Name: Laser-indotta Transfer Forward per Flip-chip Packaging di Dies Singolo (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-03-20T14:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 21 s
Description: Scopri la tecnica LIFT per il packaging flip-chip di componenti optoelettronici. Questo metodo a bassa temperatura consente il trasferimento di micro-bump metallici con alta precisione, offrendo una soluzione flessibile e conveniente per circuiti ad alta densità.

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Questo lavoro è stato svolto nell'ambito del progetto "MIRAGE", finanziato dalla Commissione Europea nell'ambito del programma FP7.

1. LIFT-assistita flip-chip Bonding NOTA: Ci sono tre fasi coinvolte nella realizzazione assemblee flip-chip di LIFT-assistita, vale a dire-micro-urto dei substrati con la tecnica LIFT, allegando i chip optoelettronici ai substrati urtato con termo-compressione flip-chip di metodo di collegamento, e infine incapsulamento delle assemblee incollati. Ognuna di queste fasi è discusso nelle seguenti sezioni: <ol><li> Micro-urto con LIFT: <ol><li> Per la preparazione del donatore, depositare un film sottile di materiale donatore su un substrato portante laser-trasparente. Per questo esperimento, evaporare a 200 nm film spesso di metallo indio sopra vetro substrato di supporto con dimensioni: spessore del diametro x 0,05 centimetri 2 pollici. NOTA: metodo di preparazione del donatore dipende dalla fase del materiale donatore, ad esempio, utilizzare evaporazione e sputtering per materiali donatori fase solida e spin-coating e medico-palettatura per donatore fase liquidas. </li><li> Per la preparazione del ricevitore, utilizzare substrati di vetro con dimensioni di 5 x 5 x 0,07 centimetri 3 come ricevitori. Motivo questi substrati con le pastiglie di contatto metallici per l&#39;incollaggio il chip OE e fan-out di sondaggio strutture usando fotolitografia. Per questo esperimento, spessi rilievi obbligazionari Ni-Au pattern 4 micron e fan-out sondare piste su substrati di vetro del ricevitore. </li><li> Quindi, posizionare il donatore in contatto con il ricevitore e montare il gruppo donatore-ricevente su una fase di traduzione XY controllata dal computer. NOTA: A seconda della fase del materiale donatore (per esempio, solidi (indio) o liquido (inchiostro / incollare)) e il suo spessore, il donatore e substrati ricevitore sono posti a una separazione ottimale che può essere facilmente controllato (per esempio, mediante utilizzando distanziatori metallici). </li><li> Mettere a fuoco il fascio laser incidente all&#39;interfaccia carrier-donatore impiegando un obiettivo da 160 mm di lunghezza focale e la scansione del fascio (20 micron dimensione dello spot) in tutto il substrat donatoree per il trasferimento dei donatori micro-urti sul ricevitore obbligazionari-pad. Utilizzare una sorgente laser al picosecondo di 355 nm di lunghezza d&#39;onda e 12 durata dell&#39;impulso psec a LIFT urti indio sul ricevitore obbligazioni pad alla fluenza di 270 mJ / cm 2. NOTA: Le proprietà laser come l&#39;energia, no. di impulsi, l&#39;altezza della lente dell&#39;obiettivo, coordinate della posizione esatta sul substrato ricevente per la stampa donatori micro-urti e il pattern desiderato da trasferire sono accuratamente controllata da un programma per computer. Parametri sperimentali chiave (ad esempio, il trasferimento di fluenza) devono essere ottimizzati in caso di utilizzo di un&#39;altra sorgente laser. </li><li> Per urti spessi spostare il donatore a un luogo fresco e ripetere passo 1.1.4 più volte. Ad esempio, ripetere il punto 1.1.4 a sei volte per ottenere una pila di 6 dossi indio stampate su uno sopra l&#39;altro per questo esperimento. La finale sollevò dossi hanno un&#39;altezza media di circa 1,5 micron e un diametro di 20 micron (Figura 2). NOTA: Per questi speriments il profilo della superficie e lo spessore degli urti sono stati misurati utilizzando un profilometro ottico. E &#39;stato verificato che le asperità avevano una morfologia convesso / cupola con uno spessore medio di 1,5 micron, una media di oltre il diametro urto (come indicato giallo in figura 3). La ragione di questo è attribuita al fatto che il donatore fuso nella zona laser irradiato e il pellet trasferito poi ri-solidificato raggiungimento superficie del ricevitore (Indium ha un basso punto di fusione). Il vantaggio di questo è che risulta in buona adesione della urto stampata alle piazzole di contatto VCSEL. </li></ol></li><li> Chip al supporto adesivo termo-compressione (Figure 4-6): <ol><li> Utilizzare una semiautomatica flip-chip di bonder per incollare i chip optoelettronici ai substrati urtato. </li><li> Caricare il ricevitore urtato e il chip da incollare sui rispettivi piatti vuoto del bonder. Posizionare il chip in posizione capovolta, cioè, con la sua area attiva facmento. </li><li> Utilizzare un utensile prelevatore adatto e allinearlo al centro del chip. Utilizzare un utensile a forma di ago, come mostrato in Figura 5. Successivamente, scegliere il chip utilizzando questo strumento di accompagnamento. </li><li> Allineare i chip di obbligazioni pad con le pastiglie di contatto corrispondenti sul substrato ricevitore utilizzando un sistema di telecamere di allineamento. </li><li> Una volta allineato posto il chip sul substrato. </li><li> Applicare calore (~ 200 ° C) e pressione (12,5 gf / urto) simultaneamente per realizzare chip substrato interconnessioni elettriche e meccaniche. </li></ol></li><li> Incapsulamento delle assemblee incollati (Figure 4-6): <ol><li> Erogare un adesivo otticamente trasparente attorno ai bordi del complesso legato utilizzando un ago della siringa. L&#39;incapsulamento aumenta l&#39;affidabilità meccanica degli assemblaggi incollati. Utilizzare un singolo componente UV adesivo curabile come NOA 86 per incapsulare i chip legati. </li><li> Curare l&#39;adesivo con una lampada UV per ~ 30 sec. </li></ol></li></ol> 2. Caratterizzazione dei Bonded verticale-cavità superficie di uscita laser (VCSEL) NOTA: Dopo la fabbricazione il prossimo passo è quello di valutare la performance elettro-ottico delle assemblee incollati. Il light-corrente-tensione (LIV) curve dei dispositivi sono registrati post-bonding utilizzando una stazione di sonda. Le seguenti operazioni sono coinvolti per la sperimentazione: <ol><li> Posizionare il flip-chip legato dispositivo su un palco trasparente su misura. Lo stadio ha un foro nel centro per un facile accesso alla luce emessa dai VCSEL. </li><li> Inserire un fotorivelatore (PD) sotto la fase trasparente e allineare la sua area attiva con il chip incollato utilizzando un microscopio. </li><li> Proprio posizionare gli aghi di sondaggio sul Ni-Au sonda pad utilizzando un microscopio. </li><li> Iniettare fino a 10 mA di corrente e misurare la caduta di tensione attraverso il VCSEL e la luce emessa da utilizzando una corrente / tensione unità sorgente metri e un misuratore di potenza resture rispettivamente. </li></ol>

