ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

<ol>
	<li>Zhao T, et al. Prediction of higher thermoelectric performance in BiOCuSe by weakening electron-polar optical phonon scattering. J Mater Chem A. 2020;8(47):25245-25254.</li>
	<li>Ben-Nana M, Abbassi A, Elhadadi B. Rb&#8322;XCl&#8326; (X = Zr, Te, Pt): promising materials for high-temperature thermoelectric power generation. In: 2025 International Conference on Circuit, Systems and Communication (ICCSC). IEEE; 2025:1-7.</li>
	<li>Hu K, Han J, Xu B, Lin Y-H. Thermoelectric power factor of doped Bi&#8322;O&#8322;Se: a computational study. Phys Chem Chem Phys. 2020;22:27096-27104.</li>
	<li>Li S, et al. High thermoelectric power factor in Ni-Fe alloy for active cooling applications. Mater Horiz. 2025;12:6956-6966.</li>
	<li>Sun Y, et al. Strategies to improve the thermoelectric figure of merit in thermoelectric functional materials. Front Chem. 2022;10:865281.</li>
	<li>Hu B, et al. Advances in flexible thermoelectric materials and devices fabricated by magnetron sputtering. Small Sci. 2025;5:2300061.</li>
	<li>Gong T, et al. Ultrahigh power factor of sputtered nanocrystalline n-type Bi&#8322;Te&#8323; thin film via vacancy defect modulation and Ti additives. Adv Sci. 2024;11:2403845.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Kumar A, et al. Thermoelectric properties of GaN with carrier concentration modulation: an experimental and theoretical investigation. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021;23(2):1601-1609.</li>
	<li>Musah J, et al. Ultralow thermal conductivity in dual-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323; material for enhanced thermoelectric properties. Adv Electron Mater. 2021;7(2):2000910.</li>
	<li>Jang H, et al. Comparative study of thermoelectric properties of Sb&#8322;Si&#8322;Te&#8326; and Bi&#8322;Si&#8322;Te&#8326;. ACS Appl Mater Interfaces. 2022;14:1270-1279.</li>
	<li>Ye W, Du P, Xiao S, Li M. Effect of annealing temperature on properties of WS&#8322; thin films. Surf Eng. 2022;38:411-416.</li>
	<li>Singh A, Kamboj VS, Barnes CHW, Hesjedal T. Magnetotransport measurements in overdoped Mn:Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Crystals (Basel). 2025;15:557.</li>
	<li>Gadhavajhala SSS, et al. Magnetic frameworks and non-magnetic dopants: a novel strategy for enhancing thermoelectric efficiency in manganese telluride-mechanistic insights into charge carrier dynamics and phonon transport. Small. 2025;21(25):2411481.</li>
	<li>Wei M, et al. Directional thermal diffusion realizing inorganic Sb&#8322;Te&#8323;/Te hybrid thin films with high thermoelectric performance and flexibility. Adv Funct Mater. 2022;32(45):2207903.</li>
	<li>Chen X, et al. Flame doping of indium ions into TiO&#8322; nanorod arrays for enhanced photochemical water oxidation. Dalton Trans. 2023;52:14747-14751.</li>
	<li>Zhao Y, Ding W, Xiao Y, Yang P. Manipulating the optoelectronic characteristic of AZO films by magnetron sputtering power. Vacuum. 2023;210:111849.</li>
	<li>Kander NS, et al. The role of Mn in Bi2-xMnxTe3&#160;topological insulator: structural, compositional, magnetic, and weak anti-localization property analysis. J Mater Sci Mater Electron. 2023;34:1198.</li>
	<li>Kavita, Gupta V, Ranjeet. Structural and morphological properties of nanostructured Bi&#8322;Te&#8323; with Mn-doping for thermoelectric applications. Mater Today Proc. 2022;54:820-826.</li>
	<li>Bibby J, et al. Synthesis of nanocrystalline Mn-doped Bi&#8322;Te&#8323; thin films via magnetron sputtering. Crystals (Basel). 2025;15:54.</li>
	<li>Tang X, et al. A comprehensive review on Bi&#8322;Te&#8323;-based thin films: thermoelectrics and beyond. Interdiscip Mater. 2022;1:88-115.</li>
	<li>Islam R, et al. Modulating Mn-doped NiO nanoparticles: structural, optical, and electrical property tailoring for enhanced hole transport layers. Nanoscale Adv. 2025;7:133-143.</li>
	<li>Ahmad Musri N, et al. Fabrication of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; thermoelectric thin films using radio frequency magnetron sputtering technique. J Vis Exp. 2024;(207):e66248.</li>
