Name: U2O5 הסרט הכנה באמצעות התצהיר2 אז פרט להתמחות על ידי זרם ישיר Sputtering וחמצון רצופים וצמצום עם אטומי חמצן ומימן אטומי (וידאו) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-02-21T14:00:00.000+00:00
Duration: 12 min 5 s
Description: למד את שיטת הכנת סרטים דקים של U2O5 באמצעות חמצון וצמצום אטומיים בחלל עת-ריק גבוה. השיטה מאפשרת חקר תכונות פיזיקוכימיות של תחמוצות אורניום בלתי יציבות.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

המחברים לא תודות לך

1. מחזיק קליניים
הערה: טיפול של בעל מדגם מחוץ Labstation תחת אווירה הסביבה צריכה להתבצע עם כפפות, פינצטה נקי.
<ol><li>
הכנת מחזיק הדוגמא וניקוי באתרו לשעבר
	<ol>
<li>לנקות את רדיד זהב (Au) (0.025 מ מ עובי, 99.99%, ראה טבלה של חומרים) של גודל 8 x 8 מ מ עם אצטון. המקום רדיד האלומיניום פלדת אל-חלד או מחזיק מוליבדן במיוחד המיועד Labstation ותקן מסכל את המחזיק על ידי ריתוך החוטים טנטלום.</li>
		<li>לנקות את בעל מדגם ו לסכל שוב עם אצטון ולתת לזה להתייבש תחת אמביינט אטמוספירה לפני מבוא Labstation. הערה: תמונה של בעל מדגם בנייר זהב מוצגת על שיבוץ של איור 1.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
מבוא של בעל מדגם Labstation
	<ol>
<li>סגור את השסתום UHV בין עומס תא המוסך קאמרית (C1/C2). . תפוס. תשחרר את הבורג, תיקון הדלת של C1, ופתח את השסתום חנקן להביא את הלחץ הלחץ האטמוספרי, המאפשר פתיחת הדלת.</li>
		<li>להכיר את בעל מדגם C1. . סגור את הדלת של C1 ופתח את השסתום עבור שואב האבק הראשי.</li>
		<li>סגור את השסתום המשאבה הראשית, ברגע שואב האבק הראשי מגיע בלחץ של 1 mbar. פתח השסתום מקושר המשאבה turbomolecular UHV מיד לאחר מכן. המתן עד הלחץ מגיע ל- 10-7 mbar. הערה: שלב אחרון זה יכול לקחת מינימום של h 1 עד 3, בהתאם מדגם outgassing.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
העברה לחדר הכנה (B1)
	<ol>
<li>להזיז את העגלה התחבורה מן החדר העברה לתא ביניים, סגור את השסתום בין C2 C3. . פתח את הברז בין C1 ו- C2 להשתמש את מוט העברה של C1 כדי להעביר את בעל מדגם C2. הערה: C2 הוא חדר ביניים בין C1 תא העברה קווית משותף כל לשכות Labstation. זה מפריד תא מנעול עומס, שבו יש ואקום המסכן (10-7 mbar) משאר חלקי המערכת (mbar-9 סביב 10). העברות מדגם ניתן לבצע במהירות תוך שמירה על Labstation נקי-ואקום הדלה יחסית בתוך המנעול עומס.</li>
		<li>אחרי בעל מדגם יושב על העגלה בתא C2, להחזיר את מוט העברה C1, סגור את השסתום בין C1 ו- C2. . פתח את הברז בין C2 תא העברה קווית C3</li>
		<li>מקם את העגלה בבית הבליעה העברה קווית וחבר אותו למגנט נהיגה לפני סגירת המסתם בין C2 C3.</li>
		<li>השתמש בתוכנית בקרת העברה ליניארי (LTC, איור 2) כדי להעביר את העגלה למיקום של תא הכנה B1.</li>
		<li>. פתח את הברז בין תא העברה קווית תא הכנה B1 השתמש את מוט העברה למיקום המדגם בבית הבליעה הכנה B1. לאחר העברת המוט בחזרה למיקומו הראשוני, סגור את השסתום בין העברה קווית קאמרית הכנה תא B1.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
בחיי עיר ניקוי של בעל מדגם
	<ol>
<li>. פתח את הברז ארגון להגיע בלחץ של 5 x 10-5 mbar</li>
		<li>מיקום המשטח בעל מדגם באנכי להתמודד עם האקדח יון (IG10/35, ראה טבלה של חומרים).</li>
		<li>. הפעילי את האקדח יון להתחיל Ar יון התזה (2 קוו, פליטה אמא 10 הנוכחי) לשמור על ניקיון במשך 10 דקות למתג את האקדח יון.</li>
		<li>. תביא את צמד תרמי במגע עם בעל מדגם ולאחר מכן להחליף את החימום e-קרן אור כדי anneal המדגם-773 K במשך 5 דקות. לאחר עלייה הראשונית (לתוך הטווח 10 mbar-7 ), הלחץ נופל חזרה על-10-8 mbar, המציין את סיום outgassing. לכבות את התנור e-קרן ומצננים את הדגימה עד לטמפרטורת החדר (RT).</li>
		<li>לפתוח את השסתום בין העברה קווית קאמרית הכנה תא B1 ולאחר מכן מקם את בעל מדגם על העגלה באמצעות מוט העברה. סגור את השסתום של תא B1.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
מדגם בעל אפיון הערה: רנטגן ברזולוציה גבוהה photoelectron ספקטרוסקופיה (XPS) מדידות בוצעו באמצעות analyser המיספרי (ראה טבלה של חומרים). מקור מיקרו-פוקוס (ראה טבלה של חומרים) מצוידים monochromator והוא פועל ב 120 W ששימשה ליצירתו של הקרינה של Al Kα (E = 1,486.6 eV). כיול של ספקטרומטר נעשה באמצעות קו7/2 4fAu מתכת, ייצור ערך של 83.9(1) eV מחייב אנרגיה (מושלם), ואת קו3/2 p 2מתכת Cu-932.7(1) להיות eV.<ol>
<li>להעביר את העגלה על ידי שליטה מרחוק באמצעות התוכנית LTC למיקום של החדר ניתוח A4. הערה: רקע הלחץ בחדר ניתוח הוא mbar−10 2 x 10.</li>
		<li>לפתוח את השסתום לשכת ניתוחים A4 ולהשתמש מוט העברה לקחת המדגם מן החדר העברה קווית לחדר ניתוחים A4. סגור את השסתום החדר ניתוח A4.</li>
		<li>להעביר את הדגימה מיקום ניתוח באמצעות תוכנית רכישה (איור 3).</li>
		<li>לעבור על קירור מים, מקור רנטגן ספקטרופוטומטרים (אנודת מתח = 15 קוו, פליטה הנוכחי = 120 מא).</li>
		<li>התחל רכישת נתונים באמצעות תוכנית רכישה (איור 3). הערה: ניתן לבצע אופטימיזציה של מיקום הדגימה עם תוכנית הרכישה לקבל עוצמת האות מקסימלי. הערה: Photoemission הספקטרום צולמו מהמשטח מדגם ב RT.</li>
		<li>להתחיל את המדידה של ספקטרום סקירה באמצעות הפרמטרים הבאים: קהini = 100 eV, KEפין = 1,500 eV, סריקה זמן = 300 s, ° N נקודות = 1,401, מעבר אנרגיה = 50 eV, לשסף = 7 x 20 מ מ קוטר, מצב = 1.5 קוו/בינוניים אזור מצב. הערה: בהעדר לשיא1s C-כ 284.5 eV להיות מציינת כי השטח נקי.</li>
		<li>נתחיל רכישת Au4f הליבה ספקטרום ברמת הפרמטרים הבאים: קהini = 1,396.6 eV, KEפין = 1,406.6 eV, סריקה זמן = 60 s, מספר נקודות = 201, מעבר אנרגיה = 30 eV, לשסף = 6 מ מ קוטר, מצב = 1.5 קוו/בינוניים אזור מצב . הערה: המדידה השנייה הזו יושוו לזהויות הספקטרום לאחר הפקדת הסרט2 אז פרט להתמחות על רדיד זהב כדי להעריך את עובי המקביל של הסרט.</li>
