Name: Una fabbricazione e un metodo di misurazione per un elemento ferroelettrico flessibile basato su eteroepitassia di Van Der Waals (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-04-08T14:00:00.000+00:00
Duration: 10 min 40 s
Description: Scopri la fabbricazione di elementi ferroelettrici flessibili basati su eteroepitassia di Van Der Waals usando PZT su mica muscovite. Questo metodo consente lo sviluppo di dispositivi elettronici flessibili ad alte prestazioni.

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Questo lavoro è stato supportato dalla Fondazione nazionale di scienze naturali della Cina (Grant nn. 11402221 e 11502224), la simulazione di stato chiave laboratorio di intensa pulsata radiazione ed effetto (SKLIPR1513) e Hunan provinciale chiave ricerca e piano di sviluppo (n. 2016 WK 2014).

1. fabbricazione flessibile PZT film sottili
<ol><li>Tagliare un substrato di mica di 1 x 1 cm da un foglio di mica con le forbici.</li>
	<li>Difficoltà questo substrato di mica di 1 x 1 cm su una scrivania utilizzando il nastro biadesivo.</li>
	<li>Utilizzare una pinzetta per peel-off il mica--strati fino allo spessore desiderato (50 µm), misurato con un micrometro.</li>
	<li>Incolla questo appena spaccati substrati di mica su un supporto di substrato 5 ' utilizzando un sottile strato di vernice argento e curarla a 120 ° C su una piastra calda per 10 minuti ad apporre mica su substrato saldamente.</li>
	<li>Mettere il titolare substrato PLD (Pulsed Laser Deposition) nella camera di PLD.</li>
	<li>Selezionare il tasso di ripetizione (ad es., 10 Hz) ed energia (ad esempio, 300 mJ) del laser.</li>
	<li>Spostare la lente di focalizzazione alla posizione impostata.</li>
	<li>Aprire l'otturatore e depositare un 5 nm CoFe2O4 (CFO) [energia del Laser: 300 mJ, pressione dell'ossigeno: 50 mTorr, temperatura del campione: 590 ° C, tempo di deposizione: 5 min] film sottile come uno strato cuscinetto innescando il laser (Figura 1).</li>
	<li>Depositare un 20-80 nm SrRuO3 (SRO) [energia del Laser: 300 mJ, pressione dell'ossigeno: 100 mTorr, temperatura del campione: 680 ° C, tempo di deposizione: 10-30 min] sul livello di buffer CFO come l'elettrodo inferiore per prove successive prestazioni elettriche innescando il (laser Figura 1).</li>
	<li>Deposito a circa 150 nm PZT [energia del Laser: 300 mJ, pressione dell'ossigeno: 100 mTorr, temperatura del campione: 650 ° C, tempo di deposizione: 60 min] sottile pellicola nella parte superiore dell'elettrodo inferiore di SRO innescando il laser (Figura 1).</li>
	<li>Sfiatare la camera usando N2 e rimuovere il campione PZT/mica (Figura 2) quando la temperatura raggiunge la temperatura ambiente.</li>
	<li>Porre il campione su un pezzo di vetro.</li>
	<li>Mettere una mesh predefinita con 200 micron di diametro sulla parte superiore del campione. Fissare bene la mesh e mettere maglia-campione nella camera di sputtering.</li>
	<li>Uso DC sputtering (10 mA, 8 mbar, 6 min) a depositare Pt superiori elettrodi sulla pellicola. Rimuovere il campione dopo il sputtering.</li>
	<li>Utilizzare un coltello o 20% acido HF per rimuovere una sezione PZT di 1 x 1 mm. Si tratta di svelare l'elettrodo di SRO di fondo e formare tanti piccoli condensatori ferroelettrici flessibile. Nota: Crescere SRO come l'elettrodo inferiore e poi depositare Pt sopra gli elettrodi sui film da DC sputtering per formare molti piccoli condensatori per misurare le proprietà elettroniche dei film sottili PZT, che è illustrato nella Figura 3.</li>
	<li>Dipingere un cappotto d'argento conduttivo su OAD esposta per aumentare la conduttività elettrica dell'elettrodo inferiore SRO. Garantire che l'argento conduttivo può contattare l'OAD esposta.</li>
