Name: Luce migliorato Acido fluoridrico passivazione: una tecnica sensibile per il rilevamento di difetti Silicon Bulk (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-01-04T14:00:01.000+00:00
Duration: 9 min 15 s
Description: Scopri una tecnica di passivazione superficiale a temperatura ambiente per caratterizzare difetti nel silicio bulk. Questo metodo misura l'attività di ricombinazione dei difetti a bassa concentrazione nelle celle solari ad alta efficienza.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Questo programma è stato supportato dal governo australiano attraverso l'Agenzia australiana per le energie rinnovabili (ARENA). Il governo australiano non si assume alcuna responsabilità per le opinioni, le informazioni o i consigli espressi nel presente documento.

1. Setup sperimentale <ol><li> Individuare una cappa aspirante adatto per la tecnica di misura, e rimuovere qualsiasi apparecchiatura irrilevante per consentire una migliore flusso d&#39;aria e ridurre sprecare. Non utilizzare prodotti chimici diversi da acido fluoridrico (HF) nella cappa. </li><li> Testare la qualità del (DI) acqua deionizzata dal rubinetto all&#39;interno della cappa utilizzando un misuratore di conducibilità. Assicurarsi che l&#39;acqua deionizzata ha una conduttanza di al massimo 0,055 mS / cm ad una temperatura di 20 ° C. </li><li> Mettere una vita tester portatori minoritari nella cappa. Collegare i cavi di un computer, che si trova su un tavolo fuori della cappa. </li><li> Accendere il computer e la durata tester. Aprire il file tester durata del computer e fare clic sul pulsante &#39;misura&#39; per garantire la corretta comunicazione tra il computer e il tester vita. La sorgente di luce del tester vita dovrebbe lampeggiare se il computer e tester siano stati collegati correttamente. </li&gt; <li> Posizionare una lampada alogena all&#39;interno della cappa. Posizionare la lampada in modo tale che può illuminare la fase durata tester cui verrà collocato il campione. </li><li> Collegare la lampada alogena ad una fonte di alimentazione che deve essere situato al di fuori della cappa. Quando la lampada alogena è acceso, l&#39;intensità deve essere di almeno 0,02 W / cm 2 sulla scena vita tester. </li></ol> 2. Preparare la soluzione di HF 15% Nota: HF è una sostanza chimica pericolosa e deve essere trattato con cura. Essa provoca lento, sostenuto, e danno profondità al corpo dopo l&#39;esposizione. HF non è in grado bruciare la pelle come altri acidi - anzi assorbe rapidamente nella pelle e provoca profonde vesciche e danni alle ossa. Ciò significa che le ossa diventano fragili e vesciche come fluoro reagisce con il calcio. HF si lega anche con il calcio gratis che viene utilizzato nella regolazione nervosa e l&#39;equilibrio osmotico delle cellule, in modo vincolante di calcio libero nel corpo può essere fatale. È fondamentale chel&#39;utente segue i protocolli di sicurezza di laboratorio quando si utilizza HF, e assicura che conoscono la posizione del kit di pronto soccorso HF e hexafluorine (o calcio gluconato gel). <ol><li> Posizionare un contenitore pulito chimicamente rotondo di plastica (H: 55 mm, D: 170 millimetri) nella cappa (come nel punto 1). Il contenitore deve avere un coperchio trasparente in plastica. Vedere sezione 6 su come pulire chimicamente il contenitore prima dell&#39;uso. </li><li> Eliminare la zona intorno al contenitore di plastica nella cappa per cui la soluzione di HF può essere preparata senza ostruzioni nelle vicinanze. </li><li> Applicare tutti i dispositivi di protezione individuale (DPI). </li><li> ATTENZIONE: Aggiungere 50 ml di HF a 100 ml di acqua deionizzata (H 2 O) nel contenitore. </li><li> ATTENZIONE: Aggiungere 20 ml di acido cloridrico (HCl) al contenitore e miscelare l&#39;H 2 O: HF: soluzione di HCl utilizzando pinzette di plastica. Sciacquare le pinzette subito dopo. </li><li> ATTENZIONE: posiziona il coperchio del contenitore di plastica e consentire il solutia stabilirsi per 1 ora. Durante questo tempo, fumi HF si condensa sul coperchio. </li><li> Adeguatamente etichettare il contenitore e mettere in chiaro che essa contiene HF. Nota: La soluzione di HF durerà 1-2 mesi con un utilizzo intenso. Pertanto non vi è alcuna necessità di sostituire la soluzione ogni volta che una misura deve essere eseguita. </li></ol> 3. Calibrazione del Tester Lifetime <ol><li> Individuare almeno 6 wafer di silicio di resistività e conduttanza nota. Idealmente la gamma resistività dovrebbe estendersi ,1-100 Ω cm. </li><li> Sul computer, aprire il file di calibrazione tester vita. Inserisci la resistività di ogni fetta della tabella e quindi fare clic su &#39;Aggiornamento # di wafer&#39;. </li><li> Fare clic sul pulsante &#39;Get data&#39; nel file di calibrazione e inserire i dettagli del tester vita. </li><li> Applicare tutti i DPI necessari. </li><li> ATTENZIONE: il contenitore di plastica pieno con la soluzione di HF sul palco durata tester e posizionarlo sopra la bobina induttiva (blue regione cerchio). </li><li> Quando viene richiesto di misurare la &#39;tensione air&#39; sul computer, misurare la tensione della soluzione HF facendo clic sul pulsante &#39;Ok&#39;. In questo caso, l&#39;aria è stata sostituita dalla conduttanza della soluzione di HF. </li><li> ATTENZIONE: Rimuovere con cautela il contenitore riempito con HF dal palco e posizionarlo sul banco cappa. Rimuovere con cautela il coperchio. </li><li> ATTENZIONE: Quando il coperchio è stato rimosso dal contenitore, immergere la prima fetta di silicio nella soluzione HF usando pinzette di plastica. Posizionare il coperchio sul contenitore. </li><li> ATTENZIONE: il contenitore di plastica di nuovo sul palco durata tester e posizionarlo sopra la bobina induttiva. Assicurarsi che il wafer di silicio è centrata sopra la bobina (regione cerchio blu). </li><li> Quando viene richiesto di misurare la &#39;tensione di campione&#39; sul computer, fare clic ancora una volta il pulsante &#39;Ok&#39;. Rimuovere il contenitore dal palco e posizionarlo sul banco cappa. </li><li> ATTENZIONE: r cautela<html> imuovere il wafer di silicio dalla soluzione di HF con una pinzetta di plastica e sciacquare il wafer nei bicchieri di risciacquo dedicati. Fare un risciacquo finale sotto il rubinetto nella cappa. </li><li> ATTENZIONE: Mettere il coperchio posteriore sul contenitore, e posizionare il contenitore di nuovo sul