Articolo metodologico

Guida passo passo per lo sfruttamento di diodi organici a emissione di luce mediante fabbricazione di un dispositivo trattato in soluzione di un emettitore TADF

DOI:

10.3791/68434

⸱

7 novembre 2025

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1Materials Research Centre, Indian Institute of Science

* These authors contributed equally

In questo articolo

Sommario

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I dispositivi OLED (Organic Light Emitting Diode) offrono una qualità di visualizzazione superiore con un contrasto migliore, proponendo al contempo vantaggi ambientali grazie a un minor consumo energetico. Qui, viene presentata in sequenza una semplice strategia per la fabbricazione di dispositivi OLED elaborati in soluzione.

Abstract

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La domanda di sorgenti luminose ad alta efficienza energetica ha assistito a un'impennata significativa negli ultimi tempi, a causa della crescente consapevolezza nei confronti delle preoccupazioni ambientali e dei cambiamenti climatici. I diodi organici a emissione di luce (OLED) offrono una qualità di visualizzazione, un'efficienza energetica e una sostenibilità superiori, il che li rende la scelta ideale per i consumatori attenti all'ambiente e per le industrie a base di impronta di carbonio ridotte. Gli OLED, più sottili e flessibili, hanno rivoluzionato il campo degli smartphone, dei televisori, dei display automobilistici e dei gadget indossabili. Qui, in questo articolo, viene fabbricato un efficiente dispositivo OLED a partire dalla sintesi di un emettitore basato su donatore-accettore, seguita dalla sua purificazione. Il processo di sintesi organica è spiegato brevemente. Per la purificazione, in primo luogo, la miscela di prodotti viene purificata mediante cromatografia su colonna, quindi viene sublimata utilizzando un set-up di sublimazione sottovuoto a gradiente di temperatura per ottenere un composto di elevata purezza. L'obiettivo finale è quello di realizzare un dispositivo OLED multistrato che necessiti di emettitori ad altissima purezza. Realizzare un OLED efficiente richiede precisione e competenza; Pertanto, mostrare un protocollo dettagliato passo dopo passo è importante per la comunità scientifica. Qui, i dettagli sulla fabbricazione del dispositivo OLED processato in soluzione vengono spiegati in quattro fasi (pulizia del substrato, rivestimento di rotazione degli strati, evaporazione termica degli strati e misurazione delle prestazioni del dispositivo). Innanzitutto, i substrati devono essere puliti utilizzando un protocollo ben consolidato. Successivamente, l'architettura a strati è ottenuta mediante spin coating e deposizione termica dei materiali desiderati allo spessore richiesto. L'evaporazione termica viene effettuata utilizzando un evaporatore termico ad alto vuoto con una configurazione integrata della scatola a guanti. Infine, per ottenere le prestazioni del dispositivo, le misurazioni devono essere effettuate in un ambiente buio. Questo lavoro completo fornirà una conoscenza approfondita della fabbricazione dei dispositivi e ispirerà più ricercatori a decorare questo mondo con gli OLED.

Introduzione

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Con la crescente modernizzazione, il tasso di consumo energetico è aumentato, il che ha costretto l'emergere di diverse fonti efficienti dal punto di vista energetico. Anche se spesso non viene realizzata, l'illuminazione è uno dei principali settori che consumano energia. Secondo un rapporto pubblicato dal Programma delle Nazioni Unite per l'ambiente (UNEP) nel 20171. L'illuminazione consuma il 15-19% dell'elettricità globale 1,2 ed emette circa il 5% dei gas serra nel mondo 1,3. Se questo problema viene trascurato, il consumo di elettricità per l'illuminazione aumenterà di molte volte entro il 2030 1,4, con un impatto significativo sul cambiamento climatico dovuto al riscaldamento globale. Pertanto, lo sviluppo di tecnologie di illuminazione ad alta efficienza energetica5 è estremamente promettente per un ambiente sostenibile.

