Name: בדיית ואן דר ואלס הטרובנים עם יישור סיבוב מדויק (וידאו) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-07-05T13:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 25 s
Description: למד ליצור הטרוסטרוקטורות ואן דר ואלס מחומרים דו-ממדיים עם יישור זוויתי מדויק לתת-מעלה. השיטה מאפשרת גילוי תופעות פיזיקליות חדשות ופיתוח מכשירים טכנולוגיים מתקדמים.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

המחברים להכיר מימון מאוניברסיטת אוטווה ו-NSERC מענק דיסקברי RGPIN-2016-06717 NSERC SPG QC2DM.

1. מכשור להליכי העברה
<ol><li>כדי להמחיש את תהליך ההעברה, להשתמש במיקרוסקופ אופטי שיכול לפעול תחת תאורה בהירה בשדה. מאז הגדלים הטיפוסיים של גבישי 2d הם 1 – 500 יקרומטר2, לצייד את המיקרוסקופ עם 5x, 50x, ו 100x מטרות זמן עבודה מרחוק. המיקרוסקופ חייב להיות מצויד גם עם מצלמה המתחברת למחשב (איור 1a).</li>
	<li>השתמש בסימולטורי נפרדות כדי לשלוט באופן אינדיבידואלי במיקום של שני הקריסטלים העומדים להיות מוערמים. השתמש בסימולציות הניתנות לתיכנות ולשליטה על-ידי מחשב כדי למזער תנודות במהלך תהליך ההעברה. הערה: הסימולטורים האחראים לתנועה של בעל המצע העליון (איור 1b-c) צריכים לעבור רק בכיוון X, Y ו-Z. חשוב מכך, הסימולטורים האחראים לשליטה על המצע התחתון (איור 1e-f) הם גם מסוגלים לסובב על ידי כל זווית Θ (בתנועה הטרנסלבותית והסיבוב).</li>
	<li>כדי לחבר את הדגימות על הסימולטורים בשלב העליון, הרכיבו בעלי מדגם מותאמים אישית שיכולים לתמוך בשקופית זכוכית; הגביש העליון ימוקם על שקופית הזכוכית (איור 1d).</li>
	<li>לגבי הסימולטורים התחתונים, מניחים אלמנט חימום שטוח במחזיק זכוכית-קרמיקה (איור 1g) ומצרף אותו לשלב המסתובב. חבר את רכיב החימום לספק כוח ולבקר טמפרטורה.</li>
	<li>תכנת את הבקרים באמצעות תוכנת מיכשור (לדוגמה, LabVIEW) כדי לשלוט במיקום היחסי של הסימולטורי (איור 2).<ol>
<li>כדי לבצע את התנועות הנחוצות, תכנת את התוכנה באמצעות היכולות הבאות: בנפרד או במקביל להעביר את הסימולטורים; לקרוא, לשמור ולאחזר את המיקום של כל מניפולטור; בקלות להתאים את המהירות של הסימולטורים, ומיקוד אוטומטי בשלב התחתון. בניית תכונות בטיחות כדי למנוע התנגשויות אפשריות בין המדגם לבין העדשה.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. קילוף מכני של גביש דו-ממדי.
<ol><li>הכינו מצע לטיפול בקילוף מכני.<ol>
<li>לטבול 1 ס מ x 1 ס מ ריבועים של סיליקון/סיליקון תחמוצת (Si/SiO2) וופלים לתוך גביע מלא אצטון ולמקם את הגביע לתוך מנקה אולטראסאונד עבור 10 דקות.</li>
		<li>הסירו באופן אינדיבידואלי את הקונדיטוריה מהגביע עם מלקחיים ושטפו אותם בעזרת איזופנול (IPA) ולאחר מכן יבשו אותם באקדח חנקן (N2). הערה: כאשר עובדים עם אצטון ו-IPA, הוא הציע לעשות זאת תחת מכסה המנוע תוך לבישת ה-PPE הנכון.</li>
	</ol>
</li>
	<li>מכנית לפילינג את הגביש על המצע.<ol>
<li>בעזרת מלקחיים, הסירו בזהירות חלק מגביש הקריסטל והניחו אותו על נייר דבק בעל כיתה מוליך למחצה.</li>
		<li>קח חלק שני של דבק ולחץ בחוזקה על הקלטת הראשונית עם גביש ואז לקלף את שני פיסות הקלטת. לאחר שחזר מספר פעמים, פיסות קריסטל רזות רבות ימצאו בקלטת.</li>
		<li>לחצו על סרט דביק עם גבישים דו-ממדיים דקים על מצע נקי טרי, כך הגביש הוא במגע ישיר עם מצע ולקלף את הקלטת כדי להשאיר פתיתי שבבי על מצע.</li>
	</ol>
</li>
	<li>כדי להסיר כל דבק שיורית, מניחים את הדגימות שנוצרו (מצעים עם גבישים דו-ממדיים הפילינג על פני השטח שלהם) בגביע מלא אצטון עבור 10 דקות. הסר את הדגימות באמצעות מספריים, לשטוף אותם עם IPA, ויבש עם אקדח N2 .</li>
	<li>השתמש במיקרוסקופ אופטי כדי לבחון את הפתיתים הפילינג. להעריך את העובי שלהם על ידי הערכת הניגודיות האופטית של הפתיתים עם מצע22. תמונה שבבים באמצעות מיקרוסקופ כוח אטומי (AFM) במצב הקשה (לראות את הטבלה של חומרים) כדי לכמת טוב יותר את מורפולוגיה פני השטח כדי למדוד את עובי הפתיתים.</li>
</ol>3. PMMA-PMMA שיטה עבור בדיית ואן דר Waals הטרובנים (הכנת המצע העליון).
<ol><li>הכינו את המצע העליון לשגרת ההעברה על ידי פילינג הקריסטל על סרט מתיל (PMMA) המצורף לשקופית זכוכית (איור 3a-d).<ol>
<li>בצע את ההליך המתואר בשלב 2.1. כדי לקבל מצע נקי. מעיל ספין שכבה של אלכוהול פוליוויניל (PVA) על המצע ב 3,000 rpm עבור 1 דקות על ידי ביצוע הפרוטוקול המתואר במדריך למשתמש של המכשיר. הערה: כאשר משתמשים בשיטת הסחרור, הוא מוצע לעשות זאת מתחת למכסה המנוע תוך לבישת PPE נאות.</li>
		<li>מניחים באופן ישיר את המצע על צלחת חמה ואופים אותו באוויר ב 75 ° c עבור 5 דקות.</li>
