l&#39;air, le précurseur se transforme en un solide blanc. Il n&#39;y a eu aucun visiindicateur able de précurseur de détérioration pour le Sr (i Pr 3 Cp) 2 observé par ce groupe. Sr précurseur dégradation est généralement détectée par une diminution significative (supérieure à 10%) de teneur en Sr dans une croissance ALD reproductible qui utilise Sr (i Pr 3 Cp) 2. </li></ol> 2. Nettoyage du Ge (001) Substrat <ol><li> Placez un Ge (001) substrat (18 mm x 20 mm), côté poli vers le haut, dans un petit bêcher (25-50 ml). Remplissez le bêcher à environ 1 cm de hauteur avec de l&#39;acétone. Placer le bécher dans un bain de sonication et sonication pendant 10 min. Remarque: Ce groupe utilise un seul côté poli 4-en Ge tranches, coupées en 18 × 20 mm 2 morceaux à l&#39; aide d&#39; une scie de découpage en dés. Utilisez-type n fortement dopée Ge si des mesures électriques du film sont nécessaires (cette étude utilise dopé au Sb wafers Ge avec ρ ≈ 0,04 Ω-cm), sinon tous les types de niveaux de dopage et dopantes sont acceptables. </li><li> Décanter la majorité de l&#39;acétone dans un conteneur de déchets, en prenant soin de ne pas verser ou retourner le substrat Ge. Rincer les parois du bêcher avec de l&#39;alcool isopropylique (IPA) et remplir à environ 1 cm de hauteur. Versez la majorité des IPA dans un conteneur à déchets, remplir bécher 1 cm avec IPA et sonication pendant 10 min. </li><li> Répétez l&#39;étape 2.2, mais remplacer IPA avec de l&#39;eau déminéralisée. </li><li> Retirez le substrat du bêcher avec des pincettes. Sécher le substrat avec un pistolet d&#39;azote ou d&#39;un autre flux sec de gaz inerte. </li><li> Placez le substrat dans le nettoyeur UV-ozone et exécuter le nettoyeur pendant 30 min. </li><li> Après le nettoyage UV-ozone, charger immédiatement le substrat dans le système de vide. </li></ol> 3. Chargement du Ge Substrat <ol><li> Déplacer le transfert échantillon de ligne porte-panier dans le sas de chargement. Fermez le robinet-vanne pour isoler le sas de chargement. </li><li> Arrêter la pompe turbomoléculaire de verrouillage de charge et ouvrir la ligne d&#39;azote pour évacuer le sas de chargement. AchevéeEtape 3.3 en attendant le verrouillage de charge pour évacuer complètement. </li><li> Placez le substrat, côté poli vers le bas, dans un support 20 mm x 20 mm de l&#39;échantillon. Note: Tous les dépôts sont effectués avec l&#39;échantillon vers le bas. Assurez-vous que le substrat est en affleurement avec la partie inférieure du support; sinon expériences RHEED peuvent éprouver des difficultés et des films ne peuvent pas déposer de manière uniforme. Un porte-échantillon de ce groupe utilise est représenté sur la figure 4. </li><li> Ouvrez le verrouillage de charge après qu&#39;elle a complètement évacué. Placez le porte-échantillon dans un support-panier en position ouverte en alignant les pattes du porte-échantillon avec les canaux de la charrette position ouverte et en l&#39;abaissant en place. </li><li> Fermez le verrouillage de charge et tourner sur la pompe turbomoléculaire de verrouillage de charge. Fermez la ligne d&#39;azote. </li><li> Attendre jusqu&#39;à ce que la pression dans le sas de chargement est d&#39; environ 5,0 × 10 -7 Torr avant d&#39; ouvrir la vanne de sas de chargement et à déplacer le chariot à travers la ligne de transfert. </li></ol> 4. Ge Désoxydation <ol><li> Transférer le substrat Ge dans la chambre MBE. </li><li> Rampe à la température du substrat de Ge à 550 ° C à 20 ° C • min -1, puis à 700 ° C à 10 ° C • min -1. Après avoir maintenu l&#39;échantillon à 700 ° C pendant 1 heure, refroidir l&#39;échantillon à 200 ° C avec un ° C • min -1 rampe taux 30. </li><li> Utilisez RHEED pour confirmer la surface 2 × 1 reconstruite comme décrit dans la section des résultats représentatifs. 