palco durata tester. </li><li> Ripetere i passaggi 3,6-3,12 finché non sono stati misurati tutti i campioni. </li><li> Una volta che tutti i campioni sono stati misurati, fare clic sul pulsante &#39;data Fit &quot;nel file di calibrazione. Questo si inserisce una curva parabolica per i dati misurati e di fornire coefficienti di calibrazione A, B e C, che sono specifici per questa configurazione. </li><li> Sul computer, aprire il file tester vita e fare clic sulla scheda &#39;Impostazioni&#39;. Inserire nei nuovi coefficienti di calibrazione A, B e C per l&#39;impostazione HF. Salvare il file con un nuovo nome. Nota: L&#39;impostazione HF richiede solo una taratura ogni 6 mesi. Pertanto non è necessario calibrare la configurazione ogni volta che una misura deve essere eseguita. </li></ol>jove_title &quot;&gt; 4. Wet trattamento chimico di Silicon Wafer Prima di misurazione <ol><li> Preparare standard di pulizia 1 (SC 1). <ol><li> ATTENZIONE: In una cappa alcalina assegnato, aggiungere 185 ml di idrossido di ammonio (NH 4 OH) a 1.295 ml di acqua deionizzata in un bicchiere di vetro 2 L. </li><li> ATTENZIONE: Posizionare il becher su una piastra calda e riscaldare l&#39;H 2 O: NH 4 OH soluzione ad una temperatura di ~ 50 ° C. Utilizzare un vetro da orologio per coprire il bicchiere. </li><li> ATTENZIONE: Una volta che l&#39;H 2 O: NH 4 OH soluzione ha raggiunto una temperatura di ~ 50 ° C, aggiungere 185 ml di acqua ossigenata (H 2 O 2) e continuare a riscaldare fino a quando la temperatura raggiunge i 75 ° C ~. Questo H 2 O: NH 4 OH: H 2 O 2 soluzione è nota come SC 1. Nota: SC 1 deve essere cambiato ogni giorno per wafer di silicio efficacemente puliti. </li></ol></li><li> Preparare standard di pulito 2 (SC 2). <ol><li> ATTENZIONE: In un acido assegnato cappa,aggiungere 185 ml di HCl a 1.295 ml di acqua deionizzata in un bicchiere di vetro 2 L. </li><li> ATTENZIONE: Posizionare il becher su una piastra calda e riscaldare l&#39;H 2 O: soluzione HCl ad una temperatura di ~ 50 ° C. Utilizzare un vetro da orologio per coprire il bicchiere. </li><li> ATTENZIONE: Una volta che l&#39;H 2 O: soluzione HCl ha raggiunto una temperatura di ~ 50 ° C, aggiungere 185 ml di H 2 O 2 e continuare a riscaldare fino a quando la temperatura raggiunge i 75 ° C ~. Questo H 2 O: HCl: H 2 O 2 soluzione è nota come SC 2. Nota: Cambiare SC 2 al giorno per wafer di silicio efficacemente puliti. </li></ol></li><li> Preparare la soluzione di attacco silicio. <ol><li> In una cappa alcalina assegnato, aggiungere 1.600 ml di idrossido di tetrametilammonio (TMAH) per un bicchiere di vetro 2 L chimicamente pulito. Si prega di consultare la sezione 6 su come pulire chimicamente il bicchiere prima dell&#39;uso. </li><li> Porre il becher su una piastra calda e riscaldare la soluzione TMAH ad una temperatura di 85 ~6; C. Utilizzare un vetro da orologio per coprire il bicchiere. Nota: la soluzione TMAH non avrà bisogno di cambiare fino a quando non comincia a cristallizzarsi, vale a dire, dopo 1 mese. </li></ol></li><li> Eseguire il trattamento chimico bagnato. <ol><li> Caricare i campioni in una culla di quarzo e metterli in una soluzione di HF comunale in laboratorio. La concentrazione non è critica. </li><li> Dopo circa 10 secondi o una volta che i campioni diventano idrofoba (tirare a secco), rimuovere il supporto dalla soluzione di HF e sciacquare con 3 bicchieri riempiti con acqua deionizzata. </li><li> Trasportare la culla di wafer alla cappa aspirante dove SC 1 è stato preparato. Quando SC 1 è stabilizzata a ~ 75 ° C, lentamente immergere la culla di wafer in SC 1. </li><li> Pulire i wafer in SC 1 per 10 min. </li><li> Trascorso 10 min, togliere la culla di wafer da SC 1 e sciacquarli con tre bicchieri di vetro 2 L riempito con acqua deionizzata. Chimicamente pulito questi bicchieri di vetro prima del loro riempimento con acqua deionizzata. Si prega di consultare la sezione 6 sucome pulire chimicamente i bicchieri. </li><li> Dopo il risciacquo, inserire i campioni in una soluzione di HF che è dedicato solo per il post SC 1 trattamento. La concentrazione non è critica. </li><li> Dopo circa 10 secondi o una volta che i campioni diventano idrofoba (tirare a secco), rimuovere il supporto dalla soluzione di HF e sciacquare con 3 bicchieri riempiti con acqua deionizzata. Utilizzare gli stessi bicchieri come al punto 4.4.5. </li><li> Trasportare la culla di wafer alla cappa dove SC 2 è stato preparato. Quando SC 2 si è stabilizzata a ~ 75 ° C, lentamente immergere la culla di wafer in SC 2. </li><li> Pulire i wafer in SC 2 per 10 min. </li><li> Trascorso 10 min, togliere la culla di wafer da SC 2 e sciacquarli con 3 bicchieri riempiti con acqua deionizzata. Utilizzare gli stessi bicchieri come al punto 4.4.5. Nota: La culla di wafer può essere memorizzata in una delle coppe risciacquo riempiti con acqua deionizzata fino al giorno seguente. </li><li> Dopo il risciacquo, posizionare i campioni in una soluzione di HF, che è dedicato solo per il postSC 2 lavorazione. La concentrazione non è critica. </li><li> Dopo circa 10 secondi o una volta che i campioni diventano idrofoba (tirare a secco), rimuovere il supporto dalla soluzione di HF e sciacquare con 3 bicchieri riempiti con acqua deionizzata. Utilizzare gli stessi bicchieri come al punto 4.4.5. </li><li> Trasportare la culla di wafer alla cappa in cui è stata preparata la soluzione TMAH. Quando la soluzione TMAH è stabilizzato a ~ 85 ° C, lentamente immergere la culla di wafer nella soluzione TMAH. </li><li> Etch le cialde in TMAH per 5 min. Questo rimuoverà ~ 5 micron di silicio. </li><li> Trascorso 5 minuti, togliere la culla di wafer dalla soluzione TMAH e risciacquare utilizzando 3 bicchieri riempiti con acqua deionizzata. Utilizzare gli stessi bicchieri come al punto 4.4.5. Più di 3 risciacqui potrebbe essere necessaria come TMAH è abbastanza &#39;appiccicoso&#39;. </li><li> Trasportare la culla di wafer in acqua deionizzata per la cappa in cui l&#39;esperimento è stato impostato. Vedere la sezione 1.1. </li><li> Misurare le fette di silicio preparati in 2 ore dopo step 4.4.16. </li></ol></li></ol> 5. Procedura di misurazione <ol><li> Applicare tutti i DPI necessari. </li><li> Riempire due bicchieri di plastica 2 L con acqua deionizzata e metterli nella cappa. Questi saranno utilizzati per il risciacquo la misura posta campioni di silicio. </li><li> Mettere pinzette