ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

<ol>
	<li>Zhao T, et al. Prediction of higher thermoelectric performance in BiOCuSe by weakening electron-polar optical phonon scattering. J Mater Chem A. 2020;8(47):25245-25254.</li>
	<li>Ben-Nana M, Abbassi A, Elhadadi B. Rb&#8322;XCl&#8326; (X = Zr, Te, Pt): promising materials for high-temperature thermoelectric power generation. In: 2025 International Conference on Circuit, Systems and Communication (ICCSC). IEEE; 2025:1-7.</li>
	<li>Hu K, Han J, Xu B, Lin Y-H. Thermoelectric power factor of doped Bi&#8322;O&#8322;Se: a computational study. Phys Chem Chem Phys. 2020;22:27096-27104.</li>
	<li>Li S, et al. High thermoelectric power factor in Ni-Fe alloy for active cooling applications. Mater Horiz. 2025;12:6956-6966.</li>
	<li>Sun Y, et al. Strategies to improve the thermoelectric figure of merit in thermoelectric functional materials. Front Chem. 2022;10:865281.</li>
	<li>Hu B, et al. Advances in flexible thermoelectric materials and devices fabricated by magnetron sputtering. Small Sci. 2025;5:2300061.</li>
	<li>Gong T, et al. Ultrahigh power factor of sputtered nanocrystalline n-type Bi&#8322;Te&#8323; thin film via vacancy defect modulation and Ti additives. Adv Sci. 2024;11:2403845.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Kumar A, et al. Thermoelectric properties of GaN with carrier concentration modulation: an experimental and theoretical investigation. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021;23(2):1601-1609.</li>
	<li>Musah J, et al. Ultralow thermal conductivity in dual-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323; material for enhanced thermoelectric properties. Adv Electron Mater. 2021;7(2):2000910.</li>
	<li>Jang H, et al. Comparative study of thermoelectric properties of Sb&#8322;Si&#8322;Te&#8326; and Bi&#8322;Si&#8322;Te&#8326;. ACS Appl Mater Interfaces. 2022;14:1270-1279.</li>
	<li>Ye W, Du P, Xiao S, Li M. Effect of annealing temperature on properties of WS&#8322; thin films. Surf Eng. 2022;38:411-416.</li>
	<li>Singh A, Kamboj VS, Barnes CHW, Hesjedal T. Magnetotransport measurements in overdoped Mn:Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Crystals (Basel). 2025;15:557.</li>
	<li>Gadhavajhala SSS, et al. Magnetic frameworks and non-magnetic dopants: a novel strategy for enhancing thermoelectric efficiency in manganese telluride-mechanistic insights into charge carrier dynamics and phonon transport. Small. 2025;21(25):2411481.</li>
	<li>Wei M, et al. Directional thermal diffusion realizing inorganic Sb&#8322;Te&#8323;/Te hybrid thin films with high thermoelectric performance and flexibility. Adv Funct Mater. 2022;32(45):2207903.</li>
	<li>Chen X, et al. Flame doping of indium ions into TiO&#8322; nanorod arrays for enhanced photochemical water oxidation. Dalton Trans. 2023;52:14747-14751.</li>
	<li>Zhao Y, Ding W, Xiao Y, Yang P. Manipulating the optoelectronic characteristic of AZO films by magnetron sputtering power. Vacuum. 2023;210:111849.</li>
	<li>Kander NS, et al. The role of Mn in Bi2-xMnxTe3&#160;topological insulator: structural, compositional, magnetic, and weak anti-localization property analysis. J Mater Sci Mater Electron. 2023;34:1198.</li>
	<li>Kavita, Gupta V, Ranjeet. Structural and morphological properties of nanostructured Bi&#8322;Te&#8323; with Mn-doping for thermoelectric applications. Mater Today Proc. 2022;54:820-826.</li>
	<li>Bibby J, et al. Synthesis of nanocrystalline Mn-doped Bi&#8322;Te&#8323; thin films via magnetron sputtering. Crystals (Basel). 2025;15:54.</li>
	<li>Tang X, et al. A comprehensive review on Bi&#8322;Te&#8323;-based thin films: thermoelectrics and beyond. Interdiscip Mater. 2022;1:88-115.</li>
	<li>Islam R, et al. Modulating Mn-doped NiO nanoparticles: structural, optical, and electrical property tailoring for enhanced hole transport layers. Nanoscale Adv. 2025;7:133-143.</li>
	<li>Ahmad Musri N, et al. Fabrication of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; thermoelectric thin films using radio frequency magnetron sputtering technique. J Vis Exp. 2024;(207):e66248.</li>
