Name: Preparazione della Silicon Nanowire effetto di campo transistor per lindustria chimica e biosensing Applicazioni (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-04-21T15:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 25 s
Description: Impara a preparare transistor a effetto di campo con nanofili di silicio per biosensing ad alta sensibilità. Questo metodo consente il rilevamento in tempo reale di acidi nucleici e biomarcatori per applicazioni diagnostiche cliniche.

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Questa ricerca è stata finanziata dal Ministero della Scienza e della Tecnologia, Taiwan (104-2514-S-009 -001, 104-2627-M-009-001 e 102-2311-B-009-004-MY3). Ringraziamo i National Nano Device Laboratories (NDL) per la loro preziosa assistenza durante la fabbricazione e l'analisi dei dispositivi.

1. Realizzazione e conservazione dei dispositivi pSNWFET <ol><li> fabbricazione di dispositivi Nota: Il pSNWFET è stato fabbricato utilizzando una tecnica parete laterale distanziale come precedentemente riportato 23,24. <ol><li> Preparare lo strato dielettrico di gate. <ol><li> Cap un ossido 100 nm di spessore termica (SiO 2) strato su un substrato di Si tramite (gas di processo O 2 e H 2 a 980 ° C per 4 ore) bagnato processo di ossidazione 25. </li><li> Depositare un nitruro di 50 nm di spessore (Si 3 N 4) Strato utilizzando bassa pressione di deposizione chimica da fase vapore (LPCVD) 25 a 980 ° C per 4 ore. </li></ol></li><li> Depositate 100 nm di spessore tetraetilortosilicato strato (TEOS) utilizzando LPCVD 25 a 780 ° C per 4 ore. </li><li> Eseguire litografia normale mediante stepper I-linea per definire le strutture di ossido fittizi. <ol><li> Rivestire la superficie del wafer con uno strato di resina fotosensibile 830 nm di spessore. </li><li> ioNSERT un photomask modello definito in I linea passo-passo. </li><li> Elaborare l&#39;esposizione utilizzando la I-line stepper (lunghezza d&#39;onda: 365 nm) al dosaggio di 1,980 J a temperatura ambiente. </li><li> Sviluppare il wafer all&#39;interno di uno sviluppatore per 5 min. </li><li> Eseguire il processo di attacco isotropo utilizzando uno standard ad accoppiamento induttivo plasma 25 incisore con HBr e Cl gas plasma per 1 min. </li></ol></li><li> Depositare uno strato di 100 nm di spessore di silicio amorfo (α-Si) utilizzando LPCVD 25. </li><li> Eseguire una fase di ricottura a 600 ° C in N 2 ambiente per 24 ore per trasformare l&#39;α-Si in una struttura policristallina. </li><li> Gli ioni di impianto di fosforo attraverso source / drain (S / D) il doping a bassa energia (5E 15 cm -2) 25. </li><li> Eseguire litografia standard utilizzando lo stepper I-linea per rimuovere lo strato poly-Si e formare il nanowire polisilicio (pSNW) 25. Nota: ripetere il punto 1.1.3 di impiantare dopformiche in luoghi diversi dalle regioni S / D con la rimozione di poli-Si e formare i canali di fianco Si in maniera auto-allineato. </li><li> Eseguire il processo di passivazione (200-nm-spesso strato di ossido TEOS) utilizzando LPCVD a 780 ° C per 5 ore 25. </li><li> Eseguire la litografia standard utilizzando lo stepper I-line per esporre i canali nanowire, e pastiglie di test modulo utilizzando il processo di attacco in due fasi secco / umido. <ol><li> Ripetere il punto 1.1.3. </li><li> Eseguire il processo di incisione a umido (DHF: HF / H 2 O per 1 min). </li></ol></li></ol></li><li> conservazione Wafer <ol><li> Sigillare il wafer in un sacchetto di immagazzinaggio di vuoto e memorizzarlo in un armadietto asciutto elettronico (umidità relativa &lt;40% a temperatura ambiente). </li></ol></li></ol> 2. Pretrattamento del dispositivo <ol><li> pulizia dispositivo <ol><li> Risciacquare il dispositivo con acetone puro. </li><li> Sonicare (46 kHz, 80 W) il dispositivo in acetone puro per 10 min. </li> &lt;li&gt; Sonicare (46 kHz, 80 W) il dispositivo in etanolo puro (99,5%) per 5 min. </li><li> Blow-asciugare la superficie del dispositivo con azoto. </li></ol></li><li> plasma