		<li>לאחר השטח של בעל מדגם (Au רדיד) נותחה, לפתוח את השסתום החדר ניתוח A4 כדי למקם את בעל מדגם על העגלה בבית הבליעה הובלה ליניארית באמצעות מוט העברה.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. הכנת סרט דק
הערה: סרטים רזה של תחמוצת אורניום מוכנות בחיי עיר על ידי זרם ישר (DC) sputtering באמצעות אורניום מתכת מטרה, וגז תערובת של Ar (6 N) לחץ חלקי2 (4.5 N) O.
<ol><li>הפקדת אז פרט להתמחות2 הסרט
	<ol>
<li>להעביר את העגלה נושאת את בעל מדגם למיקום של תא הכנה B2 בשליטה מרחוק באמצעות התוכנית LTC.</li>
		<li>לפתוח את השסתום לשכת ההכנה B2 ולאחר עם מוט העברה, מקם את בעל מדגם תחת מקור לרעוד. להוציא, הממוקם באמצע B2. הערה: לפני התהליך המלהגים, ודא כי הצמצם של מקור לרעוד. להוציא סגורה.</li>
		<li>סגור את השסתום כדי לבודד תא B2 מן החדר העברה קווית. לאחר מכן, פתח את השסתום2 O, להתאים את לחץ חלקי של חמצן כדי 2.5 x 10−5 mbar. פתח ארגון שסתום הדלק להגיע בלחץ חלקי של 5 x 10−3 mbar.</li>
		<li>השתמש בתוכנית לציפוי ידי ריסוס (איור 4) כדי להזין את הפרמטרים הבאים: התצהיר זמן = 300 s, אורניום היעד מתח =-700 V, אורניום היעד הנוכחי = 2 אמא, נימה חימום = 3.3 V/3.9 A, מתח עבודה פילמנט = 40 V. הערה: המתן כ 120 s של sputtering עם צמצם סגור של מקור לרעוד. להוציא.</li>
		<li>התחל את הטיימר מיד לאחר פתיחת הצמצם של מקור לרעוד. להוציא כדי לאפשר הפקדת אז פרט להתמחות2 מסכל Au. הערה: כדי לעבוד בלחץ Ar נמוך ללא ייצוב שדות מגנטיים, זריקות של 25-50 eV אנרגיה (טריודה התקנה) היו מופעל כדי לשמור על הפלזמה ב "דיודה" בגלל.</li>
		<li>לעצור את התזה לאחר 300 s, באמצעות המתאימה תוכנית וכן לסגור את השסתומים גז2 Ar ו- O. הערה: האור הכחול של הפלזמה ייעלם, כל הפרמטרים המלהגים תיפול לאפס. הערה: המתן עד הלחץ לשכת ההכנה B2 מגיע ל- 10-8 mbar.</li>
		<li>להביא את הדגימה הכנה בתא B1, ובשביל חישול חלקים של המדגם, להחליף את החימום e-קרן והגדר את הטמפרטורה 573 ק הערה: המתן 3 עד 5 דקות לפני הפסקת את החימום.</li>
	</ol></li>
	<li>אז פרט להתמחות2 מדגם הטזה הערה: עבור הטזה המדגם על ידי ה-XPS, ההליך המתואר לשם הטזה מחזיק הדגימה צריכה להיות מלווה.<ol>
<li>. פתח את הברז בין הכנה תא B1 העברה קווית קאמרית להעביר את הדגימה לעגלה באמצעות מוט העברה הגדר את מוט העברה חזרה לחדר הכנה B1 ולאחר מכן סגור את השסתום כדי לבודד את זה מהתא העברה קווית.</li>
		<li>בצע את ההליך המתואר צעדים 1.5.1 כדי 1.5.6. הערה: סקירה על הספקטרום מאפשר שליטה על איכות הסרט2 אז פרט להתמחות על-ידי למעט פסגות טומאה נוספים (C1s, זיהום צולב מן הדיור מקור לרעוד. להוציא) ושליטה (בערך) את U:O יחס של הסרט.</li>
		<li>התחל רכישת רמת הליבה4f Au (דומה פרמטרים כמו שלב 1.5.7).</li>
		<li>המשך רכישת U4fO1s, ערכיות (VB) שימוש באנרגיה פרמטרים: המעבר הבא = 30 eV, חתך = 7 x 20 מ מ קוטר, מצב = 1.5 קוו, אזור בינוני. U4f: קהini = 1,066.6 eV KEפין = זמן הסריקה 1,126.6 eV = 300 ° s N נקודות = 601 1s: קהini = 946.6 eV KEפין = זמן הסריקה 966.6 eV = 300 ° s N נקודות = 201 Vb: קהini = 1,473.6 eV KEפין = זמן הסריקה 1,488.6 eV = ° s N 1,800 נקודות = 601 הערה: ספקטרום שהושג עבור הסרט2 אז פרט להתמחות מדווחים באיור5.</li>
	</ol></li>
	<li>חמצון של אז פרט להתמחות2 עם חמצן אטומי הערה: שטף אטום (ראה טבלה של חומרים) צוין > 1016 אטומים/cm2/s, המקביל חשיפה עד 20 s של Langmuirs בערך 10 (כלומר., 1.33 x 10−3 Pa•s).<ol>
<li>להעביר את העגלה נושאת את הדגימה לחדר הכנה B3. לפתוח את השסתום לשכת ההכנה B3 ולאחר עם מוט העברה, מקם את הדגימה בתוך B3 מול המקור אטום. סגור את השסתום כדי לבודד תא מן החדר העברה קווית.</li>
		<li>הגדר את הטמפרטורה מדגם 573 ק. חכה 5 דקות כדי לאפשר את הדגימה להגיע לטמפרטורה של המחזיק.</li>
		<li>לפתוח את השסתום חמצן ולהגדיר את לחץ חלקי 1.2 x 10-5 -mbar-O-2. לעבור על המים קירור עבור המקור אטום.</li>
		<li>. הפעילי את מקור אטומי והגדר הנוכחי 20 מא. שים לב הזמן המדויק להתחמצן הדגימה עם מקור אטומי. אם חמצון זמן קצר מדי, חמצון אז פרט להתמחות3 יכול להיות שלם כפי שדווח באיור 6.</li>
		<li>לחכות 20 דקות כדי להשיג חמצון מלא של אז פרט להתמחות2 לתוך אז פרט להתמחות3 , כבה את מקור אטומי לפני סגירת המסתם חמצן. לאחר הלחץ לשכת ההכנה B3 10-7 mbar, פתח את השסתום כדי להעביר את הדגימה על העגלה נוכח בבית הבליעה העברה קווית לאחר מכן, סגור את השסתום לשכת ההכנה B3.</li>
	</ol></li>
	<li>ניתוח של אז פרט להתמחות3 שהושג לאחר חמצון של אז פרט להתמחות2 עם חמצן אטומי
	<ol>
<li>להעביר את הדגימה לחדר ניתוחים ביצוע השלבים 1.5.1 כדי 1.5.6; לאחר מכן, עבור הניתוחים, בצע את ההליך כמתואר בשלב 2.2.4. הערה: ספקטרום המקביל של אז פרט להתמחות3 מדווחים איור7.</li>
	</ol></li>
	<li>הפחתת אז פרט להתמחות3 על ידי אטומי מימן
	<ol>
<li>כדי להעביר את הדגימה לחדר הכנה B3, בצע את שלבים 2.3.1 ו 2.3.2.</li>
		<li>לפתוח את השסתום מימן ולהגדיר את לחץ חלקי mbar-5 3 x 10. לעבור על המים קירור עבור המקור אטום. . הפעילי את מקור אטומי והגדר הנוכחי 30 תואר שני.</li>
		<li>מחכים 60 s של הפחתת זמן לפני. לכבות את מקור אטומי. לב בדיוק הזמן לנקוט כדי להפחית את הדגימה עם מקור אטומי. אם הפחתת זמן ארוך מדי, אז אז פרט להתמחות2 + x נוסף פוחת אז פרט להתמחות2 כפי שדווח באיור8. אם הדבר יתרחש, הדגימה חייבת להיות מחומצן שוב עם חמצן אטומי (כפי שעשינו כדי לקבל אז פרט להתמחות3), אשר ספקטרה המתאימים מדווחים באיור9.</li>
	</ol></li>
	<li>ניתוח של2O U5 שהושג לאחר הפחתה של אז פרט להתמחות3 עם אטומי מימן
	<ol>
<li>להעביר את הדגימה לחדר ניתוח ביצוע השלבים 1.5.1 כדי 1.5.6; לאחר מכן, עבור הניתוחים, בצע את ההליך כמתואר בשלב 2.2.4. הערה: ספקטרום שהושג של U4f, O1s, VB מדווחים באיור10. כדוגמה של הפחתת לא שלם2O U5, ספקטרה דומה, כפי שמוצג באיור 6 מתקבלים.</li>
	</ol></li>
</ol>