	<li>Adam AM, et al. Optical properties of thin Bi&#8322;Te&#8323; films synthesized by different techniques. Superlattices Microstruct. 2021;155:106909.</li>
	<li>Ali Z, Dawood AL-Niaimi A. Structural and electrical characterizations of new synthesized PVA/PoPDA-rGO-ZnO nanocomposite. Egypt J Chem. 2021;65(4):761-770.</li>
	<li>Kabekkodu SN, Dosen A, Blanton TN. PDF-5+: a comprehensive Powder Diffraction File for materials characterization. Powder Diffr. 2024;39:47-59.</li>
	<li>Kawsar Md, et al. Synthesis of nano-crystallite hydroxyapatites in different media and a comparative study for estimation of crystallite size using Scherrer method, Halder-Wagner method size-strain plot, and Williamson-Hall model. Heliyon. 2024;10:e25347.</li>
	<li>Fatimah S, Ragadhita R, Husaeni DF Al, Nandiyanto ABD. How to calculate crystallite size from X-ray diffraction using Scherrer method. ASEAN J Sci Eng. 2021;2:65-76.</li>
	<li>Mongkolsuttirat K, Buajarern J. Uncertainty evaluation of crystallite size measurements of nanoparticle using X-ray diffraction analysis. J Phys Conf Ser. 2021;1719:012054.</li>
	<li>Ateia EE, et al. A comparative approach for estimating microstructural characteristics of BaTi1-xZrxO&#8323; (0.0 &#8804; x &#8804; 0.3) nanoparticles via X-ray diffraction patterns. J Solgel Sci Technol. 2024;110:887-899.</li>
	<li>Abdul-Jabbar SS, Harbi KH. A study of the relationship between the two types of crystallite dislocation density and the particle size of barium oxide (BaO) nanoparticle. Ibn Al-Haitham J Pure Appl Sci. 2024;37:193-202.</li>
	<li>Ahmad M, Agarwal K, Mehta BR. An anomalously high Seebeck coefficient and power factor in ultrathin Bi&#8322;Te&#8323; film: spin-orbit interaction. J Appl Phys. 2020;128(3):035108.</li>
	<li>Lou L, et al. Tunable electrical conductivity and simultaneously enhanced thermoelectric and mechanical properties in n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Adv Sci. 2022;9(27):2203250.</li>
	<li>Wang Y, et al. Enhancement of NIR-II emission of Er3&#8314; by doping Fe3&#8314; in double perovskites: multimode luminescence for versatile optoelectronic applications. Angew Chem Int Ed. 2025;137(4):e202416021.</li>
	<li>Isram M, et al. Impact of Mg doping on structural, morphological and thermoelectric properties of SnO&#8322; nanoparticles: a combined experimental-theoretical investigation. Molecules. 2025;30:4135.</li>
	<li>Korkmaz L, et al. Insights into the structural, microstructural and thermoelectric properties of Ce/Cr co-doped CaMnO&#8323; manganites. J Mater Sci Mater Electron. 2025;36:1004.</li>
	<li>Saleh A. Improvement of the optical properties of Zn-doped MnO nanocomposites thin films. Passer J Basic Appl Sci. 2023;5:348-355.</li>
	<li>Arif D, et al. Influence of defects on the enhancement of thermoelectric properties in Sn-doped ZnO nanostructure synthesized via hydrothermal route. Front Chem. 2025;13:1598509.</li>
	<li>Rana VS, Rajput JK, Pathak TK, Pal PK, Purohit LP. Impact of RF sputtering power on AZO thin films for flexible electro-optical applications. Cryst Res Technol. 2021;56(4):2000144.</li>
	<li>Lanchero &#193;P, et al. Impact of Mn/Co substitution on magnetoelectric and structural properties of ZnO nanostructures thin films. Heliyon. 2025;11:e42337.</li>
	<li>Othman NA, et al. Effects of radio-frequency power on structural properties and morphology of AlGaN thin film prepared by co-sputtering technique. ELEKTRIKA. 2021;20:14-18.</li>
	<li>Vadakepurathu F, Rana M. Electrical, optical and thermal properties of Ge-Si-Sn-O thin films. Materials. 2024;17:3318.</li>
	<li>Kim H-M, et al. Atomic layer deposition for nanoscale oxide semiconductor thin film transistors: review and outlook. Int J Extrem Manuf. 2023;5:012006.</li>
	<li>Hadia NMA, et al. Structural, optical and electrical properties of Bi2-xMnxTe3&#160;thin films. J Mater Sci Mater Electron. 2022;33:158-166.</li>