	<li>Adam AM, et al. Optical properties of thin Bi&#8322;Te&#8323; films synthesized by different techniques. Superlattices Microstruct. 2021;155:106909.</li>
	<li>Ali Z, Dawood AL-Niaimi A. Structural and electrical characterizations of new synthesized PVA/PoPDA-rGO-ZnO nanocomposite. Egypt J Chem. 2021;65(4):761-770.</li>
	<li>Kabekkodu SN, Dosen A, Blanton TN. PDF-5+: a comprehensive Powder Diffraction File for materials characterization. Powder Diffr. 2024;39:47-59.</li>
	<li>Kawsar Md, et al. Synthesis of nano-crystallite hydroxyapatites in different media and a comparative study for estimation of crystallite size using Scherrer method, Halder-Wagner method size-strain plot, and Williamson-Hall model. Heliyon. 2024;10:e25347.</li>
	<li>Fatimah S, Ragadhita R, Husaeni DF Al, Nandiyanto ABD. How to calculate crystallite size from X-ray diffraction using Scherrer method. ASEAN J Sci Eng. 2021;2:65-76.</li>
	<li>Mongkolsuttirat K, Buajarern J. Uncertainty evaluation of crystallite size measurements of nanoparticle using X-ray diffraction analysis. J Phys Conf Ser. 2021;1719:012054.</li>
	<li>Ateia EE, et al. A comparative approach for estimating microstructural characteristics of BaTi1-xZrxO&#8323; (0.0 &#8804; x &#8804; 0.3) nanoparticles via X-ray diffraction patterns. J Solgel Sci Technol. 2024;110:887-899.</li>
	<li>Abdul-Jabbar SS, Harbi KH. A study of the relationship between the two types of crystallite dislocation density and the particle size of barium oxide (BaO) nanoparticle. Ibn Al-Haitham J Pure Appl Sci. 2024;37:193-202.</li>
	<li>Ahmad M, Agarwal K, Mehta BR. An anomalously high Seebeck coefficient and power factor in ultrathin Bi&#8322;Te&#8323; film: spin-orbit interaction. J Appl Phys. 2020;128(3):035108.</li>
	<li>Lou L, et al. Tunable electrical conductivity and simultaneously enhanced thermoelectric and mechanical properties in n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Adv Sci. 2022;9(27):2203250.</li>
	<li>Wang Y, et al. Enhancement of NIR-II emission of Er3&#8314; by doping Fe3&#8314; in double perovskites: multimode luminescence for versatile optoelectronic applications. Angew Chem Int Ed. 2025;137(4):e202416021.</li>
	<li>Isram M, et al. Impact of Mg doping on structural, morphological and thermoelectric properties of SnO&#8322; nanoparticles: a combined experimental-theoretical investigation. Molecules. 2025;30:4135.</li>
	<li>Korkmaz L, et al. Insights into the structural, microstructural and thermoelectric properties of Ce/Cr co-doped CaMnO&#8323; manganites. J Mater Sci Mater Electron. 2025;36:1004.</li>
	<li>Saleh A. Improvement of the optical properties of Zn-doped MnO nanocomposites thin films. Passer J Basic Appl Sci. 2023;5:348-355.</li>
	<li>Arif D, et al. Influence of defects on the enhancement of thermoelectric properties in Sn-doped ZnO nanostructure synthesized via hydrothermal route. Front Chem. 2025;13:1598509.</li>
	<li>Rana VS, Rajput JK, Pathak TK, Pal PK, Purohit LP. Impact of RF sputtering power on AZO thin films for flexible electro-optical applications. Cryst Res Technol. 2021;56(4):2000144.</li>
	<li>Lanchero &#193;P, et al. Impact of Mn/Co substitution on magnetoelectric and structural properties of ZnO nanostructures thin films. Heliyon. 2025;11:e42337.</li>
	<li>Othman NA, et al. Effects of radio-frequency power on structural properties and morphology of AlGaN thin film prepared by co-sputtering technique. ELEKTRIKA. 2021;20:14-18.</li>
	<li>Vadakepurathu F, Rana M. Electrical, optical and thermal properties of Ge-Si-Sn-O thin films. Materials. 2024;17:3318.</li>
	<li>Kim H-M, et al. Atomic layer deposition for nanoscale oxide semiconductor thin film transistors: review and outlook. Int J Extrem Manuf. 2023;5:012006.</li>
	<li>Hadia NMA, et al. Structural, optical and electrical properties of Bi2-xMnxTe3&#160;thin films. J Mater Sci Mater Electron. 2022;33:158-166.</li>
	<li>Wu H, et al. Improved thermoelectric and mechanical performance of Sb&#8322;Te&#8323;-based materials toward the segmented operation. Mater Today Energy. 2022;27:101045.</li>
