Name: Preparazione di U2O5 Film via UO2 deposizione di corrente continua Sputtering e successiva ossidazione e riduzione con ossigeno atomico e idrogeno atomico (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2019-02-21T14:00:00.000+00:00
Duration: 12 min 5 s
Description: Scopri la sintesi di film sottili di U2O5 tramite sputtering DC e ossidoriduzione con ossigeno e idrogeno atomici. Questo metodo innovativo permette di studiare le proprietà fisico-chimiche di questo ossido di uranio instabile.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

Gli autori non hanno nessun ringraziamenti.

1. titolare preparazione del campione
Nota: La gestione del supporto del campione di fuori del Labstation sotto un'atmosfera ambient deve essere eseguita con guanti e pinzette pulite.
<ol><li>
Preparazione del campione titolare ed ex situ pulizia
	<ol>
<li>Pulire una lamina d'oro (Au) (0,025 mm di spessore, 99,99%, Vedi Tabella materiali) di dimensioni 8 x 8 mm con acetone. Posto il foglio su un supporto di molibdeno o acciaio inossidabile appositamente progettata per il Labstation e difficoltà la lamina sul supporto da fili di tantalio di saldatura a punti.</li>
		<li>Pulire il supporto del campione e lamina nuovamente con acetone e lasciarlo asciugare sotto atmosfera ambiente prima introduzione alla Labstation. Nota: Viene visualizzata una foto del supporto del campione con una lamina d'oro nella rientranza della Figura 1.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Introduzione del supporto del campione per la Labstation
	<ol>
<li>Chiudere la valvola UHV tra il carico blocco camera e camera di garage (C1/C2). Svitare la vite, che fissa la porta di C1 e aprire la valvola dell'azoto per riportare la pressione alla pressione atmosferica, consentendo l'apertura della porta.</li>
		<li>Introdurre il portacampioni in C1. Chiudere lo sportello di C1 e aprire la valvola per il vuoto primario.</li>
		<li>Una volta che il vuoto primario raggiunge una pressione di circa 1 mbar, chiudere la valvola della pompa primaria. Aperta la valvola collegata alla pompa turbomolecolare UHV immediatamente in seguito. Attendere fino a quando la pressione raggiunge il 10-7 mbar. Nota: Quest'ultimo passaggio può richiedere un minimo di 1 a 3 h, a seconda del campione degassamento.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Trasferimento alla camera di preparazione (B1)
	<ol>
<li>Spostare il carro trasporto dalla camera di trasferimento alla camera intermedia e chiudere la valvola tra C2 e C3. Aprire la valvola situata tra C1 e C2. Utilizzare l'asta di trasferimento di C1 per trasferire il portacampioni in C2. Nota: C2 è una camera intermedia tra C1 e la camera di trasferimento lineare comune a tutte le camere della Labstation. Separa la camera di blocco di carico, che ha un povero vuoto (10-7 mbar) dal resto del sistema (circa 10-9 mbar). Trasferimenti di campione possono essere eseguiti rapidamente ad un vuoto relativamente povero nella serratura carico mantenendo pulito il Labstation.</li>
		<li>Dopo il portacampioni siede sul carro in C2, riportare l'asta di trasferimento al C1 e chiudere la valvola tra C1 e C2. Aprire la valvola tra C2 e C3 di camera di trasferimento lineare.</li>
		<li>Posizionare il carro nella camera di trasferimento lineare e collegarlo al magnete guida prima di chiudere la valvola tra C2 e C3.</li>
		<li>Utilizzare il programma di controllo di trasferimento lineare (LTC, Figura 2) per trasferire il carro alla posizione della camera di preparazione B1.</li>
		<li>Aprire la valvola tra la camera di trasferimento lineare e l'alloggiamento della preparazione B1. Utilizzare l'asta di trasferimento per posizionare il campione nella camera di preparazione B1. Una volta che l'asta di trasferimento è tornato alla posizione iniziale, chiudere la valvola tra la camera di trasferimento lineare e alloggiamento della preparazione B1.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
In situ pulizia del supporto del campione
	<ol>
<li>Aprire la valvola di argon per raggiungere una pressione di 5 x 10-5 mbar.</li>
		<li>Posizionare la superficie di supporto del campione in verticale per affrontare la pistola ionizzante (IG10/35, Vedi Tabella materiali).</li>
		<li>Accendere la pistola ionizzante per avviare Ar ion sputtering (2 keV, 10 emissione mA corrente) e mantenere la pulizia per 10 min. Switch off pistola ionizzante.</li>
		<li>Portare la termocoppia a contatto con il supporto del campione, poi accendere il riscaldatore del fascio elettronico per temprare il campione a 773 K per 5 min. Dopo un aumento iniziale (nel 10-7 mbar gamma), la pressione cade indietro di circa 10-8 mbar, che indica il completamento di degassamento. Spegnere la stufa e-fascio e lasciate raffreddare il campione a temperatura ambiente (TA).</li>
		<li>Aprire la valvola tra l'alloggiamento della preparazione B1 e la camera di trasferimento lineare, quindi posizionare il supporto del campione sul carro utilizzando l'asta di trasferimento. Chiudere la valvola della camera B1.</li>
	</ol>
</li>
	<li>
Caratterizzazione di titolare campione Nota: Raggi x ad alta risoluzione photoelectron spectroscopy (XPS) sono state effettuate utilizzando un analizzatore emisferico (Vedi Tabella materiali). Una fonte di micro-messa a fuoco (Vedi Tabella materiali) dotato di un monocromatore e operanti a 120 W fu usato per produrre una radiazione di Al Kα (E = 1.486,6 eV). Taratura dello spettrometro è stato fatto utilizzando la linea di7/2 4fdi un metallo di Au, producendo un valore di energia di legame di 83.9(1) eV (BE) e la linea3/2 2Pdi un metallo Cu a 932.7(1) essere eV.<ol>
<li>Trasferire il carro di telecomando utilizzando il programma LTC per la posizione della camera di analisi A4. Nota: La pressione di fondo nella camera di analisi è 2 x 10− 10 mbar.</li>
		<li>Aprire la valvola della camera di analisi A4 e utilizzare l'asta di trasferimento per prelevare il campione dalla camera di trasferimento lineare alla camera di analisi A4. Chiudere la valvola della camera di analisi A4.</li>
		<li>Trasferire il campione nella posizione di analisi utilizzando il programma di acquisizione (Figura 3).</li>
		<li>Inserire l'acqua di raffreddamento e la sorgente di raggi x dello spettrofotometro (tensione dell'anodo = 15 keV, emissione corrente = 120 mA).</li>
		<li>Avviare l'acquisizione di dati utilizzando il programma di acquisizione (Figura 3). Nota: Ottimizzazione della posizione del campione può essere eseguita con il programma di acquisizione per ottenere l'intensità massima del segnale. Nota: Spettri di fotoemissione sono stati presi dalla superficie del campione conservata a TA.</li>
		<li>Avviare la misurazione di uno spettro di panoramica utilizzando i seguenti parametri: KEini = 100 eV, KEpinna = 1.500 eV, tempo di scansione = 300 s, N ° di punti = 1.401, passaggio di energia = 50 eV, fessura = 7 x 20 mm diametro, modalità = 1,5 keV e medie zona modalità. Nota: L'assenza di un picco di1s C a circa 284,5 eV BE indica che la superficie sia pulita.</li>
		<li>Avviare l'acquisizione dello spettro livello di Au4f core con i seguenti parametri: KEini = eV 1.396,6, KEpinna = eV 1.406,6, tempo di scansione = 60 s, numero di punti = 201, passaggio di energia = 30 eV, fessura = 6 mm diametro, modalità = 1,5 keV e medie zona modalità . Nota: Questa misura quest'ultima verrà confrontata con lo spettro dopo la deposizione del film2 UO sulla lamina di oro per valutare corrispondente spessore del film.</li>