		<li>ספין מעיל שכבה של PMMA על מצע משלב 3.1.2 על ידי ביצוע הליך דומה לזו בשלב 3.1.1, אבל הפעם להגדיר את הפרמטרים מסתובב מהירות זוויתית של 1,500 rpm עבור 1 דקות (איור 3a).</li>
		<li>מניחים באופן ישיר את המצע על צלחת חמה ואופים אותו באוויר ב 75 ° c עבור 5 דקות.</li>
		<li>הסר את המצע מהפלטה החמה והציבו פיסות דבק בקצוות של הסרט ליצירת מסגרת קלטת. לאחר מכן, פילינג מכני גביש 2D על פני השטח PMMA על ידי ביצוע שלב 2.2 (איור 3b).</li>
		<li>השתמש בפינצטה חדה כדי להפריד את ה-PMMA מתוך PMMA על ידי הפילינג לאט בחזרה את מסגרת הקלטת. שכבת pmma וקריסטל פילינג יחד עם מסגרת קלטת יהיה להתנתק pmma ו Si/SiO2 המצע (איור 3 ג).</li>
		<li>היפוך מסגרת הקלטת ומניחים אותו על תמיכה במכונה כגון הגביש פונה כלפי מטה (איור 3d). הערה: תמיכה זו מאפשרת למשתמש למקם את מסגרת הקלטת תחת מיקרוסקופ אופטי כדי לבדוק את הקילוף על PMMA ולזהות פתיתים עם העובי הרצוי והגיאומטריה.</li>
		<li>השימוש פינצטה חדה מיקרוסקופ אופטי למקום מכונת כביסה קטנה (0.5 מ"מ רדיוס פנימי) בדיוק על הסרט PMMA כגון זה מקיף את הפתיתים הרצוי (איור 3d).</li>
		<li>הנמך את שקופית הזכוכית והדבק אותו לפולימר על ידי לחיצה על הקלטת החשופה.</li>
	</ol>
</li>
</ol>4. polydiמתיל siloxane (PDMS) שיטת הטבעה של בדיית ואן דר Waals הטרובנים (הכנת מצע העליון).
<ol><li>הכינו פתרון של פוליפרופילן פחמתי (PPC) עבור ציפוי ספין על ידי ערבוב שלושה חלקים קריסטל PPC עם 17 חלקים anisole. זה נעשה על ידי האפשרות לערבב את הפתרון בתוך מערבב עבור כ 8 h או עד הפתרון הוא הומוגנית.</li>
	<li>הכינו את המצע העליון של הליך ההעברה על ידי פילינג קריסטל בסרט PPC ולאחר מכן הצבת אותו על חותמת PDMS המצורפת לשקופית זכוכית (איור 4a-d).<ol>
<li>בצע את ההליך בשלב 2.1. כדי לקבל מצע נקי. מעיל ספין שכבה של PPC על מצע ב 3,000 סל ד עבור 1 דקות (איור 4a).</li>
		<li>מניחים באופן ישיר את המצע על צלחת חמה ואופים אותו באוויר ב 75 ° c עבור 5 דקות.</li>
		<li>הסר את המצע מהפלטה החמה והציבו פיסות דבק בקצוות של הסרט ליצירת מסגרת קלטת.</li>
		<li>מכנית פילינג גביש 2D שכבתית על מצע מצופה PPC ידי בעקבות צעד 2.2 ולהשתמש במיקרוסקופ אופטי כדי לזהות שפתית עם עובי וגיאומטריה הרצוי. (איור 4b).</li>
		<li>השימוש במספריים או להב כירורגי לגזור פיסת pdms לתוך 2 מ"מ x 2 מ"מ מרובע ומניחים אותו חרט פלזמה חמצן עבור 2 דקות ב 50 W ו 53.3 Pa.</li>
		<li>בסוף המחזור, לחצו על שקופית זכוכית בחותמת PDMS כדי לקשר בין שניהם יחד. מניחים את השקופית זכוכית ו pdms החותמת בחזרה פלזמה חרט חמצן לעבור את אותו מחזור. הסר את שקופית הזכוכית כאשר המחזור הסתיים.</li>
		<li>באמצעות מספריים, לקלף בזהירות את מסגרת הקלטת לאסוף את הסרט PPC עם גביש פילינג (איור 4c) ולמקם אותו על החותמת pdms כגון הפתיתים הרצוי ממוקם על החותמת.</li>
	</ol>
</li>
</ol>5. העברת פתיתים מן המצע העליון למצע התחתון באמצעות שיטת PMMA-PMMA (איור 3e-h).
<ol><li>הצב מצע בשלב התחתון של הגדרת ההעברה. על מצע זה, לזהות את המיקום של הפתיתים הרצוי. הפתיתים האלה יהיו. הקריסטל התחתון גם, במקום את המצע העליון (שקופית הזכוכית משלב 3.1.9) לתוך מחזיק המצע העליון של ההתקנה העברה (איור 3e).</li>
	<li>באמצעות מטרה נמוכה הגדלה (5x), להביא את המצע התחתון לפוקוס ומרכז את הפתיתים הרצוי. הנמך באיטיות את המצע העליון עד שייכנס לעומק שדה היעד. התאימו את התנוחה הצדדית ואת היישור הסיבוב של שני הפתיתים.</li>
	<li>השתמש במטרה להגדלה גבוהה יותר (50x) והמשך להנמיך את המצע העליון תוך התאמת היישור הפתיתים. להוריד את המצע העליון עד למעלה לגמרי קשר לחלוטין את החלק התחתון. המגע מורגש בשינוי פתאומי של הצבע.</li>
	<li>חום המצע התחתון כדי 75 ° צ' לצורך הדבקה טובה יותר של PMMA למצע התחתון. PMMA יהיה להתנתק מתוך שקופית זכוכית (איור 3f).</li>
	<li>נקה את המצע התחתון לאחר שלב 2.3 כדי להסיר את הסרט PMMA (איור 3g-h).</li>
</ol>6. העברת פתיתי מן המצע העליון אל המצע התחתון באמצעות שיטת הטבעה (איור 4d-f).
<ol><li>הצב מצע בשלב התחתון של הגדרת ההעברה. על מצע זה, לזהות את המיקום של הפתיתים הרצוי. הפתיתים האלה יהיו. הקריסטל התחתון גם, במקום את המצע העליון (שקופית זכוכית עם PDMS משלב 4.2.5 – 4.2.6) לתוך מחזיק המצע העליון של ההתקנה העברה (איור 4d).</li>
	<li>חום המצע התחתון כדי 100 ° צ' ולאחר מכן בצע את השלבים 5.2 – 5.4 ליישר ולהביא ליצור קשר עם הגביש העליון עם הפתיתים התחתונים (איור 4e).</li>
	<li>לאחר המגע המלא מורכב בין שתי שבבים (איור 4e), לאט להעלות את המצע העליון. התוצאה היא ירידה של הפתיתים העליון מן החותמת אל המצע התחתון (איור 4f).</li>
</ol>

