מאמר שיטה

היטב מיושר אנכית מונחה ZnO Nanorod מערכים ויישומם ב הפוך קטן מולקולה תאים סולריים

DOI:

10.3791/56149

⸱

25 באפריל 2018

 ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 
1Department of Electrical Engineering, National United University, 2Research Center of Applied Science, Academia Sinica, 3Department of Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, 4Department of Electronic Engineering, Chung Yuan Christian University

במאמר זה

סיכום

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

כתב יד זה מתאר כיצד לעצב, הרכיבו יעיל SMPV1:PC הפוכה71מוניטור השמש תאים עם ZnO nanorods (NRs) גדל על שכבת זרע ZnO באל-מסטול (אזו) באיכות גבוהה. מיושר היטב באופן אנכי אוריינטציה ZnO NRs נספח מאפייני גבישי גבוהה. המרת כוח יעילות תאים סולריים יכולים להגיע 6.01%.

תקציר

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

כתב יד זה מתאר כיצד לעצב, הרכיבו יעילות תאים סולריים הפוכה, אשר מבוססים על מולקולה קטנה מצומדת דו-ממדית (SMPV1) ו- [6, 6] - phenyl - C71-חומצה בוטירית מתיל אסטר (PC71מוניטור), על ידי ניצול ZnO nanorods (NRs) גדל על שכבת זרע ZnO באל-מסטול (אזו) באיכות גבוהה. התאים הסולאריים71מוניטור SMPV1:PC הפוכה עם NRs ZnO שגדל על שני בהיסוס, סול-ג'ל זרע אזו מעובד שכבה מיוצרים. הסרט דק אזו sputtered לעומת הסרט דק אזו שהוכנו על ידי שיטת סול-ג'ל, תערוכות התגבשות טוב יותר, חספוס בפני השטח נמוך יותר, על פי צילום רנטגן עקיפה (XRD) ומדידות מיקרוסקופ (AFM) כוח אטומי. הכיוון של NRs ZnO גדל על שכבת זרע אזו בהיסוס מראה יותר יישור אנכי, שמועיל לתצהיר של השכבה הפעילה עוקבות, ויוצרים מורפולוגיות השטח טוב יותר. באופן כללי, המורפולוגיה משטח של השכבה הפעילה בעיקר חולש על הגורם מילוי (FF) של המכשירים. כתוצאה מכך, NRs ZnO מיושר היטב יכול לשמש כדי לשפר את האוסף המוביל של השכבה הפעילה וכדי להגדיל את FF של תאים סולריים. יתר על כן, מבנה נגד השתקפויות, זה גם יכול להיות מנוצל כדי לשפר את האור קציר של השכבה הקליטה, עם יעילות המרה כוח (PCE) של תאים סולריים להגיע 6.01%, גבוה יותר סול הג'ל המבוסס על תאים סולריים עם יעילות של 4.74 %.

מבוא

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

התקנים אורגניים (האוראלי) photovoltaic עברו לאחרונה מדהים התפתחויות ביישום של מקורות אנרגיה מתחדשים. מכשירים כאלה אורגני יש יתרונות רבים, כולל תהליך הפתרון תאימות, עלות נמוכה, קל משקל, גמישות, וכו1,2,3,4,5 עד עכשיו, תאים סולריים פולימר (מגירסה) באמצעות PCE של יותר מ-10% פותחו על-ידי ניצול של פולימרים מצומדת מעורבב עם71מוניטור PC6. לעומת מגירסה מבוסס פולימר, OPVs מבוסס-מולקולה קטנה (SM-OPVs) משכו תשומת לב יותר כשמדובר בדיית OPVs עקב שלהם מספר יתרונות, כולל מבנה כימי מוגדרים היטב, סינתזה נתיישב, טיהור, ו בדרך כלל גבוה יותר המתחים במעגל פתוח (Voc)7,8,9. בזמן הנוכחי, מבנה דו-ממד מצומדת מולקולה קטנה SMPV1 (2,6-Bis[2,5-bis(3-octylrhodanine)-(3,3-dioctyl-2,2':5,2 '-terthiophene)]-4,8-bis((5-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene) עם BDT-T (benzo [1, 2-b:4, 5-b'] dithiophene) וגם ליבה יחידה 3-octylrodanine סוף-הקבוצה פורש אלקטרון10 כבר מעוצבים ורגילים להתמזג עם PC71מוניטור מבטיח יישום OPVs בר קיימא. PCE של תאים סולאריים קונבנציונליים מולקולה קטנה (SM-OPVs) מבוסס על SMPV1 מעורבב עם PC71מוניטור הגיעה יותר 8.0%10,11.