		<li>Una volta che la superficie del supporto del campione (lamina di Au) è stata analizzata, aprire la valvola della camera di analisi A4 per posizionare il supporto del campione sul carro in camera di trasferimento lineare usando l'asta di trasferimento.</li>
	</ol>
</li>
</ol>2. preparazione di Film sottile
Nota: Film sottili di ossido di uranio sono preparati in situ da corrente continua (DC) sputtering utilizzando un'uranio metallo bersaglio e della miscela gas di Ar (6 N) e pressione parziale di O2 (4,5 N).
<ol><li>Deposizione di film2 UO
	<ol>
<li>Trasferire il carro che trasportano il portacampioni alla posizione della camera di preparazione B2 di telecomando utilizzando il programma di LTC.</li>
		<li>Aprire la valvola della camera di preparazione B2 e con l'asta di trasferimento, posizionare il supporto del campione sotto la fonte di polverizzazione, situata nel centro di B2. Nota: Prima del processo di sputtering, assicurarsi che il pulsante di scatto dell'origine Polverizzi è chiuso.</li>
		<li>Chiudere la valvola per isolare la camera B2 dalla camera di trasferimento lineare. Aprire la valvola di O2 , quindi regolare la pressione parziale di ossigeno a 2,5 x 10− 5 mbar. Aprire la valvola a gas argon per raggiungere una pressione parziale di 5 x 10− 3 mbar.</li>
		<li>Il programma "sputtering" (Figura 4) consente di inserire i seguenti parametri: tempo di deposizione = 300 s, tensione di uranio di destinazione = -700 V, destinazione di uranio corrente = 2 mA, filamento di riscaldamento = 3.3 V/3.9 A, tensione di funzionamento del filamento = 40 V. Nota: Attesa per circa 120 s di sputtering con l'otturatore chiuso dell'origine polverizza.</li>
		<li>Avviare il timer immediatamente dopo l'apertura dell'otturatore dell'origine Polverizzi per consentire la deposizione di UO2 sulla lamina di Au. Nota: Per funzionare a bassa pressione Ar senza campi magnetici di stabilizzazione, iniezioni di 25-50 eV energia (programma di installazione di triodo) sono state abilitate per mantenere il plasma nel diodo.</li>
		<li>Interrompere il sputtering dopo 300 s, utilizzando il corrispondente programma e chiudere le valvole di gas Ar e O2 . Nota: La luce blu del plasma scomparirà e tutti i parametri di "sputtering" scenderà a zero. Nota: Attendere fino a quando la pressione della camera di preparazione B2 raggiunge 10-8 mbar.</li>
		<li>Portare il campione nella camera di preparazione B1 e per un liscio ricottura del campione, accendere la stufa e-fascio e impostare la temperatura a 573 K. Nota: Attesa per 3-5 min prima di arrestare il riscaldamento.</li>
	</ol></li>
	<li>Caratterizzazione del campione UO2 Nota: Per la caratterizzazione del campione di XPS, dovrebbe essere seguita la stessa procedura descritta per la caratterizzazione di titolare di campione.<ol>
<li>Aprire la valvola tra l'alloggiamento della preparazione B1 e la camera di trasferimento lineare di trasferire il campione per il carro utilizzando l'asta di trasferimento. Impostare l'asta di trasferimento torna alla camera di preparazione B1, quindi chiudere la valvola per isolarlo dalla camera di trasferimento lineare.</li>
		<li>Seguire la stessa procedura descritta nei passaggi 1.5.1 a 1.5.6. Nota: Lo spettro di panoramica permette di controllare la qualità del film2 UO escludendo picchi ulteriori impurità (C1s, contaminazione dall'alloggiamento di origine Polverizzi) e controllo (approssimativamente) l'U:O rapporto del film.</li>
		<li>Avviare l'acquisizione del livello di base4f Au (parametri simili come descritto al punto 1.5.7).</li>
		<li>Procedere all'acquisizione di U4f, O1se banda di Valenza (VB) utilizzando i seguenti parametri: pass energia = 30 eV, fessura = 7 x 20 mm di diametro, modalità = 1.5 keV, area media. U4f: KEini = eV 1.066,6 KEpinna = tempo di scansione 1.126,6 eV = 300 s N ° di punti = 601 O1s: KEini = eV 946,6 KEpinna = tempo di scansione 966,6 eV = 300 s N ° di punti = 201 VB: KEini = eV 1.473,6 KEpinna = tempo di scansione 1.488,6 eV = 1.800 s N ° di punti = 601 Nota: Gli spettri ottenuti per il film UO2 sono riportati nella Figura 5.</li>
	</ol></li>
	<li>Ossidazione di UO2 con ossigeno atomico Nota: Il flusso di atomo (Vedi Tabella materiali) è specificato a > 1016 atomi/cm2/s, corrispondenti ad un'esposizione fino a 20 s di circa 10 Langmuirs (cioè., 1,33 x 10− 3 Pa•s).<ol>
<li>Trasferire il carro che trasportano il campione nella camera di preparazione B3. Aprire la valvola della camera di preparazione B3 e con l'asta di trasferimento, posizionare il campione all'interno di B3 fronte alla sorgente di atomo. Chiudere la valvola per isolare la camera dalla camera di trasferimento lineare.</li>
		<li>Impostare la temperatura del campione a 573 K. attendere 5 min per consentire il campione a temperatura del titolare.</li>
		<li>Aprire la valvola di ossigeno e impostare la pressione parziale di 1.2 x 10-5 mbar O2. Accendere l'acqua di raffreddamento per l'origine di atomo.</li>
		<li>Accendere la sorgente atomica e impostare la corrente di 20 mA. Prestare attenzione all'ora esatta di ossidare il campione con la sorgente atomica. Se il tempo di ossidazione è troppo breve, l'ossidazione a UO3 può essere incompleta, come riportato nella Figura 6.</li>
		<li>Attendere 20 minuti per raggiungere la completa ossidazione di UO2 in UO3 e spegnere la sorgente atomica prima di chiudere la valvola di ossigeno. Una volta che la pressione della camera di preparazione B3 è 10-7 mbar, aprire la valvola per trasferire il campione nel carro presenti nella camera di trasferimento lineare. Quindi, chiudere la valvola della camera di preparazione B3.</li>
	</ol></li>
	<li>Analisi di UO3 ottenuti dopo l'ossidazione di UO2 con ossigeno atomico
	<ol>
<li>Trasferire il campione nella camera di analisi come segue 1.5.1 a 1.5.6; quindi, per le analisi, seguire la stessa procedura come descritto al punto 2.2.4. Nota: Gli spettri corrispondenti di UO3 sono riportati nella Figura 7.</li>
	</ol></li>
	<li>Riduzione di UO3 di idrogeno atomico
	<ol>
<li>Per trasferire il campione nella camera di preparazione B3, seguire i passaggi 2.3.1 e 2.3.2.</li>
		<li>Aprire la valvola di idrogeno e impostare la pressione parziale a 3 x 10-5 mbar. Accendere l'acqua di raffreddamento per l'origine di atomo. Accendere la sorgente atomica e impostare la corrente di 30 mA.</li>
		<li>Attendere per 60 s di riduzione tempo prima dello spegnimento della sorgente atomica. Prestare attenzione all'ora esatta adottata per ridurre il campione con la sorgente atomica. Se riduzione tempo è troppo lungo, quindi UO2 + x è ulteriormente ridotta a UO2 come riportato nella Figura 8. In questo caso, il campione deve essere ossidato nuovamente con ossigeno atomico (come abbiamo fatto per ottenere UO3), cui spettri corrispondenti sono riportati nella Figura 9.</li>
	</ol></li>
	<li>Analisi di U2O5 ottenuti dopo la riduzione di UO3 con idrogeno atomico
	<ol>
<li>Trasferire il campione nella camera di analisi come segue 1.5.1 a 1.5.6; quindi, per le analisi, seguire la stessa procedura come descritto al punto 2.2.4. Nota: Gli spettri ottenuti di U4f, O1s e VB sono riportati in Figura 10. Come esempio di riduzione incompleta a U2O5, si ottengono spettri simili come mostrato nella Figura 6 .</li>
	</ol></li>
</ol>

