condensatore MOS

I condensatori MOS hanno tre strati: lo strato inferiore è un substrato semiconduttore, quello centrale è uno strato isolante e lo strato metallico superiore è l'elettrodo di gate, che controlla la tensione del condensatore.

A tensione di gate zero, non scorre corrente e il condensatore è scarico.

L'applicazione di una tensione negativa al gate attira i fori sulla superficie del semiconduttore, formando una regione di accumulo. Il dispositivo si comporta come un condensatore convenzionale.

Applicando una tensione positiva, le lacune vengono respinte nel substrato, stabilendo una regione di carica spaziale chiamata regione di svuotamento, che agisce come un'altra capacità in serie.

Con una tensione sufficientemente alta, la concentrazione di elettroni sulla superficie aumenta, formando uno strato di inversione e diminuendo ulteriormente la capacità. Ciò si traduce in un forte aumento della corrente.

La rimozione della tensione dissipa la carica accumulata, facendo scomparire il canale e spegnendo il dispositivo.

I condensatori MOS sono utilizzati in dispositivi di memoria come la DRAM, dove la scrittura dei dati comporta l'applicazione di una tensione di gate per creare uno strato di inversione, che immagazzina temporaneamente la carica. La presenza o l'assenza di questa carica rappresenta dati binari, che necessitano di un aggiornamento periodico a causa della loro natura transitoria.