Fabrication et optimisation de films de clathrate de silicium de type II

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06:53 min

14 octobre 2025

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La méthode de recuit thermique permet de fabriquer des couches minces de clathrate de silicium semi-conducteur de type II. Des traitements de post-synthèse, y compris le pressage thermique et la gravure ionique réactive, ont été effectués pour améliorer les propriétés du matériau. Cette approche offre une voie accessible pour la fabrication de films de clathrate accordables adaptés aux dispositifs électroniques et photoniques de prochaine génération.

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Clathrates de type II

Chapters in this video

0:00

Introduction

0:27

Preparation and Synthesis of SiCL

3:39

Post-Treatment of the Prepared SiCL

4:37

Results

6:20

Conclusion

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