I dispositivi a diodi organici a emissione di luce (OLED) hanno rivoluzionato il campo dei display e dell'illuminazione, offrendo una migliore qualità del display e un'elevata efficienza energetica 6,7. Oltre a questo, offre anche la sottigliezza, la flessibilità, l'elevato contrasto e gli ampi angoli di visione richiesti. Grazie a tutti questi vantaggi, l'utilità dei materiali OLED sta gradualmente aumentando in varie applicazioni, tra cui smartphone, televisori, dispositivi indossabili e sistemi di illuminazione per autoveicoli8. Gli OLED utilizzano composti organici come strati emissivi ed emettono luce sulla ricombinazione radiativa di lacune ed elettroni 9,10,11. Lo sviluppo dei dispositivi OLED è stato portato avanti attraverso tre generazioni di materiali emettitori12. Il primo è costituito dai materiali fluorescenti, che possono raccogliere solo gli eccitoni singoletto, portando teoricamente all'efficienza quantica interna (IQE) del 25%. Gli OLED di seconda generazione impiegano emettitori fosforescenti per accedere a tutti gli eccitoni singoletto e tripletto, grazie all'efficiente accoppiamento spin-orbita, tutti gli elettroni tripletto possono anche essere raccolti, portando al 100% IQE13,14. Tuttavia, questi complessi contengono metalli pesanti come l'iridio (Ir) o il platino (Pt), che sollevano preoccupazioni ambientali e problemi di costo. Successivamente arriva la terza generazione di OLED, che comprende emettitori a fluorescenza ritardata attivati termicamente (TADF) 15,16,17,18,19.

Le molecole di TADF mostrano un piccolo divario di energia tra gli stati eccitati di tripletto e singoletto, consentendo l'attraversamento inverso dell'intersistema (RISC) attivato dall'energia termica e raggiungendo un IQE teorico del 100%20. La progettazione di una molecola TADF contiene la strategia per collegare un gruppo donatore e un gruppo accettore con o senza l'aiuto di un'unità centrale. Un nucleo adatto supporta un efficiente accoppiamento elettronico tra i gruppi donatore e accettore. I gruppi ricchi di elettroni (ad esempio, carbazolo, fenossazina, fenotiazina, trifenilammina) sono generalmente usati come donatori, mentre i gruppi carenti di elettroni (ad esempio, triazina, ossadiazolo, benzofenone o gruppi ciano) funzionano come accettori 21,22,23,24,25,26,27. Gli emettitori TADF possiedono un piccolo gap di energia singoletto-triplo (ΔEST), che aiuta a facilitare l'attraversamento inverso dell'intersistema (RISC)28. Qui, in questo lavoro, prepariamo una molecola TADF di tipo D-A, che verrà ulteriormente utilizzata per realizzare un dispositivo OLED emissivo verde28.

Gli OLED multistrato hanno una tecnologia OLED significativamente avanzata migliorando le metriche delle prestazioni rispetto ai dispositivi a strato singolo. Un dispositivo OLED multistrato contiene diversi strati organici, ognuno dei quali svolge una funzione specifica29,30. Le prestazioni del dispositivo possono essere personalizzate modificando il materiale, lo spessore e la concentrazione di ogni strato. I materiali di questi strati sono scelti in base al loro livello di energia dell'orbitale molecolare occupato più alto (HOMO) e dell'orbitale molecolare non occupato più basso (LUMO). Questi strati organici rimangono inseriti tra i due elettrodi (catodo e anodo). Una volta collegati al circuito, gli elettroni fluiscono dall'HOMO delle molecole emissive verso la sorgente di tensione attraverso l'anodo, creando un buco. Mentre la sorgente di tensione fornisce elettroni al LUMO della molecola attraverso il catodo. Queste cariche opposte viaggiano attraverso il dispositivo e si ricombinano nello strato emissivo, e la ricombinazione radiativa degli eccitoni emette fotoni. A seconda dei materiali dello strato emissivo e del loro gap energetico HOMO-LUMO, il colore dell'emissione può variare29. Si desidera che la ricombinazione avvenga nello strato emissivo (EML); A tal fine, è necessaria una struttura del dispositivo ottimizzata. Se gli strati e il loro spessore non sono ottimizzati correttamente, la ricombinazione potrebbe essere spostata, con conseguente scarso rendimento del dispositivo.