	<li>Wang R, et al. Optimization of thermoelectric property of n-type Mg&#8323;Sb&#8322; near room temperature via Mn and Se co-doping. Adv Sustain Syst. 2023;7(11):2300234.</li>
	<li>Hegde GS, Prabhu AN, Rao A, Chattopadhyay MK. Enhancement in thermoelectric figure of merit of bismuth telluride system due to tin and selenium co-doping. Mater Sci Semicond Process. 2021;127:105645.</li>
	<li>Osmic E, Barzola-Quiquia J, Winnerl S, B&#246;hlmann W, H&#228;ussler P. Thermopower and resistivity of the topological insulator Bi&#8322;Te&#8323; in the amorphous and crystalline phase. J Phys Condens Matter. 2024;36:355001.</li>
	<li>Singha P, et al. Enhancement of electron mobility and thermoelectric power factor of cobalt-doped n-type Bi&#8322;Te&#8323;. Int J Energy Res. 2022;46:17029-17042.</li>
	<li>Sitnicka J, et al. Systemic consequences of disorder in magnetically self-organized topological MnBi&#8322;Te&#8324;/(Bi&#8322;Te&#8323;)n&#160;superlattices. 2D Mater. 2022;9:015026.</li>
	<li>Jiang Y, et al. Evolution of defect structures leading to high ZT in GeTe-based thermoelectric materials. Nat Commun. 2022;13:6087.</li>
	<li>Chen X, et al. Excellent thermoelectric performance of boron-doped n-type Mg&#8323;Sb&#8322;-based materials via the manipulation of grain boundary scattering and control of Mg content. Sci China Mater. 2021;64:1761-1769.</li>
	<li>Bugalia A, Gupta V, Pandey A. Improvement in thermoelectric properties of Zn-Mn co-doped nanostructured SnTe through band engineering and chemical bond softening. J Phys D Appl Phys. 2024;57:195502.</li>
	<li>Zhou M, et al. Enhancement of thermoelectric performance for InTe by selective substitution and grain size modulation. Crystals (Basel). 2023;13:601.</li>
	<li>Dur&#225;n I, et al. High conductivity and thermoelectric power factor in p-type MoS&#8322; nanosheets. ACS Appl Energy Mater. 2025;8:3500-3508.</li>
	<li>Bourg&#232;s C, et al. Investigation of Mn single and co-doping in thermoelectric CoSb&#8323;-skutterudite: a way toward a beneficial composite effect. ACS Appl Energy Mater. 2023;6:9646-9656.</li>
	<li>Nguyen TAK, et al. Effects of RF magnetron sputtering power on the mechanical behavior of Zr-Cu-based metallic glass thin films. Nanomaterials. 2023;13:2677.</li>
	<li>Wang G, et al. Boosting thermoelectric performance of Bi&#8322;Te&#8323; material by microstructure engineering. Adv Sci. 2024;11(6):2308056.</li>
	<li>Chaiwas S, et al. Enhanced thermoelectric power factor of magnetron co-sputtered Pd-added Bi&#8322;Te&#8323; thin films. Vacuum. 2024;230:113696.</li>
	<li>Jha R, et al. High thermoelectric performance of p-type Fe&#8322;V&#8320;.&#8328;Mn&#8320;.&#8322;Al Heusler alloy thin films grown on insulating oxide substrates. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2512705.</li>
	<li>Abinaya C, et al. The effect of post-deposition annealing conditions on structural and thermoelectric properties of sputtered copper oxide films. RSC Adv. 2020;10:29394-29401.</li>
	<li>Tao X, et al. Exceptional performance of room-temperature sputtered flexible thermoelectric thin film using high target utilisation sputtering technique. Adv Mater Technol. 2024;9(6):2301958.</li>
	<li>Dolabella S, Borz&#236; A, Dommann A, Neels A. Lattice strain and defects analysis in nanostructured semiconductor materials and devices by high-resolution X-ray diffraction: theoretical and practical aspects. Small Methods. 2022;6(2):2100932.</li>
	<li>Dores BS, Maciel MJ, Correia JH, Vieira EMF. Toward enhancing the thermoelectric properties of Bi&#8322;Te&#8323; and Sb&#8322;Te&#8323; alloys by co-evaporation of Bi&#8322;Te&#8323;:Bi and Sb&#8322;Te&#8323;:Te. Nanomaterials. 2025;15:299.</li>
	<li>Morgan KA, Zeimpekis I, Feng Z, Hewak D. Enhancing thermoelectric properties of bismuth telluride and germanium telluride thin films for wearable energy harvesting. Thin Solid Films. 2022;741:139015.</li>
	<li>Helt A, et al. MgCuSb as a suitable electrode for contacting pre-compacted pellets of MgAgSb thermoelectric material. Sci Technol Adv Mater. 2025;26(1):2506982.</li>
</ol>