	<li>Wu H, et al. Improved thermoelectric and mechanical performance of Sb&#8322;Te&#8323;-based materials toward the segmented operation. Mater Today Energy. 2022;27:101045.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Hegde GS, Prabhu AN, Rao A, Chattopadhyay MK. Enhancement in thermoelectric figure of merit of bismuth telluride system due to tin and selenium co-doping. Mater Sci Semicond Process. 2021;127:105645.</li>
	<li>Osmic E, Barzola-Quiquia J, Winnerl S, B&#246;hlmann W, H&#228;ussler P. Thermopower and resistivity of the topological insulator Bi&#8322;Te&#8323; in the amorphous and crystalline phase. J Phys Condens Matter. 2024;36:355001.</li>
	<li>Singha P, et al. Enhancement of electron mobility and thermoelectric power factor of cobalt-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Int J Energy Res. 2022;46:17029-17042.</li>
	<li>Sitnicka J, et al. Systemic consequences of disorder in magnetically self-organized topological MnBi&#8322;Te&#8324;/(Bi&#8322;Te&#8323;)n&#160;superlattices. 2D Mater. 2022;9:015026.</li>
	<li>Jiang Y, et al. Evolution of defect structures leading to high ZT in GeTe-based thermoelectric materials. Nat Commun. 2022;13:6087.</li>
	<li>Chen X, et al. Excellent thermoelectric performance of boron-doped n-type Mg&#8323;Sb&#8322;-based materials via the manipulation of grain boundary scattering and control of Mg content. Sci China Mater. 2021;64:1761-1769.</li>
	<li>Bugalia A, Gupta V, Pandey A. Improvement in thermoelectric properties of Zn-Mn co-doped nanostructured SnTe through band engineering and chemical bond softening. J Phys D Appl Phys. 2024;57:195502.</li>
	<li>Zhou M, et al. Enhancement of thermoelectric performance for InTe by selective substitution and grain size modulation. Crystals (Basel). 2023;13:601.</li>
	<li>Dur&#225;n I, et al. High conductivity and thermoelectric power factor in p-type MoS&#8322; nanosheets. ACS Appl Energy Mater. 2025;8:3500-3508.</li>
	<li>Bourg&#232;s C, et al. Investigation of Mn single and co-doping in thermoelectric CoSb&#8323;-skutterudite: a way toward a beneficial composite effect. ACS Appl Energy Mater. 2023;6:9646-9656.</li>
	<li>Nguyen TAK, et al. Effects of RF magnetron sputtering power on the mechanical behavior of Zr-Cu-based metallic glass thin films. Nanomaterials. 2023;13:2677.</li>
	<li>Wang G, et al. Boosting thermoelectric performance of Bi&#8322;Te&#8323; material by microstructure engineering. Adv Sci. 2024;11(6):2308056.</li>
	<li>Chaiwas S, et al. Enhanced thermoelectric power factor of magnetron co-sputtered Pd-added Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Vacuum. 2024;230:113696.</li>
	<li>Jha R, et al. High thermoelectric performance of p-type Fe&#8322;V&#8320;.&#8328;Mn&#8320;.&#8322;Al Heusler alloy thin films grown on insulating oxide substrates. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2512705.</li>
	<li>Abinaya C, et al. The effect of post-deposition annealing conditions on structural and thermoelectric properties of sputtered copper oxide films. RSC Adv. 2020;10:29394-29401.</li>
	<li>Tao X, et al. Exceptional performance of room-temperature sputtered flexible thermoelectric thin film using high target utilisation sputtering technique. Adv Mater Technol. 2024;9(6):2301958.</li>
	<li>Dolabella S, Borz&#236; A, Dommann A, Neels A. Lattice strain and defects analysis in nanostructured semiconductor materials and devices by high-resolution X-ray diffraction: theoretical and practical aspects. Small Methods. 2022;6(2):2100932.</li>
	<li>Dores BS, Maciel MJ, Correia JH, Vieira EMF. Toward enhancing the thermoelectric properties of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; alloys by co-evaporation of Bi&#8322;Te&#8323;:Bi and Sb&#8322;Te&#8323;:Te. Nanomaterials. 2025;15:299.</li>
	<li>Morgan KA, Zeimpekis I, Feng Z, Hewak D. Enhancing thermoelectric properties of bismuth telluride and germanium telluride thin films for wearable energy harvesting. Thin Solid Films. 2022;741:139015.</li>
	<li>Helt A, et al. MgCuSb as a suitable electrode for contacting pre-compacted pellets of MgAgSb thermoelectric material. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2506982.</li>
</ol>