di ossigeno <ol><li> Trattare il dispositivo con O 2 al plasma a 18 W per 30 sec. </li></ol></li></ol> 3. Immobilizzazione del DNA sonda sulla superficie periferica <ol><li> Modifica gruppo amminico <ol><li> Immergere il dispositivo in un 2,0% (3-amminopropil) trietossisilano (APTES) / soluzione di etanolo per 30 min. </li><li> Lavare il dispositivo con etanolo per tre volte, e poi ultrasuoni (46 kHz, 80 W) il dispositivo in etanolo per 10 min. </li><li> Riscaldare il dispositivo su una piastra calda a 120 ° C per 10 min per creare gruppi amminici sulla SNWs. </li></ol></li><li> Modifica gruppo aldeidico <ol><li> Immergere il dispositivo nel 12,5% glutaraldeide per 1 ora a temperatura ambiente per creare gruppi aldeidici in superficie. Evitare l&#39;esposizione alla luce. </li><li> Lavare il dispositivo di ingegnoh 10 mM tampone fosfato di sodio (Na-PB; pH 7,0) tre volte e quindi asciugarsi la superficie del dispositivo con azoto. </li></ol></li><li> Sonda di DNA di immobilizzazione <ol><li> Immergere il dispositivo in una soluzione contenente 1 mM sonde di DNA durante la notte. </li><li> Immergere il dispositivo in 10 mM tampone Tris (pH 8,0) con 4,0 mM NaBH 3 CN per 30 minuti per bloccare i gruppi aldeidici reagiti. </li><li> Lavare il dispositivo con Na-PB (pH 7,0) tre volte, e poi asciugarsi la superficie del dispositivo con azoto. </li></ol></li></ol> 4. Conferma e analisi di modifica della superficie su pSNWFET <ol><li> profilo pH dopo ogni fase di modifica della superficie <ol><li> Preparare 10 mM Na-PB in pH 3,0-9,0. <ol><li> Preparare 10 mM sodio fosfato tribasico dodecaidrato (Na 3 PO 4) in acqua deionizzata (pH 11.60). </li><li> Preparare 10 mM di acido fosforico (H 3 PO 4) in acqua deionizzata(PH 2.35). </li><li> Posizionare l&#39;elettrodo pH in 500 ml di 10 mM Na 3 PO 4 tampone, e mescolare questa soluzione con diversi volumi di 10 mm H 3 PO 4 buffer durante la misurazione del valore del pH per ottenere buffer con valori di pH di 3.0, 4.0, 5.0, 6.0 , 7.0, 8.0 e 9.0. </li></ol></li><li> la misura della conduttanza AC Nota: Il circuito di misura comprendeva un piccolo generatore di segnale in corrente alternata ed un microconduttori Au che serviva come elettrodo di gate liquido. <ol><li> Determinare l&#39;ottimale tensione di gate liquido (V LG) per misure 26 ad ogni fase di modifica (passi 2.2, 3.1, 3.2 e 3.3). Nota: Le proprietà elettriche del dispositivo dopo quattro modificazioni superficiali sulla SNW sono stati misurati come descritto in questa sezione. Nel passo 2.2, la pSNWFET non modificato contenente lo strato di ossido nativo viene modificata; passo 3.1 comporta la modifica del dispositivo con il gruppo amminico di APTES; punto 3.2 prevede la modifica con la unchargedgruppo funzionale di glutaraldeide; e passo 3,3 coinvolge DNA modifica della sonda. <ol><li> Fornire il 10 mM Na-PB (pH 7,0) la soluzione alla superficie SNW utilizzando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / h) per il contatto diretto con il SNW. </li><li> Misurare la conduttanza tempo reale del dispositivo durante la spazzata V LG 0,80-1,30 V. <ol><li> Eseguire misura conduttanza utilizzando la tecnica lock-in 27 a temperatura ambiente. </li><li> Convertire i segnali di corrente CA in un segnale di tensione alternata utilizzando un basso rumore preamplificatore corrente. </li><li> Raccogliere dati sulla conduttanza (G) su aumento V LG 0,80-1,30 V (intervallo = 0,02 V). </li></ol></li><li> Determinare la LG V ottimale (più sensibile V LG) del dispositivo 26. <ol><li> Tracciare le curve GV LG dal punto 4.1.2.1.2.3 per ottenere l&#39;equazione della curva. </li><li> Differentiate l&#39;equazione, e calcolare i valori in ogni punto del V LG. </li><li> Dividere il valore dal punto 4.1.2.1.3.2 da G, e determinare l&#39;ottimale V LG base al numero massimo. </li></ol></li></ol></li><li> Misurare la conduttanza in tempo reale del profilo di pH ad ogni passo della modifica superficiale. <ol><li> Eseguire misura conduttanza utilizzando la tecnica