<ol><li>Davis, E., Harding, W., Schwartz, R., Coring, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solid+logic+technology%3A+versatile%2C+high+performance+microelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22IBM+J.+Res.+Develop%22%5BJournal%5D)">Solid logic technology: versatile, high performance microelectronics.</a> IBM J. Res. Develop. 8, 102-114 (1964).</li>
<li>Bigas, M., Cabruja, E., Lozano, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Bonding+techniques+for+hybrid+active+pixel+sensors+%28HAPS%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nucl.+Instrum.+Methods+Phys.+Res.+A%22%5BJournal%5D)">Bonding techniques for hybrid active pixel sensors (HAPS).</a> Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 574 (2), 392-400 (2007).</li>
<li>Bohandy, J., Kim, B. F., Adrian, F. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal+deposition+from+a+supported+metal+film+using+an+excimer+laser%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Metal deposition from a supported metal film using an excimer laser.</a> J. Appl. Phys. 60 (4), 1538-1539 (1986).</li>
<li>Kaur, K. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Shadowgraphic+studies+of+triazene+assisted+laser-induced+forward+transfer+of+ceramic+thin+films%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Shadowgraphic studies of triazene assisted laser-induced forward transfer of ceramic thin films.</a> J. Appl. Phys. 105 (11), 113119(2009).</li>
<li>Boutopoulos, C., Pandis, C., Giannakopoulos, K., Pissis, P., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polymer%2Fcarbon+nanotube+composite+patterns+via+laser+induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Physc.+Lett%22%5BJournal%5D)">Polymer/carbon nanotube composite patterns via laser induced forward transfer.</a> Appl. Physc. Lett. 96, 041104(2010).</li>
<li>Xu, J., Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-assisted+forward+transfer+of+multi-spectral+nanocrystal+quantum+dot+emitters%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Laser-assisted forward transfer of multi-spectral nanocrystal quantum dot emitters.</a> Nanotechnology. 18 (2), 025403(2007).</li>
<li>Doraiswamy, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excimer+laser+forward+transfer+of+mammalian+cells+using+a+novel+triazene+absorbing+layer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Excimer laser forward transfer of mammalian cells using a novel triazene absorbing layer.</a> Appl. Surf. Sci. 252 (13), 4743-4747 (2006).</li>
<li>Papazoglou, S., Raptis, Y. S., Chatzandroulis, S., Zergioti, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((I.A+study+on+the+pulsed+laser+printing+of+liquid+phase+exfoliated+graphene+for+organic+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+A%22%5BJournal%5D)">I.A study on the pulsed laser printing of liquid phase exfoliated graphene for organic electronics.</a> Appl. Phys. A. , (2014).</li>
<li>Chatzipetrou, M., Tsekenis, G., Tsouti, V., Chatzandroulis, S., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Biosensors+by+means+of+the+laser+induced+forward+transfer+technique%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Biosensors by means of the laser induced forward transfer technique.</a> Appl. Surf. Sci. 278, 250-254 (2013).</li>
<li>Stewart, J. S., Lippert, T., Nagel, M., Nuesch, F., Wokaun, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Red-green-blue+polymer+light-emitting+diode+pixels+printed+by+optimized+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Red-green-blue polymer light-emitting diode pixels printed by optimized laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 100 (20), 203303(2012).</li>
<li>Kaur, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Waveguide+mode+filters+fabricated+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Waveguide mode filters fabricated using laser-induced forward transfer.</a> Opt. Express. 19 (10), 9814-9819 (2011).</li>
<li>Kuznetsov, A. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser+fabrication+of+large-scale+nanoparticle+arrays+for+sensing+applications%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Laser fabrication of large-scale nanoparticle arrays for sensing applications.</a> ACS Nano. 5 (6), 4843-4849 (2011).</li>
<li>Rapp, L., Diallo, A. K., Alloncle, A. P., Videlot-Ackermann, C., Fages, F., Delaporte, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Pulsed-laser+printing+of+organic+thin-film+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Pulsed-laser printing of organic thin-film transistors.</a> Appl. Phys. Lett. 95 (17), 171109(2009).</li>
<li>Assembly of optoelectronics for efficient chip-to-waveguide coupling. Bosman, E., Kaur, K. S., Missinne, J., Van Hoe, B., Van Steenberge, G. 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Dec 11-13, , 630-634 (2013).</li>
<li>Kaur, K. S., Missinne, J., Van Steenberge, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flip-chip+bonding+of+vertical-cavity+surface-emitting+lasers+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Flip-chip bonding of vertical-cavity surface-emitting lasers using laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (6), 061102(2014).</li>
<li>Kaur, K. S., al, et <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-induced+forward+transfer+of+focussed+ion+beam+pre-machined+donors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Laser-induced forward transfer of focussed ion beam pre-machined donors.</a> Appl. Surf. Sci. 257 (15), 6650-6653 (2011).</li>
</ol>