</ol>2. ferroelettrici caratterizzazione
<ol><li>Prova di flessione<ol>
<li>Sul retro del campione flessibile, incollare un pezzo di carta con le stesse dimensioni come il campione per un facile trasferimento del campione da uno stadio a altro.</li>
		<li>Posto il PZT/mica su consiglio di prova dell'analizzatore di dispositivo a semiconduttore e del sistema di test ferroelettrici.</li>
		<li>Mettere una sonda di misura dell'analizzatore di dispositivo a semiconduttore e sistema ferroelettrici prova sull'elettrodo superiore Pt e l'altra sonda di misurazione sullo strato di argento-SRO per ottenere i cicli di isteresi di campo di polarizzazione-elettrico (P-E) e curve di capacità elettrica campo (C-E) mentre il campione è raddrizzato.<ol>
<li>Misurare i cicli di isteresi di P-E con le due sonde ad una frequenza di 2 kHz e alle 4 curve V. misura il C-E con le due sonde ad una frequenza di 1 MHz e a 4 V. Rimuovi il campione raddrizzato.</li>
		</ol>
</li>
		<li>Fissare il flessibile film sottile PZT/mica sullo stampo desiderato utilizzando il nastro biadesivo. Prestare attenzione per evitare lo scivolamento/scorrimento di mica durante la misurazione.</li>
		<li>Montarlo sulla scheda prova dell'analizzatore di dispositivo ferroelettrici test di sistema e dei semiconduttori.</li>
		<li>Mettere una sonda sull'elettrodo superiore Pt mentre l'altra sonda tocca l'elettrodo di SRO di fondo attraverso l'argento rivestimento simile alla configurazione utilizzata in precedenza (punto 2.1.3).</li>
		<li>Misurare la P-E cicli di isteresi e curve C-E in varie trazione e compressione (Figura 4) raggi di curvatura.<ol>
<li>Misurare i cicli di isteresi di P-E con le due sonde ad una frequenza di 2 kHz e alle 4 curve di misura V. il C-E con le due sonde ad una frequenza di 1 MHz e a 4 V.</li>
		</ol>
</li>
		<li>Rimuovere il campione PZT flessibile quando le misurazioni P-E e C-E sono state completate.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Stabilità termica<ol>
<li>Mettere la PZT/mica sulla scheda di prova dell'analizzatore di dispositivo a semiconduttore e del sistema di test ferroelettrici.</li>
		<li>Inserire una sonda di misura sull'elettrodo superiore Pt e l'altra sonda di misurazione sullo strato di argento-SRO.</li>
		<li>Aprire il sistema di controllo di temperatura per riscaldare il campione.</li>
		<li>Condurre le misurazioni P-E e C-E a diverse temperature (25 ° C, 50 ° C, 75 ° C, 100 ° C, 125 ° C, 150 ° C, 175 ° C).</li>
		<li>Spegnere il gruppo riscaldatore dopo le misurazioni sono fatto.</li>
	</ol>
</li>
	<li>Prove di flessione ciclabilità<ol>
<li>Montare il flessibile PZT/mica nelle due scanalature di questa configurazione.</li>
		<li>Fissare un'estremità del campione mentre è piegato da altra estremità con l'aiuto di un motore.</li>
		<li>Usare un righello per misurare la lunghezza PZT/mica insieme con la direzione del movimento (flessione) del motore prima del 8 mm piegatura processo (Figura 5).</li>
		<li>Calcolare la lunghezza del movimento C per piegare il campione 5 mm secondo la formula: C=L-2Rsin(L/2R), dove L è la lunghezza di PZT/mica stato raddrizzato, R è il raggio di curvatura, e C è la lunghezza del movimento del motore.</li>
		<li>Impostare il numero di cicli (1000) di piegatura nel computer (Figura 6).</li>
		<li>Fare clic sul pulsante Start (Figura 6) per avviare il movimento del motore avanti e indietro.</li>
		<li>Rimuovere l'esempio e misurare la P-E per verificare se le proprietà ferroelettriche vengono mantenute.</li>
	</ol>
</li>
</ol>