<ol><li>Shoesmith, D. W., Sunder, S., Hocking, W. H. Electrochemistry of UO2 nuclear fuel. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aShoesmith%2C+DW+%22Electrochemistry+of+Novel+Materials%22">Electrochemistry of Novel Materials</a>. Lipkowski, J., Ross, P. N. , New York, N.Y. (1994).</li>
<li>Shoesmith, D. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fuel+corrosion+processes+under+waste+disposal+conditions%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Nuclear+Matter%22%5BJournal%5D)">Fuel corrosion processes under waste disposal conditions.</a> Journal of Nuclear Matter. 282, 1-31 (2000).</li>
<li>Gouder, T., Shick, A. B., Huber, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Surface+interaction+of+PuO2%2C+UO2%2Bx+and+UO3+with+water+ice%5BTitle%5D)+AND+%22Topics+in+Catalysis%22%5BJournal%5D)">Surface interaction of PuO2, UO2+x and UO3 with water ice.</a> Topics in Catalysis. 56, 1112-1120 (2013).</li>
<li>Cohen, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Water+chemisorption+on+a+sputter+deposited+uranium+dioxide+film+-+Effect+of+defects%5BTitle%5D)+AND+%22Solid+State+Ionics%22%5BJournal%5D)">Water chemisorption on a sputter deposited uranium dioxide film - Effect of defects.</a> Solid State Ionics. 263, 39-45 (2014).</li>
<li>Seibert, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+use+of+the+electrochemical+quartz+crystal+microbalance+%28EQCM%29+in+corrosion+studies+of+UO2+thin+film+models%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Nuclear+Matter%22%5BJournal%5D)">The use of the electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM) in corrosion studies of UO2 thin film models.</a> Journal of Nuclear Matter. 419, 112-121 (2011).</li>
<li>Majumder, I., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Syntheses+of+U3O8+nanoparticles+form+four+different+uranyl+complexes%3A+Their+catalytic+performance+for+various+alcohol+oxidations%5BTitle%5D)+AND+%22Inorganic+Chimica+Acta%22%5BJournal%5D)">Syntheses of U3O8 nanoparticles form four different uranyl complexes: Their catalytic performance for various alcohol oxidations.</a> Inorganic Chimica Acta. 462, 112-122 (2017).</li>
<li>Gouder, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+observation+of+pure+pentavalent+uranium+in+U2O5+thin+films+by+high-resolution+photoemission+spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Scientific+Reports%22%5BJournal%5D)">Direct observation of pure pentavalent uranium in U2O5 thin films by high-resolution photoemission spectroscopy.</a> Scientific Reports. 8, 1-7 (2018).</li>
<li>Rundle, R. E., Baeziger, N. C., Wilson, A. S., MacDonald, R. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+structures+of+the+carbides%2C+nitrides+and+oxides+of+uranium%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+the+American+Chemical+Society%22%5BJournal%5D)">The structures of the carbides, nitrides and oxides of uranium.</a> Journal of the American Chemical Society. 70, 99(1948).</li>
<li>Hoekstra, H. R., Siegel, S., Gallagher, F. X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+uranium-oxygen+system+at+high+pressure%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Inorganic+and+Nuclear+Chemistry%22%5BJournal%5D)">The uranium-oxygen system at high pressure.</a> Journal of Inorganic and Nuclear Chemistry. 32, 3237(1970).</li>
<li>Kovba, L. M., Komarevtseva, N. I., Kuz'mitcheva, E. U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((On+the+crystal+structures+of+U13O34+and+delta-U2O5%5BTitle%5D)+AND+%22Radiokhimiya%22%5BJournal%5D)">On the crystal structures of U13O34 and delta-U2O5.</a> Radiokhimiya. 21, 754(1979).</li>
<li>Teterin, Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+study+of+synthetic+and+natural+uranium+oxides+by+X-ray+photoelectron+spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Physics+and+Chemistry+of+Minerals%22%5BJournal%5D)">A study of synthetic and natural uranium oxides by X-ray photoelectron spectroscopy.</a> Physics and Chemistry of Minerals. 7, 151-158 (1981).</li>
</ol>

המחברים אין לחשוף.

התוצאות הראשונות שהתקבלו על הסרטים דק2O U5 של בערך 30 monolayers (ML) עובי, יחד עם הליבה המתאימים ברמת ספקטרוסקופיה שהושג עם photoemission הספקטרומטריה ברזולוציה גבוהה, שדווחו ב הפרסום הקודם7. האבולוציה של המדינה אורניום במהלך תהליך חמצון של אז פרט להתמחות2 לתוך אז פרט להתמחות3 נמסר דרך ספקטרה photoelectron רנטגן שהושג על סרטים רזה של שתיים עד 50 שכבות בעובי במגוון רחב של היחס O:U (איור 11, איור 12). הסרט חמצון וצמצום הסרט התקבלו על ידי חשיפת הסרטים חמצן אטומי, אטומי מימן, בהתאמה. יכול להיות מאושרות ההומוגניות של הסרטים עם אורניום חמצון הברית בין הרביעי השישי בשל עובי קטן שלהם ואת הטמפרטורות התגובה. סרטים רזה של אורניום תחמוצות מופקדים על מצע באמצעות זרם ישיר sputtering עם מקור לרעוד. להוציא שפותחה ב קרלסרוה נוסד. המקור לרעוד. להוציא מותקנת בתוך תא תחת ואקום גבוה במיוחד, כמו כל לאהלי Labstation. בזמן אז פרט להתמחות2 ניתן להשיג ישירות, אז פרט להתמחות3 ו- U2O5 סרטים מתקבלים רק לאחר טיפול נוסף עם אטומי חמצן ומימן אטומי. האנרגיה איגוד של הפסגות הראשי ואת מיקומם לוויינים לאפשר בידול בין המדינות חמצון של אורניום בסרטים תחמוצת אורניום מיוצר באתרו. ספקטרוסקופיה ברזולוציה גבוהה יש צורך להבדיל בין המדינות חמצון שונים, כמו האנרגיות איגוד בלוויין קרובים ויש בעוצמות נמוכות.
בשנת 1948, אורניום pentavalent טהור, U2O5, זוהה בפעם הראשונה8. מאוחר יותר, סינתזה שלו תוארה מבוסס על טמפרטורה גבוהה (673-1,073 K) בלחץ גבוה (30-60 kbar) תערובת אז פרט להתמחות2 ו- U-3O-8-9. עם זאת, קיום ויציבות של2O U5 -בתנאי טמפרטורה ולחץ הסביבה יש כבר נחקרתי, רומז מגבלה נמוכה יותר של x = 0.56-0.6 עבור האזור חד-פאזי מתחת3O U810 . עד כה, הכנת U2O5 בלחץ גבוה וטמפרטורה או במהלך תהליך תרמו להפחתת לא היה לשחזור; לעתים קרובות, לא ניתן היה להקצות מצב חמצון בודדת דגימות שהושג. חלק הכנה מדגם בצובר5 2O U הופיע בתור תערובות של אז פרט להתמחות2 או אז פרט להתמחות3 עם קיום של U(V) עם U(IV) או U(VI), באשר U4O9 ו- U-3-O-8. למשל, Teterin et al.11 דיווחו את תהליך leaching של U3O8 בחומצה גופרתית ואחריו טיפול תרמי באווירה הליום, בטענה כי התוצאות היו קשורים ל- U-2-O-5. מסקנה זו יכול להיות מהכלל בקלות בשל מבנה 2-שיא וכתוצאה מכך שלהם ספקטרה XPS. תערובת של U(V) ו U(VI) מינים יכול להסביר את התוצאה, למעט הקמת מדינה אחת U(V) חימצון צפוי עבור2O U5.
שיטת ההכנה שלנו מאפשר הכנת סרטים רזה של אורניום אוקסיד עם מצבי חמצון יחיד U(IV), U(VI) ו- U(V). כל התהליך של הכנת הדוגמא לוקח מקום בחיי עיר בתוך מכשיר המתוחזקים על ואקום גבוה במיוחד. התברר כי הפחתת אז פרט להתמחות3 על ידי אטומי מימן לא ממשיך אז פרט להתמחות2 אך ניתן לעצור ב- U(V). גורם הזמן חשוב מאוד כמו גם הטמפרטורה של המדגם במהלך תהליך צמצום. עם ספקטרומטר photoemission ברזולוציה גבוהה, זה הוצג כך מדגם טהור של2O U5 יכול להיות מוכן בתוך באתרו. הכנת סרטים עבה יותר צריך להיות שלב נוסף בהסתכלות מבנה לחקר הגבישים ומאפיינים בתפזורת עם טכניקות באתרו לשעבר .

