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半導体の基礎

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p-n 接合は、p 型と n 型の半導体材料が結合されたときに形成されます。p-n 接合の界面では、濃度勾配により、p 側からの正孔と n 側からの電子が反対側に拡散し始めます。このキャリアの拡散により、接合の周囲に自由電荷キャリアが存在しない領域 (空乏領域) が発生します。この領域は空乏領域と呼…

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空乏層