La fabbricazione di dispositivi multistrato può essere di due tipi, mediante deposizione termica sotto vuoto o elaborazione in soluzione. Qui, in questo articolo, viene presentato un metodo dettagliato per la fabbricazione di un dispositivo di un emettitore TADF utilizzando il metodo del processo in soluzione (in cui viene realizzato lo spin coating per i primi tre strati, seguito dalla deposizione sotto vuoto dei tre strati successivi). Il processo di fabbricazione dei dispositivi processato in soluzione ha attirato maggiore attenzione perché è economico, altamente scalabile e sostenibile dal punto di vista ambientale. Inoltre, lo spreco di materiale è relativamente inferiore rispetto all'evaporazione termica sotto vuoto. Il materiale trattato in soluzione può essere depositato a temperatura ambiente, il che lo rende una scelta adatta, consentendo la fabbricazione su substrati flessibili e sensibili al calore. Infatti, per quelle molecole con bassa stabilità termica, il dispositivo può essere realizzato solo con questo metodo. Tuttavia, ci sono alcune cose da considerare prima della fabbricazione. È necessario verificare la solubilità dell'emettitore, la stabilità e l'uniformità del film.

Qui, abbiamo preparato una molecola TADF di tipo D-A, che verrà ulteriormente utilizzata per realizzare un dispositivo OLED emissivo verde28. In primo luogo, viene discussa in breve la strategia di sintesi per l'emettitore TADF 2BPy-oTC; La discussione dettagliata è già riportata nel precedente articolo del nostro Gruppo28. Inoltre, il materiale sintetizzato è stato purificato mediante cromatografia su colonna e, per ottenere materiale di elevata purezza, è stato sublimato utilizzando una configurazione di sublimazione ad alto vuoto a gradiente di temperatura. La fase di purificazione è estremamente necessaria, poiché qualsiasi traccia di impurità influirà sulle prestazioni del dispositivo. Successivamente, per la fabbricazione del dispositivo, sono stati prelevati e puliti substrati di vetro modellati in ossido di indio e stagno (ITO). La pulizia dei substrati è molto importante31. I substrati rivestiti di ITO sono stati puliti accuratamente sonicando con una soluzione di sapone, acqua ultrapura e solventi organici, seguita dalla pulizia con ozono. Successivamente, lo strato di iniezione del foro (HIL) è stato rivestito in centrifuga sopra il substrato ITO (anodo) e lo strato polimerico di poli(3,4-etilendiossiossifene) polistirene solfonato (comunemente noto come PEDOT: PSS) è stato preso come HIL. Lo strato di trasporto del foro (HTL) è stato rivestito in rotazione sopra HIL. Questo strato aiuta nella migrazione dei fori verso lo strato emissivo. Il poli(9-vinilcarbazolo) (PVK), avente un livello di energia HOMO simile a PEDOT: PSS, è stato utilizzato come HTL. Inoltre, lo strato emissivo (EML) è stato rivestito in centrifuga sopra HTL. Per evitare il quenching di concentrazione nella maggior parte dei dispositivi basati su TADF, la molecola emettitrice viene dispersa in una matrice ospite. In questo studio, il 10% in peso di 2BPy-oTC è stato assunto nell'ospite N,N'-dicarbazolil-4,4′-bifenile (CBP), che è un ospite ben noto per l'emettitore verde 32,33,34. Quindi questi substrati fabbricati sono stati caricati nell'evaporatore termico. Lo strato di trasporto degli elettroni (ETL) e lo strato di iniezione degli elettroni (EIL) sono stati depositati per evaporazione termica. Questa evaporazione termica richiede un controllo preciso della velocità di deposizione in un ambiente ad alto vuoto. Il 2,2',2"-(1,3,5-benzinetril)-tris(1-fenil-1 H-benzimidazolo) (TPBi) è stato depositato come ETL, che aiuta a trasferire gli elettroni dall'EIL all'EML, e l'8-idrossichinolinolato-litio (Liq) è stato utilizzato come EIL, che inietta gli elettroni nell'architettura del dispositivo attraverso un effetto tunneling. Infine, 100 nm di alluminio sono stati depositati con una maschera catodica. Quindi, la struttura complessiva del dispositivo è la seguente: ITO/ PEDOT:PSS (30 nm)/ PVK (30 nm)/ 10% in peso 2BPy-oTCz in CBP (30 nm)/ TPBi (50 nm)/ Liq (2 nm)/ Al (100 nm).

