Caratteristiche del MOSFET

I parametri essenziali dei MOSFET includono la lunghezza del canale, la larghezza del canale, lo spessore dell'ossido, la profondità della giunzione e il drogaggio del substrato.

Con una tensione di gate pari a zero, gli elettrodi source-to-drain formano due giunzioni p-n back-to-back, consentendo solo una corrente di dispersione inversa dalla sorgente allo scarico. Questa è nota come regione di cutoff.

Una polarizzazione positiva al gate converte la struttura MOS per formare uno strato di inversione superficiale o un canale n tra due regioni n-plus.

Con una tensione di drain minore, gli elettroni fluiscono dalla sorgente allo drain attraverso il canale conduttore, che funge da resistore, con la sua conduttanza regolabile tramite la tensione di gate. Questa è la regione lineare in cui la corrente di drain è proporzionale alla tensione drain-source.

Ogni MOSFET ha una tensione di soglia, la tensione minima gate-source necessaria per creare un percorso conduttivo tra la sorgente e il drain.

All'aumentare della tensione di drenaggio, si satura, riducendo a zero lo spessore dello strato di inversione vicino al bordo della lunghezza del canale. Questo punto di pinch-off segna l'inizio della regione di saturazione, dove la corrente di drain rimane costante nonostante l'aumento della tensione di drain.