di plastica in un bicchiere da 500 ml di plastica vuota e posto all&#39;interno della cappa in prossimità dei bicchieri di risciacquo. Queste pinzette saranno utilizzati per gestire i campioni di silicio. </li><li> Sul computer, aprire il file di vita tester. Assicurarsi che il file contiene i coefficienti di calibrazione corrette per la messa a punto di misurazione HF. Vedere la sezione 3. </li><li> Nel file tester vita, selezionare la modalità &#39;Transient&#39;. Inserire i dettagli del wafer di silicio da misurare, ad esempio, lo spessore, la resistività e tipo di drogante. </li><li> ATTENZIONE: Posizionare il contenitore (coperchio) riempito con HF sul palco del tester a vita e centrare la bobina induttiva (regione cerchio blu). Lasciate che la cassapanca soluzione per1 minuto. </li><li> Sul computer, fare clic sul pulsante &#39;strumento Zero&#39; nel file vita tester. Ciò misurare la tensione della soluzione. Nota: Nel corso del tempo, la tensione di soluzione diminuisce perché la composizione della soluzione cambia con il tempo. Indipendentemente da ciò, la soluzione di HF non mostra alcun degrado nella qualità passivante, motivo per cui la soluzione può essere utilizzata per 1-2 mesi senza essere modificato. </li><li> ATTENZIONE: Rimuovere con cautela il contenitore dal palco vita tester e posizionarlo sul banco cappa. </li><li> ATTENZIONE: Rimuovere con cautela il coperchio del contenitore riempito con la soluzione di HF. Se c&#39;è qualche condensa sul coperchio, sciacquare accuratamente il coperchio in acqua deionizzata usando il rubinetto sotto cappa. </li><li> ATTENZIONE: immergere con attenzione il primo wafer di silicio nella soluzione di HF. Utilizzando le pinzette di plastica, premere leggermente sul wafer di silicio per assicurare che è seduto sul fondo del contenitore. </li><li> Sciacquare la pinzettas e metterli di nuovo nel bicchiere di plastica da 500 ml vuoto. </li><li> ATTENZIONE: Posizionare con cura il coperchio sul contenitore e quindi posizionare il contenitore sul palco durata tester. Assicurarsi che il silicio è posizionato sopra la bobina induttiva (regione cerchio blu). </li><li> Lavare e asciugare i guanti. Rimuoverli prima di utilizzare il computer. </li><li> Se la luce fluorescente nella cappa è acceso, esso deve essere spento prima di una misurazione deve essere effettuata. È necessaria una luce minima durante la misurazione. </li><li> Accendere la lampada alogena e assicurarsi è illuminante wafer di silicio attraverso il coperchio del contenitore di plastica. Tempo per 1 min (il tempo esatto non è critico). </li><li> Durante il periodo di illuminazione, fare clic sul pulsante &#39;Misura&#39; nel file di vita del computer. Apparirà una piccola finestra con l&#39;etichetta &#39;presa dati&#39;. </li><li> In &#39;Assunzione di dati &quot;finestra, digitare un nome per il file. Sotto &#39;campione media&#39; seletti 10. </li><li> Quando il wafer di silicio è stato illuminato per 1 minuto, accendere la lampada alogena off e immediatamente fare clic sul pulsante &#39;media&#39; nella finestra &#39;presa dati. Il tester vita lampeggia 10 volte e la media delle misurazioni di vita. Nota: Una volta che la lampada alogena è spento, la passivazione del wafer di silicio inizierà a degradare, e quindi è importante misurare subito dopo l&#39;illuminazione per ottenere i migliori risultati. </li><li> Quando la media, fare clic sul pulsante &#39;OK&#39; nella finestra &#39;presa dati. </li><li> Se è necessaria un&#39;altra misurazione, ripetere i punti 5,15-5,18. </li><li> ATTENZIONE: una volta completata la misurazione, rimuovere il contenitore dal palco vita tester e posizionarlo sul banco cappa. </li><li> ATTENZIONE: Rimuovere con cautela il coperchio del contenitore riempito con la soluzione di HF. Se c&#39;è qualche condensa sul coperchio, sciacquare accuratamente il coperchio in acqua deionizzata utilizzando il rubinettonella cappa. </li><li> ATTENZIONE: Rimuovere con attenzione il wafer di silicio dalla soluzione di HF con una pinzetta di plastica e sciacquare il wafer nei bicchieri di risciacquo dedicati. Fare un risciacquo finale sotto il rubinetto nella cappa. </li><li> Se più campioni devono essere misurati, ripetere i passaggi 5,10-5,23. </li><li> Una volta che tutti i campioni sono stati misurati, assicurare il coperchio è posizionato sul contenitore e conservare la soluzione di acido fluoridrico nella cappa. Assicurarsi che il contenitore sia adeguatamente etichettato. </li><li> Risciacquare tutti i bicchieri e le pinzette e memorizzarli in loro punti assegnati in laboratorio. </li><li> Lasciare che il tester vita per rimanere nella cappa aspirante per 1 ora dopo l&#39;uso e poi rimuoverlo dal cappa. </li></ol> 6. chimica Pulizia di Becher e contenitori <ol><li> In una cappa alcalina assegnato, preparare una soluzione 1 SC come indicato nelle sezioni 4.1.1-4.1.4. </li><li> Per bicchieri chimicamente puliti e contenitori, versare la soluzione SC 1 nei bicchieri / contenitori. I bicchieri can essere pulito solo uno alla volta. </li><li> Lasciate che la soluzione di pulizia del bicchiere / contenitore per 10 min. Se il becher / contenitore è di plastica, non può essere posizionato su una piastra calda, e quindi la soluzione SC 1 si raffredda durante la pulizia. Questo non influirà sul processo di pulizia. </li><li> Dopo 10 minuti, versare la soluzione SC 1 in un altro bicchiere / contenitore se richiedono pulizia anche. In caso contrario, lasciare che la soluzione SC 1 fresco in un grande bicchiere. Una volta raffreddato, SC 1 può essere versato nel lavandino con acqua corrente. </li><li> Risciacquare SC 1 bicchiere pulito / recipiente in acqua deionizzata. </li><li> In una cappa di acido assegnato, preparare una soluzione per SC 2 come descritto nelle sezioni 4.2.1-4.2.4. </li><li> Versare la soluzione SC 2 in coppa / container dal punto 6.5. Lasciare la soluzione per pulire il becher / contenitore per 10 min. </li><li> Dopo 10 minuti, versare la soluzione SC 2 in un altro bicchiere / contenitore se richiedono pulizia anche. In caso contrario, lasciare che la soluzione SC 2 fresco in un grande bicchiere. Una volta raffreddato, Carolina del Sud 2 può essere versato giù tegli lavello con acqua corrente. </li><li> Risciacquare SC 2 puliti bicchiere / recipiente in acqua deionizzata. Il bicchiere / contenitore è ora pulito chimicamente. </li></ol>

