Name: Sintesi di Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostructure Nanotrees (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-11-29T12:30:00.000+00:00
Duration: 6 min 50 s
Description: Scopri la sintesi di nanostrutture ad albero ZnO/CdSSe mediante deposizione chimica da vapore per applicazioni in energia solare e dispositivi optoelettronici. Questo metodo offre interfacce ben definite e trasferimento elettronico efficiente.

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Gli autori ringraziano Svilen Bobev per il suo aiuto con gli spettri XRD e K. Booksh per l&#39;assistenza con l&#39;apparecchiatura sputter coater.

1. Sintesi di Tree-come ZnO / CdSSe Nanostrutture <ol><li> Pretrattamento e oro rivestimento di substrati di zaffiro NOTA: Il film oro agisce come catalizzatore nella crescita dei nanofili di ZnO. <ol><li> Pulire le diapositive zaffiro (un-aereo, 10 × 10 × 1 mm) a 99,5% di etanolo con 5 minuti di ultrasuoni per preparare il substrato per Au sputtering. </li><li> Deposito a 10 nm (± 2 nm) pellicola -thick d&#39;oro sulle diapositive zaffiro con un dispositivo a induzione polverizzazione e bersaglio oro. </li></ol></li><li> Sintesi di nanofili di ZnO NOTA: Il passo sonicazione 1.2.2 risultati in ZnO omogenea e carbonio (ZnO / C) della miscela. Dopo la miscelazione, la miscela si trasforma in un colore grigio. Il passo compattazione 1.2.3 assicura che l&#39;aria presente nella miscela e la ZnO e carbonio sono in stretto contatto. Dopo CVD, una pellicola bianca di nanofili di ZnO deve essere depositato sul substrato, lato rivolto verso la barca. <ol><li> Mescolare 1 g di ZnO nanopolveri e Activcarbonio ated (frazione di massa di 50:50) in 10 ml di etanolo al 99,5% e mescolare bene con una spatola. </li><li> Sonicare la miscela in un bagno di acqua a 20 ° C per 30 minuti, e poi asciugare in un forno per ~ 5 ore a 80 ° C. </li><li> Mettere il composto ZnO / C in una barca allumina e compatta bene con una spatola. </li><li> Porre i vetrini zaffiro oro rivestite sulla sommità della barca allumina, con il lato rivestito in oro rivolto verso il basso. Posizionare la barca allumina nel centro del tubo di quarzo in un forno tubolare orizzontale. </li><li> Eliminare il tubo di quarzo per 1 ora con Ar ad un flusso di 40 sccm a temperatura ambiente (RT). Aumentare la temperatura da RT a 900 ° C ad una velocità di 80 ° C / min e mantenere costante la portata di argon. </li><li> Mantenere la temperatura a 900 ° C per 2 ore. Aprire il tubo di quarzo su entrambe le estremità rimuovendo le ingressi gas tappo di gomma e lasciar entrare aria nel tubo per fornire l&#39;ossigeno per la reazione. </li><li> Mantenere la temperatura di reazione a 900 ° C per 3 ore con il rutappi bBER rimossi. Raffreddare a RT ad una velocità di 10 ° C / min. </li><li> Prendere la barca e la slitta fuori dal forno. </li></ol></li><li> Deposizione di rami CdSSe su nanofili di ZnO NOTA: La barca allumina di CdS / SE è stato visualizzato al centro del tubo di quarzo. I nanofili di ZnO preparati sono stati rivolti verso l&#39;alto ed erano 10 cm valle dalla barca. Dopo questa seconda CVD, un arancio / pellicola gialla, che è la