lock-in 27 a temperatura ambiente. </li><li> Convertire il segnale in corrente alternata in segnali di tensione alternata utilizzando un basso rumore preamplificatore corrente. </li><li> Impostare l&#39;ottimale V LG per ogni fase di modifica della superficie (punto 2.2: V LG = 1,02, passo 3.1: V LG = 0.98, punto 3.2: V LG = 0,98, e passo 3.3: V LG = 1.0). </li><li> Offrire la soluzione di 10 mM Na-PB con valori di pH 3,0-9,0 alla superficie SNW (portata: 5,0 ml / h), E raccogliere i dati relativi conduttanza ad una tensione di drain di 0,01 V. </li></ol></li></ol></li></ol></li><li> Misurazione delle proprietà elettriche (la curva I D -V BG) del dispositivo a 10 mM Na-PB (pH 7,0) seguito ogni fase della modifica della superficie (passi 2.2, 3.1, 3.2, e 3.3.) Nota: Le proprietà elettriche del dispositivo dopo quattro modificazioni superficiali sulla SNW stati misurati: nel passo 2.2, la pSNWFET non modificato contenente lo strato di ossido nativo viene modificata; passo 3.1 tratta di modificare il dispositivo con il gruppo amminico di APTES; punto 3.2 comporta la modifica con il gruppo funzionale uncharged di glutaraldeide; e passo 3.3 comporta DNA modifica della sonda. <ol><li> Fornire il 10 mM Na-PB (pH 7,0) la soluzione alla superficie SNW (fasi 2.2, 3.1, 3.2 e 3.3) utilizzando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / h) per il contatto diretto con il SNW. </li><li> Misurare la I D </em&gt; Del dispositivo (passi 2.2, 3.1, 3.2 e 3.3) utilizzando un analizzatore di semiconduttori commerciale e software. <ol><li> Selezionare la modalità &quot;NMOSFET&quot;. </li><li> Seleziona &quot;I D - V BG&quot; moduli. Nota: I D è la corrente di drain / source, e V BG è la tensione cancello posteriore. </li><li> Impostare una tensione di polarizzazione costante (V D = 0,5 V), mentre spazzare il cancello potenziale (V BG) da -1 a 3,0 V (intervallo = 0,2 V). </li><li> Fare clic sull&#39;icona Esegui per ottenere I D - curve V BG. </li></ol></li></ol></li></ol> 5. DNA biopercezione Nota: In un tipico esperimento, l&#39;ho D - curva B G V è determinata per tre volte per garantire che nessun ulteriore variazione è observ ati. <ol><li> Determinazione della linea di base <ol><li> Somministrare la soluzione 10 mM Na-PB (pH 7,0) alla superficie SNW sonda immobilizzata DNA per 10 minuti usando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / h), e poi incubare la SNW per 30 min. </li><li> Misurare la I D del dispositivo (ripetere il punto 4.2.2). </li></ol></li><li> Percependo di DNA / DNA ibridazione <ol><li> Carico 22:00 obiettivo complementare del DNA sulla sonda-immobilizzato superficie SNW DNA per 10 minuti utilizzando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / h), e poi incubare il SNW per 30 min. </li><li> Fornire il 10 soluzione mM Na-PB (pH 7.0) sulla superficie SNW per 10 minuti usando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / hr) per lavare il DNA bersaglio non legato distanza. </li><li> Ripetere passaggio 4.2.2 per misurare la I D del dispositivo. </li></ol></li><li> Riconfermare il segnale di ibridazione DNA / DNA. <ol><li> Carico 1 nM recupero del DNA su tegli DNA probe-immobilizzato superficie SNW per 10 minuti usando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / h), e poi incubare la SNW per 30 min. </li><li> Fornire il 10 soluzione mM Na-PB (pH 7.0) sulla superficie SNW per 10 minuti usando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / hr). </li><li> Ripetere passaggio 4.2.2 per misurare la I D del dispositivo. </li></ol></li><li> controllo negativo <ol><li> Carico 100 pM DNA non complementare sulla sonda-immobilizzato superficie SNW DNA per 10 minuti usando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / h), e quindi incubare l&#39;SNW per 30 min. </li><li> Fornire il 10 soluzione mM Na-PB (pH 7.0) sulla superficie SNW per 10 minuti usando una pompa a siringa (portata: 5,0 ml / hr). </li><li> Ripetere passaggio 4.2.2 per misurare la I D del dispositivo. </li></ol></li></ol>