<ol><li>Sinton, R. A., Cuevas, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Contactless+determination+of+current-voltage+characteristics+and+minority-carrier+lifetimes+in+semiconductors+from+quasi-steady-state+photoconductance+data%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data.</a> Appl. Phys. Lett. 69 (17), 2510-2512 (1996).</li>
<li>Wan, Y., McIntosh, K. R., Thomson, A. F., Cuevas, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Low+surface+recombination+velocity+by+low-absorption+silicon+nitride+on+c-Si%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+J.+Photovoltaics%22%5BJournal%5D)">Low surface recombination velocity by low-absorption silicon nitride on c-Si.</a> IEEE J. Photovoltaics. 3 (1), 554-559 (2013).</li>
<li>Hoex, B., Schmidt, J., Pohl, P., van de Sanden, M. C. M., Kessels, W. M. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silicon+surface+passivation+by+atomic+layer+deposited+Al2O3%5BTitle%5D)+AND+%22J.+App.+Phys%22%5BJournal%5D)">Silicon surface passivation by atomic layer deposited Al2O3.</a> J. App. Phys. 104 (4), 044903(2008).</li>
<li>Dauwe, S., Schmidt, J., Hezel, R. Very low surface recombination velocities on p.- and n.-type silicon wafers passivated with hydrogenated amorphous silicon films. Conference Record of the Twenty-Ninth IEEE Photovoltaic Specialists Conference, , 1246-1249 (2012).</li>
<li>Macdonald, D., Cuevas, A., Wong-Leung, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Capture+cross-sections+of+the+acceptor+level+of+iron-boron+pairs+in+p-type+silicon+by+injection-level+dependent+lifetime+measurements%5BTitle%5D)+AND+%22J.+App.+Phys%22%5BJournal%5D)">Capture cross-sections of the acceptor level of iron-boron pairs in p-type silicon by injection-level dependent lifetime measurements.</a> J. App. Phys. 89 (12), 7932-7339 (2001).</li>
<li>Schmidt, J., Bothe, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Structure+and+transformation+of+the+metastable+boron-+and+oxygen-related+defect+center+in+crystalline+silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Structure and transformation of the metastable boron- and oxygen-related defect center in crystalline silicon.</a> Phys. Rev. B. 69 (2), 024107(2004).</li>
<li>Rougieux, F., Grant, N., Murphy, J., Macdonald, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((D.+Influence+of+Annealing+and+Bulk+Hydrogenation+on+Lifetime+Limiting+Defects+in+Nitrogen-Doped+Floating+Zone+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+J.+Photovoltaics%22%5BJournal%5D)">D. Influence of Annealing and Bulk Hydrogenation on Lifetime Limiting Defects in Nitrogen-Doped Floating Zone Silicon.</a> IEEE J. Photovoltaics. 5 (2), 495-498 (2014).</li>
<li>Zheng, P., Rougieux, F., Grant, N., Macdonald, D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evidence+for+vacancy-related+Recombination+Active+Defects+in+as-grown+n-type+Czochralski+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+J.+Photovoltaics%22%5BJournal%5D)">Evidence for vacancy-related Recombination Active Defects in as-grown n-type Czochralski Silicon.</a> IEEE J. Photovoltaics. 5 (1), 183-188 (2014).</li>
<li>Grant, N. E., Rougieux, F. E., Macdonald, D., Bullock, J., Wan, Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Grown-in+point+defects+limiting+the+bulk+lifetime+of+p.-type+float-zone+silicon+wafers%5BTitle%5D)+AND+%22J.+App.+Phys%22%5BJournal%5D)">Grown-in point defects limiting the bulk lifetime of p.-type float-zone silicon wafers.</a> J. App. Phys. 117 (5), 055711(2015).</li>
<li>Hallam, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Hydrogen+passivation+of+B-O+defects+in+Czochralski+silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Energy+Procedia%22%5BJournal%5D)">Hydrogen passivation of B-O defects in Czochralski silicon.</a> Energy Procedia. 38, 561-570 (2013).</li>
<li>Hallam, B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Advanced+bulk+defect+passivation+for+silicon+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22IEEE+J.+Photovoltaics%22%5BJournal%5D)">Advanced bulk defect passivation for silicon solar cells.</a> IEEE J. Photovoltaics. 4 (1), 88-95 (2014).</li>
<li>Hornyi, T. S., Pavelka, T., Ttt, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In+situ+bulk+lifetime+measurement+on+silicon+with+a+chemically+passivated+surface%5BTitle%5D)+AND+%22App.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">In situ bulk lifetime measurement on silicon with a chemically passivated surface.</a> App. Surf. Sci. 63 (1-4), 306-311 (1993).</li>
<li>Meier, D. L., Page, M. R., Iwaniczko, E., Xu, Y., Wang, Q., Branz, H. M. Determination of surface recombination velocities for thermal oxide and amorphous silicon on float zone silicon. 17.th. NREL Crystalline Silicon Workshop, , (2007).</li>