<ol><li>Kim, W. Y., Lee, H. C. <a target="_blank" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/6112789/">Stable ferroelectric poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) film for flexible nonvolatile memory application.</a> IEEE Electron Device Letters. 33 (2), 260-262 (2012).</li>
<li>Mao, D., Quevedo-Lopez, M. A., Stiegler, H., Gnade, B. E., Alshareef, H. N. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119910000650">Optimization of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) films as non-volatile memory for flexible electronics.</a> Organic Electronics. 11 (5), 925-932 (2010).</li>
<li>Lee, G. G., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.3608145">The flexible non-volatile memory devices using oxide semiconductors and ferroelectric polymer poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene).</a> Applied Physics Letters. 99 (1), 012901-012903 (2011).</li>
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<li>Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fabrication+of+Flexible%2C+All-Reduced+graphene+oxide+non-volatile+memory+devices%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Fabrication of Flexible, All-Reduced graphene oxide non-volatile memory devices.</a> Advanced Materials. 25 (2), 233-238 (2013).</li>
<li>Ji, Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Stable+switching+characteristics+of+organic+nonvolatile+memory+on+a+bent+flexible+substrate%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Stable switching characteristics of organic nonvolatile memory on a bent flexible substrate.</a> Advanced Materials. 22 (28), 3071-3075 (2010).</li>
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<li>Ghoneim, M. T., Hussain, M. M. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4927913">Study of harsh environment operation of flexible ferroelectric memory integrated with PZT and silicon fabric.</a> Applied. Physics. Letters. 107 (5), 052904-052908 (2015).</li>
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<li>Bretos, I., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Activated+Solutions+Enabling+Low-Temperature+processing+of+functional+ferroelectric+oxides+for+flexible+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">Activated Solutions Enabling Low-Temperature processing of functional ferroelectric oxides for flexible electronics.</a> Advanced Materials. 26 (9), 1405-1409 (2014).</li>
<li>Tsagarakis, E. D., Lew, C., Thompson, M. O., Giannelis, E. P. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.2387964">Nanocrystalline barium titanate films on flexible plastic substrates via pulsed laser annealing.</a> Applied Physics Letters. 89 (20), 202910-202912 (2006).</li>
<li>Bakaul, S. R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High+speed+epitaxial+perovskite+memory+on+flexible+substrates%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Materials%22%5BJournal%5D)">High speed epitaxial perovskite memory on flexible substrates.</a> Advanced Materials. 29 (11), 1605699-1605703 (2017).</li>
<li>Li, C. I., et al. <a target="_blank" href="https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.chemmater.6b01180">Van der Waal epitaxy of flexible and transparent VO2 film on muscovite.</a> Chemistry of Materials. 28 (11), 3914-3919 (2016).</li>
<li>Ma, C. H., et al. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4954172">Van der Waals epitaxy of functional MoO2 film on mica for flexible electronics.</a> Applied Physics Letters. 108 (25), 253104-253108 (2016).</li>
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<li>Wu, P. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Heteroepitaxy+of+Fe3O4%2Fmuscovite%3A+A+new+perspective+for+flexible+spintronics%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+%26+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Heteroepitaxy of Fe3O4/muscovite: A new perspective for flexible spintronics.</a> ACS Applied Materials & Interfaces. 8 (49), 33794-33801 (2016).</li>
<li>Jiang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flexible+ferroelectric+element+based+on+van+der+Waals+heteroepitaxy%5BTitle%5D)+AND+%22Science+Advances%22%5BJournal%5D)">Flexible ferroelectric element based on van der Waals heteroepitaxy.</a> Science Advances. 3 (6), e1700121-e1700128 (2017).</li>
<li>Amrillah, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flexible+multiferroic+bulk+heterojunction+with+giant+magnetoelectric+coupling+via+van+der+waals+epitaxy%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Flexible multiferroic bulk heterojunction with giant magnetoelectric coupling via van der waals epitaxy.</a> ACS Nano. 11 (6), 6122-6130 (2017).</li>
<li>Bitla, Y., Chu, Y. H. <a target="_blank" href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2452262717300673">MICAtronics: A new platform for ﬂexible X-tronics.</a> Flat Chem. 3, 26-42 (2017).</li>
<li>Chu, Y. H. <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/s41535-017-0069-9">Van der Waals oxide heteroepitaxy.</a> Quantum Materials. 2 (1), 67-71 (2017).</li>
</ol>