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Protocollo

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NOTA: I dispositivi sono molto sensibili alla polvere e alle particelle estranee; Qualsiasi tipo di impurità può alterare le prestazioni effettive dell'emettitore e può potenzialmente portare a non funzionamento o cortocircuiti nel dispositivo. Quindi, questi devono essere fatti in un luogo pulito con le massime precauzioni. Si consiglia di preparare i dispositivi all'interno del vano portaoggetti con un ambiente a umidità e ossigeno controllati (ossigeno e livello di umidità 0,1 ppm).

1. Strategia sintetica dell'emettitore

  1. Trova un design adatto per una molecola TADF basata su donatore-accettore con l'aiuto di un'indagine in letteratura. Esaminare la struttura proposta attraverso calcoli teorici; Se soddisfa i requisiti, procedere con la sintesi. Generalmente, se la molecola ha ΔEST < 0,2 eV, allora può mostrare la proprietà TADF 35,36,37.
    NOTA: Per questo studio, la molecola 2BPy-oTCz è stata presa come emettitore28. Qui, il 3,6-di-terz-butil-9H-carbazolo (TC) ricco di elettroni funge da unità donatrice di elettroni, mentre il fenil(piridina-2-il)metanone (2BPy), avendo un gruppo carbonilico elettronegativo attaccato, funge da unità accettore. La via sintetica è mostrata nella Figura 1 e le caratterizzazioni dettagliate sono fornite in una precedente pubblicazione28.

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Figura 1: Processo di sintesi per l'emettitore 2BPy-oTC. Fare clic qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.

2. Purificazione dell'emettitore

  1. Purificare il composto sintetizzato mediante cromatografia su colonna. Utilizzare una miscela di acetato di etile/n-esano come eluente.
  2. Ottenere un composto ad alta purezza (>99,9%) sublimando il composto utilizzando una configurazione di sublimazione termica ad alto vuoto a gradiente di temperatura. Questo separa l'impurità dal composto in base alla loro temperatura di sublimazione.

3. Fabbricazione di dispositivi elaborati in soluzione

NOTA: Qui, in questo documento, vengono dimostrati i passaggi per realizzare un dispositivo trattato in soluzione con l'emettitore 2BPy-oTC. L'immagine schematica dell'architettura del dispositivo e delle strutture molecolari è riportata nella Figura 2.

figure-protocol-2
Figura 2: Strati molecolari utilizzati per la fabbricazione del dispositivo. (A) Architettura del dispositivo che mostra lo spessore e i livelli di energia HOMO-LUMO di tutti gli strati. (B) Struttura molecolare di PVK, CBP, Liq e TPBi. Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.