בעבר, מגירסה יכול להיות משופרת, ממוטב פשוט על-ידי התאמת עובי השכבה הפעילה. עם זאת, בניגוד מגירסה, SM-OPVs באופן כללי יש אורך דיפוזיה קצר יותר, אשר מגביל באופן משמעותי את עובי השכבה הפעילה. מכאן, כדי להגביר עוד יותר את צפיפות זרם קצר (Jsc) של SM-OPVs, ניצול של ננו-מבנה12 או NRs9 כדי לשפר את הספיגה אופטי של SM-OPVs נהיה נחוץ

בין השיטות, המבנה NRs נגד השתקפות יעיל בדרך כלל עבור קציר אור של השכבה הפעילה במגוון רחב של אורכי גל; לכן, לדעת כיצד לגדל מיושר היטב NRs תחמוצת אבץ שכיוונו אנכי (ZnO) הוא מאוד קריטי. חספוס פני השטח של שכבת זרע מתחת לשכבת ZnO NRs יש השפעה רבה על הכיוון של מערכי של נאט ו; לכן, על מנת להפקיד NRs מונחה היטב, התגבשויות של שכבת זרע צריך להיות בדיוק מבוקרת9.

בעבודה זאת, הסרטים אזו מוכנות על ידי theRadio-תדר (RF) sputtering טכניקה. לעומת טכניקות אחרות, RF sputtering ידוע להיות טכנולוגיה יעילה ניתן להעברה לתעשיית עבורו היא טכניקה התצהיר אמין, אשר מאפשר את הסינתזה של טוהר גבוהה, אחיד, חלקה, עצמית קיימא אזו סרטים רזה לגדול על פני שטח גדול סובסטרטים. ניצול של RF sputtering התצהיר מאפשרת היווצרות של סרטים אזו באיכות גבוהה עם חספוס מופחתים של פני השטח של תצוגת התגבשות גבוהה. לכן, בשכבה צמיחה עוקבות, כיווני של NRs מאוד מיושרים, אז אפילו יותר בהשוואה לסרטים ZnO שהוכנו על ידי שיטת סול-ג'ל. בעזרת טכניקה זו, PCE של תאים סולאריים מולקולה קטנה הפוכה בהתבסס על מערכים ZnO NR שכיוונו אנכי מיושר היטב יכול להגיע 6.01%.

הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.

פרוטוקול

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

1. צמיחה של שכבת זרע אזו בהיסוס על המצע איטו

  1. מקל קלטת נגד קורוזיה 4 חתיכות (0.3 x 1.5 ס מ) בצד אחד של המצע תחמוצת בדיל (ITO) אינדיום את הטופס ריבוע (1.5 x 1.5 ס מ). מכניסים את איטו חומצת מלח למשך 15 דקות לחרוט באזור החשוף של איטו.
  2. הוצא את הקלטת ולנקות את הדגימה באמצעות sonicator; sonicate עם יונים (DI) מים, אצטון, אתנול אלכוהול איזופרופיל בתורו במשך 30 דקות כל אחד. מייבשת קריטון בדוגמת עם אקדח חנקן דחוס.
  3. חברו של סובסטרטים איטו בדוגמת נקי על המחזיק המצע על ידי הקלטת, וטען בעל אל החדר המרכזי של RF מערכת התזה. משאבת הלחץ קאמרית מתחת 4 x 10-6 טנדר של גוה של via מכני משאבת דיפוזיה כדי להבטיח טוהר הסביבה.
  4. הוספת גז ארגון טהור (קצב הזרימה: 30 sccm) לתוך התא ואת הבקרה המשאבה כדי לשמור על הלחץ של תא 1 mtorr.
  5. להכין את השכבות זרע אזו באמצעות על הגג (13.56 MHz) sputtering שיטה, בהתבסס על שיטת דיווח13. השתמש מימד בתוך 2 מעגלי אזו היעד קרמיקה (2 wt % אל2O3 ב ZnO) להפקיד אותם על גבי מצעים זכוכית ITO מראש נקי. שמור על המרחק מטרה-כדי-המצע ב 10 ס מ.
  6. לשמור על לחץ-1 mtorr וכוח RF בגיל 40 W במהלך התצהיר. בקרת הטמפרטורה המצע בטמפרטורת החדר. להגדיר הטיה DC יישומית, התצהיר קצב ל 187 V, 4 nm/min, בהתאמה להפקיד את סרט דק אזו. עובי השכבה אזו זרע צריכה להיות נשלטת על 40 ננומטר המבוסס על המסך עובי גביש הקוורץ.
  7. לאחר המדגם מתקררת עד 30 מעלות צלזיוס בתא, כבה את המשאבה ואת הכנס גז חנקן אל החדר המרכזי עד ניתן לפתוח את התא. הסר את הדגימה המחזיק המצע.