nanostruttura ZnO / CdSSe, deve essere depositato sul vetrino. <ol><li> Miscelare 0,5 g di CD e CdSe (CdS / Se) in polvere e (frazione di massa di 50:50) e mettere il composto in una barca di allumina. Compattare bene il composto. </li><li> Posizionare la barca di allumina di CdS / SE e il campione ZnO nanowire precedentemente preparato nel tubo di quarzo. </li><li> Spurgare il tubo con Ar ad un flusso di 40 sccm a temperatura ambiente per 1 ora. Aumentare la temperatura di reazione a 820 ° C ad una velocità di 80 ° C / min. Mantenere la temperatura a 820 ° C per 30 min. </li><li> Raffreddare a RTun tasso di 10 ° C / min. Prendere la barca e la slitta fuori dal forno. </li></ol></li><li> Sintesi dei campioni di controllo: ZnO e CdSSe nanofili <ol><li> Sintetizzare nanofili di ZnO come nella sezione 1.2 nelle stesse condizioni sperimentali. </li><li> Sintetizzare nanofili CdSSe come nella sezione 1.3, nelle stesse condizioni sperimentali, con la stessa quantità di CdS e la composizione CdSe, ma con un pulito, oro rivestite diapositiva zaffiro come substrato invece della diapositiva ZnO-depositato. </li></ol></li></ol> 2. morfologica e cristallografica Caratterizzazione <ol><li> Montare il campione sulla scena SEM con un morsetto e posizionare il campione nella camera a vuoto dello strumento SEM. Prendere immagini SEM in modalità ad alta risoluzione con una distanza di lavoro di 12,0 mm con una tensione di 3 kV e un ingrandimento tra 3,000X e 10.000X 11,12. </li><li> Dai dati EDS con lo stesso campione utilizzando il rivelatore di raggi X alla stessa distanza di lavoro di12.0 mm. Impostare lo strumento in modalità di analisi e regolare la tensione di 20 kV, causando una corrente di 20 a 40 μA 13. </li><li> Raccogliere XRD spettri su un diffrattometro a raggi X in polvere utilizzando filtrata Cu Kα radiazioni (λ = 1,5418 Å) 11,12. </li></ol> 3. PL Emission Spectroscopy e risolte nel tempo PL Lifetime Misure NOTA: spettri PL e il conteggio di singolo fotone tempo-correlato (TCSPC) misurazioni a RT sono state effettuate utilizzando un amplificato Ti: oscillatore zaffiro dopo generazione di seconda armonica (SHG), producendo un treno di 50 impulsi FSEC centrato alla lunghezza d&#39;onda di 400 nm e con una potenza di uscita di 1,76 mW 14. <ol><li> Fissare il campione in un portacampioni che posiziona la faccia campione fino alla laser e al rivelatore. Allineare il laser a concentrarsi sul campione. Misurare gli spettri di emissione PL dei campioni da 500 nm a lunghezze d&#39;onda di 900 nm usando uno spettrometro fibra. </li><li> Utilizzare un rivelatore di singolo fotone (avalanche fotodiodo o tubo fotografico) per misurare il tempo-risolta vite PL con un filtro di vetro di colore e un filtro passa-banda interferenze 500- o 650-nm. </li><li> Inserire ZnO, CdSSe, o ZnO / CdSSe scivola nel supporto del campione. Misurare i nanofili di ZnO puro con il filtro passa-banda da 500 nm e campioni CdSSe o ZnO / CdSSe con un filtro passa-banda da 650 nm. </li><li> Utilizzare un contatore di fotoni sola volta-correlata o di un oscilloscopio veloce per misurare i tempi di vita di fluorescenza di decadimento risolte nel tempo. </li></ol>