<li>Chhabra, B., Bowden, S., Opila, R. L., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High+effective+minority+carrier+lifetime+on+silicon+substrates+using+quinhydrone-methanol+passivation%5BTitle%5D)+AND+%22App.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">High effective minority carrier lifetime on silicon substrates using quinhydrone-methanol passivation.</a> App. Phys. Lett. 96 (6), 063502(2010).</li>
<li>Chhabra, B., Weiland, C., Opila, R. L., Honsberg, C. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Surface+characterization+of+quinhydrone-methanol+and+iodine-methanol+passivated+silicon+substrates+using+X-ray+photoelectron+spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Stat.+Sol.+%28a%29%22%5BJournal%5D)">Surface characterization of quinhydrone-methanol and iodine-methanol passivated silicon substrates using X-ray photoelectron spectroscopy.</a> Phys. Stat. Sol. (a). 208 (1), 86-90 (2011).</li>
<li>Yablonovitch, E., Allara, D. L., Chang, C. C., Gmitter, T., Bright, T. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Unusually+low+surface+recombination+velocity+on+silicon+and+germanium+surfaces%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Unusually low surface recombination velocity on silicon and germanium surfaces.</a> Phys. Rev. Lett. 57 (2), 249-252 (1986).</li>
<li>Grant, N. E., McIntosh, K. R., Tan, J. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Evaluation+of+the+bulk+lifetime+of+silicon+wafers+by+immersion+in+hydrofluoric+acid+and+illumination%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Solid+State+Sci.+Technol%22%5BJournal%5D)">Evaluation of the bulk lifetime of silicon wafers by immersion in hydrofluoric acid and illumination.</a> J. Solid State Sci. Technol. 1 (2), P55-P61 (2012).</li>
<li>Grant, N. E., et al. Light enhanced hydrofluoric acid passivation for evaluating silicon bulk lifetimes. 28.th. European Photovoltaic Solar Energy Conference. , 883-887 (2013).</li>
<li>Grant, N. E. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=%22Surface+passivation+and+characterization+of+crystalline+silicon+by+wet+chemical+treatments%22">Surface passivation and characterization of crystalline silicon by wet chemical treatments</a>. , (2012).</li>
<li>Kern, W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+evolution+of+silicon+wafer+cleaning+technology%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Electrochem.+Soc%22%5BJournal%5D)">The evolution of silicon wafer cleaning technology.</a> J. Electrochem. Soc. 137 (6), 1887-1892 (1990).</li>
<li>Angermann, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Wet-chemical+passivation+of+atomically+flat+and+structured+silicon+substrates+for+solar+cell+application%5BTitle%5D)+AND+%22App.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Wet-chemical passivation of atomically flat and structured silicon substrates for solar cell application.</a> App. Surf. Sci. 254 (12), 3615-3625 (2008).</li>
<li>Angermann, H., Henrion, W., Rseler, A., Rebien, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Wet-chemical+passivation+of+Si%28111%29-+and+Si%28100%29-substrates%5BTitle%5D)+AND+%22Mat.+Sci.+Eng.+B%22%5BJournal%5D)">Wet-chemical passivation of Si(111)- and Si(100)-substrates.</a> Mat. Sci. Eng. B. 73 ((1-3)), 178-183 (2000).</li>
<li>Bertagna, V., Plougonven, C., Rouelle, F., Chemla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((p-+and+n-type+silicon+electrochemical+properties+in+dilute+hydrofluoric+acid+solutions%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Electrochem.+Soc%22%5BJournal%5D)">p- and n-type silicon electrochemical properties in dilute hydrofluoric acid solutions.</a> J. Electrochem. Soc. 143 (11), 3532-3538 (1996).</li>
<li>Bertagna, V., Erre, R., Rouelle, F., Chemla, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Ionic+components+dependence+of+the+charge+transfer+reactions+at+the+silicon%2FHF+solution+interface%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Solid+State+Electrochem%22%5BJournal%5D)">Ionic components dependence of the charge transfer reactions at the silicon/HF solution interface.</a> J. Solid State Electrochem. 4 (1), 42-51 (1999).</li>
<li>Kolasinski, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+mechanism+of+Si+etching+in+fluoride+solutions%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Chem.+Chem.+Phys%22%5BJournal%5D)">The mechanism of Si etching in fluoride solutions.</a> Phys. Chem. Chem. Phys. 5 (6), 1270-1278 (2003).</li>
<li>Trucks, G. W., Raghavachari, K., Higashi, G. S., Chabal, Y. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Mechanism+of+HF+etching+of+silicon+surfaces%3A+A+theoretical+understanding+of+hydrogen+passivation%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Mechanism of HF etching of silicon surfaces: A theoretical understanding of hydrogen passivation.</a> Phys. Rev. Lett. 65 (4), 504-507 (1990).</li>
<li>Zhang, X. G. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aZhang%2C+XG+%22Electrochemistry+of+silicon+and+its+oxide%22">Electrochemistry of silicon and its oxide</a>. , Kluwer Academic Publishers. (2001).</li>
</ol>