<table><tbody><tr><td>Acetone (&ge; 99.5%)</td><td>Merck</td><td>100012</td><td>Solvente per la pulizia del substrato</td></tr><tr><td>Carta stagnola</td><td>Pospaperroll</td><td>86871915</td><td>Rivestimento della camera e rivestimento del supporto</td></tr><tr><td>Gas Argon (Ar)</td><td>Gaslink Industrial Gas Sdn. Bhd.</td><td>N/A (fornito dal distributore)</td><td>Spruzzava gas funzionante; 4 sccm flow; Classe 5.0 (99.999%)</td></tr><tr><td>Bersaglio di sputtering a tellururo di bismuto, diametro 50,8 mm, spessore 4,25 mm, 99,999%</td><td>Changsha Xinkang Advanced Materials Co., Ltd.</td><td>xk-Bi2Te3</td><td>Bi2Te3 bersaglio; potenza RF fissa = 100 W</td></tr><tr><td>Acqua deionizzata</td><td>Interno</td><td>N/A</td><td>Risciacquo del substrato e pulizia a ultrasuoni</td></tr><tr><td>Rivelatore di spettroscopia a raggi X a dispersione energetica</td><td>Integrato con il sistema FESEM</td><td>N/A</td><td>Analisi compositiva a film sottili</td></tr><tr><td>Microscopio elettronico a scansione a emissione di campo</td><td>Carl Zeiss</td><td>SUPRA 55VP</td><td>Imaging della microstruttura superficiale</td></tr><tr><td>Substrati di vetro, vetro soda-calce, spessore 1,1 mm</td><td>Mevid</td><td>B105-2002</td><td>Substrato per la deposizione di film sottili</td></tr><tr><td>Piastra riscaldante</td><td>IKA</td><td>C-MAG HS 7</td><td>Essiccazione del substrato a 393 K</td></tr><tr><td>Alcol isopropilico (&ge; 99.8%)</td><td>Merck</td><td>109634</td><td>Solvente per la pulizia del substrato</td></tr><tr><td>Detersivo da laboratorio</td><td>Merck</td><td>107553</td><td>Pulizia iniziale del substrato</td></tr><tr><td>Unità di circolazione del liquido refrigerante</td><td>Fisher Scientific</td><td>250LCU</td><td>Circolazione di raffreddamento per pistole a spruzzo</td></tr><tr><td>Metanolo (&ge; 99.9%)</td><td>Merck</td><td>106009</td><td>Solvente per la pulizia del substrato</td></tr><tr><td>Bersaglio per sputtering di manganese, diametro 50,8 mm, spessore 5,08 mm, 99,999%</td><td>Hunan Boyu Technology Co., Ltd.</td><td>N/A</td><td>obiettivo di mn; La potenza RF variava da 0 a 15 W</td></tr><tr><td>Multimetro</td><td>RS PRO</td><td>EN61010-1 CATIII</td><td>Verifica dell'isolamento elettrico</td></tr><tr><td>Gas azoto (N2)</td><td>Gaslink Industrial Gas Sdn. Bhd.</td><td>N/A (fornito dal distributore)</td><td>Asciugatura del substrato dopo la pulizia; Classe 4.0 (99,99%)</td></tr><tr><td>Coperchio per piastre di Petri</td><td>Merck</td><td>41121812</td><td>Protezione della finestra di osservazione della camera; diametro e tempi approssimative di 94 mm; Altezza 16 mm</td></tr><tr><td>Sistema di sputtering magnetron RF</td><td>Costruiti su misura</td><td>N/A</td><td>Co-sputtering di film sottili Bi2Te3 e Mn</td></tr><tr><td>Sistema di misurazione Seebeck/resistività con adattatore al platino</td><td>Linseis</td><td>LSR-3 (LSR L31)</td><td>Coefficienti di Seebeck e misurazioni di resistività elettrica</td></tr><tr><td>Pinzette</td><td>Fisher Scientific</td><td>10-316B</td><td>Gestione dei substrati puliti</td></tr><tr><td>Bagno a ultrasuoni</td><td>Elma</td><td>ElmaSonic S30H</td><td>Pulizia con solvente per metanolo, acetone, alcol isopropilico e acqua DI</td></tr><tr><td>UV&ndash; Detergente per ozono</td><td>Tecnologie Novascan</td><td>PSDP-UV4</td><td>Trattamento della superficie del substrato</td></tr><tr><td>Contenitore di stoccaggio a vuoto</td><td>AS ONE Corporation</td><td>VM</td><td>Conservazione del campione dopo la deposizione</td></tr><tr><td>Profilometro a stilo</td><td>Bruker</td><td>DektakXT</td><td>Misurazione dello spessore del film sottile</td></tr><tr><td>Diffrattometro a raggi X</td><td>Bruker</td><td>AVANZAMENTO D8</td><td>&theta; &ndash; 2&theta; Scansioni XRD usando Cu K e alfa; Radiazioni</td></tr><tr><td>DIFFRAC. EVA</td><td>Bruker</td><td>DIFFRAC. EVA versione 8</td><td>Adattamento dei picchi, analisi di diffrazione e grafico grafico</td></tr><tr><td>Origine</td><td>OriginLab</td><td>OriginPro (64 bit)</td><td>Adattamento dei picchi e grafico grafico</td></tr></tbody></table>