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<li>Townsend, M. B., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Experimental+evaluation+of+the+FluChip+diagnostic+microarray+for+influenza+virus+surveillance%5BTitle%5D)+AND+%22J+Clin+Microbiol%22%5BJournal%5D)">Experimental evaluation of the FluChip diagnostic microarray for influenza virus surveillance.</a> J Clin Microbiol. 44, 2863-2871 (2006).</li>
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<li>Lee, K. N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Well+controlled+assembly+of+silicon+nanowires+by+nanowire+transfer+method%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Well controlled assembly of silicon nanowires by nanowire transfer method.</a> Nanotechnology. 18 (445302), (2007).</li>
<li>Li, Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Sequence-specific+label-free+DNA+sensors+based+on+silicon+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Sequence-specific label-free DNA sensors based on silicon nanowires.</a> Nano Lett. 4, 245-247 (2004).</li>
<li>McAlpine, M. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High-performance+nanowire+electronics+and+photonics+on+glass+and+plastic+substrates%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">High-performance nanowire electronics and photonics on glass and plastic substrates.</a> Nano Lett. 3, 1531-1535 (2003).</li>
<li>Cui, Y., Wei, Q., Park, H., Lieber, C. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Nanowire+nanosensors+for+highly+sensitive+and+selective+detection+of+biological+and+chemical+species%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Nanowire nanosensors for highly sensitive and selective detection of biological and chemical species.</a> Science. 293, 1289-1292 (2001).</li>
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<li>Hsiao, C. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Novel+poly-silicon+nanowire+field+effect+transistor+for+biosensing+application%5BTitle%5D)+AND+%22Biosens+Bioelectron%22%5BJournal%5D)">Novel poly-silicon nanowire field effect transistor for biosensing application.</a> Biosens Bioelectron. 24, 1223-1229 (2009).</li>
</ol>