2. צמיחה של סול-הג'ל מעובד שכבת זרע ZnO על המצע איטו

  1. להפקיד את שכבת זרע ZnO על המצע איטו בדוגמת מאת ספין סול-ג'ל ציפוי השיטה14. אבץ אצטט וגופרית והרכבו, 2-methoxethanol, monoethanolamine (מאה) משמשים את ההתחלה החומרים הממס, מייצב, בהתאמה.
    1. להמיס וגופרית והרכבו של אצטט אבץ (4.39 גרם) תערובת של 2-methoxethanol (40 מ ל) MEA (1.22 g) כדי להשיג את ריכוז אצטט אבץ 0.5 M.
    2. מוסיפים את התערובת המתקבלת ב 60 מעלות צלזיוס במשך שעתיים. תן את סול לשבת במשך 12 שעות ליצור פתרון הומוגני ברורה ושקופה.
    3. להפקיד את שכבת זרע ZnO אל נקי סובסטרטים זכוכית ITO בדוגמת באמצעות שיטת ציפוי ספין. הוספת פתרון סול-ג'ל 0.1 מ"ל על גבי המצע ולסובב ב-3000 סל ד ל 30 s באמצעות עם coater ספין.
    4. לאחר ספין ציפוי, יבש הסרט ב 200 מעלות צלזיוס למשך 30 דקות על פלטה חמה כדי לאפשר הממס להתאדות ולהסיר את שאריות אורגניות. עובי השכבה זרע ZnO צריך להיות 40 ננומטר14.

3. צמיחת מערך NR ZnO על שכבת זרע

  1. לגדול המערך ZnO NR בשיטת הידרותרמי.
    1. Mix 1.49 g אבץ חנקת hexahydrate (Zn (3)2·6H2O), 0.7 g hexamethylenetetramine (HMT) (C6H12N4) במים 100 מ ל די. מוסיפים את התערובת המתקבלת בטמפרטורת החדר למשך 30 דקות.
    2. לצרף את הצד איטו של שכבת זרע בהיסוס אזו עם הדגימות סול-ג'ל ZnO הזכוכית לכסות בעזרת קלטת. הכניסו את הדגימות 50 מ ל צינור חרוטי פוליפרופילן מלא עם הפתרון 50 מ של Zn (3)2·6H2O ו- HMT.
    3. במהלך הגידול, מחממים את צינור פוליפרופילן חרוט על ידי הנחת אותו אופקית בתנור מעבדה עם הדוגמאות הספין מצופה מופנות כלפי מטה, לשמור על הטמפרטורה ב 90 מעלות צלזיוס במשך 90 דקות.
    4. בסוף תקופת הצמיחה, להסיר את סובסטרטים הפתרון ולשטוף מיד המשטח דגימת די מים, אתנול (בתוך שני שטיפת בקבוקים) בתורו במשך 1 דקה לכל להסרת משקעי מלח מעל פני השטח. מייבשת את הדגימה באמצעות אקדח חנקן דחוס ואופה זאת על פלטה חמה ב 250 מעלות צלזיוס למשך 10 דקות.