migliorare le proprietà termoelettriche dei film sottili bi2te3 tramite co-sputtering di manganese

Improving Thermoelectric Properties of Bi2Te3 Thin Films By Manganese Co-Sputtering

Migliorare le proprietà termoelettriche dei film sottili Bi2Te3 tramite co-sputtering di manganese

Bi2Te3 remains a benchmark n-type thermoelectric (TE) material for low-temperature energy conversion, but its small band gap can reduce efficiency because ...

La mia ricerca esamina il cambiamento nelle prestazioni termoelettriche del film sottile di tellururo di bismuto drogato con manganese, depositato mediante co-sputtering controllato. I metodi esistenti non sono riusciti a esaminare adeguatamente l'impatto del drogaggio con manganese sul film sottile di tellururo di bismuto. Pertanto, questo protocollo colma questa lacuna attraverso un'indagine sistematica.Dopo aver posizionato i substrati di vetro al sodio-calcio preparati e puliti sul supporto per substrati rotante, chiudere lo sportello della camera ed avviare la pompa. Applicare una leggera pressione intorno allo sportello della camera all'inizio per garantire una corretta tenuta ed osservare la diminuzione della pressione sul manometro. Continuare a pompare fino a quando la pressione nella camera raggiunge un valore inferiore o uguale a cinque per 10 alla potenza di meno tre torr.Accendere il sistema di raffreddamento e impostare la temperatura a 288 Kelvin per garantire la circolazione continua di acqua deionizzata ricircolata attraverso entrambe le pistole da sputtering prima dell'accensione del plasma. Introdurre gas argon ad alta purezza e lasciarlo stabilizzare per circa due-cinque minuti, oppure fino a quando non rimane costante a un valore maggiore o uguale a 3,9 centimetri cubi standard al minuto. Impostare la rotazione del substrato a 10 giri al minuto in un'unica direzione fissa e mantenere la rotazione continua durante il pre-sputtering e il deposito.Accendere l'alimentatore a radiofrequenza e il controller della rete di adattamento. Regolare le impostazioni della rete di adattamento per entrambe le pistole a radiofrequenza utilizzando la funzione minima o massima finché il valore di carico e il valore di accordo raggiungono 50 watt. Passare la modalità del controller da manuale ad auto-adattamento.Impostare la potenza a radiofrequenza a 50 watt sul cannone al bismuto tellururo e a 10 watt sul cannone al manganese prima dell'accensione del plasma. Minimizzare la potenza riflessa prima dell'accensione del plasma, mantenendola a o al di sotto di cinque watt. Accendere il plasma per entrambi i cannoni e verificare la stabilità del plasma osservando una luminosità costante mantenuta per circa uno-due minuti senza flicker visibili o bruschi picchi di pressione.Una volta raggiunto un plasma stabile in entrambe le pistole, sottoporre entrambi i target a pre-sputtering per 15 minuti per rimuovere le contaminazioni superficiali e gli ossidi naturali dopo che il plasma è diventato stabile. Rimuovere i substrati di prova al termine del pre-sputtering. Prima di caricare i substrati per la deposizione, eliminare la polvere dall'interno della camera e dalla zona del portacampioni utilizzando una soffietta di gomma pulita.Mantenere la finestra di osservazione protetta con un coperchio pulito di piastra di Petri per l'osservazione del plasma. Ispezionare le target per assicurarsi che siano correttamente posizionate, centrate e in buone condizioni. Verificare che ogni target sia saldamente fissata e correttamente centrata all'interno della pistola a sputtering.Posizionare i substrati puliti in modo simmetrico nella zona esterna del portacampioni rotante, a circa 5-10 millimetri dal centro del portacampioni. Allineare il lato più lungo di ciascun substrato parallelamente al bordo del portacampioni. Fissare la distanza tra bersaglio e substrato a 55 millimetri per entrambe le pistole a sputtering.Pompare la camera e continuare l'evacuazione per almeno cinque ore o fino a quando la pressione di base non si stabilizza al valore obiettivo. Verificare la stabilità della pressione di base quando la deriva di pressione rimane inferiore o uguale al 5% in circa 10 minuti e la pressione di base raggiunge un valore pari a cinque per 10 alla potenza di meno cinque torr o inferiore. Stabilizzare il sistema di raffreddamento a 288 Kelvins dopo aver raggiunto la pressione di base.Impostare il flusso di argon a quattro centimetri cubi standard al minuto e attendere che si stabilizzi. Mantenere la rotazione del substrato a 10 giri al minuto. Verificare le impostazioni della rete di adattamento per entrambe le pistole e abilitare l'adattamento automatico sul controllore.Avviare la pistola al bismuto tellururo a 70 watt per facilitare l'accensione