26,39 </li><li> Facultatif: Utilisez XPS pour assurer que le substrat Ge (001) est exempt d&#39;oxydes (décrits dans la section 8). </li></ol> 5. Thin Film ALD Croissance du STO sur Ge Substrat <ol><li> Réglez la température du réacteur ALD à 225 ºC. </li><li> Sr Heat (i Pr 3 Cp) de 2 à 130 ° C et TTIP à 40 ° C. Maintenir l&#39;eau à température ambiante (entre 20 et 25 ° C). Régler le débit de vapeur d&#39;eau dans le système ALDpar l&#39; intermédiaire de la soupape à aiguille fixée dans le saturateur de telle sorte que la pression de dosage de l&#39; eau est d&#39; environ 1 Torr. Maintenir la température de précurseurs constants tout au long du processus de dépôt. </li><li> Transférer l&#39;échantillon sous vide dans le réacteur ALD qui a été préchauffé à 225 ° C et attendre 15 minutes pour l&#39;échantillon d&#39;atteindre l&#39; équilibre thermique. </li><li> Changer l&#39;orifice d&#39;échappement du réacteur ALD de la pompe turbomoléculaire à la pompe mécanique. </li><li> Mettre en marche le régulateur de débit pour permettre l&#39;écoulement d&#39;un gaz inerte (ce groupe utilise l&#39;argon). Maintenir une pression de fonctionnement de 1 Torr pendant le processus de croissance complet. </li><li> Réglez le rapport cyclique de l&#39;unité de Sr Ti à 2: 1. Régler les cycles unitaires de Sr et Ti à une dose de 2 secondes du précurseur de Sr, Ti, suivie d&#39;une purge d&#39;argon 15 sec, puis une dose de 1 seconde de l&#39;eau, suivie d&#39;une autre purge d&#39;argon 15 sec. </li><li> Ajuster le nombre de cycles d&#39;unité pour obtenir l&#39;épaisseur souhaitable. Assurez-vous que la séquence ALD cycliste contientaussi peu répétition des cycles individuels de l&#39;unité Sr ou Ti possible. Par exemple, une 2: Séquence de cyclage 3 Sr à Ti va obtenir de meilleurs résultats quand il est exécuté en tant que 1-Sr 1-Ti, puis par le 1-Sr, 2-Ti, au lieu de 2-Sr suivie de 3-Ti. Remarque: Ce groupe a utilisé 36 cycles unitaires pour déposer un film de STO épaisseur 2 nm sur Ge. </li><li> Facultatif: Utilisez XPS pour vérifier la composition du film (décrit dans la section 8). </li></ol> 6. Recuit du STO Film <ol><li> Transférer l&#39;échantillon déposé sous vide dans la chambre de recuit. </li><li> Chauffer l&#39;échantillon à 650 ° C à une vitesse de 20 ° C • min -1 dans des conditions UHV (10 -9 à 10 -8 Torr). Maintenez la température à 650 ° C pendant 5 min, puis refroidir l&#39;échantillon à 200 ° C à la même vitesse. Remarque: Utilisez RHEED pour évaluer le résultat de recuit, comme décrit dans la section Résultats représentant 26,39. </li></ol> 7. FuCroissance complémen du STO <ol><li> Répéter Section 5.1 - 5.5. </li><li> Régler le rapport de cycle unitaire compris entre 1: 1 et 4: 3. Maintenir le même composant dosage / de purge au sein de chaque cycle de l&#39;unité. Réglez la séquence selon les principes mentionnés à l&#39;étape 5.6. </li><li> Ajuster le nombre de cycles d&#39;unité pour obtenir l&#39;épaisseur voulue. </li><li> Recuire le film déposé conformément à la section 6 du Protocole. </li></ol> 8. Les mesures XPS <ol><li> Chargez l&#39;échantillon dans la chambre d&#39;analyse XPS et tourner sur la source de rayons X. Veiller à ce que toutes les portes appropriées / portes sont fermées pour éviter l&#39;exposition aux rayons X accidentelle. </li><li> Créer une nouvelle analyse en sélectionnant les éléments (gammes d&#39;énergie de liaison) souhaitées pour l&#39;analyse, ou sélectionnez un programme d&#39;analyse pré-existante. Remarque: Liaison des gammes d&#39;énergie peuvent être modifiés manuellement, si nécessaire. Définissez les autres paramètres, tels que l&#39;énergie passe, l&#39;énergie d&#39;excitation, l&#39;énergie de l&#39;étape, et le temps de l&#39;étape afin d&#39;optimiser le rapport signal-bruit, mais restentconstante à travers toutes les analyses élémentaires pour maintenir la comparabilité entre les spectres élémentaire. Le tableau 1 montre les paramètres de numérisation utilisés par ce groupe. </li><li> Vérifier si une charge se produit sur ​​le substrat , par l&#39; observation de l&#39;énergie de liaison du pic d&#39;un élément connu, tel que O 1s à 531 eV. Remarque: Le chargement se produit si le pic est déplacé de sa valeur connue. </li><li> Insérez une arme à feu contre les inondations dans la chambre XPS et tourner sur le pistolet d&#39;inondation si la charge est en cours. Réglez la puissance de l&#39;énergie des armes à feu contre les inondations et la distance de l&#39;échantillon de sorte que le pic choisi est déplacé à son énergie de liaison correcte. </li><li> Manipuler la position de la phase afin de maximiser la zone observée sous la pointe d&#39;un élément connu (typiquement de pic de O à 1 531 eV). </li><li> Exécutez le scan de XPS et de recueillir les données. </li><li> Eteignez la source de rayons X et retirer l&#39;échantillon des XPS. </li></ol>