תחמוצת אורניום הוא המרכיב העיקרי של פסולת גרעינית, ומקושרת שלה מסיסות במים למצב חמצון אורניום, גדל מ U(IV) ל U(VI). לפיכך, אז פרט להתמחות חימצון2 + x במהלך הגיאולוגיות האחסון הוא בטיחות חשוב ומכריע גיליון1,2. זה מניע מחקרים של התגובה מנגנונים המסדירים את האינטראקציות השטח בין אורניום תחמוצות ו5,64,3,הסביבה. הידע הזה הוא חיוני בכל ההיבטים של מטפלים בזבוז של דלק גרעיני מחזורים.
בעוד tetravalent hexavalent אורניום הם ומבוססת נפוץ כמו מערכות של מצב מוצק, זה לא המקרה של אורניום pentavalent, למרות יציבותו במתחמי uranyl מופע בתמיסה המימית. ב תחמוצות אורניום, U(V) נחשב והשלמת ביניים, הוא לא דיווח מצב יחיד אלא דווקא דו קיום עם U(IV) ו U(VI) מינים. מסיבה זו, לא דווח על מאפייני2O U5כימיים ופיזיים. זה גם בגלל תכונה נפוצה של ניסויים קורוזיה, שבו דגימות נחשפים הוא ייחלש. זה יוצר מדרג תלול חמצון הברית בין פני השטח (נחשפים חמצון) בכמות גדולה של המדגם. השינוי מתרחש בתוך עומק ניתוח. לפיכך, הברית חמצון שונים הם נצפו בו זמנית, לא בגלל הערכי מעורבת, אבל כמו חפץ של תגובה לא שלם וכתוצאה מכך שכבת הטרוגנית. אלה שתי בעיות ניתן לפתור באמצעות סרטים רזה במקום דגימות בצובר. ניתן להכין מספר רב של מערכות מגוונות עם קצת חומר המוצא, מעבר הצבע השטח-בתפזורת הוא נמנע כי לא בכמות גדולה.
שיטת דיווח כאן מאפשרת בחיי עיר הכנת שכבה דקה מאוד (כמה עשרות שכבות אטומיות שהופקדו על מצע אינרטי) וניתוח של פני השטח שלו ללא מגע עם האווירה. זהו אחד היתרונות של Labstation (איור 1), אשר הוא מודולרי המכונה המורכבת שונה צ'יימברס תחת ואקום אולטרה גבוה דינמי (UHV), להגיע הלחצים של 10 mbar-11 -9-10. צ'יימברס מוקדשים הכנה של סרטים רזה, טיפולי שטח למתכות (גז adsorptions), הטזה בטכניקות spectroscopies פני השטח [למשל, photoelectron ספקטרוסקופיה (XPS), אולטרה סגול photoelectron הספקטרומטריה (UPS), נמוך אנרגיה עקיפה ספקטרוסקופיית (LEED)]. דוגמאות רכוב על מחזיקי מדגם ספציפי, מועברים בין לשכות שונות דרך תא הובלה ליניארית באמצעות עגלה תחבורה. כל התאים מחוברים לתא המרכזי הזה דרך שסתום ולכן הם יכולים להיות מבודד בכל רגע (למשל., גז מילוי או מתן שירות). החלמה מדגם המחזיק/המדגם מן החדר העברה קווית מושגת על ידי מוט העברה רכוב על כל תא. מערכת בסיס Labstation יש שיוצרו על ידי חברה חיצונית (ראה טבלה של חומרים). שינויים והרחבות נוספו לאחר מכן בהתאם לדרישות ניסיוני, וכתוצאה מכך מכשור ייחודי נוסד קרלסרוהה. הרחבות כוללות את מקור לרעוד. להוציא (רכיב הליבה להכנת סרט דק), אשר פותחה בחברה יחד עם תוכניות רכישה לרעוד. להוציא ונתונים. הטעינה של מדגם המחזיק/המדגם של אווירה אמביינט ואקום גבוה נעשה באמצעות תא מנעול עומס תוכנן במיוחד כדי לבצע טיפול מדגם מרובים וכן למזער את הזמן להגיע הלחץ הסופי של-10-8-10 mbar -9 , ובכך יגביל את זיהום האוויר של המערכת. Labstation הוא התוצאה של שנים של ניסיון ומומחיות בתחום המדע משטח ב קרלסרוה נוסד.
כדי לעבור בין תא אחד למשנהו, המדגם הוא רכוב על עגלה תחבורה מונע על ידי מגנט חיצוני, נשלט על ידי תוכנת מחשב (איור 2) ועובר לגור לאורך התא העברה קווית של-7 מ' עצירה מוגדרות מראש עמדות מול צ'יימברס.
ללא התקנה דומה או קרוב, הניסוי יכול להיות קשה להתרבות. עם זאת, התקנה זו תורמת המעבדה PAMEC אשר תורם התוכנית גישה פתוחה נוסד, שבו משתמשים חיצוניים מוזמנים להגיש הצעות שנסקרו על ידי פאנל של מומחים מדעיים בינלאומיים. ההערכה שלהם ואז מאפשר למשתמשים לקבל גישה התשתית שמפעילה את נוסד. לאחר בקשות ולא במסגרת שיתופי פעולה, ניתן להכין סרטים רזה עבור משתמשים חיצוניים עבור ניתוחים וניסויים שבוצעו מחוץ נוסד קרלסרוהה.
בדו ח זה, אנו מספקים פרוטוקול מפורט הצמיחה של יחיד-ערכיות-U-2O-5 סרטים רזה, מתקבל על ידי רצף שלבים חמצון וצמצום של אז פרט להתמחות2 עם חמצן אטומי, אטומי מימן, בהתאמה. בניגוד אז פרט להתמחות2 , אז פרט להתמחותx 2 +, בתצהיר ישירה של2O U5 , אז פרט להתמחות3 סרטים על ידי DC sputtering לא יכול להיעשות. לכן, אנחנו קודם להמשיך בתצהיר של סרט2 אז פרט להתמחות, נישחק זה לתוך אז פרט להתמחות3 באמצעות חמצן אטומי, ואז לצמצם את זה חזרה ל2O U5 עם אטומי מימן. חמצון וצמצום פעמים וטמפרטורה מדגם במהלך התהליך יש השפעות על התוצאה, חשובים להתמחות. קומפוזיציה נכונה אומתה עם רזולוציה גבוהה photoelectron הספקטרומטריה, אשר מספק ראיות כמותיות הישירים אורניום 5נ1 בתצורה אלקטרונית, כצפוי U(V).

