Crescita epitassiale di perovskite titanato di stronzio su Germanio via Atomic Layer Deposition

L'obiettivo generale di questa procedura è quello di far crescere ossidi di perovskite cristallina ad alta costante dielettrica in un processo scalabile per funzionare come gadossidi direttamente sul geranio, una futura piattaforma microelettronica. Questo metodo può rispondere a domande chiave nel campo della microelettronica, ovvero gli ossidi cristallini che si legano attraverso l'interfaccia producono film con densità di trappola e stati di interfaccia estremamente bassi? Il vantaggio principale di questa tecnica è che è facile da implementare in un ambiente di produzione e dovrebbe essere facilmente estendibile ad architetture di dispositivi tridimensionali.

Generalmente le persone nuove a questo metodo avranno difficoltà a causa della mancanza di minoranze nella gestione dei precursori e che hanno il tempo di cronometrare la sequenza per produrre passaggi per il loro particolare hardware nel reattore. Abbiamo avuto l'idea di questo metodo quando i collaboratori hanno raggruppato le perovskiti direttamente sul geranio utilizzando l'epitassia a fasci molecolari e abbiamo pensato di adattare il loro processo alla deposizione di strati atomici. La dimostrazione visiva di questo metodo è fondamentale perché la pulizia del campione, la fase di trasferimento e la tempistica devono essere modificate per altri sistemi, garantendo al contempo una superficie di crescita pulita e ricostruita.