<table><tbody><tr><td>אצטון (&ge; 99.5%)</td><td>מרק</td><td>100012</td><td>ממס ניקוי מצע</td></tr><tr><td>נייר אלומיניום</td><td>פוספיררול</td><td>86871915</td><td>ציפוי התא וכיסוי מחזיק המצע</td></tr><tr><td>גז ארגון (Ar)</td><td>גזלינק גזים אינדסטריאליים Sdn. Bhd.</td><td>לא זמין (מסופק על ידי מפיץ)</td><td>גז עובד מתפזר; זרימה של 4 מ"מ; דרגה 5.0 (99.999%)</td></tr><tr><td>מטרה מתפצלת ביזמות, קוטר 50.8 מ"מ, עובי 4.25 מ"מ, 99.999%</td><td>צ'אנגשה שינקנג חומרים מתקדמים בע"מ.</td><td>xk-Bi2Te3</td><td>Bi2Te3 target; הספק RF קבוע = 100 וואט</td></tr><tr><td>מים דה-יוניים</td><td>פנימי</td><td>לא זמין</td><td>שטיפת מצע וניקוי אולטרסוני</td></tr><tr><td>גלאי ספקטרוסקופיית קרני רנטגן מפזרת אנרגיה</td><td>משולב עם מערכת FESEM</td><td>לא זמין</td><td>ניתוח קומפוזיציה של שכבה דקה</td></tr><tr><td>מיקרוסקופ אלקטרונים סורק פליטת שדה</td><td>קרל צייס</td><td>סופרה 55VP</td><td>דימות מיקרו-מבנה שטחי</td></tr><tr><td>מצעי זכוכית, זכוכית סודה-סיד, בעובי 1.1 מ"מ</td><td>מיד</td><td>B105-2002</td><td>מצע לשקיעת שכבה דקה</td></tr><tr><td>פלטה חמה</td><td>איקה</td><td>C-MAG HS 7</td><td>ייבוש המצע ב-393 קלווין</td></tr><tr><td>אלכוהול איזופרופיל (&ge; 99.8%)</td><td>מרק</td><td>109634</td><td>ממס ניקוי מצע</td></tr><tr><td>חומר ניקוי מעבדה</td><td>מרק</td><td>107553</td><td>ניקוי ראשוני של המצע</td></tr><tr><td>יחידת סירקולציה של נוזל קירור</td><td>פישר סיינטיפיק</td><td>250LCU</td><td>מחזור קירור לאקדחי ספטר</td></tr><tr><td>מתנול (> 99.9%)</td><td>מרק</td><td>106009</td><td>ממס ניקוי מצע</td></tr><tr><td>מטרה של מנגן מתפזרת, קוטר 50.8 מ"מ, עובי 5.08 מ"מ, 99.999%</td><td>חברת טכנולוגיית הונאן בויו בע"מ.</td><td>לא זמין</td><td>מטרה; הספק ה-RF נע בין 0 ל-15 וואט</td></tr><tr><td>מולטימטר</td><td>RS PRO</td><td>EN61010-1 CATIII</td><td>אימות בידוד חשמלי</td></tr><tr><td>גז חנקן (N2)</td><td>גזלינק גזים אינדסטריאליים Sdn. Bhd.</td><td>לא זמין (מסופק על ידי מפיץ)</td><td>ייבוש המצע לאחר ניקוי; דרגה 4.0 (99.99%)</td></tr><tr><td>מכסה צלחת פטרי</td><td>מרק</td><td>41121812</td><td>הגנה על חלונות תצפית בתא; כ-94 מ"מ קוטר וזמן; גובה 16 מ"מ</td></tr><tr><td>מערכת התזות מגנטרון RF</td><td>נבנה בהתאמה אישית</td><td>לא זמין</td><td>שילוב של סרטים דקים Bi2Te3 ו-Mn thin</td></tr><tr><td>מערכת מדידת סיבק/התנגדות עם מתאם פלטינה</td><td>לינזיס</td><td>LSR-3 (LSR L31)</td><td>מדידות מקדם סיבק והתנגדות חשמלית</td></tr><tr><td>פינצטה</td><td>פישר סיינטיפיק</td><td>10-316B</td><td>טיפול במצעים מנוקים</td></tr><tr><td>אמבטיה אולטרסונית</td><td>אלמה</td><td>ElmaSonic S30H</td><td>ניקוי ממס למתנול, אצטון, אלכוהול איזופרופיל ומי DI</td></tr><tr><td>UV&ndash; מנקה אוזון</td><td>Novascan Technologies</td><td>PSDP-UV4</td><td>טיפול פני שטח במצע</td></tr><tr><td>מיכל אחסון ואקום</td><td>AS ONE Corporation</td><td>VM</td><td>אחסון דגימות לאחר הפקדה</td></tr><tr><td>פרופילומטר סטיילוס</td><td>ברוקר</td><td>DektakXT</td><td>מדידת עובי סרט דק</td></tr><tr><td>דיפרקטומטר קרני רנטגן</td><td>ברוקר</td><td>D8 ADVANCE</td><td>&theta; &ndash; 2&theta; סריקות XRD באמצעות Cu K&alpha; קרינה</td></tr><tr><td>DIFFRAC. EVA</td><td>ברוקר</td><td>DIFFRAC. גרסת EVA 8</td><td>התאמת שיא, ניתוח דיפרקציה וגרף גרף</td></tr><tr><td>מקור</td><td>OriginLab</td><td>OriginPro (64 ביט)</td><td>התאמת שיא וגרף גרפי</td></tr></tbody></table>