Gli autori non hanno nulla da rivelare.

In questo lavoro, abbiamo dimostrato termocompressione Flip-chip bonding di chip VCSEL singoli utilizzando una tecnica di scrittura diretta basata sul laser chiamato LIFT. Le fasi di fabbricazione assemblaggio coinvolte stampa dei micro-urti di indio sulle piazzole di contatto del substrato con la tecnica ascensore. Questo è stato seguito da termocompressione Flip-chip bonding di chip VCSEL ai substrati urtato e infine la loro incapsulamento. Elettrica, ottica e meccanica affidabilità dei ch...

Laser-indotta Transfer Forward (LIFT) è un metodo di produzione versatile-scrittura diretta additivo per la definizione del modello single-step e il trasferimento di materiale con micron e sub-micron-risoluzione. In questo lavoro, si segnala l&#39;uso di LIFT come tecnica sbattere per il confezionamento flip-chip verticale-cavità superficie di uscita laser (VCSEL) su un chip-scala. Flip-chip è una tecnologia chiave nella confezione sistema ed integrazione di (OE) componenti elettronici ed optoelettronici. Per raggiungere densa integrazione di componenti fini incollaggio pitch è essenziale. Anche se passo fine legame è stato dimostrato da alcune delle tecniche standard, ma c&#39;è un vuoto in termini di combinare insieme le altre caratteristiche importanti come la flessibilità, economicità, velocità, precisione e bassa temperatura di lavorazione. Per soddisfare queste esigenze abbiamo dimostrato il metodo di incollaggio LIFT-assistita termo-compressione per passo fine incollaggio di componenti OE. In LIFT, una sottile pellicola di materiale da stampare (denominato donatore) viene depositata su una faccia di un substrato di supporto laser trasparente (denominato carrier). La Figura 1 illustra il principio di base di questa tecnica. Un impulso laser incidente di intensità sufficiente viene poi concentrata all&#39;interfaccia carrier-donatore che fornisce la forza propulsiva necessaria per trasmettere trasferire il pixel donatore dalla zona irradiata su un altro substrato (denominato ricevitore) posto in prossimità. LIFT è stata segnalata per la prima nel 1986 da Bohandy come tecnica per stampare linee in rame micron di dimensioni per la riparazione di danni foto-maschera 3. Dalla sua prima dimostrazione questa tecnica ha raggiunto livelli significativi come tecnologia di fabbricazione di micro-nano per patterning controllata e la stampa di una vasta gamma di materiali come la ceramica 4, 5, CNT QD 6, 7 cellule viventi, il graficoene 8, per le diverse applicazioni, quali biosensori 9, OLED 10, componenti optoelettronici 11, sensori plasmoniche 12, organico-elettronica 13 e legame 14,15 flip-chip. LIFT offre diversi vantaggi rispetto le flip-chip di urti e incollaggio tecniche esistenti, quali la semplicità, velocità, flessibilità, economicità, ad alta risoluzione e precisione per il confezionamento flip-chip componenti OE.

<table><tbody><tr><td>Sorgente laser</td><td>3D MicroMac (3DMM)</td><td>2912-295</td><td></td></tr><tr><td>Fotorivelatore</td><td>Newport&nbsp;</td>Serie <td></td><td>818</td></tr><tr><td>Unità di misura della sorgente</td><td>Keithley&nbsp;</td><td>2401</td><td></td></tr><tr><td>Misuratore di potenza</td><td>Newport&nbsp;</td><td>1930</td><td></td></tr><tr><td>Underfill</td><td>Norlands</td><td>NOA 86</td><td></td></tr><tr><td>Lampada UV</td><td>Omnicure</td><td>Serie 1000 Stazione di sonda UV</td><td></td></tr><tr><td></td><td>Cascata Microtech</td><td>modello 42</td><td></td></tr><tr><td>Bonder flip-chip</td><td>Dr. Tresky</td><td>T-320 X</td><td></td></tr></tbody></table>

