Method Article

Sintesi di Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostructure Nanotrees

DOI:

10.3791/54675

November 29th, 2016

In This Article

Summary

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Qui, ci prepariamo e caratterizzare nuovi gerarchici nanostrutture di ZnO / CdSSe ad albero, in cui i rami CdSSe si coltivano su nanofili di ZnO allineati verticalmente. I nanotrees risultanti sono un materiale potenziale per la conversione dell'energia solare e altri dispositivi opto-elettronici.

Abstract

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Una procedura di deposizione di vapore chimico in due fasi è qui impiegata per preparare ad albero gerarchico ZnO / CdSSe etero-nanostrutture. Le strutture sono costituite da rami CdSSe coltivati ​​su nanofili di ZnO che sono verticalmente allineate su un substrato di zaffiro trasparente. La morfologia è stata misurata mediante microscopia elettronica a scansione. La struttura cristallina è stata determinata mediante analisi ai raggi X diffrazione della polvere. Sia il ZnO gambo e rami CdSSe hanno una struttura cristallina prevalentemente wurtzite. Il rapporto molare tra S e Se nei rami CdSSe stata misurata mediante spettroscopia a raggi X a dispersione di energia. I rami CdSSe risultato in forte assorbimento della luce visibile. spettroscopia di fotoluminescenza (PL) ha mostrato che lo stelo e rami formano una eterogiunzione tipo II. misure a vita PL hanno mostrato una diminuzione della durata delle emissioni dagli alberi rispetto alle emissioni da ZnO singoli steli o rami CdSSe e indicare il trasferimento di carica veloce tra CdSSe e ZnO. il Verticamente allineato ZnO steli fornire una via diretta trasporto degli elettroni al substrato e di consentire una efficace separazione di carica dopo photoexcitation da luce visibile. La combinazione delle proprietà sopra menzionate rende ZnO / CdSSe nanotrees candidati promettenti per applicazioni in celle solari, fotocatalisi e dispositivi opto-elettronici.

Introduction

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ZnO è un semiconduttore II-VI con un band gap (BG) di 3,3 eV, una elevata mobilità elettronica, e 1,2 energia di legame grande eccitone. Si tratta di un materiale semiconduttore abbondante con una pletora di applicazioni attuali e futuri dispositivi ottici, celle solari e fotocatalisi. Tuttavia, ZnO è trasparente, che limita la sua applicazione nel campo spettrale visibile. Pertanto, materiali assorbenti la luce visibile, come i semiconduttori stretta gap 3, 4 molecole di colorante, e polimeri fotosensibili 5, sono spesso stati impiegati per sensibilizzare ZnO di assorbimento della luce visibile.

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Protocol

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1. Sintesi di Tree-come ZnO / CdSSe Nanostrutture

  1. Pretrattamento e oro rivestimento di substrati di zaffiro
    NOTA: Il film oro agisce come catalizzatore nella crescita dei nanofili di ZnO.
    1. Pulire le diapositive zaffiro (un-aereo, 10 × 10 × 1 mm) a 99,5% di etanolo con 5 minuti di ultrasuoni per preparare il substrato per Au sputtering.
    2. Deposito a 10 nm (± 2 nm) pellicola -thick d'oro sulle diapositive zaffiro con un dispositivo a induzione polverizzazione e bersaglio oro.
  2. Sintesi di nanofili di ZnO
    NOTA: Il passo sonicazione 1.2.2 risultati in ZnO omogenea e carbonio (ZnO / C) della m....

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Results

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La Figura 1 mostra il meccanismo di crescita di ZnO / CdSSe NT. La procedura coinvolto un processo catalitico di vapore-liquido-solido (VLS) seguito da un (VS) crescita non catalitico di vapore-solido. Nella prima fase VLS, ZnO e C reagiscono in atmosfera di Ar, con conseguente Zn metallico e ossido di carbonio. Zn viene successivamente disciolto in precursore oro sul substrato di zaffiro. nanofili di ZnO crescono dal Zn disciolto e ossigeno residuo. Nella seconda fase, .......

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Discussion

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L'allineamento verticale di nanofili ZnO (steli) è basato sulla crescita epitassiale sul substrato. Nanofili di ZnO crescono preferenzialmente lungo la <0001> direzione che corrisponde con la periodicità della un-piano di zaffiro 12. Pertanto, il tipo e la qualità del substrato sono molto importanti. Differenti spessori del rivestimento d'oro sul substrato, da 5 nm a 20 nm, sono stati testati e ha mostrato alcuna differenza significativa nella crescita di nanofili di ZnO. La lunghezza dei nanofi.......

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Disclosures

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I dati e le cifre in questo articolo sono citati dalla letteratura nel campo delle nanotecnologie da Li et al. 17.

Acknowledgements

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Gli autori ringraziano Svilen Bobev per il suo aiuto con gli spettri XRD e K. Booksh per l'assistenza con l'apparecchiatura sputter coater.

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Materials

List of materials used in this article
NameCompanyCatalog NumberComments
ZnOSigma Aldrich1314-13-2
Carbone AttivoAlfa231-153-3
CdSeSigma Aldrich1306-24-7
CdSSigma Aldrich1306-23-6
ZaffiroMTI2SPa-plane, 10 &volte; 10 &volte; 1 mm
FornaceLindberg Blu MSSP
Microscopio elettronico a scansioneHitachiS5700assemblato con un rivelatore Oxford Inca X-act
diffrattometro a raggi X per polveriRigakuMiniFlexfiltrato Cu K&alfa; (λ=1.5418  Å)
Oscillatore Ti:zaffiro amplificatoManteLegend-Elite
Modulo di rilevamento a singolo fotoneID QuantiqueID-100
Sputter coaterCressington308assemblato con bersaglio d'oro
Spettrometro a sonda in fibraControllo fotonicoSPM-002
Filtro in vetro coloratoThorlabsFGB37-A - & Oslash; 25 mm BG40AR rivestito: 350 - 700  nm
Gas argon compressoKeen7440-37-1
coerente

References

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  1. Swank, R. K. Surface Properties of II-VI. Compounds. Phys. Rev. 153 (3), 844-849 (1967).
  2. Bagnall, D. M., et al. Optically pumped lasing of ZnO at room temperature. Appl Phys. Lett. 70 (17), 2230-2232 (1997).
  3. Zheng, Z. K., Xie, W., Lim, Z. S., You, L., Wang, J. L.

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ZnO NanowiresCdSSe BranchesChemical Vapor DepositionScanning Electron MicroscopyX ray Powder DiffractionEnergy Dispersive X ray SpectroscopyPhotoluminescence SpectroscopyType II HeterojunctionVisible Light AbsorptionCharge Transfer

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