<table><tbody><tr><td>1ary משאבת ואקום גלילה יבשה</td><td>Agilent</td><td>SH-100</td><td>כל התאים למעט B1</td></tr><tr><td>משאבת 1ary</td><td>EDWARDS</td><td>nXDS10i 100/240V</td><td>תא B1</td></tr><tr><td>תוכנית רכישת</td><td></td> אצטון פותחה בתוך הבית <td></td><td></td></tr><tr><td></td> מפרט אנלייזר Phoibos 150 חצי כדורי&nbsp;<td></td><td></td><td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td>תא A4</td></tr><tr><td>ארגון</td><td>BASI</td><td></td><td>6N</td></tr><tr><td>מקור אטומי</td><td>GenII מקור פלזמה</td><td>Tectra</td><td>B3 תא</td></tr><tr><td>Au רדיד</td><td>Goodfellow</td><td></td><td></td></tr><tr><td>CasaXPS תוכנית</td><td>CasaXPS</td><td></td><td></td></tr><tr><td>מד 1ary ואקום&nbsp;</td><td>PFEIFFER</td><td>TPR 280 (2011/10)</td><td>כל התאים</td></tr><tr><td>מד 2ary ואקום&nbsp;</td><td>VACOM</td><td>ATMION ATS40C</td><td>כל התאים</td></tr><tr><td>גז מימן</td><td>BASI</td><td></td><td>6N</td></tr><tr><td>מקור אקדח יון</td><td>מפרט</td><td>IG10/35</td><td>B1 תא</td></tr> תוכנית <tr><td>העברה ליניארית</td> תוכנית <td>מפרט המסופקת</td><td></td><td>עם</td></tr><tr><td>התחנה תוכנית מקור&nbsp;</td><td>Origin</td><td>OriginPro 8.1SRO</td><td></td></tr><tr>גז <td></td><td></td><td></td><td>חמצן</td></tr><tr><td>6N Sampler ספק כוח מחמם קרן אלקטרונית</td><td>מפרט</td><td>SH100</td><td>B1 תא</td></tr><tr><td>מחמם התנגדות לדוגמא</td><td>תוצרת הבית</td><td>+ Eurotherm</td><td></td></tr><tr><td></td><td></td> B3 תא<td>תוכנית מקרטעת</td><td>פותחה בבית</td></tr><tr><td>מצע נירוסטה או מוליבדן</td><td>ב בית</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Ta חוט</td><td>Goodfellow</td><td></td><td></td></tr><tr><td>משאבת טורבו</td><td>PFEIFFER</td><td>TC 400</td><td>כל החדרים&nbsp;</td></tr><tr><td>יעד אורניום</td><td>בבית</td><td>בבית</td><td>יעד אורניום טבעי</td></tr><tr><td>בקר מד ואקום</td><td>VACOM</td><td>MVC-3</td><td>כל התאים</td></tr><tr><td>מקור רנטגן</td><td>מפרט</td><td>XRC-1000 MF</td><td>מצויד במונוכרומטור</td></tr></tbody></table>

u2o5 הסרט הכנה באמצעות התצהיר2 אז פרט להתמחות על ידי זרם ישיר sputtering וחמצון רצופים וצמצום עם אטומי חמצן ומימן אטומי

U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen

אנו מתארים שיטה לייצר U2O5 סרטים בחיי עיר באמצעות Labstation, מכונת מודולרי שפותחה ב קרלסרוה נוסד. Labstation, חלק חיוני של מאפיינים של Actinides תחת תנאים קיצוניים מעבדה (PAMEC), מאפשר הכנת סרטים ומחקרים של משטחים דוגמה לשימוש בשיטות אנליטיות משטח כגון צילום רנטגן, אולטרה סגול photoemission ספקטרוסקופיה (XPS ו- UPS, בהתאמה). כל המחקרים נעשים באתרו, הסרטים, הועבר תחת ואקום אולטרה גבוה מן ההכנה שלהם חדר ניתוח, לא בקשר עם האווירה. בתחילה, סרט של אז פרט להתמחות2 מוכן על ידי זרם ישר (DC) התצהיר לרעוד. להוציא על רדיד זהב (Au) ואז תחמוצת על-ידי חמצן אטומי כדי לייצר סרט3 אז פרט להתמחות. זה האחרון אז פוחת עם אטומי מימן2O U5. הניתוחים מבוצעים לאחר כל שלב מעורבים חמצון לבין הפחתה, שימוש photoelectron ברזולוציה גבוהה ספקטרוסקופיה לבחון את מצב חמצון של אורניום. ואכן, חמצון וצמצום פעמים ואת הטמפרטורה המתאימה של המצע בתהליך זה יש תופעות חמורות על מצב חמצון וכתוצאה מכך האורניום. עצירת ההפחתה של אז פרט להתמחות3 ו U2O5 עם U(V) יחיד הוא די מאתגר; ראשית, אורניום-חמצן מערכות קיימות בשלבי ביניים רבים. שנית, בידול המדינות חמצון של אורניום מתבסס בעיקר על פסגות בלוויין, פסגות בעוצמה של מי הם חלשים. בנוסף, ניסויים צריך להיות מודע לכך הספקטרומטריה (XPS) הוא טכניקה עם רגישות אטומי של 1-5%. לכן, חשוב לקבל תמונה מלאה של המדינה חמצון אורניום עם ספקטרום שלם שהושג על U4f, O1s, את ערכיות (VB). תוכניות המשמשים את Labstation כוללות תוכנית העברת ליניארי שפותחה על ידי חברת חיצונית (ראה טבלה של חומרים) גם חדרי קירור והקפאה, לרעוד. להוציא תוכניות מקור, שניהם שפותחו.