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<li>Li, Z., Nieto-Pescador, J., Carson, A. J., Blake, J. C., Gundlach, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Efficient+Z-scheme+charge+separation+in+novel+vertically+aligned+ZnO%2FCdSSe+nanotrees%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Efficient Z-scheme charge separation in novel vertically aligned ZnO/CdSSe nanotrees.</a> Nanotechnology. 27 (13), 135401(2016).</li>
</ol>

I dati e le cifre in questo articolo sono citati dalla letteratura nel campo delle nanotecnologie da Li et al. 17.

L&#39;allineamento verticale di nanofili ZnO (steli) è basato sulla crescita epitassiale sul substrato. Nanofili di ZnO crescono preferenzialmente lungo la &lt;0001&gt; direzione che corrisponde con la periodicità della un-piano di zaffiro 12. Pertanto, il tipo e la qualità del substrato sono molto importanti. Differenti spessori del rivestimento d&#39;oro sul substrato, da 5 nm a 20 nm, sono stati testati e ha mostrato alcuna differenza significativa nella crescita di nanofili di ZnO. La lunghezza dei nanofi...

ZnO è un semiconduttore II-VI con un band gap (BG) di 3,3 eV, una elevata mobilità elettronica, e 1,2 energia di legame grande eccitone. Si tratta di un materiale semiconduttore abbondante con una pletora di applicazioni attuali e futuri dispositivi ottici, celle solari e fotocatalisi. Tuttavia, ZnO è trasparente, che limita la sua applicazione nel campo spettrale visibile. Pertanto, materiali assorbenti la luce visibile, come i semiconduttori stretta gap 3, 4 molecole di colorante, e polimeri fotosensibili 5, sono spesso stati impiegati per sensibilizzare ZnO di assorbimento della luce visibile. CdS (BG 2.43 eV) e CdSe (BG 1,76 eV) sono comuni II-VI semiconduttori stretta gap e sono stati intensamente studiati. I parametri BG e reticolo della lega ternaria CdSSe possono essere regolate variando i rapporti molari dei componenti VI 6,7. nanocompositi ZnO / CdSSe sono stati segnalati per provocare photov efficienteconversione di energia oltaic 8,9. Combinando il percorso di trasporto degli elettroni efficiente di nanofili di ZnO allineati verticalmente verso un substrato con il migliorato assorbimento della luce visibile dei rami CdSSe portato a trasferimento di elettroni efficace tra lo stelo e rami 9,10. Così, abbiamo sintetizzato un nuovo ZnO / CdSSe nanostruttura ad albero, dove nanofili di ZnO allineati verticalmente sono decorate con rami CdSSe. Questo materiale composito può agire come un blocco di costruzione per nuovi dispositivi di conversione dell&#39;energia solare. Questo protocollo descrive come array di nanofili di ZnO sono coltivate su un substrato di zaffiro da una fase di deposizione di vapore chimico (CVD) da polveri di ZnO e C, seguendo una procedura che è stato precedentemente pubblicato 11. Dopo la crescita di nanofili di ZnO, una seconda fase di CVD è impiegato a crescere rami CdSSe sui nanofili di ZnO. Ci avvaliamo di raggi X diffrazione (XRD), microscopia elettronica a scansione (SEM), eX-ray spettroscopia a dispersione di energia (EDS) per misurare la strutture cristalline, la morfologia e la composizione delle nanotrees ZnO / CdSSe (NTS). Il meccanismo di trasferimento proprietà ottiche e carica vettore tra i rami e le staminali sono state studiate per fotoluminescenza spettroscopia (PL) e le misure di durata PL risolte nel tempo.

<table><tbody><tr><td>ZnO</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1314-13-2</td><td></td></tr><tr><td>Carbone Attivo</td><td>Alfa</td><td>231-153-3</td><td></td></tr><tr><td>CdSe</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-24-7</td><td></td></tr><tr><td>CdS</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-23-6</td><td></td></tr><tr><td>Zaffiro</td><td>MTI</td><td>2SP</td><td>a-plane, 10 &volte; 10 &volte; 1 mm</td></tr><tr><td>Fornace</td><td>Lindberg Blu M</td><td>SSP</td><td></td></tr><tr><td>Microscopio elettronico a scansione</td><td>Hitachi</td><td>S5700</td><td>assemblato con un rivelatore Oxford Inca X-act</td></tr><tr><td>diffrattometro a raggi X per polveri</td><td>Rigaku</td><td>MiniFlex</td><td>filtrato Cu K&alfa; (&lambda;=1.5418&nbsp; &Aring;)</td></tr><tr><td>Oscillatore Ti:zaffiro amplificato</td><td>Mante</td> coerente <td>Legend-Elite</td><td></td></tr><tr><td>Modulo di rilevamento a singolo fotone</td><td>ID Quantique</td><td>ID-100</td><td></td></tr><tr><td>Sputter coater</td><td>Cressington</td><td>308</td><td>assemblato con bersaglio d'oro</td></tr><tr><td>Spettrometro a sonda in fibra</td><td>Controllo fotonico</td><td>SPM-002</td><td></td></tr><tr><td>Filtro in vetro colorato</td><td>Thorlabs</td><td>FGB37-A - & Oslash; 25 mm BG40</td><td>AR rivestito: 350 - 700&nbsp; nm</td></tr><tr><td>Gas argon compresso</td><td>Keen</td><td>7440-37-1</td><td></td></tr></tbody></table>