Gli autori non hanno nulla da rivelare.

Commercializzazione del top-down e bottom-up fabbricazione approcci per sSNWFETs è considerato difficile a causa del suo costo 32,33, SNW controllo di posizione 34,35, e la sua bassa produzione di scala 36. Al contrario, la fabbricazione pSNWFETs è semplice e di basso costo 37. Attraverso l&#39;approccio top-down e la combinazione con la tecnica di formazione laterale distanziale (figura 1), la dimensione del SNW può essere controllata regolando la durata di a...

transistor ad effetto di campo Silicon nanowire (SNWFETs) presentano i vantaggi di ultra-elevata sensibilità e risposte elettriche scalo a variazione tassa ambientale. In tipo n SNWFETs per esempio, quando una molecola negativo (o positivo) addebitato avvicina alla nanowire silicio (SNW), i vettori nel SNW sono esauriti (o accumulano). Di conseguenza, la conduttività della SNWFET diminuisce (o aumenta) 1. Pertanto, qualsiasi molecola carica vicino alla superficie SNW del dispositivo SNWFET può essere rilevato. biomolecole vitali tra cui enzimi, proteine, nucleotidi, e molte molecole sulla superficie cellulare sono portatori di carica e possono essere monitorati utilizzando SNWFETs. Con opportune modifiche, in particolare immobilizzanti una sonda biomolecolare sul SNW, un SNWFET può essere sviluppato in un biosensore senza etichetta. Sorveglianza utilizzando biomarcatori è fondamentale per la diagnosi delle malattie. Come mostrato nella Tabella 1, diversi studi hanno utilizzato NWFEBiosensori T-based per label-free, ultra-alta sensibilità, e la rilevazione in tempo reale dei vari bersagli biologici, tra cui un singolo virus 2, adenosina trifosfato e chinasi vincolante 3, i segnali neuronali 4, ioni metallici 5,6, tossine batteriche 7, 8 della dopamina, DNA 9-11, RNA 12,13, enzimi e biomarcatori tumorali 14-19, ormoni umani 20, e citochine 21,22. Questi studi hanno dimostrato che biosensori basati NWFET rappresentano una piattaforma di rilevazione potente per una vasta gamma di specie chimiche e biologiche in una soluzione. In biosensori basati SNWFET, la sonda immobilizzata sulla superficie SNW del dispositivo riconosce una biotarget specifico. Immobilizzare un Bioprobe solito comporta una serie di passaggi, ed è fondamentale che ogni passo viene eseguito correttamente per garantire il corretto funzionamento del biosensore. Varie tecniche sono state sviluppate per analizzare le sComposizione urface, compresi raggi X spettroscopia fotoelettronica (XPS), ellissometria, misura dell&#39;angolo di contatto, microscopia a forza atomica (AFM) e microscopia elettronica a scansione (SEM). Metodi come AFM e SEM forniscono prove dirette di Bioprobe immobilizzazione sul dispositivo nanofilo, mentre i metodi, come XPS, ellissometria, e la misurazione dell&#39;angolo di contatto dipendono esperimenti paralleli condotti su altri materiali simili. In questo rapporto, descriviamo la conferma di ogni fase di modifica utilizzando due metodi indipendenti. XPS viene usato per esaminare le concentrazioni di atomi specifici su wafer di silicio policristallino, e variazioni nelle proprietà elettriche del dispositivo sono misurate direttamente per confermare la variazione di carica sulla superficie SNW. Impieghiamo biosensing DNA utilizzando SNWFETs policristallini (pSNWFETs) come un esempio per illustrare questo protocollo. Immobilizzare una sonda di DNA sulla superficie SNW comporta tre fasi: ammina modifica gruppo ossidrile sulla superficie nativa del SNW, almodifica gruppo deide, e 5&#39;-aminomodified immobilizzazione della sonda di DNA. Ad ogni fase di modifica, il dispositivo può rilevare direttamente la variazione della carica del gruppo funzionale immobilizzato sulla superficie SNW, perché le cariche superficiali causano variazioni potenziali interfacciali locali oltre il dielettrico di gate che alterano la corrente del canale e conduttanza 1. Spese che circondano la superficie SNW può modulare elettricamente le proprietà elettriche del dispositivo pSNWFET; Pertanto, le proprietà superficiali del SNW giocano un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche dei dispositivi pSNWFET. Nelle procedure riportate, l&#39;immobilizzazione di un Bioprobe sulla superficie SNW può essere determinata direttamente e confermata attraverso la misurazione elettrica, e il dispositivo è predisposto per applicazioni biosensori.