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</ol>

Les auteurs ont aucun intérêt financier concurrents à divulguer.

La propreté du substrat Ge est la clé du succès lorsque la croissance de la épitaxiale perovskite utilisant ALD. La quantité de temps un substrat Ge passe entre le dégraissage et désoxydation, et la quantité de temps entre désoxydation et le dépôt de la STO, doit être maintenu à un minimum. Les échantillons sont encore soumis à l&#39;exposition aux contaminants, même dans l&#39;environnement UHV. Une exposition prolongée peut conduire à redéposition de carbone fortuites ou Ge réoxydation, entraînant une croissance de fi...

matériaux pérovskites sont de plus en plus attrayant en raison de leur structure et leur myriade de propriétés cubique ou pseudocubique très symétrique. Ces matériaux, de formule générale ABO 3, consistent en des atomes A coordonnés avec les 12 atomes d&#39;oxygène et des atomes B coordonnés avec six atomes d&#39;oxygène. En raison de leur structure simple, mais large éventail d&#39;éléments potentiels, matériaux pérovskites fournissent des candidats idéaux pour les dispositifs à hétérostructure. Hétérostructures d&#39;oxydes épitaxiées disposent ferromagnétique, 1-3 contre / ferroélectrique, 4 multiferroïque, 5-8 supraconductrice, 7 -. 12 et fonctionnalités magnétorésistifs 13,14 Beaucoup de ces propriétés électroniques souhaitables sont interfaciale et donc dépendante propres, des transitions abruptes entre les matériaux. Les constantes de structure en treillis, et à peu près identiques partagées entre les membres de la famille de la pérovskite permettent une excellente lattice appariement et, par conséquent, des interfaces de haute qualité. Aisément réseau appariés les uns aux autres, ainsi que des semi-conducteurs, les oxydes pérovskites sont maintenant tournés vers la prochaine génération dans l&#39;électronique métal-oxyde-semiconducteur. L&#39; intégration monolithique d&#39;oxydes cristallins à base de silicium, d&#39; abord démontré avec perovskite titanate de strontium, SrTiO 3 (STO), par McKee et ses collègues, 15 était une étape monumentale vers la réalisation de dispositifs électroniques avec perovskite-semiconductor incorporation. Épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est la principale technique de croissance épitaxiale d&#39;oxydes de silicium en raison de la croissance couche par couche, ainsi que la pression partielle d&#39;oxygène accordable nécessaire pour contrôler amorphe interfaciale formation de SiO 2 . 16 - 19 croissance MBE typique STO sur Si (001) est obtenue par désoxydation Sr assistée de SiO 2. Sous les ultra-vide (UHV) conditions, SrO est volatile et sousJect à l&#39;évaporation thermique. Etant donné que SrO est thermodynamiquement préféré au strontium métallique et du SiO 2, le dépôt de Sr balaye l&#39; oxygène de la couche de SiO 2 et SrO résultant évapore de la surface. Pendant ce processus, la surface du silicium subit une reconstruction 2 × 1 à la surface qui forme des rangées d&#39;atomes de silicium dimérisés. De manière pratique, ½ monocouche (ML) la couverture des atomes de Sr sur la surface reconstruite comble les vides créés par ces lignes dimère. 20 La couverture ½ ML fournit une couche protectrice qui, avec un contrôle soigneux de la pression d&#39;oxygène, peut prévenir ou contrôler interfaciale SiO 2 la formation au cours de la croissance de l&#39; oxyde subséquente . 21 - 23 dans le cas du STO (et des perovskites avec adaptation de réseau cristallin similaire), le réseau ainsi obtenu est mis en rotation de 45 ° dans le plan de telle sorte que (001) STO ‖ (001) Si et (100) STO ‖ (110) Si, permettant entre le registre Si (3,84Å Si-Si la distance) et de la STO (a = 3,905 Å) avec seulement une légère contrainte de compression sur la STO. Ce registre est nécessaire pour les interfaces de haute qualité et les propriétés désirées qu&#39;ils possèdent. Silicon est devenu industriellement important en raison de la grande qualité de son oxyde interfaciale, mais l&#39; utilisation de SiO 2 est progressivement supprimée