sintesi di hierarchical zno / cdsse heterostructure nanotrees

Synthesis of Hierarchical ZnO/CdSSe Heterostructure Nanotrees

Una procedura di deposizione di vapore chimico in due fasi è qui impiegata per preparare ad albero gerarchico ZnO / CdSSe etero-nanostrutture. Le strutture sono costituite da rami CdSSe coltivati ​​su nanofili di ZnO che sono verticalmente allineate su un substrato di zaffiro trasparente. La morfologia è stata misurata mediante microscopia elettronica a scansione. La struttura cristallina è stata determinata mediante analisi ai raggi X diffrazione della polvere. Sia il ZnO gambo e rami CdSSe hanno una struttura cristallina prevalentemente wurtzite. Il rapporto molare tra S e Se nei rami CdSSe stata misurata mediante spettroscopia a raggi X a dispersione di energia. I rami CdSSe risultato in forte assorbimento della luce visibile. spettroscopia di fotoluminescenza (PL) ha mostrato che lo stelo e rami formano una eterogiunzione tipo II. misure a vita PL hanno mostrato una diminuzione della durata delle emissioni dagli alberi rispetto alle emissioni da ZnO singoli steli o rami CdSSe e indicare il trasferimento di carica veloce tra CdSSe e ZnO. il Verticamente allineato ZnO steli fornire una via diretta trasporto degli elettroni al substrato e di consentire una efficace separazione di carica dopo photoexcitation da luce visibile. La combinazione delle proprietà sopra menzionate rende ZnO / CdSSe nanotrees candidati promettenti per applicazioni in celle solari, fotocatalisi e dispositivi opto-elettronici.

La Figura 1 mostra il meccanismo di crescita di ZnO / CdSSe NT. La procedura coinvolto un processo catalitico di vapore-liquido-solido (VLS) seguito da un (VS) crescita non catalitico di vapore-solido. Nella prima fase VLS, ZnO e C reagiscono in atmosfera di Ar, con conseguente Zn metallico e ossido di carbonio. Zn viene successivamente disciolto in precursore oro sul substrato di zaffiro. nanofili di ZnO crescono dal Zn disciolto e ossigeno residuo. Nella seconda fase, ...

Qui, ci prepariamo e caratterizzare nuovi gerarchici nanostrutture di ZnO / CdSSe ad albero, in cui i rami CdSSe si coltivano su nanofili di ZnO allineati verticalmente. I nanotrees risultanti sono un materiale potenziale per la conversione dell&#39;energia solare e altri dispositivi opto-elettronici.

Sintesi di Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostructure Nanotrees

A two-step chemical vapor deposition procedure is here employed to prepare tree-like hierarchical ZnO/CdSSe hetero-nanostructures. The structures are ...