Gli autori non hanno nessun concorrenti interessi finanziari di divulgare.

Il passo chiave nella fabbricazione di elementi ferroelettrici risiede nell'uso di una superficie di substrato pulito e persino/piatto. Anche se appena fenduti mica superficie è atomicamente liscia, è necessario prestare attenzione ad evitare che le superfici sofferenza visibile scheggiarsi, split strati, cricche, inclusioni, ecc dopo la deposizione dello strato PZT, il campione è stato raffreddato sotto un pressione di ossigeno ad alta (200-500 Torr) per ridurre i posti vacanti di ossigeno. Ex situ ele...

Il successo produzione di elementi di memoria non volatile flessibile (NVME) svolge un ruolo chiave nello sfruttare il pieno potenziale di elettronica flessibile. NVME deve dispongono di peso leggero, basso costo, basso consumo consumo, velocità e capacità di storage ad alta densità oltre alla memorizzazione dei dati, elaborazione dell'informazione e della comunicazione. Pb perovskite (Zr, Ti) O3 (PZT) agisce come un sistema popolare per tali applicazioni, considerando la sua grande polarizzazione, veloce polarizzazione switching, alta temperatura di Curie, basso campo coercitivo e alto coefficente piezoelettrico. Nelle memorie non volatili ferroelettriche, un impulso di tensione esterna può passare le polarizzazioni di due residuo tra due direzioni stabili, rappresentate da '0' e '1'. È non volatile, e il processo di lettura/scrittura può essere completato in nanosecondi. NVME basato su organico1,2,3,4,5,6 e inorganici7,8,9,10 ,11,12,13,14,15 materiali ferroelettrici sono state tentate su substrati flessibili. Tuttavia, tale integrazione è limitata dalla non solo incapacità dei substrati di crescita ad alta temperatura, ma anche le prestazioni del dispositivo degradati, dispersione di corrente e corto circuito elettrico grazie alle loro superfici più ruvide. Nonostante risultati promettenti, si alternano come l'assottigliamento del substrato8 strategie e il trasferimento di strato epitassiale su un substrato flessibile15 soffrire limitata redditività in considerazione il sofisticato processo multifasico, il imprevedibilità del trasferimento e la limitata applicabilità.
Per tali ragioni è fondamentale per esplorare un substrato appropriato che è in grado di superare la limitata stabilità termica e operativa di substrati morbidi per avanzare ulteriormente elettronica flessibile. Una mica muscovite naturale (KAl2(AlSi3O10) (OH)2) substrato con caratteristiche uniche come atomicamente lisciare superfici, elevata stabilità termica, inerzia chimica, elevata trasparenza, flessibilità meccanica, e compatibilità con i metodi attuali di fabbricazione può essere utilizzato per affrontare efficacemente questi problemi. Più così, la struttura a strati bidimensionale di mica monoclino supporta epitassia di van der Waals, che mitiga la grata e termico corrispondenti condizioni, quindi significativamente sopprimere il substrato effetto di bloccaggio. Questi vantaggi sono stati sfruttati nella crescita diretta di ossidi funzionali16,17,18,19,20,21,22, 23 il moscovita recentemente, in vista di applicazioni dispositivo flessibile.
Qui, descriviamo un protocollo per crescere direttamente epitassiale film sottili di piombo ma flessibile zirconio titanato (PZT) su mica muscovite. Ciò è ottenuto attraverso un processo di deposizione laser pulsato basandosi sulle proprietà versatili di mica, con conseguente eteroepitassia di van der Waals. Tali strutture fabbricate conservano tutte le proprietà superiori di PZT epitassiali su substrati cristallini singoli rigidi ed esibisce eccellente stabilità termica e meccanica. Questo approccio semplice ed affidabile fornisce un vantaggio tecnologico rispetto multistep-trasferimento e substrato assottigliamento strategie e facilita lo sviluppo di elementi molto atteso flessibile ma single-cristallina memoria non-volatile dei prerequisiti per dispositivi intelligenti di nuova generazione ad alte prestazioni.

<table><tbody><tr><td>Equipment</td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>hot plate</td><td>Polish</td><td>P-20</td><td></td></tr><tr><td>PLD system</td><td>PVD products</td><td>PLD 5000</td><td></td></tr><tr><td>Sistema di test ferroelettrico&nbsp;</td><td>Radiant Technologies Postazioni di lavoro di precisione&nbsp;</td><td>RT66A</td><td></td></tr><tr><td>Analizzatore di dispositivi a semiconduttore&nbsp;</td><td>Agilent&nbsp;</td><td>B1500A</td><td></td></tr><tr><td>Stampi di piegatura</td> fatti <td>in casa</td><td></td><td>Materiale di teflon lavorato</td></tr> a <tr>macchina<td>Fase di piegatura</td><td>Configurazione interfacciata Labview costruita in casa che fornisce un displacemnt di precisione fino a 1 micrometro</td><td></td> Sistema di sputtering Pechino <td></td></tr><tr><td></td><td> Elaborato</td><td>ETD-3000</td><td></td></tr><tr><td><forte>Materiali</forte></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>mica (001) fogli</td><td>Nilaco corporation&nbsp;</td><td></td><td></td>990066</tr><tr><td>vernice conduttiva argento</td><td>Ted Pella, INC</td><td>No.16033</td><td></td></tr><tr><td>CoFe2O4 bersaglio</td><td>Kurt J.Lesker</td><td></td><td></td></tr><tr><td>SrRuO3 bersaglio</td><td>Kurt J.Lesker</td><td></td><td></td></tr><tr><td>PbZr0.2Ti0.8O3 target</td><td>Kurt J.Lesker</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Pt bersaglio</td><td>Hefei Ke jing</td><td></td><td></td></tr></tbody></table>

una fabbricazione e un metodo di misurazione per un elemento ferroelettrico flessibile basato su eteroepitassia di van der waals