<ol><li>Shoesmith, D. W., Sunder, S., Hocking, W. H. Electrochemistry of UO2 nuclear fuel. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aShoesmith%2C+DW+%22Electrochemistry+of+Novel+Materials%22">Electrochemistry of Novel Materials</a>. Lipkowski, J., Ross, P. N. , New York, N.Y. (1994).</li>
<li>Shoesmith, D. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fuel+corrosion+processes+under+waste+disposal+conditions%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Nuclear+Matter%22%5BJournal%5D)">Fuel corrosion processes under waste disposal conditions.</a> Journal of Nuclear Matter. 282, 1-31 (2000).</li>
<li>Gouder, T., Shick, A. B., Huber, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Surface+interaction+of+PuO2%2C+UO2%2Bx+and+UO3+with+water+ice%5BTitle%5D)+AND+%22Topics+in+Catalysis%22%5BJournal%5D)">Surface interaction of PuO2, UO2+x and UO3 with water ice.</a> Topics in Catalysis. 56, 1112-1120 (2013).</li>
<li>Cohen, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Water+chemisorption+on+a+sputter+deposited+uranium+dioxide+film+-+Effect+of+defects%5BTitle%5D)+AND+%22Solid+State+Ionics%22%5BJournal%5D)">Water chemisorption on a sputter deposited uranium dioxide film - Effect of defects.</a> Solid State Ionics. 263, 39-45 (2014).</li>
<li>Seibert, A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+use+of+the+electrochemical+quartz+crystal+microbalance+%28EQCM%29+in+corrosion+studies+of+UO2+thin+film+models%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Nuclear+Matter%22%5BJournal%5D)">The use of the electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM) in corrosion studies of UO2 thin film models.</a> Journal of Nuclear Matter. 419, 112-121 (2011).</li>
<li>Majumder, I., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Syntheses+of+U3O8+nanoparticles+form+four+different+uranyl+complexes%3A+Their+catalytic+performance+for+various+alcohol+oxidations%5BTitle%5D)+AND+%22Inorganic+Chimica+Acta%22%5BJournal%5D)">Syntheses of U3O8 nanoparticles form four different uranyl complexes: Their catalytic performance for various alcohol oxidations.</a> Inorganic Chimica Acta. 462, 112-122 (2017).</li>
<li>Gouder, T., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+observation+of+pure+pentavalent+uranium+in+U2O5+thin+films+by+high-resolution+photoemission+spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Scientific+Reports%22%5BJournal%5D)">Direct observation of pure pentavalent uranium in U2O5 thin films by high-resolution photoemission spectroscopy.</a> Scientific Reports. 8, 1-7 (2018).</li>
<li>Rundle, R. E., Baeziger, N. C., Wilson, A. S., MacDonald, R. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+structures+of+the+carbides%2C+nitrides+and+oxides+of+uranium%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+the+American+Chemical+Society%22%5BJournal%5D)">The structures of the carbides, nitrides and oxides of uranium.</a> Journal of the American Chemical Society. 70, 99(1948).</li>
<li>Hoekstra, H. R., Siegel, S., Gallagher, F. X. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+uranium-oxygen+system+at+high+pressure%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Inorganic+and+Nuclear+Chemistry%22%5BJournal%5D)">The uranium-oxygen system at high pressure.</a> Journal of Inorganic and Nuclear Chemistry. 32, 3237(1970).</li>
<li>Kovba, L. M., Komarevtseva, N. I., Kuz'mitcheva, E. U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((On+the+crystal+structures+of+U13O34+and+delta-U2O5%5BTitle%5D)+AND+%22Radiokhimiya%22%5BJournal%5D)">On the crystal structures of U13O34 and delta-U2O5.</a> Radiokhimiya. 21, 754(1979).</li>
<li>Teterin, Y. A., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+study+of+synthetic+and+natural+uranium+oxides+by+X-ray+photoelectron+spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Physics+and+Chemistry+of+Minerals%22%5BJournal%5D)">A study of synthetic and natural uranium oxides by X-ray photoelectron spectroscopy.</a> Physics and Chemistry of Minerals. 7, 151-158 (1981).</li>
</ol>

Gli autori non hanno nulla a rivelare.