del plasma. Aumentare la potenza di cinque watt ogni 10 secondi fino a raggiungere 100 watt. Avviare il cronometro della deposizione solo dopo che il valore di potenza del bismuto tellururo si è mantenuto a 100 watt per circa 30 secondi e la stabilità del plasma è stata confermata.Depositi i film per 30 minuti mantenendo condizioni di plasma stabili durante il processo di deposizione. Utilizzando gli stessi parametri, ripeta i passaggi di deposizione per il manganese a potenze a radiofrequenza di 10 watt e 15 watt, utilizzando substrati freschi. Avvii la chiusura attraverso il controllore del sistema spegnendo prima l'uscita a radiofrequenza.Ridurre il flusso di argon a 10-11 centimetri cubi standard al minuto mantenendo attivo il sistema di raffreddamento fino a quando la camera non viene sfiatata e le pistole di sputtering non tornano a una temperatura prossima a quella ambiente. Verificare che la pompa turbomolecolare si sia arrestata completamente e che la lettura della velocità sia zero prima di sfiatare la camera. Sfiatare lentamente la camera utilizzando azoto secco attraverso la valvola di sfiato per consentire un'uguagliamento graduale della pressione e ridurre al minimo il disturbo delle particelle.Aprire la camera solo dopo che la pressione è tornata a circa la pressione atmosferica, pari a circa 760 torr, e quando la porta della camera può essere aperta senza resistenza. Indossare una maschera e guanti durante la rimozione del campione per ridurre la contaminazione e l'esposizione a particelle fini. Rimuovere i campioni depositati dalla camera.Trasferire i campioni in una piastra di Petri pulita. Conservare i campioni in un contenitore ermetico sotto vuoto ed eseguire la caratterizzazione entro 24-72 ore dal deposito. Dopo aver rimosso i campioni, effettuare una pompa a vuoto grossolana sulla camera per 10-15 minuti per raggiungere la pressione pre-TMP richiesta, riducendo al minimo l'esposizione all'aria ambiente e all'umidità.I pattern di diffrazione a raggi X confermano che tutti i campioni mantengono la fase di tellururo di bismuto romboedrica lungo tutta la serie di potenza del manganese. Il picco di diffrazione principale si è spostato verso valori più elevati di due theta con l'aumento dell'apporto di manganese. La dimensione dei cristalliti è generalmente diminuita da 14,23 nanometri a zero watt a 8,35 nanometri a 15 watt, in accordo con una riduzione della dimensione del dominio coerente e un aumento della microdeformazione a potenze più elevate di manganese.Le immagini di microscopia elettronica a scansione a emissione di campo in superficie hanno mostrato chiari cambiamenti nella microstruttura del film con l'aumento dell'apporto di manganese. Il film di controllo a zero watt presentava grani poligonali più grandi con netti contorni di grano, mentre il film drogato con manganese a cinque watt mostrava una superficie più compatta con grani più fini. I film depositati a 10 e 15 watt di potenza del manganese risultavano più densi e con meno vuoti intergranulari rispetto ai campioni a zero e cinque watt.L'analisi della composizione elementare ha confermato che l'incorporazione del manganese è aumentata all'aumentare della potenza del bersaglio di manganese. Tutti i film hanno mostrato un coefficiente di Seebeck negativo, confermando un comportamento di conduzione di tipo n, e il valore assoluto del coefficiente di Seebeck è generalmente aumentato con la temperatura per tutti i campioni. Il valore assoluto più alto del coefficiente di Seebeck è stato osservato per il film a 15 watt, raggiungendo meno 162,08 microvolt per kelvin a 523 kelvin.Tutti i film hanno mostrato un comportamento di trasporto semiconduttivo, in cui la resistività diminuisce all'aumentare della temperatura. Il massimo fattore di potenza è stato ottenuto per il film da cinque watt, raggiungendo circa 529,33 microwatt al metro per kelvin quadrato a 523 kelvin. Sebbene il film da 15 watt abbia mostrato il valore più elevato del coefficiente di Seebeck, l'aumento della resistività ha ridotto il fattore di potenza a 300,59 microwatt al metro per kelvin quadrato.Questo protocollo ha permesso al ricercatore di co-sputterare il manganese drogato sul film di bismuto telururo, e di valutare come la variazione del livello di introduzione del drogante influisca sulle prestazioni termoelettriche. La sfida principale di questo protocollo consiste nel mantenere un plasma stabile e anche condizioni di sputtering costanti per incorporare i meccanismi in modo affidabile e ripetibile. Per studi futuri si potrà procedere ottimizzando le proprietà termoelettriche, effettuando trattamenti post-sintesi e suddividendo un generatore termoelettrico a film sottile per test a livello di dispositivo.