  1. Pulizia del supporto
    1. Per realizzare buoni dispositivi, i substrati devono essere puliti accuratamente. Prendi substrati di vetro ITO modellati.
      NOTA: Questi substrati ITO modellati possono essere di diversi tipi; Può contenere 2/4/6/8 pixel e anche la dimensione dei pixel può variare. In questo documento, sono stati presi substrati contenenti 6 pixel e, dopo la fabbricazione del dispositivo, l'area di 1 pixel è di circa 4,5 mm2.
    2. Conservare i substrati in un supporto per la pulizia. Quindi immergere nell'acetone (in un becher) e sonicare in un bagno ad ultrasuoni per 10 minuti (mantenere la temperatura intorno ai 40 °C).
    3. Sonicare i substrati in alcol isopropilico, seguito da acqua saponata Helmanex III all'1% (v/v), acqua ultrapura, acetone e alcol isopropilico in sequenza per 10 minuti ciascuno. Mantenere la temperatura intorno ai 40 °C ed è necessaria un'adeguata pulizia per rimuovere eventuali polveri e residui organici dai supporti.
    4. Estrarre i substrati e poi asciugare con una pistola ad azoto. Successivamente, identificare il lato ITO sul substrato controllando la conduttività utilizzando un multimetro, quindi pulire la superficie ITO utilizzando un detergente all'ozono UV.
  2. Rivestimento di filatura di HIL, HTL ed EML
    1. Per rivestire lo strato di iniezione del foro (HIL) sulla superficie dell'ITO, filtrare prima il PEDOT:PSS disponibile in commercio attraverso un filtro per siringa in PTFE (politetrafluoroetilene)da 0,45 μm 38 in una fiala. Coprire la superficie superiore conduttiva dei substrati con il PEDOT filtrato: PSS.
    2. PEDOT:PSS contiene acqua; Rivestirlo all'esterno del vano portaoggetti, altrimenti il livello di umidità aumenterà all'interno del vano portaoggetti.
      NOTA: Per questo lavoro, uno strato di 30 nm di spessore è stato centrifugato con un numero di giri di 5000 e un'accelerazione di 2000 giri/s, durata 60 s. Ottimizza lo spessore di questo strato HIL in base alle necessità.
    3. Mantenere il substrato rivestito su una piastra calda a 140 °C per circa 20 minuti per la ricottura. Pulire i lati e il fondo del substrato utilizzando un tampone umido o un fazzoletto privo di lanugine. Mettere i substrati all'interno del vano portaoggetti dopo la ricottura.
    4. All'interno del vano portaoggetti, centrifugare 30 nm di PVK (soluzione 10 mg/mL in clorobenzene) come strato di trasporto delle lacune (HTL), sopra HIL39 con rpm di 4000 e accelerazione di 2000 giri/s, durata 60s.
    5. Anche in questo caso, tenerlo su una piastra calda a 140 °C per circa 20 minuti per la ricottura.
      NOTA: Poiché le temperature di ebollizione dell'acqua e del clorobenzene sono rispettivamente di 100 °C e 132 °C, la temperatura di ricottura è stata mantenuta a 140 °C, che è al di sopra di questi valori di temperatura di ebollizione.
    6. Per eseguire la centrifuga dell'EML, filtrare la soluzione host incorporata nell'emettitore attraverso un filtro per siringa in PVDF da 0,45 μm in una fiala di vetro. Spin-coat uno strato di 30 nm con rpm di 3000 e accelerazione di 1500 giri/s, durata 60 s.
      NOTA: In questo lavoro, il 10% in peso di 2BPy-oTC nell'ospite CBP è stato preso come EML (9 mg di ospite e 1 mg di emettitore in 1 mL di toluene).
      1. Per ottenere il 10% in peso dell'emettitore, preparare innanzitutto 10 mg/mL di soluzioni madre in toluene sia dell'emettitore che dell'ospite in fiale di vetro separate. Sonicare la fiala dell'emettitore e riscaldare la fiala dell'ospite a 70 °C per ottenere soluzioni omogenee. Ora aggiungi host: emettitore in un rapporto 9:1 per ottenere una soluzione di emettitore del 10% in peso.
    7. Pulire i lati e il fondo del substrato con motivo ITO con toluene e trasferirlo nell'evaporatore termico su un supporto metallico del substrato (immagine allegata in SI).
  3. Preparazione della camera di evaporazione ed evaporazione degli strati organici.
    Depositare l'ETL, l'EIL e lo strato catodico mediante deposizione termica sotto vuoto. Depositare lo spessore richiesto degli strati controllando i tassi e il tempo di evaporazione. Evaporare 50 nm di TPBi, 2 nm Liq e 100 nm di alluminio per completare la fabbricazione del dispositivo.
    1. Accendere l'evaporatore e il refrigeratore (per la circolazione dell'acqua).