Gli autori non hanno nulla da rivelare.

Il successo della tecnica di misura durata silicio bulk sopra descritto si basa su tre punti critici, (i) pulizia chimicamente e incisione wafer di silicio, (ii) immersione in una soluzione di HF 15% e (iii) l&#39;illuminazione per 1 min 17, 18,19. Senza questa procedura, la durata bulk non può essere misurata con certezza. Poiché la tecnica di misurazione è condotta a temperatura ambiente, la qualità passivazione della superficie è altamente sensibile alla contaminazione superfic...

Alta vita (&gt; 1 msec) in silicio monocristallino sta diventando sempre più importante per le celle solari ad alta efficienza. Comprendere le caratteristiche di ricombinazione di impurità incorporato è stato, e rimane un tema importante. Una delle tecniche più utilizzate per esaminare l&#39;attività di ricombinazione difetti coltivate-in è mediante un metodo photoconductance 1. Con questa tecnica è spesso difficile superficie completamente separata dalla ricombinazione massa, rendendo così difficile per esaminare le caratteristiche di ricombinazione di difetti adulte in. Fortunatamente esistono diversi film dielettrici che possono raggiungere velocità molto basse efficaci ricombinazione di superficie (S FEP) su &lt;5 cm / s, e quindi inibire efficacemente ricombinazione superficiale. Questi sono, nitruro di silicio (SiN x: H) 2, ossido di alluminio (Al 2 O 3) 3 e silicio amorfo (a -Si: H) 4. La deposizione enealing temperature (~ 400 ° C) di questi film dielettrici sono considerati essere abbastanza basso da non disattivare in modo permanente l&#39;attività della ricombinazione adulto difetti. Esempi di questo sono l&#39;ossigeno ferro-boro 5 e boro 6 difetti. Tuttavia, recentemente si è riscontrato che vacante ossigeno e vacante fosforo difetti di tipo n Czochralski (Cz) di silicio possono essere completamente disattivati ​​a temperature di 250-350 ° C 7,8. Allo stesso modo è stato trovato un difetto nel float-zone (FZ) p tipo di silicio per disattivare a ~ 250 ° C 9. Pertanto, le tecniche di passivazione convenzionali come potenziato a plasma deposizione di vapore chimico (PECVD) e la deposizione strato atomico (ALD) può non essere adatto per inibire la ricombinazione di superficie per esaminare i difetti di massa adulte in. Inoltre, sin x: H e a-Si: H hanno dimostrato di disattivare i difetti di silicio sfuso attraverso idrogenazione 10,11. Pertanto per esaminare l&#39;attività di ricombinazione o<html> f adulta in difetti, una tecnica di passivazione della superficie RT sarebbe l&#39;ideale. Wet passivazione della superficie chimica soddisfa questo requisito. Nel 1990 Horanyi et al., Hanno dimostrato che l&#39;immersione di wafer di silicio a iodio-etanolo soluzioni (IE) fornisce un mezzo per la passivazione wafer di silicio, ottenendo S eff &lt;10 cm / sec 12. Nel 2007 Meier et al., Ha dimostrato che le soluzioni di iodio-metanolo (IM) in grado di ridurre la ricombinazione di superficie a 7 ​​cm / sec 13, mentre nel 2009 Chhabra et al. Hanno dimostrato che S eff di 5 cm / sec può essere raggiunto immergendo fette di silicio in soluzioni 14,15 quinhydrone-metanolo (QM). Nonostante l&#39;ottima passivazione della superficie ottenuta IE, IM e soluzioni QM, non forniscono adeguata passivazione della superficie (S eff &lt;5 cm / sec) per misurare la durata di bulk wafer di silicio ad alta purezza. nt &quot;&gt; Un altro mezzo per raggiungere un elevato livello di passivazione della superficie è immergendo fette di silicio in acido HF. L&#39;idea di utilizzare HF di passivazione wafer di silicio è stato introdotto da Yablonavitch et al., nel 1986, che ha dimostrato un record negativo S eff di 0,25 ± 0,5 cm / sec 16. Sebbene eccellente passivazione della superficie è stato raggiunto il wafer ad alta resistività, abbiamo trovato la tecnica per essere non ripetibile, aggiungendo così una grande incertezza alla misurazione vita. Pertanto per limitare l&#39;incertezza costante ottenendo un bassa eff S (~ 1 cm / sec), abbiamo sviluppato una nuova tecnica HF passivazione che incorpora tre fasi critiche, (i) la pulizia e incisione di wafer di silicio chimicamente, (ii) immersione in una soluzione di HF 15% e (iii) illuminazione per 1 min 17,18. Questa procedura è semplice e tempo efficiente rispetto al tradizionale PECVD e tecniche di deposizione ALD sopra elencati.