הזיהוי של U(V) יכול להיעשות בקלות על ידי אנרגיה אופיינית של הלוויין טלטול המלווה את כפיל4f מאפיין U. האנרגיה מחייב שבו מופיע בלווין, הקשורים עם תהליכי אובדן אנרגיה פנימית, תלויה במצב חמצון אורניום.
אורניום 4f ליבה photoemission רנטגן ברמת ספקטרה נרשמות על U(IV) אז פרט להתמחות2 (עיקול אדום), U(V) U2O5 (עיקול ירוק), ואת U(VI) אז פרט להתמחות3 (עיקול ורוד), ואז בהשוואה U(0) במטאל אורניום (עיקול שחור) בפינה השמאלית חלק באיור 11- המתאימים O1s ליבה רמת ספקטרום superposed ודיווח בחלק הנכון של איור 11.
בחלק מרכז של איור 11, כבר העביר U4f7/2 ליבה רמת הפסגות כדי superpose קווי הרכבת העיקריים (החצי העליון), המאפשר ויזואליזציה של ההפרדה אנרגיה (ΔE) בין לווין ואת הקו הראשי (התחתון). עם הגדלת מצב חמצון, מגביר ההפרדה האנרגיה, בעוד בלוויין האינטנסיביות פוחתת. ספקטרה התקבלו על סרטים רזה של monolayers כ- 20 עובי. הפסגה אנרגיה בלוויין לבין הקו פליטת 4f(4נ7/2)5/2 שימשו כמו טביעת של המדינה חמצון של אטומי האורניום. ספקטרום הלהקה הערכי של אז פרט להתמחות2,2O U5אז פרט להתמחות3 מתקבל על הסרטים באותו מדווחים באיור12.
ספקטרום שמתואר הפרוטוקול הם המתאימים אז פרט להתמחות2 סרטים (איור 5) שהושג לאחר לעדות בבית הבליעה הכנה B2. הסרט הזה הוא מחומצן ואז עם חמצן אטומי. תלוי בזמן חמצון, התוצאה יכולה להיות אז פרט להתמחות2 + x (כפי שדווח באיור 6) או אז פרט להתמחות3 (כפי שדווח איור7). כמו כן, אם הפחתה אטומי מימן אז פרט להתמחות3 ארוך מדי, הוא יחזור אז פרט להתמחות2 כפי שדווח באיור8. במקרה זה, reoxidation אז פרט להתמחות3 כפי שדווח באיור 9 צריך לקחת את המקום לפני לצמצם אותו שוב עם זמן מתאים כדי לקבל2O U5, כפי שהוא מוצג באיור10. התוצאות מראים כי תהליכי חמצון וצמצום הפיך לחלוטין.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig1.jpg"> איור 1 : תמונה, תיאור סכמטי של המכונה Labstation שפותחה ב קרלסרוה נוסד כדי לאפשר בחיי עיר המדע משטח מחקרים. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig1large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig2.jpg"> איור 2 : צילום מסך של תוכנית בקרה העברה קווית. התוכנית מאפשרת העברה של העגלה נושאת את הדגימות (I כדי V) לאורך תא העברה קווית קאמרית שונים ומעמדות. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig2large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig3.jpg"> איור 3 : צילום מסך של תוכנית רכישת. ברגע הציג את התנאים מדידה, סדרה של מדדים ניתן לבצע באופן אוטומטי לאחר מעבר על הגנרטור רנטגן. החלון מיקום הדגימה מאפשר מיקום הדגימה בחדר ניתוח. ההתאמה לאורך x, y, ו- z יכול להיעשות כדי למטב את עוצמת האות. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig3large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig4.jpg"> איור 4 : צילום מסך של תוכנית בקרה לרעוד. להוציא. ניתן לבחור את התנאים המלהגים עם תוכנית זו פותח בתוך הארגון. בין המשתנים יוגדר הן חימום עבודה המתחים של חוט הלהט מתחים של עד שתי מטרות. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig4large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig5.jpg"> איור 5 : U4f, O1, וערכיות רצועה ספקטרה לאחר הפקדת סרט2 אז פרט להתמחות, נמדדת ברזולוציה גבוהה הספקטרומטריה photoemission. מיקומי שיא ולוויין האופייניים מדגם2 אז פרט להתמחות. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig5large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig6.jpg"> איור 6 : U4f, O1, וערכיות רצועה ספקטרה לאחר חמצון של אז פרט להתמחות2 עם חמצן אטומי, נמדדת ברזולוציה גבוהה הספקטרומטריה photoemission. הזמן חמצון הוא קצר מדי, שוכך חמצון אז פרט להתמחות3 אינו שלם. מיקומי שיא ולווין הם מאפיין של אז פרט להתמחות2 + x ולא של אז פרט להתמחות3 דיווח איור7. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig6large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 7" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig7.jpg"> איור 7 : U4f, O1, וערכיות הלהקה ספקטרום נמדד לאחר חמצון של הסרט2 אז פרט להתמחות עם חמצן אטומי שימוש ברזולוציה גבוהה הספקטרומטריה photoemission. מיקומי שיא ולוויין האופייניים מדגם3 אז פרט להתמחות. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig7large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 8" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig8.jpg"> איור 8 : U4f, O1, וערכיות הלהקה ספקטרום נמדד לאחר הפחתה של אז פרט להתמחות3 עם אטומי מימן- הפחתת זמן ארוך מדי, ובכך2O U5 מצטמצם עוד יותר אז פרט להתמחות2. מיקומי שיא ולווין הם מאפיין של אז פרט להתמחות2 ו לא U2O5 המדגם דיווחו באיור10. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig8large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 9" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig9.jpg"> איור 9 : U4f,1s, O להקת הערכי של המדגם שהושג ב איור 8 ו תחמוצת מחדש עם חמצן אטומי אז פרט להתמחות3. מיקומי שיא ולווין האופייניים מדגם3 אז פרט להתמחות. תהליכי צמצום וחמצון ובכך הם הפיכים. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig9large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 10" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig10.jpg"> איור 10 : U4f, O1, וערכיות רצועה ספקטרה לאחר הפחתה של הסרט3 אז פרט להתמחות עם אטומי מימן, נמדדת ברזולוציה גבוהה הספקטרומטריה photoemission. מיקומי שיא ולוויין האופייניים מדגם5 2O U. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig10large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 11" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig11.jpg"> איור 11 : U4f ו- O1s ליבה רמת רנטגן photoemission ספקטרום של U(IV) אז פרט להתמחות2 (עיקול אדום), U(V) U2O5 (עיקול ירוק), ו- U(VI) אז פרט להתמחות3 (עיקול ורוד), ואז בהשוואה U(0) במטאל אורניום (שחור עיקול). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig11large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>
<img alt="Figure 12" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig12.jpg"> איור 12 : ספקטרום הלהקה הערכי של U(IV) אז פרט להתמחות2 (עיקול אדום), U(V) U2O5 (עיקול שחור), ו- U(VI) אז פרט להתמחות3 (ורוד עיקול). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig12large.jpg" target="_blank">אנא לחץ כאן כדי להציג גירסה גדולה יותר של הדמות הזאת.</a>

פרוטוקול זה מציג הכנת U2O5 סרטים רזה שהושג בחיי עיר תחת ואקום גבוה במיוחד. התהליך כרוך חמצון וצמצום של אז פרט להתמחות2 סרטים עם חמצן אטומי, אטומי מימן, בהתאמה.

U2O5 הסרט הכנה באמצעות התצהיר2 אז פרט להתמחות על ידי זרם ישיר Sputtering וחמצון רצופים וצמצום עם אטומי חמצן ומימן אטומי

We describe a method to produce U2O5 films in situ using the Labstation, a modular machine developed at JRC Karlsruhe. The Labstation, an essential part ...