<ol><li>Novoselov, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electric+Field+Effect+in+Atomically+Thin+Carbon+Films%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films.</a> Science. 306 (5696), 666(2004).</li>
<li>Novoselov, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Two-dimensional+atomic+crystals%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences+of+the+United+States+of+America%22%5BJournal%5D)">Two-dimensional atomic crystals.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. 102 (30), 10451(2005).</li>
<li>Zhang, Y., Tan, Y. -W., Stormer, H. L., Kim, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Experimental+observation+of+the+quantum+Hall+effect+and+Berry%27s+phase+in+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry's phase in graphene.</a> Nature. 438, Available from:
 <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/nature04235#supplementary-information ">https://www.nature.com/articles/nature04235#supplementary-information </a> 201(2005).</li>
<li>Geim, A. K., Van Grigorieva, I. V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Van der Waals heterostructures.</a> Nature. 499, 419(2013).</li>
<li>Song, J. C. W., Gabor, N. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electron+quantum+metamaterials+in+van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Electron quantum metamaterials in van der Waals heterostructures.</a> Nature Nanotechnology. 13 (11), 986-993 (2018).</li>
<li>Jin, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ultrafast+dynamics+in+van+der+Waals+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Ultrafast dynamics in van der Waals heterostructures.</a> Nature Nanotechnology. 13 (11), 994-1003 (2018).</li>
<li>Rivera, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Interlayer+valley+excitons+in+heterobilayers+of+transition+metal+dichalcogenides%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Interlayer valley excitons in heterobilayers of transition metal dichalcogenides.</a> Nature Nanotechnology. 13 (11), 1004-1015 (2018).</li>
<li>Lu, C. -P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Local%2C+global%2C+and+nonlinear+screening+in+twisted+double-layer+graphene%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences+of+the+United+States+of+America%22%5BJournal%5D)">Local, global, and nonlinear screening in twisted double-layer graphene.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. , 201606278(2016).</li>
<li>Luican-Mayer, A., Li, G., Andrei, E. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Atomic+scale+characterization+of+mismatched+graphene+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Electron+Spectroscopy+and+Related+Phenomena%22%5BJournal%5D)">Atomic scale characterization of mismatched graphene layers.</a> Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 219, 92-98 (2017).</li>
<li>Frisenda, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Recent+progress+in+the+assembly+of+nanodevices+and+van+der+Waals+heterostructures+by+deterministic+placement+of+2D+materials%5BTitle%5D)+AND+%22Chemical+Society+Reviews%22%5BJournal%5D)">Recent progress in the assembly of nanodevices and van der Waals heterostructures by deterministic placement of 2D materials.</a> Chemical Society Reviews. 47 (1), 53-68 (2018).</li>
<li>Ribeiro-Palau, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Twistable+electronics+with+dynamically+rotatable+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Twistable electronics with dynamically rotatable heterostructures.</a> Science. 361 (6403), 690-693 (2018).</li>
<li>Kim, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((van+der+Waals+Heterostructures+with+High+Accuracy+Rotational+Alignment%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">van der Waals Heterostructures with High Accuracy Rotational Alignment.</a> Nano Letters. 16 (3), 1989-1995 (2016).</li>
<li>Cao, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Unconventional+superconductivity+in+magic-angle+graphene+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices.</a> Nature. 556 (7699), 43(2018).</li>
<li>Luican, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single-layer+behavior+and+its+breakdown+in+twisted+graphene+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Physical+review+letters%22%5BJournal%5D)">Single-layer behavior and its breakdown in twisted graphene layers.</a> Physical review letters. 106 (12), 126802(2011).</li>
<li>Li, G., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Observation+of+Van+Hove+singularities+in+twisted+graphene+layers%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Physics%22%5BJournal%5D)">Observation of Van Hove singularities in twisted graphene layers.</a> Nature Physics. 6 (2), 109(2010).</li>
<li>Castellanos-Gomez, A., van der Zant, H. S. J., Steele, G. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Folded+MoS2+layers+with+reduced+interlayer+coupling%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Research%22%5BJournal%5D)">Folded MoS2 layers with reduced interlayer coupling.</a> Nano Research. 7 (4), 572-578 (2014).</li>
<li>van der Zande, A. M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Tailoring+the+Electronic+Structure+in+Bilayer+Molybdenum+Disulfide+via+Interlayer+Twist%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">Tailoring the Electronic Structure in Bilayer Molybdenum Disulfide via Interlayer Twist.</a> Nano Letters. 14 (7), 3869-3875 (2014).</li>
<li>Huang, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Probing+the+Interlayer+Coupling+of+Twisted+Bilayer+MoS2+Using+Photoluminescence+Spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">Probing the Interlayer Coupling of Twisted Bilayer MoS2 Using Photoluminescence Spectroscopy.</a> Nano Letters. 14 (10), 5500-5508 (2014).</li>
<li>Liu, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evolution+of+interlayer+coupling+in+twisted+molybdenum+disulfide+bilayers%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Communications%22%5BJournal%5D)">Evolution of interlayer coupling in twisted molybdenum disulfide bilayers.</a> Nature Communications. 5, Available from:
 <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/ncomms5966#supplementary-information">https://www.nature.com/articles/ncomms5966#supplementary-information</a> 4966(2014).</li>
<li>Cao, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Correlated+insulator+behaviour+at+half-filling+in+magic-angle+graphene+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Correlated insulator behaviour at half-filling in magic-angle graphene superlattices.</a> Nature. 556, 80(2018).</li>
<li>Yankowitz, M., et al. Tuning superconductivity in twisted bilayer graphene. , Available from:
 <a target="_blank" href="https://arxiv.org/abs/1808.07865">https://arxiv.org/abs/1808.07865</a> (2018).</li>
<li>Blake, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Making+graphene+visible%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Making graphene visible.</a> Applied Physics Letters. 91 (6), 063124(2007).</li>
<li>Lin, Y. -C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Single-Layer+ReS2%3A+Two-Dimensional+Semiconductor+with+Tunable+In-Plane+Anisotropy%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Single-Layer ReS2: Two-Dimensional Semiconductor with Tunable In-Plane Anisotropy.</a> ACS Nano. 9 (11), 11249-11257 (2015).</li>
<li>Chenet, D. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In-Plane+Anisotropy+in+Mono-+and+Few-Layer+ReS2+Probed+by+Raman+Spectroscopy+and+Scanning+Transmission+Electron+Microscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">In-Plane Anisotropy in Mono- and Few-Layer ReS2 Probed by Raman Spectroscopy and Scanning Transmission Electron Microscopy.</a> Nano Letters. 15 (9), 5667-5672 (2015).</li>
<li>Masubuchi, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Autonomous+robotic+searching+and+assembly+of+two-dimensional+crystals+to+build+van+der+Waals+superlattices%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Communications%22%5BJournal%5D)">Autonomous robotic searching and assembly of two-dimensional crystals to build van der Waals superlattices.</a> Nature Communications. 9 (1), 1413(2018).</li>
<li>Ling, X., Wang, H., Huang, S., Xia, F., Dresselhaus, M. S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+renaissance+of+black+phosphorus%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences+of+the+United+States+of+America%22%5BJournal%5D)">The renaissance of black phosphorus.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America. 112 (15), 4523-4530 (2015).</li>
<li>Huang, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Layer-dependent+ferromagnetism+in+a+van+der+Waals+crystal+down+to+the+monolayer+limit%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Layer-dependent ferromagnetism in a van der Waals crystal down to the monolayer limit.</a> Nature. 546, 270(2017).</li>
<li>Kim, H. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((One+Million+Percent+Tunnel+Magnetoresistance+in+a+Magnetic+van+der+Waals+Heterostructure%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Letters%22%5BJournal%5D)">One Million Percent Tunnel Magnetoresistance in a Magnetic van der Waals Heterostructure.</a> Nano Letters. 18 (8), 4885-4890 (2018).</li>
</ol>