<table><tbody><tr><td>Acetone</td><td>ECHO</td><td>AH-3102</td><td></td></tr><tr><td>(3-Amonopropil)trietossisilano (APTES), &ge; 98%</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>A3648</td><td>Pericolo</td></tr><tr><td>Etanolo, anidro, 99,5%</td><td>ECHO</td><td>484000203108A-72EC</td><td></td></tr><tr><td>Soluzione di glutaraldeide (GA), 50%</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>G7651</td><td>Evitare la luce</td></tr><tr><td>cianoboroidruro di sodio, &ge; 95,0%&nbsp;</td><td>Fluka</td><td>71435</td><td>Pericolo e deliquescente</td></tr><tr><td>Sodio fosfato tribasico dodecaidrato, &ge; 98%</td><td>Sigma</td><td>04277</td><td></td></tr><tr><td>Acido fosforico, &ge; 99,0%</td><td>Fluka</td><td>79622</td> Fotoresist <td>deliquescente</td></tr><tr><td>(iP3650)</td><td>Tokyo Ohka Kogyo Co., LTD</td><td>THMR-iP3650 HP</td><td></td></tr><tr><td>Oligonucleotidi sintetici, HPLC purificato</td><td>Tecnologia</td><td></td><td></td>Protech</tr><tr><td>Tris (idrossimetil)amminometano (Tris), &ge; 99.8%</td><td>USB</td><td>75825</td><td></td></tr><tr><td>Keithley 2636 System SourceMeter</td><td>Keithley</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SR830 DSP Lock-In Amplifier</td><td>Stanford Research Systems</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SR570 Preamplificatore di corrente a basso rumore</td><td>Stanford Research Systems</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Ni PXI</td><td>Express National Instruments</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

preparazione della silicon nanowire effetto di campo transistor per l&#39;industria chimica e biosensing applicazioni

Preparation of Silicon Nanowire Field-effect Transistor for Chemical and Biosensing Applications

La sorveglianza con biomarcatori è fondamentale per la diagnosi precoce, l'intervento rapido e la riduzione dell'incidenza delle malattie. In questo studio, descriviamo la preparazione di transistor ad effetto di campo con nanofili di silicio policristallino (pSNWFET) che fungono da dispositivi di biorilevamento per il rilevamento di biomarcatori. Viene presentato un protocollo per il rilevamento chimico e biomolecolare utilizzando pSNWFET. Il dispositivo pSNWFET ha dimostrato di essere un trasduttore promettente per applicazioni di biorilevamento in tempo reale, senza marcatura e ad altissima sensibilità. La conducibilità del canale sorgente/drain di un pSNWFET è sensibile ai cambiamenti nell'ambiente intorno alla sua superficie di nanofili di silicio (SNW). Pertanto, immobilizzando le sonde sulla superficie SNW, il pSNWFET può essere utilizzato per rilevare vari bersagli biologici che vanno dalle piccole molecole (dopamina) alle macromolecole (DNA e proteine). L'immobilizzazione di una biosonda sulla superficie SNW, che è una procedura in più fasi, è fondamentale per determinare la specificità del biosensore. È essenziale che ogni fase della procedura di immobilizzazione sia eseguita correttamente. Abbiamo verificato le modifiche superficiali osservando direttamente il cambiamento delle proprietà elettriche del pSNWFET dopo ogni fase di modifica. Inoltre, la spettroscopia fotoelettronica a raggi X è stata utilizzata per esaminare la composizione della superficie dopo ogni modifica. Infine, abbiamo dimostrato il rilevamento del DNA sul pSNWFET. Questo protocollo fornisce procedure dettagliate per la verifica dell'immobilizzazione della biosonda e la successiva applicazione del biorilevamento del DNA.