אז, בפעם הראשונה, הצלחנו לעשות סרטים דקים של U2O5. חומר זה קשה מאוד לעשות כי זה יושב ממש בין שתי תחמוצות אורניום יציב מאוד:Uo2, Uo3. וזו הסיבה שניסיונות קודמים לגרום לזה להיכשל.במעבדה זו הצלחנו לעשות את זה, כמו סרטים דקים של כ 200 עובי monolayers. זה מעט מאוד, אבל מספיק כדי ללמוד את המאפיינים הכימיים הפיזיים שלה, ובמיוחד, את האינטראקציה של פני השטח עם הסביבה. הסרטים מופקדים בכמויות קטנות מאוד של חומרי התחלה, ובתנאים מבוקרים מאוד.בדרך זו, הרכב פני השטח יכול להיות מותאם, ואת התוצאות נשלטות, על ידי רנטגן ברזולוציה גבוהה עבור ספקטרוסקופיית האלקטרונים. בנוסף תחמוצות, ניטרידים, קרבידים, ותרכובות אחרות ניתן להכין וללמוד ב C2. הניסויים מבוצעים באמצעות תחנת המעבדה במרכז המחקר המשותף קרלסרוהה. תחנת המעבדה מאפשרת הכנת סרטים וניתוח משטחי דגימה ב- C2, ללא חשיפה לאטמוספירה.תחושה של תחנת המעבדה מסופקת על ידי סכמטי זה. ישנם תאים לטעינת מדגם, ולאחסן אותו, שכותרתו C1"כדי C3 "כאשר נטען, המדגם הוא על מחזיק מדגם, והניח על עגלת תחבורה שיכול לנוע על תא תחבורה ליניארי. ניתן להעביר את העגלה והדגימה בין תאי הכנה שונים, המסומן B1"ל- B3" ותא ניתוח, המסומן A1"ל- A4 "מוטות העברה בכל תא מאפשרים שינוע של בעל הדגימה אל תא ההעברה ליניארי וממנו.המערכת כולה נשמרת תחת ואקום דינמי אולטרה גבוה. השליטה במערכת היא באמצעות מחשבים שהוגדרו במעבדה. קח מצע נייר זהב נקי, מוכן לתצהיר של Uo2, לתא הטעינה.מצע הזהב מרותך למחזיק דגימת נירוסטה, עם חוט טנטלום. התחל לטעון על ידי בידוד תא הטעינה, ולאחר מכן לפתוח את שסתום החנקן ולחכות עד התא מגיע ללחץ אטמוספרי. כשתהיה מוכן, פתח את דלת התא והזז את קרון הדגימה למקומו לצורך טעינה.לאחר מכן, מניחים את מחזיק הדגימה ודגום על הכרכרה. החזירו את הכרכרה לתא הטעינה וסגרו את דלת התא. פתח את השסתום לוואקום הראשי.כאשר הלחץ הוא על 1 מיליבר, לסגור את השסתום. לאחר מכן, פתח את השסתום למשאבת ואקום גבוהה במיוחד. באמצעות מוט ההעברה של תא הטעינה, לתפעל את מחזיק הדגימה, ולהעביר אותו לעגלה בתא הביניים.מחזירים את מוט ההעברה לתא הטעינה, וסגרו את השסתום בין תאי הטעינה לתאי הביניים. פתח את השסתום בין תא ההעברה הבינוני והליניארי. מקם את העגלה בתא ההעברה, וחבר אותה למגנט הנהיגה לפני סגירת השסתום.חזור לתוכנית בקרת ההעברה ליניארית. כדי להזיז אותו ממקונו הנוכחי, בחר את תא המיזוג כיעד העגלה. לאחר מכן, לחץ להתחיל את התנועה.העגלה מגיעה לבסיס תא המיזוג שממנו היא תיטען. פתח את השסתום מתא המיזוג ולהשתמש מוט ההעברה כדי להעביר את מחזיק המדגם פנימה. כשהתא מבודד, כוון את משטח מחזיק הדגימה כדי להתמודד עם אקדח היונים לפני הניקוי באמצעות ארגון מתיז במשך עשר דקות.כאשר נעשה, להביא את התרמוקופל במגע עם מחזיק המדגם, ו anneal המדגם במשך חמש דקות. לאחר שהדגימה התקררה, החזירו את מחזיק הדגימה לתא ההעברה, לפני סגירת שסתום תא המיזוג. השתמש בתוכנת הבקרה כדי להעביר את העגלה לתא הבא עבור ספקטרוסקופיית צילום-אלקטרון רנטגן ברזולוציה גבוהה.מעבירים את הדגימה לתא, ובצעו הכנות למדידה. עם הדגימה בתא, פנה לתוכנה לרכישה כדי למקם אותה למדידה. כאשר הדוגמה מוכנה, השתמש בתוכנת הרכישה כדי להשיג ספקטרום מבט כולל כדי לבדוק את פני השטח.היעדר פסגת פחמן-1 S בערך 285 וולט אלקטרונים הוא סימן לכך שהמשטח נקי. לאחר מכן, לרכוש ספקטרום ברמת הליבה זהב-4 F לשימוש מאוחר יותר. זה יהיה בהשוואה לספקטרום של Uo2 על זהב כדי לקבוע את עובי הסרט.לאחר הניתוח, העבר את הדגימה בחזרה לתא ההעברה ליניארי באמצעות מוט הבקרה. חזור לתוכנה בקרת העברה ליניארית, ולהעביר את העגלה עם מחזיק המדגם לתא sputtering DC. תביא את מחזיק הדגימה מתחת למקור sputterer באמצע התא.עם תריס מקור sputter סגור, לפתוח את שסתום החמצן ולהתאים את הלחץ החלקי חמצן. לאחר מכן, פתח את שסתום גז הארגן עד שהלחץ החלקי של המטרה שלו מגיע. עבור אל התוכנית sputtering כדי להגדיר את הפרמטרים עבור התהליך.לאחר מכן, פתח את התריס של מקור sputter ו sputter במשך 300 שניות. עצרו את ההתפתלויות, וסגרו את שסתומי הגז של ארגון וחמצן. המשך להעביר את מחזיק הדגימה בחזרה לתא ההעברה ליניארי.עם תוכנת בקרת ההעברה ליניארית, להעביר את המדגם בחזרה לתא המיזוג. לבודד את הדגימה שם, ולהדליק את תנור E-קרן כדי להגדיר לטמפרטורה של 573 קלווין כדי anneal המדגם. לאחר הגדרת המדגם לניתוח, למדוד ספקטרום סקירה כללית.העבר את הדגימה בחזרה לתא המשמש לספקטרוסקופיית אלקטרון צילום רנטגן ברזולוציה גבוהה. ספקטרום זה מאפשר ניטור איכות הסרט Uo2. לאחר מכן, לרכוש ספקטרום רמת ליבה זהב-4 F.המשך לרכוש ספקטרום אורניום-4 F. בנוסף, לרכוש ספקטרום חמצן 1 שניה על ידי שינוי פרמטרים אלה לערכים המוצהרים. השג ספקטרום רצועת ערכיות באמצעות ערכי פרמטרים אלה בתוכנה.מהמסלול ליניארי, להעביר את המדגם לתא המקור האטומי, אשר ניתן להשתמש בו הן עבור חמצון וצמצום על ידי הפעלת חמצן ומימן. ברגע שהוא שם, לבודד את המדגם בעמדה, לחמם אותו ב 573 קלווין במשך 5 דקות. לאחר ההמתנה, לפתוח את שסתום החמצן ולהגדיר את הלחץ החלקי.הפעל את מקור האטום והגדר את הזרם ל- 30 מילי-אמץ. המתן 20 דקות כדי להשיג חמצון מלא לפני כיבוי המקור וסגירת שסתום החמצן. החזירו את הדגימה דרך תא התרגום ליניארי לתא הספקטרוסקופיה הפוטואלקטריונית של קרני הרנטגן.לאחר המדגם מבודד בתא XPS, לרכוש את אורניום-4 F חמצן-1 S ואת הספקטרום רצועת valence כמו קודם. אם זמן ההפחתה קצר מדי, לספקטרום יהיו מאפיינים של חמצון לא שלם. בפרט, שים לב למבנה השיא בספקטרום רצועת האורניום-4 F וה- Valence.התחל עם המדגם בחזרה ומבודד בתא המקור האטומי. פתח את שסתום המימן, והגדר את הלחץ החלקי. הפעל את המקור האטומי, והדליק אותו והגדר את הזרם ל-30 מילי-אמץ.לאחר 60 שניות של זמן הפחתה, לכבות את המקור האטומי. עבור השלבים האחרונים, להחזיר את הדגימה לתא ספקטרוסקופיית צילום רנטגן. לנתח את המדגם, ולאפיין את ההפחתה על ידי רכישת אורניום-4 F, חמצן-1 S, וספקטרום רצועת ההפחתה.כמו בחלקות אלה, הספקטרום יגלה אם זמן ההפחתה ארוך מדי, ו- U2O5 הצטמצם ל- Uo2. אלה הם אורניום 4-F רמת ליבת רנטגן פוטו-קרן ספקטרום עבור אורניום-4 ו Uo2, אורניום-5 ו U2O5, ואורניום 6 ו Uo3. הספקטרום למתכת אורניום הוא להשוואה.הנתונים הם מסרטים של כ -20 מונואים. האנרגיה של לווין האורניום-5 מאפשרת לזהות בקלות את מצב החמצון. בחלקה זו, הספקטרום יש אורניום-4 F שלהם חמש חצאי פסגות קו ראשי עבר לחפוף.המיקום היחסי של הלוויין ביחס לשיא שונה עבור כל מצב חמצון. שונה זה מספק מזהה נוסף עבור מצבי חמצון אורניום. ניתוח זה אפשרי רק עם ספקטרוסקופיה ברזולוציה גבוהה, בשל העוצמה הנמוכה של שיא הלוויין, והבדל אנרגיה מחייב קטן מהפסגה הראשית.הפקת סרטים דקים U2O5 אפשרית, אך עצירת תהליך ההפחתה בהרכבו המדויק יכולה להיות מאתגרת, ואפילו קשה לצפייה ללא ספקטרוסקופיה ברזולוציה גבוהה. אז, זה מתחם חדש, ויהיו הרבה נכסים לחקור. נתחיל להשתמש בהדרת קרני רנטגן בזווית מרעה כדי לחקור את המאפיינים המבניים.ואז, נעבור למצב של תכונות מגנטיות של המתחם הזה, חלק ממאפייני התחבורה החשמלית, ונחמיא לחקירות המבנה האלקטרוני באמצעות טכניקות זמינות, כמו מקורות אור סינכרוטרון, כמו פיזור רנטגן אלסטי. תכונות כימיות פיזיקליות של מצבי חמצון חריגים למדי אלה נחקרות. ניתן להשוות את הנתונים הניסיוניים לתחזיות תיאורטיות.בדרך זו, הניסוי שלנו משמש אמת מידה למודלים תיאורטיים.