. למחברים אין מה לגלות למחברים אין אינטרסים פיננסיים מתחרים.

הגדרת ההעברה המובנית המוצגת כאן מציעה שיטה לבניית חומרים שכבתית הרומן עם שליטה לרוחב וסיבוב. בהשוואה לפתרונות אחרים המתוארים בספרות10,25, המערכת שלנו אינה דורשת תשתית מורכבת, אך היא משיגה את המטרה של יישור מבוקר של גבישים דו-ממדיים.
הצעד הקריטי ביותר בהליך הוא ליישר ולמקם את הגביש העליון במגע עם התחתון. ויברציות יכול להיות גורם ליישור כושל, לכן, יש למזער את השפעתם. בהקשר זה, היתרון של הגדרת "ידיים חופשיות" המוצג כאן הוא שהמשתמש אינו מס...

מחקר בשדה המתפתחת של דו מימדי (2d) חומרים החלו לאחר שחוקרים פיתחו טכניקה אשר אפשרה בידוד של גראפן1,2,3 (גיליון שטוח אטותי של אטומי פחמן) מ גרפיט. גראפן הוא חבר של מחלקה גדולה יותר של חומרים דו-ממדיים שכבתית, המכונה גם חומרים וכלי ואן דר וואלס. יש להם קשרים חזקים ומתחברים. עם מצמד שכבות של ואן דר וואלס לכן, את הטכניקה עבור בידוד גראפן מגרפיט יכול להיות גם להחיל על חומרים אחרים 2D שבו אפשר לשבור את הקשרים הבין שכבת חלש לבודד שכבות יחיד. אחד הפיתוח העיקרי בתחום היה ההפגנה כי בדיוק כמו הקשרים ואן דר waals המחזיק שכבות סמוכות של חומרים דו ממדיים יחד ניתן לשבור, הם יכולים גם להיות ביחד2,4. לכן, קריסטלים של חומרים דו-ממדיים יכולים להיווצר על-ידי פיקודית הערמה יחד של שכבות של חומרים דו-ממדיים עם מאפיינים שונים. הדבר דרבן עניין רב, כאשר החומרים שהיו קיימים בטבע בעבר יכולים להיווצר במטרה לחשוף בעבר תופעות פיזיות בלתי נגישות4,5,6,7 ,8,9 או פיתוח התקנים מעולים עבור יישומים טכנולוגיים. לכן, לאחר שליטה מדויקת על הערמה חומרים דו-ממדיים הפכה לאחת המטרות העיקריות בתחום המחקר10,11,12.
בפרט, זווית הפיתול בין השכבות הסמוכות ב-van der Waals הטרובנים הוצגה כפרמטר חשוב לשליטה בתכונות החומר13. לדוגמה, בזוויות מסוימות, המבוא של פיתול יחסי בין שכבות סמוכות יכול לזיווג בצורה אלקטרונית את שתי השכבות. זה נחקרו הן בגרפן14,15 , כמו גם במעבר מתכת dichalcogenides16,17,18,19. לאחרונה, התגלה באופן מפתיע כי הוא יכול גם לשנות את מצב החומר של חומרים אלה. התגלית כי בינה גרפית מכוונת ב "זווית קסם" מתנהג כמו בידוד מוט בטמפרטורות נמוכות ואפילו סופר מנצח כאשר צפיפות האלקטרונים מכוון כראוי הפכה עניין רב ומימוש החשיבות של השליטה זוויתי בעת בדיית שכבות ואן דר וואלס הטרובנים13,20,21.
מונע על ידי ההזדמנויות המדעיות נפתח על ידי הרעיון של כוונון המאפיינים של חומרי ואן דר Waals הרומן על ידי התאמת הכיוון היחסי בין השכבות, אנו מציגים כלי מובנה בבית יחד עם ההליך ליצור מבנים כאלה עם בקרה זוויתית.