improving-thermoelectric-properties-bi2te3-thin-films-manganese-co

Research

Ricerca

JoVE Journal

Engineering

Ingegneria

Attraverso il sulfurization pre-depositati dei metalli di transizione, etero-strutture di grande superficie e verticale 2D cristallo possono essere fabbricate. La pellicola di trasferimento e procedure di fabbricazione del dispositivo sono anche dimostrate in questo rapporto.

Preparazione di grande superficie 2D cristallo etero-strutture verticali attraverso il Sulfurization di film di metalli di transizione per la fabbricazione di dispositivi

Qui, presentiamo un protocollo per crescere LSMO nanoparticelle e (Gd) BCO film (001) SrTiO3 (STO) singolo-cristallo substrati per radio frequenza (RF)-sputtering.

Radio frequenza Magnetron Sputtering di GdBa2Cu3O7−δ/ La0.67Sr0.33MnO3 quasi-bilayer film su substrati di singolo-cristallo di SrTiO3 (STO)

Qui, presentiamo protocolli dettagliati per soluzione-elaborati argento-bismuto-iodio (Ag-Bi-I) ternario semiconductor film sottili fabbricato su TiO2-rivestito elettrodi trasparenti e loro potenziale applicazione come aria-stabile e privo di piombo dispositivi optoelettronici.