Vari SNWFETs sono stati segnalati per servire come trasduttori di biosensori (Tabella 1). SNWFETs Single-cristallini (sSNWFETs) e pSNWFETs mostrano proprietà elettriche comparabili come trasduttori in soluzione acquosa, ed entrambi sono stati segnalati per avere molte applicazioni biosensori. Una caratteristica vantaggiosa del dispositivo pSNWFET utilizzato in questo studio è la sua procedura semplice e di fabbricazione a basso costo. Figura 1a mostra le...

Descriviamo i passaggi chiave per il biorilevamento utilizzando transistor ad effetto di campo con nanofili di polisilicio, inclusa la preparazione del dispositivo e l'immobilizzazione e la conferma di una sonda molecolare del DNA sulla superficie del nanofilo, nonché le condizioni per il rilevamento del DNA.

Preparazione della Silicon Nanowire effetto di campo transistor per l&#39;industria chimica e biosensing Applicazioni

Surveillance using biomarkers is critical for the early detection, rapid intervention, and reduction in the incidence of diseases. In this study, we ...

L'obiettivo generale di questo protocollo è verificare l'immobilizzazione del bioprobe e il successivo biosensing del DNA su transistor a effetto di campo a nanofili di polisilicio. Questo metodo può contribuire a rispondere a domande importanti nel campo del rilevamento bioelettrico, come l'immobilizzazione del bioprobe e il rilevamento degli acidi nucleici. Il nostro dispositivo di biosensing è un transistor promettente per applicazioni di biosensing in tempo reale, senza intervento manuale e con elevata sensibilità.Le implicazioni di questi biosensori si estendono alla diagnosi clinica di malattie infettive emergenti, poiché possono rilevare in modo rapido, sensibile e accurato il bio-target specifico. Sebbene questo metodo possa fornire informazioni sul rilevamento di acidi nucleici, può essere applicato anche al rilevamento di altre molecole, come citochine, ormoni, proteine e virus. In generale, le persone nuove rispetto a questo metodo incontreranno difficoltà, poiché richiede una collaborazione interdisciplinare tra biologia e ingegneria elettrica.La preparazione del transistor a effetto di campo a nanofili di silicio policristallino è descritta nel protocollo testuale. Il

preparation-silicon-nanowire-field-effect-transistor-for-chemical

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Descriviamo la fabbricazione del dispositivo e il protocollo di misura per la base di nanotubi di biosensori ad alta frequenza di carbonio. La tecnica di rilevamento ad alta frequenza riduce la ionica (Debye) effetto fondamentale di screening e permette di nanotubi biosensore per essere utilizzato in soluzioni ad alta forza ionica dove biosensori elettronici convenzionali non riescono. La nostra tecnologia fornisce una piattaforma unica per il point-of-care (POC) biosensori elettronici operanti...

Fabbricazione di Nanotubi di carbonio ad alta frequenza Nanoelectronic biosensore per la rilevazione in alta forza ionica Solutions

Viene fornita una procedura dettagliata per il drogaggio superficiale delle interfacce in silicio. Il drogaggio superficiale ultra-superficiale è dimostrato dall'utilizzo di monostrati contenenti fosforo e da un rapido processo di ricottura. Il metodo può essere utilizzato per il drogaggio di superfici macroscopiche e di nanostrutture.