<table><tbody><tr><td>Acido fluoridrico (48%)</td><td>Merck Millipore,&nbsp; &nbsp; http://www.merckmillipore.com/AU/en/product/Hydrofluoric-acid-48%25,MDA_CHEM-100334</td><td>1003340500</td><td>Nocivo e tossico. È possibile utilizzare qualsiasi fornitore, a condizione che la sostanza chimica sia di grado reagente analitico (AR).</td></tr><tr><td>Acido cloridrico 32%, AR</td><td>ACI Labscan, http://www.rcilabscan.com/modules/productview.php?product_id=1985</td><td>107209</td><td>Nocivo e tossico. È possibile utilizzare qualsiasi fornitore, a condizione che la sostanza chimica sia di grado reagente analitico (AR).</td></tr><tr><td>Ammoniaca (30%) Soluzione AR</td><td>Chem-supply, https://www.chemsupply.com.au/aa005-500m</td><td>AA005</td><td>Nocivo e tossico. È possibile utilizzare qualsiasi fornitore, a condizione che la sostanza chimica sia di grado reagente analitico (AR).</td></tr><tr><td>Perossido di idrogeno (30%)</td><td>Merck Millipore, http://www.merckmillipore.com/AU/en/product/Hydrogen-peroxide-30%25,MDA_CHEM-107209</td><td>1072092500</td><td>Nocivo e tossico. È possibile utilizzare qualsiasi fornitore, a condizione che la sostanza chimica sia di grado reagente analitico (AR).</td></tr><tr><td>Idrossido di tetrametilammonio (25% in H2O)</td><td>J.T Baker, https://us.vwr.com/store/catalog/product.jsp?product_id=4562992</td><td>5879-03</td><td>Nocivo e tossico. È possibile utilizzare qualsiasi fornitore, a condizione che la sostanza chimica sia di grado reagente analitico (AR).</td></tr><tr><td>Contenitore rotondo in plastica da 640 ml</td><td>Sistema, http://sistemaplastics.com/products/klip-it-round/640ml-round</td><td></td><td>Questo è un buon contenitore per conservare la soluzione al 15% di HF.</td></tr><tr><td>WCT-120 tester a vita</td><td>Sinton Instruments, http://www.sintoninstruments.com/Sinton-Instruments-WCT-120.html</td><td></td><td></td></tr><tr><td>workstation Dell con Microsoft Office Pro, scheda di acquisizione dati e software incluso il software Sinton su licenza esistente.</td><td>Sinton Instruments, http://www.sintoninstruments.com</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Lampada ottica alogena, ELH 300 W, 120 V</td><td>OSRAM Sylvania, http://www.sylvania.com/en-us/products/halogen/Pages/default.aspx</td><td>54776</td><td>È possibile utilizzare qualsiasi lampada equivalente.</td></tr><tr><td>Fonte di alimentazione di tensione</td><td>Alimentatore</td><td></td> fatto in casa <td>Qualsiasi alimentatore può essere utilizzato a condizione che possa produrre fino a 90 Volt e 1-5 Ampere.</td></tr><tr><td>Conduttimetro</td><td>WTW, http://www.wtw.de/uploads/media/US_L_07_Cond_038_049_I_02.pdf</td><td>LF330</td><td></td></tr></tbody></table>

luce migliorato acido fluoridrico passivazione: una tecnica sensibile per il rilevamento di difetti silicon bulk

Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects

Una procedura per misurare la durata bulk (&gt; 100 msec) di wafer di silicio da raggiungere temporaneamente un livello molto elevato di passivazione superficie quando immergendo i wafer in acido fluoridrico (HF) è presentato. Con questa procedura sono necessari tre passaggi critici per raggiungere la durata bulk. In primo luogo, prima di immergere wafer di silicio in HF, vengono pulite chimicamente e successivamente incise in tetrametilammonio idrossido 25%. In secondo luogo, i wafer trattati chimicamente vengono poi poste in un grande contenitore di plastica riempita con una miscela di acido fluoridrico e acido cloridrico, e poi centrato su una bobina induttiva per photoconductance (PC) misurazioni. In terzo luogo, per inibire ricombinazione superficiale e misurare la durata di massa, i wafer sono illuminati a 0.2 soli per 1 min utilizzando una lampada alogena, l&#39;illuminazione è spento, e una misurazione PC sia immediatamente ritirato. Con questa procedura, le caratteristiche dei difetti silicio volumetrico può essere determinato con precisione. PellicciaThermore, si prevede che un RT tecnica passivazione della superficie sensibile sarà indispensabile per l&#39;esame di difetti di silicio di massa quando la loro concentrazione è bassa (&lt;10 12 centimetri -3).

Figura 1a mostra una schematica e figura 1b mostra una fotografia del setup sperimentale. Quando una fetta di silicio viene immerso nella soluzione di HF, successivamente immesse sul palco durata tester e viene eseguita una misurazione (prima di illuminazione), una curva vita che è limitata dalla ricombinazione superficiale comporta, come mostrato dai triangoli blu nella figura 2. Tuttavia, quando il campione viene illuminato per 1 min (immersi in HF), come mostrato <st...

A RT superficie liquida tecnica di passivazione per indagare l&#39;attività ricombinazione di difetti di silicio di massa è descritta. Per la tecnica abbia successo, tre passaggi critici sono richiesti: (i) pulizia chimica ed attacco del silicio, (ii) l&#39;immersione del silicio in 15% di acido fluoridrico e (iii) l&#39;illuminazione per 1 min.

Luce migliorato Acido fluoridrico passivazione: una tecnica sensibile per il rilevamento di difetti Silicon Bulk

A procedure to measure the bulk lifetime (&#62;100 &#181;sec) of silicon wafers by temporarily attaining a very high level of surface passivation when ...

L'obiettivo generale di questa procedura è utilizzare un metodo di passivazione superficiale a temperatura ambiente per inibire la ricombinazione superficiale, in modo da poter caratterizzare con precisione i difetti nel silicio di volume. Questo metodo può aiutarci a comprendere quali difetti limiteranno la durata delle pastiglie di silicio ad alta purezza, necessarie per celle solari ad altissima efficienza. Il vantaggio principale di questa tecnica è che può essere eseguita a temperatura ambiente, il che significa che l'attività di ricombinazione dei difetti nel silicio di volume non cambierà durante la misurazione.Le implicazioni di questa tecnica si estendono alla misurazione dell'attività di ricombinazione dei difetti nel silicio in massa, presenti a basse concentrazioni, che altrimenti sarebbero molto difficili da misurare mediante altre tecniche. In generale, le persone nuove rispetto a questo metodo incontreranno difficoltà poiché non è immediatamente chiaro il requisito relativo all'uso di acqua deionizzata ad alta purezza e alle procedure di pulizia chimica; pertanto, è fondamentale seguire la procedura passo dopo passo. La preparazione delle soluzioni, inclusi i punti e

light-enhanced-hydrofluoric-acid-passivation-sensitive-technique-for

Research

Ricerca

JoVE Journal

Engineering

Ingegneria

L'uso di guide d'onda fotoniche di cristallo di luce lenta e cavità è stato ampiamente adottato dalla comunità fotonica in molte applicazioni differenti. Pertanto fabbricazione e caratterizzazione di questi dispositivi sono di grande interesse. Il presente documento delinea la nostra tecnica di fabbricazione e di due metodi di caratterizzazione ottica, vale a dire: diffusione interferometrica (guide d'onda) e risonante (cavità).