pour des matériaux capables de performances équivalentes à de plus petites tailles longs. SiO 2 expériences fuite élevés courants lorsque ultra-mince et cela diminue les performances du dispositif. La demande pour les petites tailles longs pourrait être satisfaite par des films d&#39;oxyde de perovskite avec des constantes diélectriques élevées, k, qui offrent des performances équivalentes à SiO 2 et sont physiquement plus épais que SiO 2 par le facteur k /3.9. En outre, les semi - conducteurs alternatifs, comme le germanium, offrent un potentiel pour le fonctionnement de l&#39; appareil plus rapide en raison de mobilités d&#39;électrons et de trous plus élevés que le silicium. 24,25 Germanium dispose également d&#39; un interfacial oxyde GeO 2, mais à la différence de SiO 2, il est instable et sujet à une désoxydation thermique. Ainsi, la reconstruction 2 × 1 peut être obtenue par un recuit thermique simple sous ultravide, et une couche protectrice Sr est inutile pour empêcher la croissance de l&#39; oxyde interfaciale pendant le dépôt perovskite. 26 En dépit de l&#39;apparente facilité de la croissance offerte par MBE, dépôt de couche atomique (ALD) fournit une méthode efficace et plus extensible que le coût MBE pour la production commerciale de matériaux d&#39;oxyde. 27,28 ALD emploie des doses de précurseurs gazeux sur le substrat qui sont auto - en limitant leur réaction avec la surface du substrat. Par conséquent, dans un procédé ALD idéal, jusqu&#39;à une couche atomique est déposée pour tout précurseur de dosage donné et le cycle continue dosage du même précurseur ne déposer un matériau supplémentaire sur la surface. Fonctionnalité réactive est restaurée avec un co-réactif, souvent un oxydant ou d&#39;un précurseur réducteur (par exemple ,, L&#39;eau ou l&#39;ammoniac). Des travaux antérieurs ont démontré la croissance ALD de films différents perovskite, tels que TiO2 anatase, SrTiO 3, BaTiO 3 et LaAlO 3, de Si (001) qui avait été tamponnée avec quatre unités de cellules STO d&#39; épaisseur développée par MBE. 29 - 34 En croissance purement MBE d&#39;oxydes cristallins, ½ couverture monocouche de Sr sur le nettoyage Si (001) est suffisante pour fournir une barrière contre SiO formation 2 sous les pressions indigènes à la technique (~ 10 -7 Torr). Cependant, sous les pressions de fonctionnement typiques ALD de ~ 1 Torr, travaux antérieurs ont montré que quatre cellules unitaires de STO est nécessaire pour éviter l&#39; oxydation de la surface Si 29. La procédure détaillée ici utilise l&#39;instabilité de GeO 2 et réalise l&#39; intégration monolithique de STO sur le germanium via ALD , sans la nécessité d&#39;une couche tampon MBE cultivées. 26 En outre, la distance Ge-Ge interatomique (3.992 Å) sur son (100) surface permet un registre épitaxiale analogue avec STO qui est observé avec Si (001). Bien que la procédure présentée ici est spécifique à la STO sur Ge, de légères modifications peuvent permettre l&#39;intégration monolithique d&#39;une variété de films perovskite sur le germanium. En effet, la croissance des ALD directe de SrHfO cristalline 3 et BaTiO 3 films ont été rapportés sur Ge. 35,36 possibilités supplémentaires comprennent l&#39;oxyde de grille potentiel, SrZr x Ti 1-x O 3. 37 Enfin, se fondant sur ​​des études antérieures de la croissance de perovskite ALD sur un film de STO de cellules de quatre unités sur Si (001) 29-34 suggère que tout film qui pourrait être cultivé sur la STO plate - forme / Si pourrait être cultivé sur un film tampon STO ALD-cultivé sur Ge, tels que LaAlO 3 et LaCoO . 