<table><tbody><tr><td>עדשת אובייקט 5X</td><td>Nikon Metrology</td><td>MUE12050</td><td>מרחק עבודה של 23.5 מ"מ וצמצם מספרי של 0.15</td></tr><tr><td>עדשת אובייקטיבית 50X עדשת</td><td>Nikon Metrology</td><td>MUE21500</td><td>מרחק עבודה של 19 מ"מ וצמצם מספרי</td></tr><tr><td>של 0.4 עדשת אובייקטיבית 100X עדשת</td><td>Nikon Metrology</td><td>MUE21900</td><td>מרחק עבודה של 4.5 מ"מ וצמצם מספרי 0.8</td></tr><tr><td>אצטון</td><td>סיגמא-אולדריץ'</td><td>270725</td><td>טוהר וגימור; 99.90%</td></tr> <tr><td>סרט דבק</td><td>Ultron Systems, Inc.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>מיקרוסקופ כוח אטומי</td><td>Anisole</td><td></td> MicroChem <td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td></td></tr> Bruker Dimension Icon אנו משתמשים במצב ScanAsyst <tr><td>מניפולטור סיבוב שלב תחתון</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-RSW60A-PTB2</td><td>360&deg; נסיעות עם גודל צעד של 4.091 &mu; rad</td></tr><tr><td>מניפולטור שלב תחתון X</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-LSM025A-PTB2</td><td>מהלך 25 מ"מ עם גודל מדרגה של 47.625 ננומטר</td></tr><tr><td>מניפולטור Y שלב תחתון</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-LSM025A-PTB2</td><td>מהלך 25 מ"מ עם גודל מדרגה של 47.625 ננומטר</td></tr><tr><td>מניפולטור Z שלב תחתון</td><td>Zaber Technologies</td><td>X-VSR40A-KX14A</td><td>מהלך 40 מ"מ עם גודל מדרגה של 95.25 ננומטר</td></tr><tr><td>איזופרופנול</td><td>סיגמא-אולדריץ'</td><td>טוהר 563935</td><td>99.999%</td></tr><tr><td>LabVIEW תוכנה</td><td>National Instruments</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Macor</td><td>McMaster-Carr</td><td>8489K238</td><td></td></tr><tr><td>מצלמת מיקרוסקופ</td><td>Zeiss</td><td>426555-0000-000</td><td>5 מגה פיקסל, 47 fps קצב פריימים חי, זמן חשיפה של 100 &mu; s - 2 s, מצלמה צבעונית</td></tr><tr><td>מוליבדן דיסולפיד (MoS2)</td><td>HQ Graphene</td><td></td><td></td></tr><tr><td>לוח לחם אופטי</td><td>Thorlabs, Inc.</td><td>MB4545/M</td><td></td></tr><tr><td>מיקרוסקופ אופטי</td><td>ניקון מטרולוגיה</td><td>LV150N</td><td></td></tr><tr><td>חמצן פלזמה</td><td>תחריט פלזמה Plasma Etch, Inc.</td><td>PE-50</td><td></td></tr><tr><td>חותמת PDMS</td><td>ג'ל-פאק</td><td>PF-20-X4</td><td></td></tr><tr><td>PMMA 950 A6</td><td>MichroChem Corp.</td><td>M230006 0500L1GL</td><td></td></tr><tr><td>פוליפרופילן קרבונט</td><td>סיגמא-אולדריץ'</td><td>389021-100 גרם</td><td></td></tr><tr><td>PVA Partall #10</td><td>חומרים מרוכבים קנדה</td><td></td><td></td></tr><tr><td>רניום דיסולפיד (ReS2)HQ</td> <td>גרפן</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Si/SiO2 מצע</td><td>נובה אלקטרוניקה חומרים</td><td>HS39626-OX</td><td></td></tr><tr><td>ציפוי</td> <td>ספיןLaurell Technologies</td><td>WS-650-23</td><td></td></tr><tr><td>בקר טמפרטורה</td><td>Auber Instruments</td><td>SYL-23X2-24</td><td>שולט בטמפרטורה של השלב התחתון באמצעות צמד תרמי מסוג J</td></tr><tr><td>יחידת בקר שלב עליון</td><td>Mechonics</td><td>CF.030.0003</td><td></td></tr><tr><td>מניפולטור שלב עליון X</td><td>Mechonics</td><td>MS.030.1800</td><td>מהלך 18 מ"מ עם גודל מדרגה של 11 ננומטר</td></tr><tr><td>מניפולטור</td> <td>Y שלב עליוןMechonics</td><td>MS.030.1800</td><td>18 מ"מ נסיעה עם גודל מדרגה של 11 ננומטר</td></tr><tr><td>מניפולטור Z שלב עליון</td><td>Mechonics</td><td>MS.030.3000</td><td>30 מ"מ נסיעה עם גודל מדרגה של 11 ננומטר</td></tr><tr><td>אמבט אולטרסאונד</td><td>Elma Schmidbauer GmbH</td><td>Elmasonic P 30 H</td><td></td></tr></tbody></table>