u2o5-film-preparation-via-uo2-deposition-direct-current-sputtering

Research

JoVE Journal

Chemistry

כימיה

אנו מתארים את השיטה הניסיונית להפקיד סרטים דקים תחמוצת nanostructured ידי תצהיר ליזר פעם שבריר שני (PLD) בנוכחות גז רקע. באמצעות שיטה זו אל מסומם ZnO סרטים (אזו), מקומפקטית לצורה היררכית כמו יערות ננו עץ, יכול להיות מופקד.

ייצור של ננו מהונדס תחמוצות שקופות לנהל בתצהיר ליזר פעם

אנו מתארים את השימוש בטכניקות תיל מליטה כדי ליצור התקני תחמוצות מורכבים בקנה מידה מיקרומטר פעם תצהיר לייזר (PLD), photolithography ו. PLD מנוצל לגדול סרטים דקים epitaxial. טכניקות photolithography וחוט מליטה הם הציגו כדי ליצור התקנים מעשיים למטרות מדידה.

המצאה של תחמוצות מורכבות מוקפות מרחבית

נהלים שונים המפורטות להכין תבניות מוגדרות אטומי לצמיחת epitaxial של סרטים דקים תחמוצת מורכבת. טיפולים כימיים של SrTiO היחיד גבישים 3 (001) וDyScO 3 (110) מצעים בוצעו להשיג משטחים חלקים אטומי, אחד הסתיימו. Ca 2 Nb 3 O 10 - יריעות שמשו כדי ליצור תבניות מוגדרות אטומי על מצעים שרירותיים.

תבניות מוגדרות אטומי לEpitaxial צמיחה של תחמוצת המורכבת Thin Films

כאן אנו מציגים פרוטוקול סינתזה Zn 1-x Mg x O / Cu 2 O heterojunctions ב-באוויר הפתוח בטמפרטורה נמוכה באמצעות בתצהיר שכבה אטומית מרחבית בלחץ אטמוספרי (AP-SALD) של Zn 1-x Mg x O על תחמוצת cuprous. כזה תחמוצות מתכת באיכות גבוהה קונפורמי ניתן לגדל על מגוון מצעים כולל פלסטיק בשיטה זולה וניתן להרחבה זו.

איכות heterojunction משופר ב Cu<sub&gt; 2</sub&gt; O מבוסס תאים סולריים באמצעות אופטימיזציה של לחץ האטמוספרה אטומי שכבת מרחבים שהופקדה<br /&gt; Zn<sub&gt; 1-x</sub&gt; Mg<sub&gt; x</sub&gt; O

אנו מציגים שיטה מפורטת בדיית צבע דקים סרטים עם תכונות משופרות של ציפויים אופטיים. הטכניקה התצהיר זווית אלכסונית באמצעות המאייד קרן של אלקטרונים מאפשרת שיפור צבע tunability וטוהר. סרטים מפוברק של ג ' נרל אלקטריק ו- Au-סי סובסטרטים נותחו על ידי השתקפות ומדידות, המרת מידע צבע.

ייצור של סרטים צבע דקים עם מאוד קליטת מדיה באמצעות התצהיר זווית אלכסונית

דרך sulfurization של מתכות המעבר מראש הופקדו, קריסטל 2D שטח גדול ואנכי הטרו-מבנים יכול להיות מפוברק. הסרט העברת ונהלים ייצור המכשיר מודגמות גם בדו ח זה.

הכנת שטח גדול אנכי 2D קריסטל הטרו-מבנים באמצעות Sulfurization של מתכות מעבר סרטים עבור ייצור המכשיר

אנחנו לפברק מתכת/LaAlO3-/SrTiO-3 -heterostructures באמצעות שילוב של לייזר פעמו התצהיר בחיי עיר מגנטרון התזה. דרך magnetotransport, בחיי עיר רנטגן photoelectron ספקטרוסקופיה ניסויים, נחקור פעולת הגומלין בין תופעות אלקטרוסטטית וכימי של הגז אלקטרון מימדי בדאנטה נוצר במערכת זו.

צמיחה ו Electrostatic/כימי מאפיינים של מתכת/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

סרטים רזה (100-1000 Å) של ונדיום דו-חמצני (VO2) נוצרו על ידי אטומי-שכבה התצהיר (אלד) על מצעים ספיר. בעקבות זאת, המאפיינים אופטי מאופיינים המעבר מתכת-מבודד של VO2. מן התכונות האופטיות, מדוד מודל נוצר כדי לתאר את tunable מקדם שבירה של VO2.

שכבות אטומיות בודדות בתצהיר של ונדיום דו חמצני ודגם אופטי תלוית טמפרטורה

הסינתזה של איכות גבוהות בתפזורת, סרט דק (מ"ג0.25(1-x)Coxני0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O ו (מ"ג0.25(1-x)Co0.25(1-x)ני0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x )) O מיוצב אנטרופיה תחמוצות מוצג.

בתפזורת, סרט דק סינתזה של תחמוצות מיוצב אנטרופיה Variant מאלכוהול

כאן, אנו מציגים פרוטוקול עבור ניאוביום בסרטי תחמוצת התצהיר על ידי התזה תגובתי עם שונים זרימת חמצן שיעורי לשימוש כשכבת התחבורה אלקטרון בתאי השמש פרוביסקיט.

ניאוביום אוקסיד סרטים שהופקדו על ידי התזה ראקטיבית: השפעת קצב זרימת החמצן

עבודה זו מתארת את תהליך הייצור המלא של מכשירים פוטו-וולטאי קדמיום לשיפור יעילות מוגברת. התהליך מנצל מערכת ואקום אוטומטית בתוך שורה לקבלת מרחב הסובלימציה המראה מדרגי, מתוך הייצור של מכשירים מחקר שטח קטן, כמו גם מודולים בקנה מידה גדול.

מרחב המראה הופקד במיוחד CdSeTe/CdTe תאים סולריים עבור משופר במעגל קצר מעגל צפיפות ופוטוטולוט

למד את שיטת הכנת סרטים דקים של U2O5 באמצעות חמצון וצמצום אטומיים בחלל עת-ריק גבוה. השיטה מאפשרת חקר תכונות פיזיקוכימיות של תחמוצות אורניום בלתי יציבות.

U₂O₅ הסרט הכנה באמצעות התצהיר₂אז פרט להתמחות על ידי זרם ישיר Sputtering וחמצון רצופים וצמצום עם אטומי חמצן ומימן אטומי

גלה סרטונים נוספים