שיפור התכונות התרמואלקטריות של סרטים דקים bi2te3 על ידי התזת מנגן

Improving Thermoelectric Properties of Bi2Te3 Thin Films By Manganese Co-Sputtering

שיפור התכונות התרמואלקטריות של סרטים דקים Bi2Te3 על ידי התזת מנגן

Bi2Te3 remains a benchmark n-type thermoelectric (TE) material for low-temperature energy conversion, but its small band gap can reduce efficiency because ...

המחקר שלי בוחן את השינוי בביצועים התרמואלקטריים של סרט דק של ביסמוט טלוריד מסומם במנגנז, שהורכב באמצעות התספוטר (co-sputtering) מבוקר. שיטות קיימות לא הצליחו לבחון באופן מספק את השפעת הסימום במנגנז על הסרט הדק של ביסמוט טלוריד. לכן, פרוטוקול זה נותן מענה לפער זה באמצעות חקירה שיטתית.לאחר הנחת תשבצות זכוכית soda lime המוכנות והנקיות על תומך התשבצות המסתובב, סגור את דלת התא והפעל את השאיבה. הפעל לחץ עדין מסביב לדלת התא בתחילת התהליך כדי להבטיח איטום תקין, ואשר את ירידת הלחץ במד הלחץ. המשך בשאיבה עד שלחץ התא יגיע לערך השווה או נמוך מ-5 × 10⁻³ torr.הפעילו את מערכת הקירור והגדירו את הטמפרטורה ל-288 Kelvin כדי להבטיח סירקולציה רציפה של מים דאיוניים במעגל סגור דרך שני נשקי הטרטור לפני הדלקת הפלסמה. הכניסו גז ארגון בדרגת טוהר גבוהה והמתינו לייצוב למשך כשתי עד חמש דקות, או עד שהזרימה תישאר יציבה בערך הגבוה או השווה ל-3.9 standard cubic centimeters per minute. הגדירו את סיבוב המצע ל-10 RPM בכיוון קבוע אחד ושמרו על סיבוב רציף לאורך כל שלבי הטרטור המקדים (pre-sputtering) והשיקוע.הפעל את ספק הכוח של התדר הרדיו (radiofrequency) ואת בקר רשת ההתאמה. כוונן את הגדרות רשת ההתאמה עבור שני אקדחי ה-radiofrequency באמצעות פונקציית המינימום או המקסימום עד שערך העומס (load) וערך הכוונון (tune) יגיעו ל-50 watts. העבר את מצב הבקר ממצב ידני למצב התאמה אוטומטית (auto-matching).הגדירו את הספק התדר הרדיואי (radiofrequency) ל-50 watts באקדח הביסמוט טלוריד (bismuth telluride) ול-10 watts באקדח המנגן לפני הדלקת הפלסמה. מזעזעו את ההספק המוחזר לפני הדלקת הפלסמה, ושמרו עליו ברמה של חמישה watts או פחות. הדליקו את הפלסמה בשני האקדחים ואשרו שהפלסמה יציבה על ידי צפייה בזוהר רציף שנשמר למשך כדקה עד שתי דקות ללא הבהוב נראה לעין או קפיצות פתאומיות בלחץ.לאחר השגת פלזמה יציבה בשני הנשקים, בצעו pre-sputter לשני המטרות למשך 15 דקות כדי להסיר זיהומי פנים ותחמוצות טבעיות. הוציאו את תשבניות הבדיקה לאחר ה-pre-sputtering. לפני העמסת התשבניות להרצת ההשקעה, הסירו אבק מפנים התא ומאזור תפסן הדגימה באמצעות מפוח גומי נקי.שמרו על חלון הצפייה מוגן באמצעות מכסה נקי של צלחת פטרי לצורך תצפית על הפלסמה. בדקו את המטרות כדי לוודא שהן מונחות כראוי, ממורכזות ונמצאות במצב תקין. ודאו שכל מטרה מהודקת בחוזקה וממורכזת כראוי בתוך אקדח התססום (sputter gun).מקמו את התשתיות המנוקות באופן סימטרי סמוך לאזור החיצוני של התפסן המסתובב, במרחק של כ-5 עד 10 מילימטרים ממרכז התפסן. יישרו את הצד הארוך של כל תשתית במקביל לקצה התפסן. קבעו את המרחק בין המטרה לתשתית ל-55 מילימטרים עבור שני אקדחי הריספוטר (sputter guns).שאבו את התא והמשיכו בריקון למשך חמש שעות לפחות או עד שהלחץ הבסיסי יתייצב בערך היעד. ודאו את יציבות הלחץ הבסיסי כאשר הסחיפה בלחץ נשארת נמוכה מ-5% או שווה לה בערך במשך 10 דקות, והלחץ הבסיסי מגיע ל-5*10⁻⁵ torr או פחות. ייצבו את מערכת הקירור ב-288 Kelvins לאחר הגעה ללחץ הבסיסי.כוון את זרימת הארגון ל-4 standard cubic centimeters per minute והמתן להתייצבותה. שמור על סיבוב של המצע במהירות של 10 RPM. אשר את הגדרות רשת ההתאמה (matching network) עבור שני הדגנים והפעל התאמה אוטומטית (auto-matching) בבקר.