I primi risultati ottenuti su film sottili di U2O5 di circa 30 strati monomolecolari (ML) di spessore, insieme con la spettroscopia di livello core corrispondenti ottenuto con spettroscopia di fotoemissione a raggi x ad alta risoluzione, sono stati segnalati un precedente pubblicazione7. L'evoluzione dello stato della UO2 nella UO3 uranio durante il processo di ossidazione è stata segnalata attraverso spettri fotoelettronica a raggi x ottenuti su film sottili di due a 50 strati di spessore in una vasta gamma del rapporto O:U (Figura 11, Figura 12). Film ossidazione e riduzione di pellicola sono stati ottenuti esponendo le pellicole atomico ossigeno e idrogeno atomico, rispettivamente. L'omogeneità delle pellicole con Stati di ossidazione dell'uranio da IV a VI potrebbe essere confermato a causa del loro piccolo spessore e le temperature di reazione. Film sottili di ossidi di uranio sono depositati su un substrato utilizzando corrente sputtering con una fonte di polverizzazione sviluppata presso JRC Karlsruhe. L'origine di polverizzazione è installato in una camera a tenuta sotto ultra-alto vuoto, come tutte le camere della Labstation. Mentre UO2 possono essere ottenuti direttamente, UO3 e U2O5 film sono ottenuti solo dopo ulteriore trattamento con ossigeno atomico e idrogeno atomico. L'energia di legame delle vette principali e le loro posizioni satelliti permettono la differenziazione tra gli Stati di ossidazione dell'uranio nel film di ossido di uranio prodotto in situ. Spettroscopia ad alta risoluzione è necessaria distinguere i diversi Stati di ossidazione, come le energie di legame satellitare sono vicini e hanno bassa intensità.
Nel 1948, uranio puro pentavalente, U2O5, è stato identificato per la prima volta8. Più tardi, sua sintesi è stata descritta sulla base ad alta temperatura (673-1.073 K) e ad alta pressione (30-60 kbar) di una miscela di UO2 e U3O89. Tuttavia, l'esistenza e la stabilità di U2O5 in condizioni di temperatura e pressione ambiente sono stati interrogati, suggerendo un limite inferiore di x = 0,56-0,6 per la regione monofase sotto U3O810 . Finora, la preparazione di U2O5 a temperatura e pressione alta o durante un processo di termo-riduzione non era riproducibile; spesso, non era possibile assegnare uno stato di ossidazione singolo a campioni ottenuti. Alcune di una preparazione del campione di massa di U2O5 apparvero come miscele di UO2 o UO3 con coesistenza di U(V) con U(IV) o U(VI), per quanto riguarda U4O9 e U3O8. Per esempio, Teterin et al.11 segnalato il processo di lisciviazione di U3O8 in acido solforico seguita da trattamento termico in atmosfera di elio, sostenendo che i risultati sono stati collegati U2O5. Questa conclusione può essere facilmente esclusa a causa di una struttura di due-picco risultante nei loro spettri XPS. Una miscela di specie U(V) e U(VI) potrebbe spiegare il risultato, escludendo la formazione di un unico stato di ossidazione U(V) previsto per U2O5.
Il nostro metodo di preparazione permette la preparazione di film sottili di ossido di uranio con Stati di ossidazione singolo di U(IV), U(VI) e U(V). L'intero processo di preparazione del campione prende posto in situ all'interno di uno strumento mantenuto a ultra-alto vuoto. È stato trovato che la riduzione di UO3 di idrogeno atomico non procede a UO2 ma può essere interrotta in U(V). Il fattore tempo è molto importante così come la temperatura del campione durante il processo di riduzione. Con lo spettrometro di fotoemissione ad alta risoluzione, è stato indicato che un campione puro di U2O5 possa essere preparato in situ. Preparazione di film più spessa dovrebbe essere un passo successivo nel guardare le proprietà di massa e struttura cristallografica con tecniche di ex situ .

Ossido di uranio è il principale componente dei rifiuti nucleari, e la relativa solubilità in acqua è legata allo stato di ossidazione dell'uranio, passando da U(IV) a U(VI). Così, UO2 + x ossidazione durante lo stoccaggio geologico è un problema di sicurezza importante e cruciale1,2. Questo motiva gli studi dei meccanismi di reazione che regolano le interazioni superficie tra gli ossidi di uranio e l'ambiente3,4,5,6. Questa conoscenza è essenziale per tutti gli aspetti del trattamento dei rifiuti da cicli del combustibile nucleare.
Mentre tetravalente e uranio cromo esavalente sono ben definiti e comuni come sistemi a stato solido, questo non è il caso per l'uranio pentavalente, nonostante la sua stabilità in complessi di uranile e avvenimento in soluzione acquosa. In ossido di uranio, U(V) è considerato un metastabile intermedio, e non è segnalato come uno stato, ma come che coesiste con la specie U(IV) e U(VI). Per questo motivo, nulla è stato segnalato sulle proprietà chimiche e fisiche di U2O5. Questo è anche a causa di una caratteristica comune degli esperimenti di corrosione, in cui i campioni sono esposti ad un ambiente corrosivo. Questo crea una pendenza ripida in Stati di ossidazione tra la superficie (esposto agli ossidanti) e la massa del campione. Il cambiamento avviene entro la profondità di analisi. Così, diversi Stati di ossidazione sono osservati simultaneamente, non a causa di valenza mista, ma come un manufatto di un'incompleta reazione risultante in uno strato eterogeneo. Questi due problemi possono essere risolti utilizzando pellicole sottili invece di campioni alla rinfusa. Gran numero di sistemi diversi possa essere preparato con poco materiale di partenza, e il gradiente di superficie-massa è evitato perché non c'è nessuna massa.
Il metodo segnalato qui consente in situ preparazione di uno strato molto sottile (alcune decine di strati atomici depositati su un substrato inerte) e l'analisi della sua superficie senza contatto con l'atmosfera. Questo è uno dei vantaggi di Labstation (Figura 1), che è un sistema modulare macchina è composta da diverse camere tenute sotto dinamica ultra-alto vuoto (UHV), arrivano fino a pressioni di 10-9-10-11 mbar. Alloggiamenti sono dedicati alla preparazione di film sottili, trattamento di superficie (adsorbimenti di gas) e la caratterizzazione mediante tecniche di spettroscopie di superficie [ad es., x-ray spectroscopy (XPS), ultra-violetto fotoelettronica spettroscopia fotoelettronica (UPS), bassa energia diffrazione spettroscopia di elettrone (LEED)]. Campioni sono montati su supporti specifici del campione e trasferiti tra alloggiamenti differenti attraverso una camera di trasferimento lineare usando un vagone di trasporto. Tutte le camere sono collegate a questa camera centrale attraverso una valvola di modo che possano essere isolati in qualsiasi momento (ad es.., per gas di riempimento o di manutenzione). Recupero del campione titolare/campione dalla camera di trasferimento lineare è compiuta da un asta di trasferimento montato su ogni camera. Il sistema di base Labstation è stato prodotto da un'azienda esterna (Vedi Tabella materiali). Ampliamenti e modifiche sono state aggiunte successivamente a seconda delle esigenze sperimentali, risultante in un'unica apparecchiatura JRC Karlsruhe. Le estensioni includono l'origine di polverizzazione (un elemento centrale per la preparazione di film sottile), che è stato sviluppato internamente con i programmi di acquisizione dati e polverizza. Il caricamento del campione titolare/campione da un'atmosfera ambient di ultra-alto vuoto è fatto tramite una camera di blocco carico appositamente progettato per eseguire più manipolazione e ridurre al minimo il tempo di raggiungere la pressione finale di circa 10-8-10 -9 mbar, limitando così la contaminazione dell'aria del sistema. Il Labstation è il risultato di anni di esperienza e competenza nel campo della scienza delle superfici al JRC Karlsruhe.
Per passare da una camera a altra, il campione è montato su un carro di trasporto guidato da un magnete esterno, controllato da un programma per computer (Figura 2) e lo spostamento lungo la camera di trasferimento lineare di circa 7 m posizioni predefinite fermata di fronte il Chambers.
Senza un'installazione simile o vicina, l'esperimento potrebbe essere difficile da riprodurre. Tuttavia, questa installazione contribuisce al laboratorio PAMEC che contribuisce al programma accesso aperto al CCR, in cui gli utenti esterni sono invitati a presentare proposte recensione da un gruppo di esperti scientifici internazionali. Loro valutazione quindi permette agli utenti di accedere all'infrastruttura operato dal CCR. Dopo le richieste e nell'ambito di collaborazioni, pellicole sottili possono essere preparati per gli utenti esterni per le analisi e gli esperimenti condotti fuori Karlsruhe JRC.
In questo rapporto, forniamo un protocollo dettagliato della crescita del singolo-valence U2O5 film sottili, ottenuti a step successivi che coinvolge l'ossidazione e riduzione di UO2 con ossigeno atomico e idrogeno atomico, rispettivamente. A differenza di UO2 e UO2 + x, non può essere fatto deposito diretto di U2O5 e film3 UO da DC sputtering. Di conseguenza, abbiamo innanzitutto procedere alla deposizione di un film di2 UO, si ossidano in UO3 utilizzando ossigeno atomico, quindi ridurlo torna a U2O5 con idrogeno atomico. L'ossidazione e riduzione tempi e la temperatura del campione durante il processo di avere effetti sul risultato e sono importanti per master. Composizione corretta è stata verificata con alta risoluzione spettroscopia fotoelettronica a raggi x, che fornisce la prova diretta e quantitativa per la configurazione elettronica di uranio 5f1 , come previsto per il U(V).

