12.15
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(MOSFET)は、Source、Drain、Gateの3つの端子を持つ半導体デバイスで、IGFET、MISFET、MOSTとも呼ばれています。
これは、基板のドーピングとソースまたはドレイン領域に応じて、nチャネルまたはpチャネルのいずれかになります。
nチャネルMOSFETでは、基板には2つの高濃度ドープされたn型ソース領域とドレイン領域があります。表面に二酸化ケイ素の薄層を成長させ、その上に金属を堆積させてゲート電極を形成します。
ゲート電圧がゼロの場合、ソースからドレインに電流は流れませんが、リーク電流はわずかです。
ゲートに正のバイアスが印加されると、基板からの電子がゲートに向かって移動し、反転層を形成し、ソースからドレインへの電子の大きな流れが可能になります。このチャネルのコンダクタンスは、ゲート電圧を変化させることによって変調できます。
従来の電流はドレインからソースに流れ、ドレイン電流と呼ばれます。
MOSFETは、スマートフォン、ラップトップ、電気自動車など、さまざまなアプリケーションに不可欠です。
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) は、その汎用性と電流制御の効率性により、現代の電子機器において極めて重要な役割を果たしています。このデバイスは、IGFET、MISFET、MOSFET とも呼ばれ、3 つの主な端子、つまりソース、ドレイン、ゲートを持ちます。MOSFET は、基…
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