Polarizzazione dei FET

Un transistor a effetto di campo a giunzione viene utilizzato nei circuiti elettronici per controllare le correnti elettriche.

I JFET sono costituiti da una barra di silicio di tipo N o P contenente giunzioni PN sui lati e sono disponibili in due varianti principali: canale N e canale P.

Nella struttura cristallina di un JFET di tipo N, un sottile strato di materiale di tipo N si trova su un substrato di tipo P. Il gate è formato sulla parte superiore del canale N utilizzando materiale di tipo P. I fili conduttori sono fissati all'estremità del canale e del cancello.

In un JFET a canale N, una tensione di gate negativa respinge gli elettroni del canale, creando una regione di svuotamento e riducendo la conduttività del canale.

Al contrario, in un JFET a canale P, una tensione di gate positiva respinge le lacune del canale, con conseguente riduzione della conduttività del canale attraverso la polarizzazione inversa.

Controllando la tensione gate-source, è possibile regolare l'ampiezza della regione di svuotamento, gestendo efficacemente il flusso di corrente attraverso il canale.

La resistenza di drain AC, in genere di diverse centinaia di ohm, determina la quantità di corrente che scorre attraverso il canale. Altri parametri chiave di un JFET includono la transconduttanza e il fattore di amplificazione.