Monostrato Contatto doping di silicio superfici e nanofili Uso organofosforici Composti

Viene presentato un metodo per la crescita di nanotubi di carbonio allineati verticalmente a bassa temperatura e la successiva fabbricazione di strutture di test elettrici di interconnessione verticale utilizzando la fabbricazione di semiconduttori.

Fabbricazione di bassa temperatura Nanotubi di carbonio interconnessioni verticali Compatibile con la tecnologia Semiconductor

In questa carta, flusso dielettroforesi assistita è dimostrata per l'auto-assemblaggio di dispositivi nanofilo. La realizzazione di un transistor a effetto di campo nanowire silicio è indicata come un esempio.

Flusso-assistita dielettroforesi: Un metodo a basso costo per la realizzazione di dispositivi ad alte prestazioni soluzione-processable Nanowire

Qui, presentiamo un protocollo per controllare il numero di elemento portante nei solidi utilizzando l'elettrolita.

Controllo campo elettrico degli stati elettronici in nanodispositivi2 WS di elettrolita Gating

Presentiamo un metodo dettagliato per fabbricare una matrice di fototransistor Paola deformabile laterale per sensori di immagine curvo. La matrice di fototransistor con una forma di mesh a trama larga, che si compone di isole di silicio sottile ed estensibile in metallo interconnettori, fornisce flessibilità ed elasticità. L'analizzatore di parametro caratterizza la proprietà elettrica del fabbricato fototransistor.

Fabbricazione di sensore di immagine flessibile basato su Francesca laterale fototransistori

L'articolo mira a introdurre una procedura di fabbricazione standard e affidabile per lo sviluppo della futura basso nanoelettronica dimensionale.

Un metodo Standard e affidabile per fabbricare nanoelettronica bidimensionale

Abbiamo dimostrato che l'incisione della nano-architettura nei dispositivi intracorticali di microelettrodi può ridurre la risposta infiammatoria e ha il potenziale per migliorare le registrazioni elettrofisiologiche. I metodi descritti qui delineano un approccio per incidere le nano-architetture nella superficie di microelettrodi intracorticali in silicio a stilo non funzionali e funzionali.

Focalizzata la litografia del fascio ionico per esacire di nano-architetture nei microelettrodi

Questo protocollo descrive l'uso di nanofili di silicio per la biomodulazione ottica intracellulare delle cellule in un metodo semplice e facile da eseguire. La tecnica è altamente adattabile a diversi tipi di cellule e può essere utilizzata sia per applicazioni in vitro che in vivo.

Nanofili di silicio e stimolazione ottica per indagini sull'accoppiamento elettrico intra e intercellulare

Il presente protocollo dimostra lo sviluppo del biosensore EGGFET (Electrolyte-gated Graphene Field-Effect Transistor) e la sua applicazione nel rilevamento di immunoglobuline G (IgG) biomarcatori.

Sviluppo e funzionalizzazione di transistor ad effetto di campo in grafene elettrolitico-gated per il rilevamento di biomarcatori

Questo protocollo descrive la fabbricazione di un transistor a effetto di campo sensibile agli ioni (ISFET) basato su ossido di indio e stagno (ITO), che può essere costruito come sensore FET solution-gated (ad esempio, sensore di pH) utilizzando un processo breve e semplice (circa mezza giornata). Questo ITO-ISFET monopezzo può essere applicato anche al biorilevamento.

Fabbricazione di un transistor monopezzo a base di ossido di indio-stagno solution-gated che consente il biorilevamento sensibile

Impara a preparare transistor a effetto di campo con nanofili di silicio per biosensing ad alta sensibilità. Questo metodo consente il rilevamento in tempo reale di acidi nucleici e biomarcatori per applicazioni diagnostiche cliniche.

Preparazione della Silicon Nanowire effetto di campo transistor per l'industria chimica e biosensing Applicazioni

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