<table><tbody><tr><td>1ary pompa per vuoto dry scroll</td><td>Agilent</td><td>SH-100</td><td>Tutte le camere tranne B1</td></tr><tr><td>1ary pump</td><td>EDWARDS</td><td>nXDS10i 100/240V</td><td>B1 camera</td></tr><tr><td>Acetone</td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>Programma di acquisizione</td><td>Sviluppato internamente</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Analizzatore</td><td>Specifiche</td><td>Phoibos 150 emisferico&nbsp;</td><td>Camera A4</td></tr><tr><td>Argon</td><td>BASI</td><td></td><td>6N</td></tr><tr><td>Sorgente atomica</td><td>GenII sorgente di plasma</td><td>Camera Tectra</td><td>B3</td></tr><tr><td>Au foil</td><td>Goodfellow</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Programma CasaXPS</td><td>CasaXPS</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Gauge 1ary vacuum&nbsp;</td><td>PFEIFFER</td><td>TPR 280 (2011/10)</td><td>Tutte le camere</td></tr><tr><td>Manometro 2ary vacuum&nbsp;</td><td>VACOM</td><td>ATMION ATS40C</td><td>Tutte le camere</td></tr><tr><td>Idrogeno gassoso</td><td>BASI</td><td></td><td>6N</td></tr><tr><td>Sorgente di pistola ionica</td><td>Specifiche</td><td>IG10/35</td><td>Camera B1</td></tr><tr><td>Programma di trasferimento lineare</td><td>Specifiche Programma</td><td></td><td>fornito con il programma Origin della stazione</td></tr><tr><td>&nbsp;</td><td>Origine</td><td>OriginPro 8.1SRO</td><td></td></tr><tr><td>Ossigeno gassoso</td><td></td><td></td><td>6N</td></tr><tr><td>Alimentatore riscaldatore e-beam campionatore</td><td>Specifiche Camera</td><td>SH100</td><td>B1</td></tr><tr><td>Riscaldatore a resistenza campionatore</td><td>Alimentatore interno</td><td>+ camera Eurotherm</td><td>B3</td></tr><tr><td>Programma</td><td></td><td></td> di sputtering <td>Sviluppato internamente</td></tr><tr><td>Substrato in acciaio inossidabile o molibdeno</td><td>in casa</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Ta filo</td><td>Goodfellow</td><td></td><td></td></tr><tr><td>turbo pompa</td><td>PFEIFFER</td><td>TC 400</td><td>Tutte le camere&nbsp;</td></tr><tr><td>Bersaglio di uranio</td><td>in</td><td>house</td><td>Target di uranio naturale</td></tr><tr><td>Controllore per vacuometro</td><td>VACOM</td><td>MVC-3</td> Sorgente di raggi X <td>per tutte le camere</td></tr><tr><td></td><td>Specifiche</td><td>XRC-1000 MF</td><td>Dotato di monocromatore</td></tr></tbody></table>

preparazione di u2o5 film via uo2 deposizione di corrente continua sputtering e successiva ossidazione e riduzione con ossigeno atomico e idrogeno atomico

U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen

Descriviamo un metodo per produrre U2O5 film in situ utilizzando il Labstation, una macchina modulare sviluppata presso JRC Karlsruhe. Il Labstation, una parte essenziale della proprietà di attinidi in laboratorio condizioni estreme (PAMEC), permette la preparazione di film e studi di superfici campione utilizzando tecniche di analisi superficiale come raggi x e ultravioletti fotoemissione spettroscopia (XPS e UPS, rispettivamente). Tutti gli studi sono realizzati in situ, e i film, trasferiti ad ultra-alto vuoto dalla loro preparazione ad una camera di analisi, sono mai a contatto con l'atmosfera. Inizialmente, un film di UO2 è preparato da corrente continua (DC) sputter deposizione su un'oro (Au) stagnola quindi ossidata dall'ossigeno atomico per produrre un film di3 UO. Quest'ultimo è quindi ridotto con idrogeno atomico per U2O5. Analisi sono effettuate dopo ogni passaggio che coinvolge l'ossidazione e riduzione, usando la spettroscopia di fotoemissione ad alta risoluzione per esaminare lo stato di ossidazione dell'uranio. Infatti, i tempi di ossidazione e riduzione e la corrispondente temperatura del substrato durante questo processo avere gravi effetti sul conseguente stato di ossidazione dell'uranio. Fermare la riduzione di UO3 a U2O5 con singolo U(V) è abbastanza impegnativo; in primo luogo, esistono sistemi di uranio-ossigeno in numerose fasi intermedie. In secondo luogo, la differenziazione degli Stati di ossidazione dell'uranio si basa principalmente sulle cime satellitare, cui vette di intensità sono deboli. Inoltre, gli sperimentatori dovrebbero essere informati che la spettroscopia a raggi x (XPS) è una tecnica con una sensibilità atomica dell'1% al 5%. Pertanto, è importante ottenere un quadro completo dello stato di ossidazione dell'uranio con l'intero spettri ottenuti su U4f, O1s e la banda di Valenza (VB). Programmi usati durante il Labstation includono un programma di trasferimento lineare sviluppato da una società esterna (Vedi Tabella materiali) come pure di acquisizione dati e programmi di origine Polverizzi, entrambi sviluppati internamente.