laser-indotta transfer forward per flip-chip packaging di dies singolo

Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies

Flip-chip (FC) imballaggio è una tecnologia chiave per realizzare elevate prestazioni, circuiti ultra-miniaturizzato e alta densità nell&#39;industria microelettronica. In questa tecnica il chip e / o il substrato è urtato ei due sono legati tramite questi urti conduttivi. Molte tecniche bumping sono state sviluppate e intensamente indagato dopo l&#39;introduzione della tecnologia FC nel 1960 1 come la stampa stencil, stallone urto, l&#39;evaporazione e electroless / galvanica 2. Nonostante i progressi che questi metodi hanno tutti soffrono di uno o più di inconvenienti che devono essere affrontati come costo, fasi di elaborazione complesse, alte temperature di lavorazione, il tempo di fabbricazione e soprattutto la mancanza di flessibilità. In questo lavoro, dimostriamo un laser-based urto tecnica di formatura semplice e conveniente nota come Laser indotta Transfer Forward (LIFT) 3. Utilizzando la tecnica LIFT una vasta gamma di materiali urto può be stampato in un unico passaggio, con grande flessibilità, ad alta velocità e la precisione a RT. Inoltre, LIFT permette di urtare e legame verso il basso per chip-scale, che è fondamentale per la realizzazione di un circuito ultra-miniatura.

La figura 7 mostra una curva tipica LIV che è stato registrato da uno dei tanti flip-chip di circuiti integrati VCSEL incollati. Una buona corrispondenza tra la potenza ottica misurata al fornitore citato valori indicati buon funzionamento del periferiche associate post-bonding. Le curve sono state registrate anche prior- e post-incapsulamento e sul confronto è stato verificato che l&#39;incapsulante non ha avuto effetto sulla funzionalità del circuito integrato (come mostrato nella Figura 7).</...

Dimostriamo l&#39;uso della Forward Transfer (LIFT) tecnica laser-indotta per l&#39;assemblaggio flip-chip componenti optoelettronici. Questo approccio fornisce un conveniente, a bassa temperatura semplice, soluzione veloce e flessibile per la messa a passo urti e incollaggio sul chip-scala per raggiungere i circuiti ad alta densità per applicazioni optoelettroniche.

Laser-indotta Transfer Forward per Flip-chip Packaging di Dies Singolo

Flip-chip (FC) packaging is a key technology for realizing high performance, ultra-miniaturized and high-density circuits in the micro-electronics ...

