14 octobre 2025
La méthode de recuit thermique permet de fabriquer des couches minces de clathrate de silicium semi-conducteur de type II. Des traitements de post-synthèse, y compris le pressage thermique et la gravure ionique réactive, ont été effectués pour améliorer les propriétés du matériau. Cette approche offre une voie accessible pour la fabrication de films de clathrate accordables adaptés aux dispositifs électroniques et photoniques de prochaine génération.