L'identificazione di U(V) può essere fatto facilmente da un'energia caratteristica del satellite scossone che accompagna il farsetto di4f caratteristica U. L'energia di legame in cui appare il satellite, associato ai processi di perdita di energia intrinseca, dipende lo stato di ossidazione dell'uranio.
Spettri di fotoemissione di uranio 4f core livelli raggi x vengono registrati per U(IV) UO2 (curva rossa), U(V) in U2O5 (curva verde) e U(VI) in UO3 (curva rosa), quindi rispetto al U(0) in uranio metallico (curva nera) nella parte di sinistra parte della Figura 11. Spettri corrispondenti O1s core livelli sono sovrapposte e segnalati nella parte destra della Figura 11.
Nella parte centrale della Figura 11, i picchi di livello U4f7/2 core sono stati spostati per sovrapporre le linee principali (metà superiore), permettendo la visualizzazione della separazione di energia (ΔE) tra il satellite e la linea principale (metà inferiore). Con l'aumento dello stato di ossidazione, la separazione di energia aumenta, mentre diminuisce di intensità satellitare. Gli spettri sono stati ottenuti su film sottili di circa 20 monostrati in spessore. Il picco di energia di satellitare e la linea di emissione 4f5/2 (4f7/2) sono stati utilizzati come un'impronta digitale per lo stato di ossidazione degli atomi di uranio. Gli spettri di banda di valenza di UO2, U2O5e UO3 ottenuti sugli stessi film sono riportati nella Figura 12.
Gli spettri descritti nel protocollo sono corrispondenti UO2 film (Figura 5) ottenuto dopo la deposizione nella camera di preparazione B2. Questo film è quindi ossidato con ossigeno atomico. A seconda del tempo di ossidazione, il risultato può essere UO2 + x (come riportato nella Figura 6) o UO3 (come riportato nella Figura 7). Inoltre, se atomico riduzione con idrogeno il UO3 è troppo lungo, verrà restituito al UO2 come riportato nella Figura 8. In questo caso, reoxidation a UO3 come riportato nella Figura 9 dovrebbe avvenire prima di ridurla nuovamente con un tempo adeguato per ottenere U2O5, come visualizzato in Figura 10. I risultati mostrano che i processi di ossidazione e riduzione sono completamente reversibili.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig1.jpg"> Figura 1 : Fotografia e disegno schematico della macchina Labstation sviluppato presso JRC Karlsruhe per attivare studi di scienza delle superfici in situ . <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig1large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 2" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig2.jpg"> Figura 2 : Screenshot del programma di controllo del trasferimento lineare. Il programma consente il trasferimento del carro che trasportano i campioni (I a V) lungo la camera di trasferimento lineare alle posizioni differenti da camera. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig2large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 3" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig3.jpg"> Figura 3 : Screenshot del programma acquisizione. Una volta che le condizioni di misurazione sono introdotte, una serie di misurazioni può essere eseguita automaticamente dopo l'accensione il generatore di raggi x. La finestra di posizione esempio consente il posizionamento del campione nella camera di analisi. La regolazione lungo x, y e z può essere fatto per ottimizzare l'intensità del segnale. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig3large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 4" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig4.jpg"> Figura 4 : Screenshot del programma di controllo Polverizzi. Le condizioni di "sputtering" possono essere selezionate con questo programma sviluppato internamente. Tra le variabili da definire sono il riscaldamento e il lavoro del filamento e le tensioni di fino a due obiettivi. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig4large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 5" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig5.jpg"> Figura 5 : U4f, O1s e valence banda spettri dopo la deposizione di un film UO2 , misurato dalla spettroscopia di fotoemissione ad alta risoluzione dei raggi x. Le posizioni di picco e satellitare sono caratteristici di un campione di2 UO. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig5large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 6" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig6.jpg"> Figura 6 : U4f, O1s e valence banda spettri dopo ossidazione di UO2 con ossigeno atomico, misurata dalla spettroscopia di fotoemissione ad alta risoluzione dei raggi x. Il tempo di ossidazione è troppo breve, che così l'ossidazione a UO3 è incompleta. Le posizioni satellitari e picco sono caratteristici di UO2 + x e non di UO3 riportato in Figura 7. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig6large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 7" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig7.jpg"> Figura 7 : U4f, O1s e valence banda spettri misurati dopo ossidazione del film2 UO con ossigeno atomico utilizzando la spettroscopia di fotoemissione ad alta risoluzione dei raggi x. Le posizioni di picco e satellitare sono caratteristici di un campione di3 UO. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig7large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 8" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig8.jpg"> Figura 8 : U4f, O1s e valence banda spettri misurati dopo la riduzione di UO3 con idrogeno atomico. Il tempo di riduzione è troppo lungo, così l'U2O5 è ulteriormente ridotto a UO2. Le posizioni satellitari e picco sono caratteristici di una UO2 e non l'U2O5 esempio riportato nella Figura 10. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig8large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 9" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig9.jpg"> Figura 9 : U4f, banda di1s e valence O del campione ottenuta Figura 8 e ri-ossidato con ossigeno atomico a UO3. Le posizioni satellitari e picco sono caratteristici di un campione di3 UO. I processi di riduzione e ossidazione così sono reversibili. <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig9large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 10" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig10.jpg"> Figura 10 : U4f, O1s e valence banda spettri dopo la riduzione di UO3 film con idrogeno atomico, misurata dalla spettroscopia di fotoemissione ad alta risoluzione dei raggi x. Le posizioni di picco e satellitare sono caratteristici di un campione di U2O5 . <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig10large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 11" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig11.jpg"> Figura 11 : U4f e O1s core livello fotoemissione spettri di raggi x di U(IV) UO2 (curva rossa), U(V) in U2O5 (curva verde) e U(VI) in UO3 (curva rosa), quindi rispetto al U(0) in uranio metallico (curva nera). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig11large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>
<img alt="Figure 12" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/59017/59017fig12.jpg"> Figura 12 : Spettri di banda di valenza di U(IV) UO2 (curva rossa), U(V) in U2O5 (curva nera) e U(VI) in UO3 (curva rosa). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/59017/59017fig12large.jpg" target="_blank">Clicca qui per visualizzare una versione più grande di questa figura.</a>

Questo protocollo presenta la preparazione di U2O5 film sottili ottenuti in situ ad ultra-alto vuoto. Il processo coinvolge l'ossidazione e riduzione di UO2 film con ossigeno atomico e idrogeno atomico, rispettivamente.

Preparazione di U2O5 Film via UO2 deposizione di corrente continua Sputtering e successiva ossidazione e riduzione con ossigeno atomico e idrogeno atomico

We describe a method to produce U2O5 films in situ using the Labstation, a modular machine developed at JRC Karlsruhe. The Labstation, an essential part ...