3 32,38 La multitude de propriétés disponibles à hétérostructures d&#39;oxydes et remarquable similitude entre les oxydes pérovskites suggèrent que cette procédure pourrait être utilisée to étude précédemment des combinaisons de croissance difficile, voire impossible avec une telle technique industriellement viable. La figure 1 représente le schéma du système à vide, qui comprend l&#39; ALD, MBE, et les chambres d&#39; analyse reliés entre eux par une ligne de transfert de 12 pieds. Les échantillons peuvent être transférés sous vide entre chaque chambre. La pression de référence de la ligne de transfert est maintenu à environ 1,0 x 10 -9 Torr par trois pompes ioniques. Le système commercial ultraviolets et des rayons X par spectroscopie photoélectronique à résolution angulaire (XPS) est maintenue avec une pompe à ions de telle sorte que la pression dans la chambre d&#39; analyse est maintenue à environ 1,0 x 10 -9 Torr. Le réacteur ALD est une chambre en acier inoxydable fabriquée sur mesure rectangulaire avec un volume de 460 cm 3 et une longueur de 20 cm. Un schéma du réacteur ALD est représenté sur la figure 2. Le réacteur est une paroi chaude, un réacteur de type à écoulement transversal continu.Les échantillons placés dans le réacteur présentent un jeu de 1,7 cm entre la surface supérieure du substrat et le plafond de la chambre et de 1,9 cm entre la partie inférieure du substrat et le plancher de la chambre. Un ruban chauffant, alimenté par une source d&#39;alimentation dédiée, est enroulé autour de la chambre depuis l&#39;entrée jusqu&#39;à environ 2 cm au-delà de l&#39;orifice d&#39;échappement et permet de contrôler la température des parois du réacteur. Un contrôleur de température permet de régler la puissance d&#39;entrée de la bande de chauffage en fonction d&#39;une mesure de la température prise par un couple thermique situé entre le ruban chauffant et la paroi extérieure du réacteur. Le réacteur est ensuite complètement enveloppé avec trois rubans chauffants additionnels de puissance constante fournie par un Variac, et une dernière couche de laine de verre avec un revêtement en feuille d&#39;aluminium offre une isolation pour favoriser un chauffage uniforme. La puissance de sortie du variac est ajustée de telle sorte que la température de ralenti (lorsque l&#39;alimentation dédiée électrique est coupée) du réacteur est d&#39;environ 175 ° C. Le réacteur est passivement refroidi par l&#39;air ambiant. La température du substrat est calculée en utilisant l&#39;équation d&#39;ajustement linéaire (1), où (° &#39;C) T est la température du substrat et Tc (° C) est la température de la paroi du réacteur, obtenue en mesurant directement un substrat muni d&#39; un thermocouple. Un profil de température existe le long de la direction d&#39;écoulement de la chambre en raison de la vanne à froid qui relie le réacteur à la ligne de transfert; le profil de température perpendiculaire à la direction d&#39;écoulement est négligeable. Le profil de température provoque un dépôt Sr plus riche à la pointe de l&#39;échantillon, mais la variation de composition le long échantillon est faible (inférieure à une différence de 5% entre les bords avant et arrière de l&#39;échantillon) selon XPS. 31 L&#39;échappement du réacteur est relié à une pompe turbomoléculaire et d&#39;une pompe mécanique. Au cours du processus ALD, le réacteur est pompé par la pompe mécanique pour maintenir la pression à environ 1 Torr. Dans le cas contraire, le réactopression r est maintenue en dessous de 2,0 x 10 -6 Torr par la pompe turbomoléculaire. (1) = c 0.977T s T + 3,4 La chambre MBE est maintenue à une pression de base d&#39;environ 2,0 x 10 -9 Torr ou en dessous par une pompe cryogénique. La pression partielle de diverses espèces dans la chambre MBE est contrôlée par un analyseur de gaz résiduel. La pression de H 2 de l&#39; arrière - plan est d&#39; environ 1,0 x 10 -9 Torr, tandis que celles de O 2, CO, N 2, CO 2 et H 2 O est inférieur à 1,0 × 10 -10 Torr. En outre, la chambre MBE est également équipé de six cellules d&#39;effusion, un évaporateur à quatre poches faisceau d&#39;électrons, une source de plasma d&#39;azote atomique et une source de plasma d&#39;oxygène atomique avec la valve de haute précision piézoélectrique fuite et une diffraction d&#39;électrons à haute énergie de réflexion (RHEED ) système en temps réel dans des observations de croissance et de cristallisation in situ. Le SAMManipulateur ple permet le substrat est chauffé jusqu&#39;à 1000 ° C en utilisant un carbure de silicium chauffant résistant à l&#39;oxygène.