L'obiettivo generale di questa procedura è dimostrare l'utilizzo della tecnica di trasferimento indotto da laser in avanti (laser induced forward transfer) per il confezionamento flip chip di componenti optoelettronici. Ciò viene realizzato depositando un sottile film metallico, il donatore, su un substrato di vetro trasparente, il supporto. Il secondo passaggio consiste nel definire, mediante fotolitografia, un secondo substrato di vetro, il ricevitore, con pad di contatto metallici e strutture per il probing, sui quali vengono trasferiti i micro bump donatori.Successivamente, il donatore e il ricevitore vengono messi a contatto e un impulso laser viene focalizzato sull'interfaccia del donatore portatore. L'impulso trasferisce in avanti il microbus donatore dalla zona irradiata ai pad di contatto del ricevitore. L'ultimo passaggio consiste nell'allineare un chip optoelettronico al substrato ricevitore sollevato ed eseguire un'adesione flip chip mediante compressione termica, seguita dall'incapsulamento dell'insieme assemblato.In definitiva, i chip optoelettronici assemblati vengono caratterizzati elettricamente, otticamente e meccanicamente per dimostrare il corretto funzionamento dei chip assemblati con tecnica di sollevamento. I principali vantaggi della tecnica di sollevamento rispetto ai metodi esistenti, come la stampa a stencil, l'evaporazione, la galvanoplastica e l'elettrodeposizione, consistono nella semplicità del processo. È un processo rapido, economico, a bassa temperatura e, soprattutto, offre la flessibilità che la maggior parte di queste tecniche standard non possiede.Le implicazioni di questa tecnica si estendono ad applicazioni che richiedono bumping e bonding a livello di chip con elevata precisione e passo fine per interconnessioni ad alta densità. Il primo passo consiste nel preparare i substrati per l'esperimento. Questo video inizia con la preparazione di substrati in vetro di due pollici e di cinque centimetri per cinque centimetri, da utilizzare come donatore e ricevitore rispettivamente.Il substrato donatore presenta uno strato metallico indie spesso 200 nanometri evaporato sulla sua superficie. Il substrato ricevente è stato strutturato mediante fotolitografia. Il disegno comprende pad di saldatura in nichel spessi quattro micrometri, in oro e strutture di fanout per il probing.Una volta pronti i substrati, trasferirli sull'apparecchiatura per il trasferimento in avanti indotto da laser o sistema lift. Il sistema lift è composto da un laser con lunghezza d'onda di 355 nanometri e durata dell'impulso di 12 picosecondi, nonché da una lente obiettivo. Innanzitutto, il substrato ricevente viene posizionato sul tavolo a vuoto del sistema di traslazione.Quindi, la posizione di stampa sul substrato ricevente viene definita utilizzando un sistema di visione con telecamera; posizionare il donatore sopra il substrato ricevente. Il donatore e il ricevente devono essere a contatto, con il donatore posto per primo nel percorso ottico del laser. Utilizzare il sistema di visione con telecamera per regolare il fuoco e focalizzare il fascio laser sull'interfaccia tra il supporto e il donatore.Nel software di controllo del laser, inserire il modello desiderato per i punti di indio da trasferire sui pad di collegamento del ricevitore e avviare la scansione. Questo è un esempio di pad di collegamento del ricevitore dopo il trasferimento dei punti. Punti più spessi possono essere creati spostando il donatore in un'area fresca e ripetendo la scansione.I rilievi stampati vengono ispezionati utilizzando il sistema della telecamera del software. Dopo aver rimosso il substrato donatore dalla parte superiore per procedere, recuperare il ricevitore con rilievi dalla piattaforma di traslazione. Portare un ricevitore