4. ייצור ומדידה של תאים סולריים מולקולה קטנה הפוכה

  1. לטעון את המצע איטו עם המערך ZnO NR על גבי coater ספין בתא הכפפות. לערבב 1 מ"ל של טולואן המכיל 15 מ ג של SMPV1, 11.25 מ ג של PC71BM. הוסף פתרון 0.1 מ"ל, ספין המדגם-2,000 סל ד 40 s באמצעות coater של ספין, ו anneal זה ב 60 מעלות צלזיוס למשך 2 דקות.
  2. לאחר תהליך הריפוי למקם את המצע מערכת אידוי תרמי. משאבת תא ואקום בתחילה באמצעות משאבה מכנית עד הלחץ מגיע 4 x 10 טנדר של גוה של-2 , ולאחר מכן לעבור טורבו לשאוב כדי לגרום ללחץ הסביבתי < 4 x 10-6 טנדר של גוה.
  3. הפקדה MoO3 שכבה בקצב התצהיר של 0.1 nm/s על ידי חימום MoO3 אבקת בסירה מוליבדן resistive עם Z-יחס של 1.0 וזרם קלט של 105 א הפקדה היועץ המשפטי לממשלה שכבה בקצב התצהיר של 0.5 ננומטר/s על ידי חימום כסף ingot ב- resistive t ungsten סירה עם Z-יחס של 0.529, זרם קלט של 190 א המערכת צריכה לכלול צג גביש הקוורץ קצב אידוי לשליטה תהליך אידוי. העובי של MoO3 , שכבות Ag צריכה להיות נשלטת להיות 5 ו 150 nm, בהתאמה המבוסס על המסך עובי גביש הקוורץ.
  4. לאחר המדגם מתקררת עד 30 מעלות צלזיוס בתא, לכבות את המשאבה ולאחר הכנס גז חנקן אל החדר עד ניתן לפתוח את התא. הסר את הדגימה ממחזיק המצע וטען המדגם לתוך בתא הכפפות.
  5. לפתוח את מערכת סימולטור שמש ולהמתין 20 דקות עד מקור האור של המערכת תהיה יציבה. להאיר את הדגימה-mW/cm 1002 מסימולטור שמש של מסת אוויר 1.5 גלובלית (AM 1.5G) באמצעות מסנן. במקביל, להשתמש במנתח לטאטא את המכשיר מ-1 V +1 V כדי להשיג צפיפות זרם-מתח (J-V) עקומת14,15.

5. אפיון טכניקות

  1. לבצע את measurment קרני רנטגן16 עם מקור Cu Kα ללמוד את המבנים NRs ZnO, וביום בשכבת זרע בהיסוס אזו בשכבת זרע ZnO סול-ג'ל מעובד. מהירות הסריקה צריך להיות 1 ° / min, הטווח הסריקה צריך להיות 10-90 ° (2θ).
  2. לאפיין את תמונת חתך של הדגימות ומורפולוגיה פני השטח על ידי פליטת שדה סריקה מיקרוסקופ אלקטרונים17 על-ידי הגדרת את מתח ההפעלה ב-10 kV.
  3. לקבל פוטולומיניסנציה מיקרו (PL) ספקטרום של כל הדגימות באמצעות לייזר הוא-Cd CW nm 325 (20 mW) כמקור עירור עם 2,400 מ"מ/חריצים שוחק ב גאומטריה backscattering. מדידות AllPL18 צריכה להתבצע בטמפרטורת החדר.

הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.

תוצאות

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

מבנה שכבות של המכשירים מורכבת איטו המצע/אזו (40 ננומטר) / ZnO NRs שכבה, SMPV1:PC71מוניטור (80 ננומטר) / MoO3 (5 ננומטר) /Ag (150 ננומטר) כפי שמוצג באיור1. באופן כללי, שכבת זרע אזו או ZnO נעשה שימוש נרחב לתפקד כמו שכבת התעבורה אלקטרון (ETL) מגירסה מכשירים. מלבד מגירסה, SM-OPVs בדרך כלל יש שכבה פעילה קצר יותר, מוגבל על ידי אורך דיפוזיה קצר8. לפיכך, כדי לשפר את היכולת קציר-אור של התקנים, השכבה ZnO NRs הוא הציג גדל על...

הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.

דיון

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

על ידי ניצול interlayer את NRs הטובה, Jsc והן של FF של המכשירים ניתן לשפר. עם זאת, חספוס פני השטח של NRs ישפיע גם על התהליכים הבאים. לפיכך, את הכיוון, המורפולוגיה משטח של NRs צריך להיות בזהירות מניפולציות. במשך זמן רב, סול-הג'ל לעבד ETL כגון TiO2 ו ZnO היו נפוצים מגירסה בשל הליכים פשוטים שלהם. עם זאת, התגבשויות של סול-ג'ל מעובד שכבות היא בדרך כלל מסוג אמורפי, המורפולוגיה משטח של השכבות קשה ברוב המכריע של המקרים. לפיכך, במחקר זה, לשלוט במדויק את איכות הסרט של שכבת זרע, שכבת זרע בהיסוס נבחר כדי להחליף...

הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.

גילויים

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

המחברים מצהירים כי יש להם אינטרסים כלכליים אין מתחרים.

תודות

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

המחברים רוצה להודות הלאומי למדע המועצה של סין על התמיכה הפיננסית של מחקר זה תחת חוזה מס רוב 106-2221-E-239-035, ואת רוב 106-2119-M-033-00.

הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.

חומרים

רשימת החומרים שנעשה בהם שימוש במאמר זה
שםחברהמספר קטלוגהערות
AZO יעדUltimate Materials Technology Co., Ltd.ללאAZO (2 wt% Al2O3 ב-ZnO), 3 אינץ' ψ x 3 מ"מ
+ 3 מ"מ Cu B / P + מליטה
SMPV1Luminescence Technology Corp.1651168-29-42,6-Bis[2,5-bis(3-octylrhodanine)-(3,3-dioctyl-2,2':5,2''-terthiophene)]-4,8-bis((5-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene
RF sputtering systemKao Duen Technology Co., Ltdאף אחד http://www.kaoduen.com.tw/index.php?action=product
אבץ אצטט דיהידראטJ. T. Baker59704564.39 גרם
מונואתנולמיןJ. T. Baker1414351.22 גרם
2-מתוקסיאתנולסיגמא-אולדריץ10986440 מ"ל
אבץ חנקתי הקסהידרטJ. T. Baker101961861.49 גרם
HexamethylenetetramineSigma-Aldrich100-97-00.7 גרם
תחמוצת בדיל אינדיום (ITO)RiTdisplayללאמצעי זכוכית מצופים (< 10 ואומגה; sq– 1)
AFMVeecoInnova SPM
SEMFEINova 200 NanoSEMמתח פעולה: 10 kV
XRDBrukerD8 עקיפה של קרני רנטגן2θ טווח: 10– 90 °; גודל מדרגה: 0.008 & deg;
PLHoribaJobin-Yvon HR800מקור עירור: 325 ננומטר לייזר UV 20 mW
סימולטור סולאריניופורט91192AAM 1.5G
מנתח פרמטרים של מוליכים למחצה מדויקיםKeysight TechnologiesAgilent 4156Cלטאטא מ-1 עד +1 V
טולואןסיגמא-אולדריץ'108-88-31 מ"ל
PC71BMסיגמא-אולדריץ'609771-63-311.25 מ"ג
מערכת אידוי תרמיתKao Duen Technology Co., LtdKao Duen PVD Systemhttp://www.kaoduen.com.tw/index.php?action=product
HClSigma-Aldrich7647-01-0
MoO3Alfa Aesar1313-27-599.50%
מטיל כסףADMAT Inc.ללא100.00%
בקר תצהיר סרט דקINFICONXTC
סרט נגד קורוזיה (סרט פולימיד)3M Taiwan Corporationללאhttp://solutions.3m.com.tw/wps/portal/3M/zh_TW/InsulatingTape/home/product/Polyimide/
ציפוי ספיןChemat Technology, IncKW-4Ahttp://www.chemat.com/chematscientific/KW-4A.aspx
'