Soluzione di elaborazione "Silver-bismuto-iodio" ternario pellicole sottili per assorbitori di piombo fotovoltaici

Questo lavoro descrive il processo completo di fabbricazione dei dispositivi fotovoltaici di cassiedi di cadmio seleziono/cadmium sottili assorbenti per una maggiore efficienza. Il processo utilizza un sistema automatico di vuoto in linea per una deposizione di sublimazione dello spazio ravvicinato scalabile, dalla fabbricazione di dispositivi di ricerca su piccola area e moduli su larga scala.

Celle solari CdSeTe/CdTe ultrasottili a sublimazione a distanza ravvicinata per una maggiore densità e fotoluminescenza di corrente a corto circuito

Il manoscritto descrive un protocollo per lo sputtering magnetron a radiofrequenza di film sottili termoelettrici Bi2Te3 e Sb2Te3 su substrati di vetro, che rappresenta un metodo di deposizione affidabile che fornisce una vasta gamma di applicazioni con il potenziale per un ulteriore sviluppo.

Fabbricazione di film sottili termoelettrici Bi2Te3 e Sb2Te3 utilizzando la tecnica di sputtering magnetron a radiofrequenza

Qui, presentiamo un protocollo per sintetizzare due calcogenuri metallici (Cu1.8S e SnSe) adatti per la termoelettrica tramite una sintesi meccanochimica ultraveloce (di seconda gamma), priva di solventi e in un solo passaggio utilizzando precursori elementari. Contemporaneamente, dimostriamo il monitoraggio della temperatura nella giara durante la macinazione planetaria a sfere in situ da parte del dispositivo di nuova concezione.

Dimostrazione della semplicità e del monitoraggio della temperatura in situ della sintesi meccanochimica di calcogenuri metallici adatti per la termoelettrica

Descriviamo una tecnica che permette di nanomoulding basso costo patterning su scala nanometrica di materiali funzionali, pile di materiali e dispositivi completi. Nanomoulding possono essere eseguite su qualsiasi configurazione nanoimprinting e può essere applicata a una vasta gamma di materiali e processi di deposizione.

Nanomoulding di materiali funzionali, un modello versatile complementare replica Metodo di nanoimprinting

Tale relazione descrive l'uso di un sistema di fuoriserie effettuare la deposizione di film spessi aerosol granato di ittrio ferro su substrati di zaffiro a RT. I film depositati sono caratterizzate con microscopia elettronica a scansione, profilometria, e la risonanza ferromagnetica per dare un quadro rappresentativo delle capacità della tecnica.

La formazione di spesse Dense ittrio ferro Garnet Films Utilizzando Aerosol Deposizione

Abbiamo offerto un metodo per sintetizzare direttamente un film sottile di ZnO ad alto asse c (0002) mediante deposizione chimica da vapore potenziata al plasma. Il film sottile di ZnO sintetizzato combinato con l'elettrodo interdigitato Pt è stato utilizzato come strato di rilevamento per fotorivelatori ultravioletti, mostrando prestazioni elevate grazie a una combinazione di buona reattività e affidabilità.

Sintesi e caratterizzazione di alta c-asse ZnO film sottile da potenziato a plasma Chemical Vapor Deposition del sistema e la sua applicazione Rilevatori UV

La tecnica dei gradienti diffusivi in ​​film sottili (DGT) è proposto per gli studi di speciazione di plutonio. Questo protocollo descrive esperimenti di diffusione sondare il comportamento di Pu (IV) e Pu (V) in presenza di sostanza organica. Dgts schierati in una sorgente carsica consentono la valutazione della biodisponibilità di Pu.

Speciazione e di biodisponibilità Misure di plutonio ambientale Uso Diffusione in film sottili

Universiti Kebangsaan Malaysia.  È stato sviluppato un protocollo di co-sputtering a radiofrequenza per fabbricarefilm sottili di Bi2Te 3 dopati con manganese e valutare come l'ingresso di manganese influenzi le proprietà strutturali e di trasporto termoelettrico. L'incorporazione moderata di manganese ha migliorato l'uniformità della pellicola e il comportamento di trasporto legato ai fattori di potenza, mentre un maggiore apporto di manganese h...

Migliorare le proprietà termoelettriche dei film sottili Bi₂Te₃ tramite co-sputtering di manganese

Esplora altri video