L'obiettivo generale di questo esperimento è sintetizzare una nanostruttura simile a un albero con steli di ossido di zinco e rami di solfoseleniuro di cadmio. E caratterizzarne la morfologia, la struttura cristallina e le proprietà ottiche. Questo metodo può contribuire a rispondere a domande fondamentali riguardo l'applicazione di materiali nanocompositi in ambiti ottici ed elettro-ottici.Il vantaggio principale di questa tecnica è che la deposizione da vapore chimico è un metodo semplice ed economico per produrre nanostrutture di tipo arboreo con interfacce ben definite. I rami di solfoseleniuro di cadmio assorbono la luce visibile e formano una eterogiunzione di tipo-II con un fusto di ossido di zinco. L'eterogiunzione favorisce un efficiente trasferimento elettrico dai rami al fusto.Le proprietà ottiche indicano che gli alberi nanostrutturati sono materiali promettenti per applicazioni che traggono vantaggio da un meccanismo di trasferimento di carica di tipo z-scheme, come celle solari e altri dispositivi optoelettronici. Sebbene questo metodo possa fornire informazioni sugli alberi nanostrutturati di ossido di zinco e solfoseleniuro di cadmio, può essere applicato anche ad altri sistemi, come nanofili, nanotubi, nanobot e così via. In generale, le persone nuove rispetto a questa tecnica incontreranno difficoltà poiché ciascun parametro, come emulsionificazione, temperatura e fluoruro, influenzerà la morfologia degli alberi nanostrutturati.Per prima cosa, pulire un vetrino di zaffiro mediante sonificazione in etanolo al 99,5% per cinque minuti. Successivamente, utilizzando un sputter coater, depositare un film sottile d'oro dello spessore di 10 nanometri sul vetrino. Poi, agitare un grammo di una miscela uno a uno in massa di nanopolvere di ossido di zinco e carbonio attivo in 10 millilitri di etanolo al 99,5%.Sonicare la miscela in un bagno d'acqua a 20 gradi Celsius per 30 minuti. Questo passaggio garantisce che non sia presente aria nella miscela e che l'ossido di zinco e il carbonio siano a stretto contatto.Asciugare la miscela sonificata a 80 gradi Celsius per cinque ore. Successivamente, collocare la miscela secca in una barca da combustione in allumina e compattarla con una spatola per escludere l'aria dalla miscela. Posizionare un vetrino rivestito d'oro sulla parte superiore della barca da combustione, con il lato dorato rivolto verso il basso.Posizionare la barca al centro del tubo in quarzo di un forno tubolare orizzontale. Impostare quindi i parametri di riscaldamento e raffreddamento sul forno. Spurgare il tubo con gas argon a una portata di 40 centimetri cubi standard al minuto a temperatura ambiente per un'ora.Quindi aumentare la temperatura da quella ambiente a 900 gradi Celsius a una velocità di 80 gradi Celsius al minuto e mantenere tale temperatura per due ore. Successivamente, aprire il tubo all'aria da entrambe le estremità per fornire ossigeno alla reazione. Continuare a riscaldare il campione a 900 gradi Celsius con il tubo aperto all'aria per tre ore.Raffreddare il forno fino alla temperatura ambiente a 10 gradi Celsius al minuto e rimuovere la barca e il vetrino. Il film bianco sul vetrino è costituito dai nanofili di ossido di zinco. Successivamente, mescolare