מקורות

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,
  1. Dou, L., et al. Tandem polymer solar cells featuring a spectrally matched low-bandgap polymer. Nat. Photonics. 6 (3), 180-185 (2012).
  2. You, J., et al. Metal Oxide Nanoparticles as an Electron-Transport Layer in High Performance and Stable Inverted Polymer Solar Cells. Adv. Mater. 24 (38), 5267-5272 (2012).
  3. Dou, L., et al. Systematic Investigation of Benzodithiophene- and Diketopyrrolopyrrole-Based Low-Bandgap Polymers Designed for Single Junction and Tandem Polymer Solar Cells. J. Am. Chem. Soc. 134 (24), 10071-10079 (2012).
  4. Li, G., Zhu, R., Yang, Y. Polymer solar cells. Nat. Photonics. 6 (3), 153-161 (2012).
  5. You, J., et al. A polymer tandem solar cell with 10.6% power conversion efficiency. Nat. Commun. 4, 1446(2013).
  6. Chen, J. D., et al. Single-Junction Polymer Solar Cells Exceeding 10% Power Conversion Efficiency. Adv. Mater. 27 (6), 1035-1041 (2015).
  7. Zhang, H., et al. Developing high-performance small molecule organic solar cells via a large planar structure and an electron-withdrawing central unit. Chem. Commun. 53, 451-454 (2017).
  8. Zhou, H., et al. Conductive Conjugated Polyelectrolyte as Hole-Transporting Layer for Organic Bulk Heterojunction Solar Cells. Adv. Mater. 26 (5), 780-785 (2014).
  9. Lin, M. Y., et al. Enhance the light-harvesting capability of the ITO-free inverted small molecule solar cell by ZnO nanorods. Opt. Express. 24 (16), 17910-17915 (2016).
  10. Liu, Y., et al. Solution-processed small-molecule solar cells: breaking the 10% power conversion efficiency. Sci. Rep. 3, 3356(2013).
  11. Farahat, M. E., et al. Toward environmentally compatible molecular solar cells processed from halogen-free solvents. J. Mater. Chem. A Mater. Energy Sustain. 4 (19), 7341-7351 (2016).
  12. Lin, M. Y., et al. Plasmonic ITO-free polymer solar cell. Opt. Express. 22 (S2), A438-A445 (2014).
  13. Donato, A., et al. RF sputtered ZnO-ITO films for high temperature CO sensors. Thin Solid Films. 517 (22), 6184-6187 (2009).
  14. Lin, M. Y., et al. Sol-gel processed CuOx thin film as an anode interlayer for inverted polymer solar cells. Org. Electron. 11 (11), 1828-1834 (2010).
  15. Vandewal, K., et al. On the origin of the open-circuit voltage of polymer-fullerene solar cells. Nat. Mater. 8, 904-909 (2009).
  16. Sharma, R., et al. X-ray diffraction: a powerful method of characterizing nanomaterials. Recent Research in Science and Technology. 4 (8), 77-79 (2012).
  17. Huggett, J. M., Shaw, H. F. Field emission scanning electron microscopy a high-resolution technique for the study of clay minerals in sediments. Clay Miner. 32, 197-203 (1997).
  18. Lou, S., et al. Laser beam homogenizing system design for photoluminescence. Appl. Opt. 53 (21), 4637-4644 (2014).
  19. Huang, J. S., Lin, C. F. Influences of ZnO sol-gel thin film characteristics on ZnO nanowire arrays prepared at low temperature using all solution-based processing. J. Appl. Phys. 103, 014304(2008).
  20. Leung, S. F., et al. Light Management with Nanostructures for Optoelectronic Devices. J. Phys. Chem. Lett. 5, 1479-1495 (2014).
  21. Lee, C. Y., et al. White-light electroluminescence from ZnO nanorods/polyfluorene by solution-based growth. Nanotechology. 20 (42), (2009).

הגישה מוגבלת. התחברו או התחילו תקופת ניסיון כדי לצפות בתוכן זה.

הדפסות חוזרות והרשאות

בקש הרשאה לשימוש חוזר בטקסט או באיורים של מאמר JoVE זה

בקש הרשאה

תגיות

ZnO AlAZOAZO

מאמרים קשורים