    2. Conservare i materiali ETL, EIL e catodici di grado sublimato nei rispettivi crogioli di quarzo per l'evaporazione termica.
      NOTA: 2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1 H-benzimidazole) (TPBi) è stato preso come ETL, 8-idrossichinolato-litio (Liq) è stato preso come EIL e l'alluminio è stato preso come materiale catodico in questo studio. La Figura 3 mostra che nell'evaporatore termico possono essere caricati un massimo di 10 materiali per depositare materiali diversi.
    3. Controllare la durata di tutti i sensori prima di iniziare l'evaporazione. Dopo aver posizionato i substrati all'interno della camera del vuoto, bloccare lo sportello e accendere la pompa del vuoto. Ci vorrà circa 1 ora per raggiungere il vuoto. Quando il vuoto raggiunge i 10-6 mbar, avviare il processo di evaporazione.
      NOTA: Controllare la durata dei cristalli; Dovrebbero essere superiori a 80, altrimenti cambia il cristallo del sensore. Il tempo necessario per raggiungere il vuoto può variare in base alla capacità della pompa.
    4. Per garantire una deposizione omogenea, avviare la rotazione nel piano della piastra del substrato.
    5. Preriscalda il crogiolo TPBi accendendo il crogiolo TPBi. Controlla la velocità di evaporazione controllando il flusso di corrente. Una volta che la velocità si stabilizza intorno a 1-1,5 Å/s, aprire l'otturatore per la deposizione.
    6. Dopo aver evaporato 50 nm TPBi, chiudere l'otturatore per interrompere la deposizione. Ridurre il riscaldamento riducendo il flusso di corrente. Attendi che il crogiolo si raffreddi.
    7. In modo simile, per EIL, preriscalda il crogiolo Liq accendendo l'alimentazione al crogiolo Liq. Una volta che il tasso di evaporazione si stabilizza intorno a 0,2 Å/s, aprire l'otturatore per la deposizione.
    8. Dopo aver evaporato 2 nm di Liq, chiudere l'otturatore per interrompere la deposizione. Ridurre il riscaldamento riducendo il flusso di corrente. Attendi che il crogiolo si raffreddi.
    9. Disattivare la rotazione della piastra del substrato.
    10. Poiché entrambi gli strati organici si sono depositati, è il momento dell'evaporazione dell'alluminio (per il catodo). Cambia la maschera per depositare l'alluminio.
      NOTA: Generalmente, in tutte le configurazioni vengono conservate due maschere diverse, una per il deposito di strati organici e l'altra per il deposito di materiali catodici.
    11. Attivare la rotazione della piastra del substrato per una deposizione omogenea e impostarla a 18 giri/min.
    12. Preriscaldare la barca in alluminio accendendo l'alimentazione alla barca in alluminio. Una volta che il tasso di evaporazione si stabilizza intorno a 2-3 Å/s, aprire l'otturatore per la deposizione.
    13. Dopo aver evaporato 100 nm Al, chiudere l'otturatore per interrompere la deposizione. Ridurre il riscaldamento riducendo il flusso di corrente. Aspetta che la barca si raffreddi. Il bagliore dell'alluminio caldo è dato in SI.
    14. Disattiva la rotazione.
    15. Attendere 45-60 minuti, in modo che le particelle all'interno della camera si depositino. Rimuovere i dispositivi dall'evaporatore attraverso il vano portaoggetti.
  4. Misurazione dei parametri del dispositivo
    1. Calibrare la configurazione di misurazione OLED.
    2. Mantenere il dispositivo su una configurazione di misurazione. Assicurarsi che i collegamenti tra il catodo e l'anodo siano corretti.
    3. Misurare i grafici caratteristici del dispositivo modificando la tensione da 0 a 20 V, con un incremento di 0,5 V, in un ambiente buio con l'aiuto di un misuratore di sorgente e di un multimetro. Utilizzare un fotorilevatore al silicio per rilevare il segnale.
    4. D'altra parte, per ottenere l'emissione EL, misurare la luminescenza a diverse tensioni in un ambiente buio con l'aiuto di uno spettrofotometro a fluorescenza. Scegliere la finestra di emissione di 300-800 nm.
    5. Utilizzando il software di misurazione OLED, con i valori di input dell'area dei pixel nota, la distanza tra il dispositivo e il fotorilevatore e il guadagno del fotorilevatore, è possibile ottenere i parametri corretti del dispositivo. È possibile calcolare la densità di corrente (J), l'efficienza quantistica esterna (EQE), l'efficienza luminosa (ƞP), l'efficienza di corrente (ƞL) e la luminanza (L).