<table><tbody>Cryopompe <tr><td>MBE</td><td>DCA</td><td>M600</td><td></td></tr><tr><td>pour MBE</td><td>Brooks Automation, Inc.</td><td>Analyseur de gaz résiduel embarqué à 8</td><td></td></tr><tr><td>pour MBE</td><td>Extorr, Inc.</td>Chambre de réaction <td>XT200M</td><td></td></tr><tr><td>ALD</td><td>Huntington Mechanical Laboratories</td><td></td><td>Fabriqué sur mesure, à paroi chaude, en acier inoxydable, rectangulaire (~20&nbsp ; cm de long, 460 cm3)</td></tr><tr><td>ALD Saturator</td><td>Swagelok/Larson Electronic Glass</td><td>Voir les commentaires</td><td>Fabriqué sur mesure à partir de pièces fournies par Swagelok et Larson Electronic Glass. Le saturateur est fabriqué en acier inoxydable 316 et en Pyrex. Toutes les pièces sont reliées par soudage bout à bout. Numéros de catalogue Swagelok : SS-4-VCR-7-8VCRF, SS-4-VCR-1, SS-8-VCR-1-03816, SS-8-VCR-3-8MTW, 316L-12TB7-6-8, SS-8-VCR-9, SS-4-VCR-3-4MTW, SS-T2-S-028-20. Numéro de catalogue Larson Electronic Glass : SP-075-T.</td></tr><tr><td>Vannes manuelles pour saturateurs</td><td>Swagelok</td><td>SS-DLVCR4-P et 6LVV-DPFR4-P</td><td>Les deux vannes à membrane étanche sont utilisées de manière interchangeable par ce groupe. Les connecteurs spécifiques (magnétoscope mâle/femelle/etc.) à utiliser dépendent de la conception réelle du système.</td></tr><tr><td>Vannes ALD</td><td>Swagelok</td><td>6LVV-ALD3TC333P-CV</td><td></td></tr><tr><td>Tubes du système ALD Tubes</td><td>Swagelok</td><td></td><td>316L de différentes tailles. Ce groupe utilise le diamètre intérieur de l’alimentation 1/4 "</td></tr><tr><td>ALD</td><td>AMETEK Programmable Power, Inc.</td>Régulateur de température <td>Sorensen DCS80-13E</td><td></td></tr><tr><td>ALD</td><td>Schneider Electric</td><td>Eurotherm 818P4</td><td></td></tr><tr><td>Régulateur de vanne ALD&nbsp ;</td><td>National Instruments</td> Programme <td>LabView</td><td>développé au sein du groupe</td></tr><tr><td>XPS</td><td>VG Scienta</td><td></td><td></td></tr><tr><td>RHEED</td><td>Staib Instruments</td><td>CB801420</td><td>18 keV à un angle d’incident de ~3&deg ;</td></tr><tr><td>Système d’analyse RHEED</td><td>k-Space Associates</td><td>kSA 400</td><td></td></tr><tr><td>Système d’ozone UV numérique</td><td>Novascan</td><td>PSD-UV 6</td><td></td></tr><tr><td>Système d’élimination de l’ozone</td><td>Novascan</td><td>PSD-UV OES-1000D</td><td></td></tr><tr><td>Tétraisopropoxyde de titane (TTIP)</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>87560</td><td>Inflammable en phase liquide et vapeur &nbsp ; &nbsp ;</td></tr><tr><td colspan="4">[en-tête]</td></tr><tr><td>Strontium bis(triisopropylcyclopentadienyl)</td><td>Air Liquide</td><td>HyperSr</td><td>Légèrement réactif à l’air et à l’eau. De plus amples informations fournies par Air Liquide sont disponibles à l’adresse suivante : https://www.airliquide.de/inc/dokument.php/standard/1148/airliquide-hypersr-datasheet.pdf</td></tr><tr><td>plaquette Ge (001)</td><td>MTI Corporation</td><td>GESBA100D05C1</td><td>4", plaquette dopée au Sb polie sur une face avec &rho ; &asymp ; 0,04 &Omega ;-cm</td></tr><tr><td>Argon (UHP)</td><td>Eau</td> déminéralisée Praxair <td></td><td></td></tr><tr><td>18,2 M&Omega ;-cm</td><td></td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