בדיית ואן דר ואלס הטרובנים עם יישור סיבוב מדויק

Fabricating van der Waals Heterostructures with Precise Rotational Alignment

בעבודה זו אנו מתארים טכניקה ליצירת גבישים חדשים (ואן דר Waals הטרובנים) על ידי הערמה חומרים דו-ממדיים שכבתית בעלי בדיקת אולטרה דק. אנו מדגימים לא רק שליטה לרוחב, אלא, חשוב, גם לשלוט על יישור זוויתי של שכבות סמוכות. ליבת הטכניקה מיוצגת על ידי התקנת העברה ביתית המאפשרת למשתמש לשלוט במיקום הקריסטלים הבודדים המעורבים בהעברה. הדבר מושג בדיוק של תת-מיקרומטר (העברה) ומידה משנית (זוויתי). לפני הערמה אותם יחד, הקריסטלים מבודדים מניפולציות באופן אינדיבידואלי על ידי שלבי הובלה מתוכננים מותאמים אישית הנשלטים על ידי ממשק תוכנה מתוכנת. יתרה מזאת, מאחר שהגדרת ההעברה כולה מבוקרת מחשב, המשתמש יכול ליצור מרחוק הטרוסקסואלים מדויקים מבלי להגיע למגע ישיר עם התקנת ההעברה, ולתייג טכניקה זו כ"ללא ידיים". בנוסף להצגת הגדרת ההעברה, אנו מתארים גם שתי טכניקות להכנת הקריסטלים המוערמות לאחר מכן.

כדי להמחיש את התוצאות ואת האפקטיביות של ההליך שלנו אנו מציגים רצף של ערימות מבוקרת זווית של רניום קשר דיסולפידי (במיל2) גבישים דקים. כדי להדגיש שהשיטה המתוארת יכולה גם להיות מוחלת על שכבות דקות, אנו גם מדגימה את הבנייה של שני מונאולאיירס מעוות יחסית של מוליבדן דיגופרתי (MoS2).
כדי להדגים את יכולות היישור זוויתי של התקנת ההעברה אנו משתמשים רניום קשר דיסולפידי (ReS2). בגלל מבנה הסריג האנאיזוטרופי ש...

בעבודה זו אנו מתארים טכניקה המשמשת ליצירת קריסטלים חדשים (ואן דר וואלס הטרובנים) על ידי הערמה של חומרים דו-ממדיים שכבתית באולטרסאונד עם שליטה מדויקת על המיקום ועל אוריינטציה יחסית.

In this work we describe a technique for creating new crystals (van der Waals heterostructures) by stacking distinct ultrathin layered 2D materials. We ...