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy

Memorie non-volatili flessibile hanno ricevuto molta attenzione in quanto sono applicabili per dispositivo elettronico intelligente in futuro, basandosi sulla memorizzazione dei dati ad alta densità e funzionalità a basso consumo energetico. Tuttavia, la memoria non volatile di ossido di alta qualità basato su substrati flessibili spesso è limitata dalla caratteristiche del materiale e del processo di fabbricazione ad alta temperatura inevitabile. In questa carta, un protocollo è proposto a crescere direttamente un epitassiale ma flessibile piombo zirconio titanato memoria elemento su mica muscovite. Il metodo di misura e tecnica di deposizione versatili permettono la fabbricazione di elementi di memoria non-volatile flessibile ma single-cristallino necessari per la prossima generazione di dispositivi intelligenti.

Film sottili epitassiali PZT/SRO/CFO/mica sono stati depositati con la tecnica di deposizione laser pulsato come indicato nel passaggio 1. La figura 1 Mostra lo schema di crescita e la figura 2 Mostra un effettivo elemento NVM flessibile basato sul PZT.

Stabilità meccanica è un aspetto cruciale dell'applicazione dispositivo flessibile. Le prestazioni ferroelettr...

In questa carta, presentiamo un protocollo a crescere direttamente un epitassiale ancora elemento di memoria titanato di piombo flessibile zirconio su mica muscovite.

Una fabbricazione e un metodo di misurazione per un elemento ferroelettrico flessibile basato su eteroepitassia di Van Der Waals

Flexible non-volatile memories have received much attention as they are applicable for portable smart electronic device in the future, relying on ...

Un metodo di fabbricazione e misurazione per elementi ferroelettrici flessibili basato sull'eteroepitassia di van der Waals.Introduzione. Fabbricazione di film sottili flessibili PZT. Taglia un substrato di mica di un centimetro per un centimetro da un foglio di mica con le forbici.Fissa questo substrato di mica di un centimetro per un centimetro su una scrivania, usando del nastro biadesivo. Con le pinzette staccare la mica, strato per strato, fino allo spessore desiderato, misurato con un micrometro. Incollare questo substrato di mica appena tagliato su un supporto per substrato da cinque pollici, utilizzando un sottile strato di vernice d'argento, e polimerizzarlo a 120 gradi centigradi su una piastra calda per 10 minuti per fissare saldamente la mica su un substrato.Inserire il supporto del substrato PLD nella camera PLD. Selezionare la frequenza di ripetizione e l'energia del laser. Spostare la lente di messa a fuoco nella posizione impostata.Apri lo shatter e deposita una pellicola sottile CFO di cinque millimetri come strato tampone, attivando il laser. Depositare un SRO da 20 a 18 millimetri sullo strato tampone SAFO come elettrodo inferiore per i successivi test delle pres

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Questo studio presenta una metodologia di fabbricazione senza residui per la produzione di singole scaglie di materiali bidimensionali e il loro assemblaggio in eterostrutture complesse utilizzando solo le interazioni di van der Waals. La tecnica elimina la necessità di sostanze esterne e condizioni sperimentali specifiche, consentendo assemblaggi complessi di eterostrutture attraverso processi di impilamento bottom-up, top-down e modulari.

Fabbricazione senza residui di eterostrutture di van der Waals di materiali bidimensionali

Presentiamo un protocollo riproducibile di spettroscopia piezoriflettantezza a modulazione di deformazione che consente la misurazione di ΔR/R con rilevamento lock-in per cristalli di van der Waals trasferiti su piezoceramiche, e risulta caratterizzazione di transizioni ottiche dirette attraverso spettri ΔR/R utilizzando il fitting di terza derivata con la formula di Aspnes.

Spettroscopia di piezoriflettanza delle transizioni ottiche nei cristalli stratificati di van der Waals

Scopri la fabbricazione di elementi ferroelettrici flessibili basati su eteroepitassia di Van Der Waals usando PZT su mica muscovite. Questo metodo consente lo sviluppo di dispositivi elettronici flessibili ad alte prestazioni.

Una fabbricazione e un metodo di misurazione per un elemento ferroelettrico flessibile basato su eteroepitassia di Van Der Waals (Video) | JoVE Journal

Una fabbricazione e un metodo di misurazione per un elemento ferroelettrico flessibile basato su eteroepitassia di Van Der Waals

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