con rilievi a un bonder flip chip semiautomatico per fissarlo a un chip optoelettronico.Posizionare il ricevitore sulla piastra a vuoto appropriata. Successivamente, ottenere un chip optoelettronico Vixo da collegare al substrato del ricevitore con bump. Di seguito è riportata un'immagine di un chip Vixo, che misura circa 1000 micrometri per 350 micrometri.Caricare il vle su una piastra sotto vuoto del bonder con la sua area attiva rivolta verso il basso. Iniziare ora il processo di bonding. Per prima cosa, selezionare lo strumento di prelievo a forma di ago e allinearlo al centro del chip vle.Prendere il chip e utilizzare il sistema di allineamento della telecamera per allineare i pad di collegamento del chip con i corrispondenti pad di contatto rialzati sul substrato ricevente. Una volta allineati i pad, posizionare il chip sul substrato e unire i due elementi applicando una forza di 12,5 grammi per ogni bump a una temperatura di circa 200 gradi Celsius per circa cinque minuti. Al termine del collegamento, utilizzare un ago da siringa per distribuire un adesivo trasparente curabile con raggi UV lungo i bordi dell'assemblaggio.Polimerizzare l'adesivo con una lampada UV per circa 30 secondi. Successivamente, rimuovere l'assemblaggio per caratterizzarlo. Dopo la fabbricazione, l'assemblaggio incollato è pronto per la valutazione delle prestazioni elettro-ottiche. Utilizzare una stazione di prova per registrare le curve corrente-luce-tensione.Dotare la stazione di un supporto con un foro al centro per il passaggio della luce emessa dal vle incollato e montare il substrato con chip capovolto su di esso. Assicurarsi che il vle incollato sia allineato al foro. Successivamente, posizionare un rilevatore di luce sotto il supporto.Utilizzare un microscopio per allineare la sua area attiva con il chip incapsulato, quindi continuare a posizionare con precisione gli aghi di prova sui pad di contatto in nichel-oro. Questa è un'immagine di un chip correttamente allineato con i puntali posizionati per effettuare una misurazione. Durante le misurazioni, iniettare fino a 10 milliampere di corrente e misurare la caduta di tensione attraverso il vle e la potenza della luce emessa.Le linee blu continue e rosse tratteggiate rappresentano i dati delle misurazioni di corrente e tensione per il chip optoelettronico prima e dopo l'incapsulamento. La curva nera continua e la curva nera tratteggiata rappresentano i dati della potenza ottica emessa dal chip optoelettronico prima e dopo l'incapsulamento. Questi dati confermano il corretto funzionamento del VIX Excels dopo il bonding e dimostrano che l'ENCAPSULANT non ha avuto alcun effetto sulla funzionalità del chip.In questo grafico vengono confrontate le curve corrente-tensione registrate per assemblaggi flip chip uniti con diverse pressioni con quelle registrate da un die nudo. Questo conferma la conclusione che la resistenza aggiuntiva dovuta ai bump stampati mediante trasferimento laser indotto in avanti è trascurabile. I chip laser a emissione superficiale con cavità verticale assemblati sono stati sottoposti a test di invecchiamento in una camera climatica a 85 gradi Celsius e 85% di umidità relativa per 400 ore.La resistenza continua media in rosso non mostra variazioni nel tempo per la potenza ottica media, mentre una variazione di meno di 0,3 decibel è stata registrata in blu. Una volta ottimizzati i parametri per la stampa mediante sollevamento e per il bonding termocompressione, è possibile eseguire il confezionamento in meno di 10 minuti. Dopo aver visionato questo video, si dovrebbe avere una buona comprensione dell'utilizzo della tecnica di sollevamento per il confezionamento flip chip di singoli componenti ottici cronici, che può inoltre essere scalato a livello di wafer.