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Risultati

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La Figura 3A mostra la disposizione di tutti i crogioli (o barche) all'interno dell'evaporatore termico e i materiali utilizzati nelle rispettive posizioni. L'allestimento contiene 10 barche, il che significa che è possibile caricare al massimo 10 materiali diversi. La Figura 3B mostra la posizione di tutti e sei i sensori. Questi sensori di microbilancia a cristalli di quarzo (QCM) aiutano a determinare i valori di spessore rea...

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Discussione

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La procedura di cui sopra funge da guida completa per la strategia sintetica di una molecola TADF, la purificazione, la fabbricazione di dispositivi processati in soluzione e la caratterizzazione degli OLED. Il dispositivo OLED è stato fabbricato mediante una facile elaborazione della soluzione40 dello strato emissivo. Ciò si traduce in un basso costo e in un facile controllo della percentuale di peso dell'ospite nello strato emissivo. Questo metodo consente inolt...

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Dichiarazioni

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Gli autori non rivelano alcun conflitto di interessi.

Ringraziamenti

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La First Minister Research Fellowship (PMRF) è riconosciuta da S.I.C. e S.C. per la borsa di dottorato. S.B. grazie alla borsa di studio post-dottorato IISc-Institute of Eminence (IoE). La Commissione per le sovvenzioni universitarie (UGC) e il Ministero dell'Istruzione (MoE) sono riconosciuti rispettivamente da S.H.N. e N.Y. per la loro borsa di dottorato. P.R. riconosce il sostegno finanziario del Council of Scientific and Industrial Research (CSIR) [Codice sovvenzione - 01WS(031)/2023-24/EMR-II/ASPIRE].

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Materiali

Elenco dei materiali utilizzati in questo articolo
NomeAziendaNumero di catalogoCommenti
13 mm X 0,22 μ m  Filtro a siringa PVDFBSB PharmaBSBPTF1345
13 mm X 0,45 μ m  Filtro a siringa PTFEBSB PharmaBSBPV1345
2,2′,2"-(1,3,5-benzinetriil)-tris(1-fenil-1H-benzimidazolo) (TPBi)BLD PharmaBD234896Sublimed
8-Idrossiquinolinolato-litio (Liq)BLD PharmaBD446731Sublimed
AcetonePurechemUtilizzato come tale
Pellet di alluminio & nbsp;Kurt J. LeskerEVMAL50EXQD99,999% pura
ClorobenzeneSpectrochem10342>99% puriss AR
Soluzione di sapone Hellmanex IIISigma-AldrichZ805939Ha usato una soluzione di sapone all'1% (v/v)
Alcool isopropilicoPurechemUtilizzato come tale
Substrato in vetro a motivo ITOZhuhai Kaivo Optoelectronic Technology Co., Ltd.Punto n. 004-1520-SKResistenza del foglio < 17 ohm/quadrato, dimensione=15*20*1,1mm, Trasmettenza>82%
N,N′-Dicarbazolil-4,4′-bifenile (CBP)BLD PharmaBD21599Sublimed
PEDOT:PSSOssila (comprato)Clevios P VP AI 4083 
Poliureno (9-vinilcarbazolo) (PVK)Sigma-Aldrich182605media Mw ~1.100.000, usata come tale
TolueneSpectrochem52035Grado di spettroscopia

Riferimenti

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