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DOI: 10.3791/58286-v
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Ici, nous présentons des protocoles détaillés pour traitées-solution argent-bismuth-iode (Ag-Bi-I) ternaire semiconductor fabriquées sur TiO2couches minces-enduit des électrodes transparentes et leurs applications potentielles comme stable à l’air et sans plomb dispositifs optoélectroniques.
Cette méthode peut vous aider à répondre à des questions clés sur la façon de rendre les semi-conducteursternaires argent-bismuth-iode processables pour les cellules solaires à couches minces respectueuses de l’environnement et d’adopter des applications. Le principal avantage de cette technique est la fabrication de solution d’argent-bismuth-iode qui est ensuite utilisé comme absorbeur photovoltaïque sans plomb dans les cellules solaires à couches minces avec une architecture microscopique dispositif. Cette technique a des applications potentielles dans la production de cellules solaires à couches minces respectueuses de l’environnement parce que les semi-conducteursternaires argent-bismuth-iode sont exempts de plomb, absorbeurs photovoltaïques stables à l’air.
Pour commencer à préparer la solution précurseur pour les couches compactes de dioxyde de titane, placez 8 millilitres d’éthanol anhydre dans un flacon de verre de 20 millilitres et commencez à l’agiter vigoureusement. Ajouter 0,74 millilitres d’isopropoxyde de titane à l’éthanol en remuant dans le sens de la goutte. Et puis ajouter rapidement 0,06 millilitres d’acide chlorhydrique concentré.
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