Fabbricazione e caratterizzazione di guide d&#39;onda fotoniche di cristallo di luce lenta e cavità

Viene fornita una procedura dettagliata per il drogaggio superficiale delle interfacce in silicio. Il drogaggio superficiale ultra-superficiale è dimostrato dall'utilizzo di monostrati contenenti fosforo e da un rapido processo di ricottura. Il metodo può essere utilizzato per il drogaggio di superfici macroscopiche e di nanostrutture.

Monostrato Contatto doping di silicio superfici e nanofili Uso organofosforici Composti

Viene introdotto un biosensore ottico privo di etichetta per il rilevamento di batteri rapidi. Il biosensore è basato su poroso nanostrutturato Si, che è stato progettato per catturare direttamente le cellule dei batteri bersaglio sulla sua superficie. Usiamo anticorpi monoclonali, immobilizzati sul trasduttore poroso, come le sonde di cattura. I nostri studi dimostrano l'applicabilità di questi biosensori per il rilevamento di concentrazioni batteriche basse in pochi minuti, senza...

Rilevamento ottico di E. coli Batteri di mesoporosi Silicon Biosensors

Riportiamo un processo di alterazione in situ di HF trattata Si (001) superficie in uno stato idrofilo o idrofobo irradiando campioni in camere microfluidica riempiti con H 2 O 2 / H 2 O soluzione (0,01% -0,5%) o soluzioni di metanolo per mezzo del laser pulsato UV di un parente a bassa fluenza impulso.

Area selettiva Modifica della Silicon bagnabilità della superficie da impulsi laser UV irradiazione in ambiente liquido

Le proprietà ottiche, elettriche e strutturali delle dislocazioni e dei bordi dei grani nei materiali semiconduttori possono essere determinate da esperimenti eseguiti in un microscopio elettronico a scansione. La microscopia elettronica è stata utilizzata per studiare la catodoluminescenza, la corrente indotta da fascio di elettroni e la diffrazione di elettroni retrodiffusi.

Caratterizzazione completa dei difetti estesi in materiali semiconduttori da un microscopio elettronico a scansione

L'isolamento di effetti elettrici e termici sulla deformazione elettrica assistita (EAD) è molto difficile usando campioni macroscopici. Le micro- e nanostrutture del campione metallico insieme ad una procedura di prova personalizzata sono state sviluppate per valutare l'impatto della corrente applicata sulla formazione senza riscaldamento joule e l'evoluzione delle dislocazioni su questi campioni.

Un metodo novello per<em&gt; In Situ</em&gt; Caratterizzazione elettromeccanica dei campioni di nanoscala

Presentiamo un metodo dettagliato per fabbricare una matrice di fototransistor Paola deformabile laterale per sensori di immagine curvo. La matrice di fototransistor con una forma di mesh a trama larga, che si compone di isole di silicio sottile ed estensibile in metallo interconnettori, fornisce flessibilità ed elasticità. L'analizzatore di parametro caratterizza la proprietà elettrica del fabbricato fototransistor.

Fabbricazione di sensore di immagine flessibile basato su Francesca laterale fototransistori

Dimostriamo la sintesi di nanoparticelle di silicio poroso fusogena per la consegna effettiva del oligonucleotide in vitro e in vivo. Silicio poroso nanoparticelle vengono caricate con siRNA per formare il nucleo, che è rivestito dai lipidi fusogena attraverso estrusione per formare il guscio. I servizi e le dotazioni comprendono targeting frazione funzionalizzazione e caratterizzazione delle particelle.

Sintesi, funzionalizzazione e caratterizzazione di nanoparticelle di silicio poroso fusogena per la consegna del Oligonucleotide

Abbiamo dimostrato che l'incisione della nano-architettura nei dispositivi intracorticali di microelettrodi può ridurre la risposta infiammatoria e ha il potenziale per migliorare le registrazioni elettrofisiologiche. I metodi descritti qui delineano un approccio per incidere le nano-architetture nella superficie di microelettrodi intracorticali in silicio a stilo non funzionali e funzionali.

Focalizzata la litografia del fascio ionico per esacire di nano-architetture nei microelettrodi

Questo lavoro presenta protocolli di microfabbricazione per il raggiungimento di cavità e pilastri con profili rientranti e doppiamente rientranti sui wafer SiO2/Si utilizzando la fotolitografia e l'incisione a secco. Le superfici microstrutturate risultanti dimostrano una notevole repellenza liquida, caratterizzata da una robusta intrappolamento dell'aria a lungo termine sotto liquidi umidi, nonostante l'intrinseca bagnabilità della silice.

Rendering di siO2/Si Superfici omnifobiche da intaglio Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant e Doubly Reentrant Cavities or Pillars

Questo articolo ripercorre il ciclo di vita di un risonatore a membrana in nitruro di silicio, dalla progettazione alla fabbricazione fino alla caratterizzazione.

Fabbricazione e caratterizzazione di risonatori a membrana in nitruro di silicio ad alto Q

Scopri una tecnica di passivazione superficiale a temperatura ambiente per caratterizzare difetti nel silicio bulk. Questo metodo misura l'attività di ricombinazione dei difetti a bassa concentrazione nelle celle solari ad alta efficienza.

Luce migliorato Acido fluoridrico passivazione: una tecnica sensibile per il rilevamento di difetti Silicon Bulk

Esplora altri video