הפעילו את תותח הביסמות טלוריד בהספק של 70 watts להקל על הדלקת הפלזמה. הגבירו את ההספק ב-5 watts כל 10 שניות עד להגעה ל-100 watts. הפעילו את טיימר השקיעה רק לאחר שקריאת ההספק של הביסמות טלוריד נשארת על 100 watts למשך כ-30 שניות ויציבות הפלזמה מאושרת.בצעו שיקוע של השכבות למשך 30 דקות תוך שמירה על תנאי פלזמה יציבים במהלך תהליך השיקוע. באותם פרמטרים, חזרו על שלבי השיקוע עבור מנגנז בהספקי רדיו-תדר (RF) של 10 watts ו-15 watts תוך שימוש במצעים חדשים. התחילו את תהליך הכיבוי באמצעות בקר המערכת על ידי כיבוי פלט הרדיו-תדר תחילה.הפחית את זרימת הארגון ל-10 עד 11 סמ"ק סטנדרטיים לדקה (standard cubic centimeters per minute), תוך השארת מערכת הקירור פעילה עד לשחרור הוואקום מהתא וחזרת רובים הטרטור (sputter guns) לטמפרטורה קרובה לטמפרטורת הסביבה. ודא שהמשאבה הטורבו-מולקולרית עצרה לחלוטין ושקריאת המהירות היא אפס לפני שחרור הוואקום מהתא. שחרר את הוואקום מהתא לאט באמצעות חנקן יבש דרך שסתום השחרור (vent valve) כדי לאפשר השוואת לחצים הדרגתית ולמזער הפרעה לחלקיקים.פתחו את התא רק לאחר שהלחץ יחזור ללחץ אטמוספרירי בערך, כ-760 torr, ודלת התא ניתנת לשחרור ללא התנגדות. הרכיבו מסכה וכפפות במהלך הוצאת הדגימות כדי להפחית זיהומים וחשיפה לחלקיקים דקים. הוציאו את הדגימות השקועות מהתא.העבירו את הדגימות לכלי פטרי נקי. אחסנו את הדגימות במכל אחסון בוואקום ובצעו את האפיון תוך 24 עד 72 שעות לאחר ההשקעה. לאחר הוצאת הדגימות, בצעו שאיבה ראשונית (rough pump) של התא למשך 10 עד 15 דקות כדי להגיע ללחץ המקדימה הנדרש לפני ה-TMP, ובכך צמצמו את החשיפה לאוויר הסביבה וללחות.תבניות עקיפת קרני X מאשרות כי כל הדגימות שומרות על פאזת ביסמוט טלוריד רומבוהדרלית לאורך סדרת הספקי המנגן. שיא העקיפה הדומיננטי זז לעבר ערכי שתי תטא (two theta) גבוהים יותר עם הגדלת תכולת המנגן. גודל הגביש הצטמצם באופן כללי מ-14.23 nanometers ב-0 watts ל-8.35 nanometers ב-15 watts, דבר העולה בקנה אחד עם הפחתה בגודל הדומיין הקוהורנטי ועלייה במאמץ המיקרוסקופי (microstrain) בהספק מנגן גבוה יותר.תמונות ממיקרוסקופ אלקטרונים סורק עם פליטת שדה מהפני (FE-SEM) הדגימו שינויים ברורים במיקרו-מבנה של הסרט עם הגדלת כמות המנגן. סרט הביקורת ללא הספק (zero watt) הראה גרעינים פוליגונליים גדולים יותר עם גבולי גרעין מובחנים, בעוד שסרט עם סימום מנגן בהספק של 5 watt הראה פני שטח דחוסים יותר עם גרעינים עדינים יותר. סרטים שהורגשו בהספק מנגן של 10 watt ו-15 watt נראו דחוסים יותר עם פחות מרווחים בין-גרעיניים מאשר דגימות ה-zero watt וה-5 watt.ניתוח הרכב יסודיות אישר כי שילוב המנגן עלה עם העלייה בהספק של מטרת המנגן. כל הסרטים הראו מקדם זבקים (Seebeck) שלילי, מה שמאשר התנהגות הולכה מסוג n, ועוצמתו של מקדם זבקים עלתה בדרך כלל עם הטמפרטורה בכל הדגימות. עוצמת מקדם זבקים הגבוהה ביותר נצפתה בסרט של 15 watt, והגיעה למינוס 162.08 microvolts per Kelvin ב-523 Kelvins.כל הסרטים הפגינו התנהגות הולכה של חצי-מוליך שבה ההתנגדות הסגולית פחתה עם עליית הטמפרטורה. מקדם ההספק המקסימלי הושג עבור הסרט של 5 watt, והגיע לכ-529.33 microwatts per meter per Kelvin squared ב-523 Kelvins. למרות שהסרט של 15 watt הפגין את גודל מקדם זבקה (Seebeck) הגבוה ביותר, העלייה בהתנגדות הסגולית הפחיתה את מקדם ההספק ל-300.59 microwatts per meter per Kelvin squared.פרוטוקול זה אפשר לחוקר לבצע התזת משטחים משולבת (co-sputtering) של מנגן על גבי סרט של ביסמות טלוריד, ולהעריך כיצד רמת הפיסוח משפיעה על הביצועים התרמואלקטריים. האתגר המרכזי בפרוטוקול זה הוא שמירה על פלזמה יציבה וכן על תנאי התזה המאפשרים שילוב של מנגנונים באופן מהימן ועקבי. מחקרים עתידיים יכולים להתבסס על אופטימיזציה של התכונות התרמואלקטריות, עיבוד לאחר סינתזה, ופיתוח מחולל תרמואלקטרי מבוסס סרט דק לצורך בדיקות ברמת הרכיב.