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Il volume è un parametro importante per quanto riguarda le caratteristiche fisiologiche e patologiche delle cellule. Descriviamo un metodo di esclusione fluorescente che permette di pieno-campo misura di volume di un neurone in vitro con sub-micrometrica risoluzione assiale richiesto per l'analisi dei neuriti e strutture dinamiche implicite nella crescita neuronale.

Alta risoluzione Volume Imaging di neuroni nell'esclusione di uso di fluorescenza metodo e dedicato dispositivi microfluidici

La microscopia ottica a super-risoluzione basata su chip è un nuovo approccio alla microscopia a fluorescenza e offre vantaggi in termini di efficacia in termini di costi e produttività. Qui vengono mostrati i protocolli per la preparazione e l'imaging dei chip per la microscopia TIRF e la microscopia a super-risoluzione basata sulla localizzazione.

Fluorescenza della riflessione interna totale ad alto consumo e microscopia della ricostruzione ottica stocastica diretta utilizzando un chip fotonico

Viene presentato un protocollo per l'irradiazione automatizzata di fogli d'oro sottili con impulsi laser ad alta intensità. Il protocollo include una descrizione dettagliata del processo di fabbricazione del bersaglio di microlavorazione e una guida dettagliata su come gli obiettivi vengono portati al fuoco del laser a una velocità di 0,2 Hz.

Consegna automatizzata di bersagli microfabbricati per intensi esperimenti di irradiazione laser

Questo protocollo descrive la fabbricazione di una finestra di imaging integrata impiantabile utilizzando la stampa laser 3D. La finestra è costituita da un sistema di microlenti accoppiate a micro-scaffold. Il metodo prevede la polimerizzazione a due fotoni (2PP) del fotoresist biocompatibile SZ2080 in una sequenza continua, ottimizzando l'efficienza di produzione e l'allineamento tra i diversi componenti.

Microfabbricazione di ottiche impiantabili integrate in una finestra di imaging microstrutturato per l'imaging avanzato in vivo

Scopri la tecnica LIFT per il packaging flip-chip di componenti optoelettronici. Questo metodo a bassa temperatura consente il trasferimento di micro-bump metallici con alta precisione, offrendo una soluzione flessibile e conveniente per circuiti ad alta densità.

Laser-indotta Transfer Forward per Flip-chip Packaging di Dies Singolo

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