accuratamente 0,25 grammi ciascuno di polvere di solfuro di cadmio e seleniuro di cadmio e collocare la miscela in un'altra barca da combustione in allumina.Compattare bene la miscela. Posizionare il vetrino rivestito con nanofili di ossido di zinco a circa 10 centimetri a valle rispetto alla barca. Posizionare la barca al centro del tubo di quarzo del forno.Sulla lamella, assicurarsi che i nanofili di ossido di zinco siano rivolti verso l'alto. Impostare nuovamente i parametri sul forno. Spurgare il tubo di quarzo del forno con gas argon a 40 centimetri cubici standard al minuto a temperatura ambiente per un'ora.Riscaldare quindi il forno a 820 gradi Celsius a una velocità di 80 gradi Celsius al minuto e mantenere la temperatura a 820 gradi per 30 minuti. Una temperatura diversa porterà a una composizione e una morfologia differenti. Successivamente, raffreddare il forno fino alla temperatura ambiente a una velocità di 10 gradi Celsius al minuto ed estrarre la barca e la lamella dal forno.Le nanotree di ossido di zinco e solfoseleniuro di cadmio si ottengono come un film arancione-giallo sul vetrino. Preparare campioni di controllo di nanofili di ossido di zinco e solfoseleniuro di cadmio su vetrini di zaffiro puliti e rivestiti con oro utilizzando le stesse procedure. Caratterizzare le nanostrutture mediante microscopia elettronica a scansione, diffrazione a raggi X su polvere e spettroscopia dispersiva di energia a raggi X.Ottenere spettri di emissione di fotoluminescenza e misurare i tempi di decadimento della fotoluminescenza e della fluorescenza. Nanofili di solfoseleniuro di cadmio sono stati cresciuti mediante deposizione chimica da vapore su nanofili di ossido di zinco per formare nanostrutture di tipo arboreo. I fusti sono stati ricoperti con solfoseleniuro di cadmio.Gli alberi nanostrutturati hanno mostrato picchi di diffrazione a raggi X caratteristici sia dei nanofili di ossido di zinco puri sia dei nanofili di solfoseleniuro di cadmio puro. Un picco aggiuntivo osservato nello spettro XRD è attribuito a una fase diversa di solfoseleniuro di cadmio che si forma su difetti puntuiformi del fusto in ossido di zinco, innescando la crescita dei rami. Il rapporto percentuale molare tra zolfo e selenio nei rami è stato determinato mediante EDS e XRD ed è pari a circa 54 a 46.Il rapporto molare influenza il band gap dei rami ed è possibile regolarlo modificando la temperatura di crescita dei rami. Il tempo di vita della fotoluminescenza dei nanialberi era inferiore rispetto ai tempi di vita dei nanofili di ossido di zinco e solfoseleniuro di cadmio. Questo suggerisce che un rapido trasferimento elettronico avviene attraverso l'interfaccia della nanostruttura, fornendo un percorso alternativo di rilassamento.Una volta padroneggiata, questa tecnica può essere eseguita in otto ore se effettuata correttamente. Sei ore per la preparazione dell'ossido di zinco e due ore per la crescita del solfoseleniuro di cadmio. E non dimenticare che lavorare con zolfo di cadmio e seleniuro di cadmio può essere estremamente pericoloso.E devono sempre essere adottate precauzioni come indossare guanti, camice da laboratorio e scarpe chiuse durante l'esecuzione di questa procedura.