croissance épitaxiale de perovskite strontium titanate sur germanium via atomic layer deposition

Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

Le dépôt par couche atomique (ALD) est une méthode de dépôt utilisée commercialement pour les matériaux électroniques. La croissance ALD des couches minces offre un contrôle de l’épaisseur et une conformité en tirant parti des réactions auto-limitatives entre les précurseurs en phase vapeur et le film en croissance. Les oxydes de pérovskite présentent un potentiel pour les matériaux électroniques de nouvelle génération, mais à ce jour, ils ont principalement été déposés par des méthodes physiques. Ce travail décrit une méthode de dépôt de SrTiO3 (STO) sur du germanium à l’aide d’ALD. Le germanium a des mobilités de porteurs plus élevées que le silicium et offre donc un matériau semi-conducteur alternatif avec un fonctionnement plus rapide du dispositif. Cette méthode tire parti de l’instabilité de l’oxyde natif du germanium en utilisant la désoxydation thermique pour nettoyer et reconstruire la surface Ge (001) en structure 2×1. Un STO amorphe de 2 nm d’épaisseur est ensuite déposé par ALD. Le film STO est recuit sous ultravide et cristallise sur la surface Ge reconstruite. La diffraction d’électrons à haute énergie par réflexion (RHEED) est utilisée lors de cette étape de recuit pour surveiller la cristallisation de la STO. La fine couche cristalline de STO agit comme un modèle pour la croissance ultérieure de STO qui est cristalline à mesure qu’elle grandit, comme le confirme le RHEED. in situ La spectroscopie photoélectronique à rayons X est utilisée pour vérifier la stœchiométrie du film avant et après l’étape de recuit, ainsi qu’après la croissance ultérieure de STO. Cette procédure fournit un cadre pour le dépôt d’oxydes de pérovskite supplémentaires sur des semi-conducteurs par des méthodes chimiques, en plus de l’intégration d’hétérostructures plus sophistiquées déjà réalisables par des méthodes physiques.

Les figures 5 et 6 montrent des rayons X typique photoélectrons spectres et images RHEED à partir d&#39; un substrat Ge nettoyé et désoxydé. Un substrat Ge succès désoxydé est caractérisé par son &quot;visage souriant&quot; 2 × 1 reconstruit motif RHEED. 26,39 De plus, les lignes de Kikuchi sont également observées dans les images RHEED, qui indiquent la propreté et ordre à longue distance de l&#39;échantillon. 40 la netteté et l&#3...

Ce travail détaille les procédures pour la croissance et la caractérisation de SrTiO cristalline 3 directement sur ​​des substrats de germanium par dépôt de couches atomiques. La procédure illustre la capacité d&#39;un procédé de croissance de tous les produits chimiques pour intégrer monolithiquement sur des oxydes semi-conducteurs pour des dispositifs à semiconducteurs métal-oxyde.

Croissance épitaxiale de perovskite Strontium Titanate sur Germanium via Atomic Layer Deposition

Atomic layer deposition (ALD) is a commercially utilized deposition method for electronic materials. ALD growth of thin films offers thickness control and ...

L'objectif général de cette procédure est de faire croître des oxydes pérovskites cristallins ayant une constante diélectrique élevée selon un procédé évolutif, afin qu'ils fonctionnent comme des gadoxides directement sur du germanium, une plateforme future pour la microélectronique. Cette méthode permet de répondre à des questions essentielles dans le domaine de la microélectronique : est-il possible qu'avec des oxydes cristallins formant des liaisons à travers l'interface, on obtienne des films présentant des densités de pièges et des états d'interface extrêmement faibles ? Le principal avantage de cette technique réside dans sa facilité de mise en œuvre dans un environnement de production et dans le fait qu'elle devrait pouvoir s'adapter aisément à des architectures de dispositifs tridimensionnelles.En général, les personnes novices dans cette méthode éprouveront des difficultés en raison du manque d'expérience dans la manipulation des précurseurs et de la nécessité de synchroniser correctement la séquence pour adapter les étapes à leur matériel particulier dans le réacteur. Nous avons eu l'idée de cette méthode lorsque des collaborateurs ont déposé directement des pérovskites s

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Nous décrivons l'utilisation de dépôt laser pulsé (PLD), techniques de photolithographie et de fil-liaison pour créer une échelle micrométrique dispositifs d'oxydes complexes. Le PLD est utilisée pour faire pousser des couches minces épitaxiales. techniques de photolithographie et wire-bonding sont introduits pour créer des dispositifs pratiques à des fins de mesure.