פרוטוקול זה מאפשר יצירת חומרים שלא היו קיימים בעבר בטבע, במטרה לחשוף תופעות פיזיקליות לשעבר או לפתח מכשירים מעולים ליישומים טכנולוגיים. היתרון העיקרי של טכניקה זו הוא כי הציוד יכול להיות מופעל מרחוק בבקרת הסביבה, וזה יכול להפחית את הסיכון לשגיאה ידנית וגם זה יכול לשפר את ניקיון המדגם. יתר על כן, המערכת מצוידת בשלב סיבובי, וזה מאפשר למשתמש להגיע ליישור זוויתי תת-מעלות בין שני הפתיתים.כפי שאנו עובדים עם גבישים דקים ושטחי פנים קטנים, זיהוי של פתית בגודל המתאים יכול להיות מאתגר לעין לא מאומן. בנוסף, גודלו הקטן של הגביש יכול בקלות להוביל לתסיסה במהלך הליך ההעברה. לכן מומלץ לבצע צעדים אלה בקפדנות.שלבים רבים בפרוטוקול כוללים פרטים מסוימים שקשה להסביר, אך הם הרבה יותר פשוטים למעקב כאשר הם מוצגים באופן חזותי. על מנת לדמיין את תהליך ההעברה, יש להשתמש במיקרוסקופ אופטי שיכול לפעול תחת תאורת שדה בהיר. לצייד את המיקרוסקופ עם 5x, 50x ו 100x מטרות למרחק עבודה ארוכה.המיקרוסקופ חייב להיות מצויד גם במצלמה המתחברת למחשב. לצייד שני מניפולטורים נפרדים, המוצגים כאן, כדי לשלוט במיקום הקריסטלים בנפרד. פברק מחזיקי מדגם מותאמים אישית שיכולים לתמוך בשקופית זכוכית.מחזיק דגימה זה ישמש למיקום הקריסטל העליון. עבור המניפולטורים התחתונים, מניחים גוף חימום שטוח במחזיק קרמיקה מזכוכית במכונה ומדביקים אותו לשלב המסתובב. לאחר מכן, חבר את גוף החימום לאספקת חשמל ולבקר טמפרטורה.טביעה ריבוע של אחד על אחד סנטימטר מ ופל תחמוצת סיליקון בסקילר מלא אצטון ולאחר מכן למקם את העץ לתוך מנקה קולי. לאחר 10 דקות, להשתמש בזוג פינצטה כדי להסיר את הוופל מן המקור ולשטוף אותו עם isopropanol, ולאחר מכן לייבש את הוופל באמצעות אקדח חנקן. לאחר מכן, הסר בזהירות חלק מהקריסטל והצב אותו על פיסת סרט דבק בדרגת מוליכים למחצה.קח חתיכה שנייה של סרט הדבקה ולחץ עליו בחוזקה כנגד הקלטת הראשונית המחזיקה את הקריסטל. לקלף את שתי חתיכות של קלטת, חוזר מספר פעמים, כדי לייצר חתיכות דקות רבות של קריסטל. לחץ על סרט הדבקה עם גבישים דו-מימדיים דקים על מצע שניקה זה את זה, כך שהקריסטל נמצא במגע ישיר עם המצע ו לקלף את הקלטת כדי להשאיר פתיתים פילינג על המצע.כדי להסיר כל דבק שיורית, מניחים את הדגימה וכתוצאה מכך לתוך מקור מלא אצטון. לאחר 10 דקות, להסיר את הדגימה, לשטוף עם isopropanol ויבש עם אקדח חנקן. בדוק את הפתיתים exfoliated באמצעות מיקרוסקופ אופטי כדי להעריך את עובי שלהם על ידי הערכת הניגוד האופטי של הפתית עם המצע.לאחר מכן, השתמש ב- AFM במצב הקשה כדי לכמת טוב יותר את מורפולוגיה פני השטח ולמדוד את עובי הפתיתים. הכינו את המצע העליון להליך ההעברה על ידי פילינג הקריסטל על מגלשת זכוכית עם סרט פולימטילמטאקרילאט מחובר. לאחר קבלת מצע נקי כפי שהוצג בעבר, מניחים את המצע על מעיל ספין ולכסות אותו עם אלכוהול פוליוויניל.סובב את המצע ב-3,000 סל"ד למשך דקה אחת כדי לייצר שכבה בעובי של כ-450 ננומטר. לאחר מכן, מניחים את המצע ישירות על צלחת חמה ואופים אותו חשף ב 75 מעלות צלזיוס במשך חמש דקות. לאחר הקירור, מניחים את המצע בחזרה על מעיל ספין ומכסים אותו עם polymethylmethacrylate.מעיל ספין שכבה בעובי 820 ננומטר של PMMA על המצע ב 1, 500 סל"ד לדקה אחת. לאחר ציפוי ספין, מניחים את המצע בחזרה על הצלחת החמה ואופים אותו חשף ב 75 מעלות צלזיוס. לאחר חמש דקות, להסיר את המצע מהצלחת החמה ולהמקם חתיכות של סרט דבק לאורך הקצוות שלה כדי ליצור מסגרת קלטת.לאחר מכן, מקלף באופן מכני גביש דו-מימדי על משטח PMMA כפי שמוצג בסעיף הקודם. השתמשו בזוג פינצטה חד כדי להפריד את ה-PMMA מה-PVA, ולקלף באיטיות את מסגרת הקלטת. שכבת PMMA וקריסטל פילינג, יחד עם מסגרת הסרט, יתנתקו מה- PVA במצע סיליקון תחמוצת-ופל.לאחר מכן, הפוך את מסגרת הקלטת והצב אותה על תמיכה במכונה כך שהקריסטל פונה כלפי מטה. מניחים את המדגם תחת מיקרוסקופ אופטי ולהשתמש זוג פינצטה חדה למקם מכונת כביסה קטנה דווקא על הסרט PMMA, כך שהוא מקיף את הפתית הרצוי. לאחר מכן, הורידו מגלשת זכוכית ודבקו בפולימר על ידי לחיצה עליו כנגד הקלטת החשופה.הנח את המצע המוכן בשלב התחתון של הגדרת ההעברה. על מצע זה, לזהות את המיקום של הפתית הרצוי. הפתית הזה יהפוך לקריסטל התחתון.לאחר מכן, מקם את המצע העליון במחזיק המצע העליון של הגדרת ההעברה. באמצעות מטרת הגדלה נמוכה, להביא את המצע התחתון לפוקוס ולרכז את הפתית הרצוי. לאט לאט להוריד את המצע העליון עד שהוא יכול להיראות על ידי המטרה.לאחר מכן, להתאים את המיקום הצדדי שלה ואת היישור הסיבובי של שני הפתיתים. כאשר הפתיתים קרובים להיות מיושרים לפי הרצון, לעבור למטרה 50x ולהמשיך להוריד את המצע העליון, תוך התאמת יישור פתיתים. לאחר מכן, לאחר מיושר, להוריד את המצע העליון עד הפתית העליון לחלוטין יוצר קשר עם הפתית התחתון.המגע מורגש עקב שינוי פתאומי בצבע. כאשר מגע נעשה, מחממים את המצע התחתון ל 75 מעלות צלזיוס עבור הידבקות טובה יותר של PMMA למצע התחתון. PMMA יתנתק מגלשת הזכוכית.לאחר מכן, נקה את המצע התחתון כדי להסיר את סרט PMMA. כדי להשתמש בשיטת ההטבעה של העברת פתיתים, מקם תחילה את המצע בשלב התחתון של הגדרת ההעברה. על מצע זה, לזהות את המיקום של הפתית הרצוי, אשר יהיה הקריסטל התחתון.לאחר מכן, מניחים את המצע העליון לתוך המחזיק של הגדרת ההעברה לחמם את המצע התחתון ל 100 מעלות צלזיוס. לאחר מכן, ליישר ולהביא את הגביש העליון במגע עם הפתית התחתון. לאחר מגע מלא נעשה בין שני פתיתים, לאט להעלות את המצע העליון.התוצאה היא הירידה של הפתית העליון מהחותמת למצע התחתון. גבישים של נזלת רניום הם אידיאליים להדגמת יישור זוויתי, כי זה מקלף מכנית כמו ברים מוארכים עם קצוות מוגדרים היטב. כאן, הפתית העליון הוצב בזווית של 75 מעלות לקריסטל התחתון באמצעות שיטת ההחתמה PDMS המוצגת בסרטון זה.מיקרוסקופ כוח אטומי שימש למדידת זווית הסיבוב בין הפתיתים העליונים והתחתונים. באמצעות הליך PMMA PVA, הגדרת ההעברה שימשה בהצלחה ליצירת מבנה המורכב משני פתיתי מונולייה של מוליבדן דיסולפיד. המונואים הבודדים מוצגים כאן על PMMA וסיליקון דו-חמצני.תוצאות ההליך המודגם במבנה המוצג כאן באמצעות מיקרוסקופ אופטי. פרטים נוספים, כגון עובי ואת המיקום היחסי של monolayer מוערם ניתן לאשר באמצעות AFM. החלקים החשובים ביותר של הליך זה הם יישור מעברי סיבובי של הפתיתים.קיימות שיטות העברה אחרות והן פועלות על פי פרוטוקול דומה, ופולימרים שונים וקריסטלים דו-ממדיים יכולים לשמש לייצור מבנים מסוימים. וכמובן, ניתן להשתמש בשיטות ניקוי נוספות כדי להבטיח משטחי גביש וטהור וממשקים. בעת שימוש בכימיקלים כגון PMMA, אצטון ואחרים, הקפד ללבוש את ציוד המגן האישי הנכון ולבצע את השלבים בסביבה מאווררת היטב, כגון מכסה המנוע אדים.

fabricating-van-der-waals-heterostructures-with-precise-rotational

Research

JoVE Journal

Engineering

הנדסה

הייצור של חשמל למיעון,-היבט יחס גבוה (&gt; 1000:1) nanowires המתכת מופרד בפערים של ננומטרים בודדים או באמצעות ההקרבה של שכבות אלומיניום וכסף או monolayers עצמית התאספו כתבניות מתואר. מבנים אלה nanogap מפוברקים בלי חדר נקי או כל תמונה או קרן האלקטרונים תהליכי יתוגרפיות על ידי צורה של הקצה המכונה ליתוגרפיה nanoskiving.