Quindi, per la prima volta, siamo stati in grado di realizzare film sottili di U2O5. Questo materiale è molto difficile da realizzare perché si trova proprio tra due ossidi di uranio molto stabili:Uo2, Uo3. Ed è per questo che i precedenti tentativi di farlo fallirono.In questo laboratorio, siamo riusciti a realizzarlo, come pellicole sottili di circa 200 monostrati di spessore. Questo è molto poco, ma abbastanza per studiarne le proprietà chimiche fisiche e, in particolare, l'interazione della superficie con l'ambiente. I film vengono depositati da quantità molto piccole di materie prime e in condizioni altamente controllate.In questo modo, la composizione superficiale può essere regolata, e i risultati controllati, da raggi X ad alta risoluzione per la spettroscopia elettronica. Oltre ad ossidi, nitruri, carburi e altri composti possono essere preparati e studiati in C2. Gli esperimenti vengono eseguiti utilizzando la stazione di laboratorio del Joint Research Center Carlsruhe. La stazione di laboratorio consente la preparazione di pellicole e l'analisi delle superfici campione in C2, senza esposizione all'atmosfera.Un senso della stazione di laboratorio è fornito da questo schema. Ci sono camere per caricare un campione, e per conservarlo, etichettato da C1"a C3"Quando caricato, il campione si trova su un supporto campione e posizionato su un carro di trasporto che può muoversi su una camera di trasporto lineare. Il carro e il campione possono essere trasferiti tra diverse camere di preparazione, etichettate da B1"a B3" e camere di analisi, etichettate da A1"a A4"Le aste di trasferimento in ogni camera consentono il trasporto del portacampioni da e verso la camera di trasferimento lineare.L'intero sistema è tenuto sotto vuoto dinamico ultra-alto. Il controllo del sistema è attraverso computer allestiti in laboratorio. Portare un substrato pulito in lamina d'oro, preparato per la deposizione di Uo2, nella camera di carico.Il substrato dorato è saldato a punto a un portacampioni in acciaio inossidabile, con filo di tantalio. Iniziare il caricamento isolando la camera di carico, quindi aprire la valvola azotata e attendere che la camera raggiunga la pressione atmosferica. Quando è pronto, aprire la porta della camera e spostare il carrello del campione in posizione per il caricamento.Quindi, posizionare il portacampioni e il campione sul carrello. Riportare il carrello alla camera di carico e chiudere la porta della camera. Aprire la valvola per il vuoto primario.Quando la pressione è di circa 1 millibar, chiudere la valvola. Quindi, aprire la valvola alla pompa per vuoto ultra-alta. Utilizzando l'asta di trasferimento della camera di carico, manipolare il portacampioni e spostarlo sul carro nella camera intermedia.Riportare l'asta di trasferimento alla camera di carico e chiudere la valvola tra le camere di carico e intermedie. Aprire la valvola tra la camera di trasferimento intermedia e lineare. Posizionare il carro nella camera di trasferimento e collegarlo al magnete di guida prima di chiudere la valvola.Tornare al programma di controllo del trasferimento lineare. Per spostarlo dalla posizione corrente, selezionare la camera di condizionamento come destinazione del carro. Quindi, premere start per iniziare il movimento.Il carro arriva alla base della camera di condizionamento da dove verrà caricato. Aprire la valvola dalla camera di condizionamento e utilizzare l'asta di trasferimento per spostare il portacampioni all'interno. Con la camera isolata, orientare la superficie del portacampioni per affrontare la pistola ioniva prima di pulire utilizzando lo sputtering dell'argon per dieci minuti.Al termine, portare la termocopia a contatto con il portacampioni e ricotturare il campione per cinque minuti. Dopo che il campione si è raffreddato, riportare il portacampioni alla camera di trasferimento, prima di chiudere la valvola della camera di condizionamento. Utilizzare il software di controllo per spostare il carro nella camera successiva per una spettroscopia fotoe elettronica a raggi X ad alta risoluzione.Trasferire il campione nella camera e preparare la misurazione. Con il campione nella camera, rivolgersi al software di acquisizione per posizionarlo per la misurazione. Quando il campione è pronto, utilizzare il software di acquisizione per ottenere uno spettro di panoramica per controllare la superficie.L'assenza di un picco di Carbonio-1 S a circa 285 volt elettronici è un segno che la superficie è pulita. Successivamente, acquisisci uno spettro di livello core gold-4 F per un uso successivo. Sarà confrontato con lo spettro di Uo2 sull'oro per determinare lo spessore del film.Dopo l'analisi, trasferire il campione alla camera di trasferimento lineare utilizzando l'asta di controllo. Tornare al software di controllo del trasferimento lineare e trasferire il carro con il portacampioni alla camera di sputtering CC. Portare il portacampioni sotto la sorgente dello sputterer al centro della camera.Con l'otturatore della sorgente dello sputter chiuso, aprire la valvola dell'ossigeno e regolare la pressione parziale dell'ossigeno. Quindi, aprire la valvola del gas argon fino a raggiungere la pressione parziale target. Passare al programma di sputtering per impostare i parametri per il processo.Quindi, aprire l'otturatore della sorgente dello sputter e sputter per 300 secondi. Fermare lo sputtering e chiudere le valvole dell'argon e del gas ossigeno. Procedere al trasferimento del supporto del campione alla camera di trasferimento lineare.Con il software di controllo del trasferimento lineare, spostare il campione di nuovo nella camera di condizionamento. Isolare il campione lì e accendere il riscaldatore del fascio E per impostare una temperatura di 573 Kelvin per ricottura del campione. Dopo aver impostazione il campione per l'analisi, misurare uno spettro di panoramica.Spostare il campione di nuovo nella camera utilizzata per la spettroscopia elettronica fotografica ad alta risoluzione. Questo spettro consente di monitorare la qualità del film Uo2. Successivamente, acquisisci uno spettro di livello del nucleo gold-4 F.Procedere all'acquisizione di uno spettro uranio-4 F. Inoltre, acquisire uno spettro di ossigeno di 1 secondo cambiando questi parametri in base ai valori dichiarati. Ottenere uno spettro di banda di valenza utilizzando questi valori di parametro nel software.Dalla traccia lineare, spostare il campione nella camera di sorgente atomica, che può essere utilizzata sia per l'ossidazione che per la riduzione attivando ossigeno e idrogeno. Una volta lì, isolare il campione in posizione e scaldarlo a 573 Kelvin per 5 minuti. Dopo l'attesa, aprire la valvola dell'ossigeno e impostare la pressione parziale.Accendere la sorgente atomica e impostare la corrente su 30 milliampere. Attendere 20 minuti per ottenere l'ossidazione completa prima di spegnere la sorgente e chiudere la valvola dell'ossigeno. Riportare il campione attraverso la camera di traduzione lineare alla camera di spettroscopia fotoelettronica a raggi X.Una volta isolato il campione nella camera XPS, acquisire gli spettri di banda di ossigeno-1 S di uranio-4 F e banda di valenza come prima. Se il tempo di riduzione è troppo breve, gli spettri avranno caratteristiche di ossidazione incompleta. In particolare, si noti la struttura di picco negli spettri dell'uranio-4 F e della banda di valenza.Inizia con il campione indietro e isolato nella camera di origine atomica. Aprire la valvola a idrogeno e impostare la pressione parziale. Avviare la sorgente atomica, accenderla e impostare la corrente su 30 milliampere.Dopo 60 secondi di tempo di riduzione, spegnere la sorgente atomica. Per i passaggi finali, riportare il campione alla camera di spettroscopia a fotoemissione a raggi X. Analizzare il campione e caratterizzare la riduzione acquisendo gli spettri di banda di uranio-4 F, ossigeno-1 S e banda di valenza.Come per questi grafici, gli spettri riveleranno se il tempo di riduzione è troppo lungo e U2O5 si è ridotto a Uo2. Si tratta di spettri di fotoemissione a raggi X a livello di nucleo 4-F di uranio per uranio-4 e Uo2, uranio-5 e U2O5 e uranio 6 e Uo3. Lo spettro per l'uranio metallico è da confrontare.I dati provengono da film di circa 20 monostrati. L'energia del satellite uranio-5 permette di identificare facilmente lo stato di ossidazione. In questa trama, gli spettri hanno i loro picchi di linea principale a cinque metà di uranio-4 F spostati in coincidenza.La posizione relativa del satellite rispetto al picco è diversa per ogni stato di ossidazione. Questo diverso fornisce un altro identificatore per gli stati di ossidazione dell'uranio. Questa analisi è possibile solo con spettroscopia ad alta risoluzione, a causa della bassa intensità del picco satellitare e della piccola differenza di energia leganti rispetto al picco principale.Produrre pellicole sottili U2O5 è possibile, ma fermare il processo di riduzione alla sua esatta composizione può essere impegnativo e persino difficile da osservare senza spettroscopia ad alta risoluzione. Quindi, questo è un nuovo composto, e ci saranno molte proprietà da indagare. Inizieremo a utilizzare la diffrazione dei raggi X ad angolo di pascolo per indagare le proprietà strutturali.E poi, passiamo allo stato delle proprietà magnetiche di questo composto, alcune delle proprietà di trasporto elettrico, e completeremo le indagini elettroniche sulla struttura usando tecniche disponibili, come le sorgenti luminose del sincrotrone, come uno scattering elastico a raggi X. Vengono studiate le proprietà chimiche fisiche di questi stati di ossidazione piuttosto insoliti. I dati sperimentali possono essere confrontati con previsioni teoriche.In questo modo, il nostro esperimento funge da punto di riferimento per i modelli teorici.