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Une technique viable pour la formation de bicristaux de titanate de strontium à haute pression et à vitesse de chauffage rapide via l’appareil de frittage par plasma d’étincelle est développée.

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Ici, nous présentons un protocole d'ajuster les propriétés de solution-traitée CH 3 NH 3 PbI 3 grâce à l'incorporation d'additifs de cations monovalents afin d'obtenir des cellules solaires perovskite très efficaces.

Monovalents Cation dopage du CH<sub&gt; 3</sub&gt; NH<sub&gt; 3</sub&gt; PbI<sub&gt; 3</sub&gt; Pour Efficient cellules solaires perovskite

Nous fabriquons métal/LaAlO3/SrTiO3 hétérostructures en utilisant une combinaison de laser pulsé dépôts et in situ pulvérisation magnétron. Par l’intermédiaire de magnétotransport et in situ expériences de spectroscopie photoélectronique des rayons x, nous étudions l’interaction entre des phénomènes électrostatiques et chimiques du gaz bidimensionnels d’électrons quasi formée dans ce système.

Croissance et propriétés électrostatiques et chimiques du métal/LaAlO3/SrTiO3 hétérostructures

Dans cet article, nous présentons un protocole d’augmenter directement un épitaxiale encore élément de mémoire câble flexible zirconium titanate sur mica muscovite.

Une Fabrication et une méthode de mesure pour un élément ferroélectrique Flexible basé sur l’épitaxie de Van Der Waals

Nous présentons ici un protocole pour la synthèse de film mince de baryum poreux titanate (BaTiO3) par une méthode assistée par surfactant sol-gel, dans lequel amphipathic auto-assemblés surfactant micelles sont utilisés comme une matrice organique.

Synthèse chimique de Titanate de baryum poreux minces et stabilisation thermique de la Phase ferroélectrique par souche induite par la porosité

Réalisation des contacts de Schottky de haute qualité est impérative pour la réalisation de modulation porte efficace à hétérostructure transistors à effet de champ (HFETs). Nous présentons la méthodologie de fabrication et les caractéristiques des diodes Schottky sur Zn-polar BeMgZnO/ZnO hétérostructures avec gaz haute densité d’électrons dimensionnelle deux (2DEG), cultivés par épitaxie moléculaire assistée par plasma sur les modèles de GaN.

Fabrication de Diodes Schottky sur Zn-polar BeMgZnO/ZnO hétérostructure passé épitaxie de faisceau moléculaire assistée par Plasma

Les matériaux oxydés présentent de nombreuses propriétés exotiques qui peuvent être contrôlées en réglant la teneur en oxygène. Ici, nous démontrons l’ajustement de la teneur en oxygène dans les oxydes en faisant varier les paramètres de dépôt laser pulsé et en effectuant un post-recuit. À titre d’exemple, les propriétés électroniques des hétérostructures à base de SrTiO3 sont ajustées par des modifications de croissance et un recuit.

Réglage des propriétés de l’oxyde par contrôle de la vacance d’oxygène pendant la croissance et le recuit

Le calcul théorique et la vérification expérimentale sont proposés pour une réduction de la densité de dislocation du filetage (TD) dans les couches épitaxiales de germanium avec des vides semi-cylindriques sur silicium. Les calculs basés sur l’interaction des TD et de la surface via la force d’image, les mesures TD et les observations de TD au microscope électronique à transmission sont présentés.

Calcul théorique et vérification expérimentale pour la réduction de la dislocation dans les couches épitaxiales de germanium avec vides semi-cylindriques sur silicium

Découvrez la croissance épitaxiale de SrTiO3 sur germanium par déposition atomique couche par couche. Cette méthode permet d'obtenir des films cristallins à faible densité de pièges pour la microélectronique avancée.

Croissance épitaxiale de perovskite Strontium Titanate sur Germanium via Atomic Layer Deposition

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