בודה Nanogaps ידי Nanoskiving

שיטה לחיבור קבוע של שני ופלים מסיליקון כדי לממש מארז אחיד מתוארת. זה כולל הכנת רקיקים, ניקוי, מליטה RT, ותהליכי חישול. ופלים מלוכדים וכתוצאה מכך (תאים) יש אחידות של המתחם ~ 1%1,2. הגיאומטריה המתקבלת מאפשרת מדידות של נוזלים וגזים מוגבלים.

ייצור חללים ננומטריים אחידים באמצעות מליטה וופל ישיר סיליקון

אנו מדווחים על פרוטוקול לשילוב המטרולוגיה האטומית של מיקרוסקופ המנהור הסורק לדפוס פני השטח עם שקיעת שכבה אטומית סלקטיבית ותחריט יונים תגובתי. באמצעות תהליך חזק הכולל חשיפות אטמוספריות רבות והובלה, ננו-מבנים תלת מימדיים עם מטרולוגיה אטומית מיוצרים.

ייצור ננו-מבנה אטומי למעקב

בנייר זה, אנו מציגים פרוטוקול לגדול ישירות של epitaxial עדיין עופרת גמיש זירקוניום חומצה טיטנית רכיב זיכרון על מוסקבאי מיכה.

ייצור ושיטת מדידה לרכיב Ferroelectric גמיש בהתבסס על ואן דר Waals Heteroepitaxy

חישובים שבוצעו על ידי חבילת הסימולציה של וינה Ab, ניתן להשתמש כדי לזהות את המאפיינים האלקטרוניים הפנימיים של חומרים ננו-סקאלה ולחזות את הפוטנציאל מפצל את המים הפוטנציאליים.

בדיקה סוג II הלהקה יישור ב-One-מימדי ואן דר וואלס הטרובנים באמצעות חישובי עקרונות ראשונים

מוצג כאן הוא פרוטוקול לניתוח שינויים ננו במהלך הטיה situ עם מיקרוסקופ אלקטרונים שידור (TEM) עבור מבנה מתכת-מבודד-מתכת מוערם. יש לו יישומים משמעותיים נגד מיתוג מוטות מוצלבים עבור הדור הבא של מעגלי לוגיקה לתכנות וחומרה neuromimicking, כדי לחשוף את מנגנוני הפעולה הבסיסיים שלהם וישימות מעשית.

ב מיקרוסקופ אלקטרונים שידור Situ עם הטיה והפיקה של מוטות אסימטריים המבוססים על מעורב שלבים a-VOx

מאמר זה מציג פרוטוקול ממוטב ומושכל ניסיון לייצור התקני סופר-סריג moiré מבוססי גרפן באיכות גבוהה עם זוויות פיתול מדויקות, תוך שימוש בטכניקת העברה יבשה שונה המבוססת על מערך העברה מותאם-במיוחד וניתן לכוונון גבוה.

הליך ייצור אופטימלי עבור התקני Moiré Superlattice מבוססי גרפן באיכות גבוהה

מחקר זה מציג מתודולוגיית ייצור נטולת שאריות לייצור פתיתים בודדים של חומרים דו-ממדיים והרכבתם למבנים הטרו-ממדיים מורכבים תוך שימוש באינטראקציות ואן דר ואלס בלבד. הטכניקה מבטלת את הצורך בחומרים חיצוניים ובתנאי ניסוי ספציפיים, ומאפשרת הרכבות הטרו-מבניות מורכבות באמצעות תהליכי ערימה מלמטה למעלה, מלמעלה למטה ומודולריים.

ייצור ללא שאריות של מבנים הטרו-ממדיים של ואן דר ואלס מחומרים דו-ממדיים

Metamaterials בתדרי terahertz להציע הזדמנויות ייחודיות, אבל הם מאתגרים לפברק בתפזורת. אנחנו מתאימים את הליך הייצור לסיבים אופטיים פולימר microstructured בזול כדי להמציא metamaterials פוטנציאל בקנה מידה תעשייתי. אנו מייצרים סיבי polymethylmethacrylate המכילים ~ 10 חוטי אינדיום קוטר מיקרומטר מופרדים על ידי ~ 100 מיקרומטר, שמציג תגובת plasmonic terahertz.

Metamaterials בודה בשיטת ציור הסיבים

אנו מדגימים כיצד לקבוע את התפלגות הגודל של nanocrystals מוליכים למחצה באופן כמותי באמצעות ספקטרוסקופיית ראמאן העסקת מודל כליאת פונון רב-חלקיקים מוגדרים באופן אנליטי. תוצאות שהתקבלו הן בהסכם מצוין עם טכניקות ניתוח גודל אחרות כמו מיקרוסקופ אלקטרונים הולכה וספקטרוסקופיה photoluminescence.

אפיון התפלגות גודל ננו באמצעות ראמאן ספקטרוסקופיה עם דגם Phonon מאסר רב-חלקיקים

למד ליצור הטרוסטרוקטורות ואן דר ואלס מחומרים דו-ממדיים עם יישור זוויתי מדויק לתת-מעלה. השיטה מאפשרת גילוי תופעות פיזיקליות חדשות ופיתוח מכשירים טכנולוגיים מתקדמים.

בדיית ואן דר ואלס הטרובנים עם יישור סיבוב מדויק

גלה סרטונים נוספים