improving-thermoelectric-properties-bi2te3-thin-films-manganese-co

Research

JoVE Journal

Engineering

הנדסה

דרך sulfurization של מתכות המעבר מראש הופקדו, קריסטל 2D שטח גדול ואנכי הטרו-מבנים יכול להיות מפוברק. הסרט העברת ונהלים ייצור המכשיר מודגמות גם בדו ח זה.

הכנת שטח גדול אנכי 2D קריסטל הטרו-מבנים באמצעות Sulfurization של מתכות מעבר סרטים עבור ייצור המכשיר

כאן, אנו מציגים פרוטוקול לגדול LSMO חלקיקים, (Gd) בוסקו סרטים על SrTiO (001)3 (STO) מצעים יחיד-קריסטל על ידי גלי רדיו (RF)-התזה.

תדר רדיו מגנטרון התזה של GdBa2Cu3O7−אלפא/ La0.67Sr0.33המפעילים הוירטואליים ובעלי התשתית3 bilayer קוואזי סרטים על מצעים יחיד-קריסטל3 (STO) SrTiO

במסמך זה, אנו מציגים נתונים היסטוריים פרוטוקולים עבור פתרון-מעובד כסף-ביסמוט-יוד (Ag-Bi-I) ternary מוליכים למחצה סרטים רזה מפוברק TiO2-מצופה אלקטרודות שקופות, שלהם פוטנציאל יישום אוויר-יציב, נטול עופרת מעגל התקנים.