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Una strategia generale per lo sviluppo della carica di separazione nanocristalli semiconduttori compositi dispiegabili per la produzione di energia solare è presentato. Abbiamo dimostrato che il montaggio di donatore-accettore domini nanocristalli in una geometria singola nanoparticella dà luogo ad una funzione fotocatalitica, mentre bulk eterogiunzioni di donatore-accettore nanocristalli film può essere utilizzato per la conversione di energia fotovoltaica.

Raccolta di energia solare per mezzo di separatori di carica-nanocristalli e loro Solidi

Riportiamo un metodo semplice per la realizzazione di una vasta gamma di densità altissima di ordine verticale nanofili organici piccolo-molecolari. Questo metodo consente la sintesi di complessi heterostructured geometrie nanofili ibridi, che possono essere coltivate su substrati a buon arbitrari. Queste strutture hanno potenziali applicazioni in elettronica organica, optoelettronica, sensori chimici, fotovoltaico e spintronica.

Altissima densità Array of allineato verticalmente Nanofili organici piccola molecolari su substrati arbitrarie

Viene presentato un protocollo per la sintesi seminata di nanostrutture multicomponenti a forma di bastoncino e tetrapode costituite da CdS e CdSe.

Sintesi seminata di nanocristalli di CdSe/CdS Rod e tetrapodi

Varie procedure sono descritte per preparare modelli atomicamente definiti per la crescita epitassiale di film sottili di ossidi complessi. Trattamenti chimici unici SrTiO cristallina 3 (001) e DyScO 3 (110) substrati sono stati eseguiti per ottenere atomicamente lisce superfici singole terminati. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanosheets sono stati usati per creare modelli atomicamente definiti su substrati arbitrari.

Modelli atomicamente definiti per epitassiale crescita di ossido Complex Thin Films

Abbiamo offerto un metodo per sintetizzare direttamente un film sottile di ZnO ad alto asse c (0002) mediante deposizione chimica da vapore potenziata al plasma. Il film sottile di ZnO sintetizzato combinato con l'elettrodo interdigitato Pt è stato utilizzato come strato di rilevamento per fotorivelatori ultravioletti, mostrando prestazioni elevate grazie a una combinazione di buona reattività e affidabilità.

Sintesi e caratterizzazione di alta c-asse ZnO film sottile da potenziato a plasma Chemical Vapor Deposition del sistema e la sua applicazione Rilevatori UV

Metodo di fabbricazione di uno stadio per l'ottenimento autoportante epitassiale doppio eterostruttura è presentato. Questo approccio potrebbe raggiungere una copertura ZnO con una densità numero maggiore di quella del singolo epitassiale eterostruttura, portando ad un nanogeneratore piezoelettrico con una prestazione elettrica maggiore produzione.

Preparazione di ZnO Nanorod / grafene / ZnO Nanorod epitassiale Doppia Heterostructure per piezoelettrico nanogeneratore utilizzando preriscaldamento Idrotermale

Questo manoscritto descrive come progettare e fabbricare efficiente SMPV1:PC invertito71BM celle solari con nanorod di ZnO (NRs) coltivato su uno strato di seme di alta qualità Al-drogati ZnO (AZO). Ben allineati verticalmente orientato ZnO NRs espositivo elevate proprietà cristallina. L'efficienza di conversione di potenza delle celle solari possa raggiungere 6,01%.

Ben allineati verticalmente orientato ZnO Nanorod matrici e la loro applicazione in invertito piccola molecola solare celle

Raggiungimento dei contatti Schottky di alta qualità è di importanza fondamentale per il raggiungimento di modulazione efficiente porta a eterostruttura transistor ad effetto di campo (HFET). Vi presentiamo la metodologia di fabbricazione e le caratteristiche dei diodi Schottky su Zn-polar BeMgZnO/ZnO eterostrutture con gas ad alta densità di elettrone dimensionale due (2DEG), cresciute di epitassia da fasci molecolari assistita da plasma su modelli di GaN.

Fabbricazione di diodi Schottky su Zn-polar eterostruttura BeMgZnO/ZnO cresciuto di epitassia da fasci molecolari assistita da Plasma

I calcoli eseguiti dal pacchetto di simulazione initio di Vienna Ab possono essere utilizzati per identificare le proprietà elettroniche intrinseche dei materiali su nanoscala e prevedere i potenziali fotocatalizzatori di scissione dell'acqua.

Allineamento banda di tipo iI della sonda nelle eterostrutture one-dimensionali Van Der Waals utilizzando i calcoli dei primi principi

Viene presentata una tecnica di sintesi per preparare lo ZnCoS/ZnCdS sensibile alla luce visibile con fotocatalizzatore a doppia struttura cristallina e la tecnica di test della reazione fotoredox della sua attività fotocatalitica e selettività nell'evoluzione dell'H2 e nella produzione di benzaldeide.

Sintesi e valutazioni delle prestazioni di ZnCoS/ZnCdS con struttura a cristalli gemelli per fotocatalisi redox multifunzionale in applicazioni energetiche

Scopri la sintesi di nanostrutture ad albero ZnO/CdSSe mediante deposizione chimica da vapore per applicazioni in energia solare e dispositivi optoelettronici. Questo metodo offre interfacce ben definite e trasferimento elettronico efficiente.

Sintesi di Hierarchical ZnO / CdSSe Heterostructure Nanotrees

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