u2o5-film-preparation-via-uo2-deposition-direct-current-sputtering

Research

Ricerca

JoVE Journal

Chemistry

Chimica

Descriviamo il metodo sperimentale per depositare film sottili di ossidi nanostrutturati da Pulsed Laser Deposition nanosecondi (PLD) in presenza di un gas di fondo. Utilizzando questo metodo di Al-ZnO drogato (AZO) film, dalla compatta alla gerarchicamente strutturata come nano-alberi delle foreste, possono essere depositati.

Fabbricazione di nano-ingegneria trasparenti Ossidi Conducting da Pulsed Laser Deposition

Descriviamo l'uso di deposizione a laser pulsato (PLD), fotolitografia e tecniche di wire-bonding per creare micrometro scala complessi dispositivi di ossidi. La PLD è utilizzato per crescere film sottili epitassiali. Tecniche di fotolitografia e wire-bonding vengono introdotti per creare dispositivi pratici per scopi di misurazione.

Fabbricazione di ossidi complessi spazialmente confinati

Varie procedure sono descritte per preparare modelli atomicamente definiti per la crescita epitassiale di film sottili di ossidi complessi. Trattamenti chimici unici SrTiO cristallina 3 (001) e DyScO 3 (110) substrati sono stati eseguiti per ottenere atomicamente lisce superfici singole terminati. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanosheets sono stati usati per creare modelli atomicamente definiti su substrati arbitrari.

Modelli atomicamente definiti per epitassiale crescita di ossido Complex Thin Films

Qui vi presentiamo un protocollo per la sintesi di Zn 1-x mg x O / Cu 2 O eterogiunzioni in open-air a bassa temperatura tramite pressione atmosferica spaziale Atomic Layer Deposition (AP-SALD) di Zn 1-x mg x O su ossido rameoso. Tali ossidi metallici conformazionale alta qualità possono essere coltivate su una varietà di substrati compresi plastiche di questo metodo economico e scalabile.

Qualità Heterojunction migliorata in Cu<sub&gt; 2</sub&gt; O basati su celle solari attraverso l&#39;ottimizzazione della pressione atmosferica spaziale atomica strato depositato<br /&gt; Zn<sub&gt; 1-x</sub&gt; Mg<sub&gt; x</sub&gt; O

Presentiamo un metodo dettagliato per la realizzazione di pellicole a colori ultra-sottile con caratteristiche migliorate per rivestimenti ottici. La tecnica di deposizione di angolo obliquo utilizzando un evaporatore del fascio di elettroni permette accordabilità colore migliorato e purezza. Film fabbricato di Ge e Au su substrati di Si sono stati analizzati mediante misure di riflettanza e conversione di informazioni di colore.

Fabbricazione di film ultra-sottile di colore con altamente assorbente Media mediante deposizione di angolo obliquo

Attraverso il sulfurization pre-depositati dei metalli di transizione, etero-strutture di grande superficie e verticale 2D cristallo possono essere fabbricate. La pellicola di trasferimento e procedure di fabbricazione del dispositivo sono anche dimostrate in questo rapporto.

Preparazione di grande superficie 2D cristallo etero-strutture verticali attraverso il Sulfurization di film di metalli di transizione per la fabbricazione di dispositivi

Noi fabbricare eterostrutture di metallo/LaAlO3/SrTiO3 utilizzando una combinazione di deposizione laser pulsato e in situ magnetron sputtering. Attraverso magnetotransport ed in situ esperimenti di spettroscopia fotoelettronica a raggi x, studiamo l'interazione fra fenomeni elettrostatici e chimici del gas elettronici bidimensionali quasi formata in questo sistema.

Crescita ed elettrostatico/chimica proprietà di metallo/LaAlO3/SrTiO3 eterostrutture

Film sottili (100-1000 Å) di diossido di vanadio (VO2) sono stati creati da deposizione di strati atomici (ALD) su substrati di vetro zaffiro. In seguito, le proprietà ottiche sono state caratterizzate attraverso la transizione metallo-isolante del VO2. Dalle proprietà ottiche misurate, un modello è stato creato per descrivere l'indice di rifrazione sintonizzabile di VO2.

Deposizione di strati atomici di diossido di vanadio e un modello ottico temperatura-dipendente

La sintesi di alta qualità all'ingrosso e a film sottile (Mg0.25(1-x)CoxNi0.25(1-x)Cu0.25(1-x)Zn0.25(1-x)) O e (Mg0.25(1-x)Co0.25(1-x)Ni0.25(1-x)CuxZn0.25(1-x )) Ossidi di entropia-stabilizzato O è presentato.

Massa e sintesi di Film sottile di ossidi compositivamente varianti entropia-stabilizzato

Qui, presentiamo un protocollo per la deposizione di pellicole di ossido di niobium eseguendo sputtering reattivamente con diverse velocità di flusso di ossigeno da utilizzare come strato di trasporto di elettroni nelle celle solari perovskite.

Pellicole dell'ossido di Niobium depositate da Sputtering reattivo: Effetto del flusso di ossigeno

Questo lavoro descrive il processo completo di fabbricazione dei dispositivi fotovoltaici di cassiedi di cadmio seleziono/cadmium sottili assorbenti per una maggiore efficienza. Il processo utilizza un sistema automatico di vuoto in linea per una deposizione di sublimazione dello spazio ravvicinato scalabile, dalla fabbricazione di dispositivi di ricerca su piccola area e moduli su larga scala.

Celle solari CdSeTe/CdTe ultrasottili a sublimazione a distanza ravvicinata per una maggiore densità e fotoluminescenza di corrente a corto circuito

Scopri la sintesi di film sottili di U2O5 tramite sputtering DC e ossidoriduzione con ossigeno e idrogeno atomici. Questo metodo innovativo permette di studiare le proprietà fisico-chimiche di questo ossido di uranio instabile.

Preparazione di U2O5 Film via UO2 deposizione di corrente continua Sputtering e successiva ossidazione e riduzione con ossigeno atomico e idrogeno atomico (Video) | JoVE Journal

Preparazione di U₂O₅ Film via UO₂deposizione di corrente continua Sputtering e successiva ossidazione e riduzione con ossigeno atomico e idrogeno atomico

Esplora altri video