הפתרון-מעובד "סילבר-ביסמוט-יוד" Ternary סרטים רזה עבור בולמי נטול עופרת פוטו

עבודה זו מתארת את תהליך הייצור המלא של מכשירים פוטו-וולטאי קדמיום לשיפור יעילות מוגברת. התהליך מנצל מערכת ואקום אוטומטית בתוך שורה לקבלת מרחב הסובלימציה המראה מדרגי, מתוך הייצור של מכשירים מחקר שטח קטן, כמו גם מודולים בקנה מידה גדול.

מרחב המראה הופקד במיוחד CdSeTe/CdTe תאים סולריים עבור משופר במעגל קצר מעגל צפיפות ופוטוטולוט

כתב היד מתאר פרוטוקול להתזת מגנטרון בתדרי רדיו של יריעות דקות תרמואלקטריות Bi2Te3 ו- Sb2Te3 על מצעי זכוכית, המייצג שיטת שיקוע אמינה המספקת מגוון רחב של יישומים עם פוטנציאל לפיתוח נוסף.

ייצור יריעות דקות תרמואלקטריות Bi2Te3 ו- Sb2Te3 באמצעות טכניקת התזה של מגנטרון בתדר רדיו

כאן, אנו מציגים פרוטוקול לסינתזה של שני כלקוגנידים מתכתיים (Cu1.8S ו-SnSe) המתאימים לתרמו-אלקטריים באמצעות סינתזה מכנית מהירה במיוחד (טווח שני), נטולת ממסים וחד-שלבית באמצעות קודמנים יסודיים. במקביל, אנו מדגימים את ניטור הטמפרטורה בצנצנת במהלך כרסום כדורי פלנטרי באתרו על ידי המכשיר החדש שפותח.

הדגמת הפשטות וניטור הטמפרטורה באתרו של הסינתזה המכנוכימית של כלקוגנידים מתכתיים המתאימים לתרמו-אלקטריים

אנו מתארים טכניקה המאפשרת nanomoulding דפוסי ננו עלות הנמוכה של חומרים תפקודיים, ערמות חומרים והתקנים מלאים. Nanomoulding ניתן לבצע בכל התקנת nanoimprinting וניתן ליישום למגוון רחב של חומרים ותהליכים בתצהיר.

Nanomoulding של חומרים תפקודיים, שיטה תכליתית משלימת תבנית שכפולה לnanoimprinting

דו"ח זה מתאר את השימוש במערכת שהותקן לבצע בתצהיר תרסיס של סרטים עבים של גארנט ברזל איטריום על גבי מצעי ספיר ב RT. הסרטים שהופקדו מאופיינים באמצעות מיקרוסקופ אלקטרונים סורקים, profilometry, ותהודה פרומגנטיים לתת סקירת נציג של היכולות של הטכניקה.

היווצרות עבה צפופים איטריום ברזל גרנט הסרטים באמצעות תרסיס הפקדת

הצענו שיטה לסינתזה ישירה של סרט דק ZnO בציר c גבוה (0002) על ידי שקיעת אדים כימית משופרת בפלזמה. הסרט הדק ZnO המסונתז בשילוב עם אלקטרודה בין-דיגיטלית Pt שימש כשכבת חישה עבור גלאי פוטו אולטרה סגול, והראה ביצועים גבוהים באמצעות שילוב של התגובה והאמינות הטובה שלו.

סינתזה ואפיון של c-הציר הגבוה ZnO Thin Film ידי פלזמה משופרת מערכת הפקדת כימית החמקן וUV גלאי אור יישומה

הטכניקה של מילויים מתרחבים בשכבות דקות (DGT) מוצע ללימודי התפצלות של פלוטוניום. פרוטוקול זה מתאר ניסויי דיפוזיה חיטוט ההתנהגות של פו (IV) ופו (V) בנוכחותו של חומר אורגני. DGTs נפרס במעיין קרסטי לאפשר הערכה של הזמינות הביולוגית של פו.

מדידות התפצלות וזמינות ביולוגיות של הסביבה פלוטוניום שימוש דיפוזיה בThin Films

Universiti Kebangsaan Malaysia.  פותח פרוטוקול קו-ספיטינג בתדר רדיו לייצור סרטים דקים Bi2Te3 הממומנים במנגן ולהעריך כיצד קלט המנגן משפיע על תכונות ההובלה המבניות והתרמו-אלקטריות. שילוב מתון של מנגן שיפר את אחידות הסרט ואת התנהגות ההעברה הקשורה לגורם כוח, בעוד שקלט ג?...

שיפור התכונות התרמואלקטריות של סרטים דקים Bi₂Te₃ על ידי התזת מנגן

גלה סרטונים נוספים