この記事では、我々は、動機のphosphenicプレゼンテーションを誘導TMSで視覚的に関連する状態依存性の影響を調べる。
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この記事では、我々は、動機のphosphenicプレゼンテーションを誘導TMSで視覚的に関連する状態依存性の影響を調べる。
経頭蓋磁気刺激(TMS)は、一過性または不変にローカライズされた磁場パルスのアプリケーションを介して皮質の興奮性を(増加またはそれを下げるのどちらか)を変調できる非侵襲的neurostimulatoryと神経調節技術です。TMSのフィールド内では1,2、長期的状態依存性は、刺激を対象とした特定の神経領域の初期、ベースライン状態を指す。推測することができるように、TMSの効果は、(観光)ターゲット皮質領域のこの主要な感受性と反応性に応じて変えることができます。3,4,5
この実験では、動機の閃光の誘発と主観的な経験を通して状態の依存関係のこの概念を検討する。閃光は、視覚的に視覚野への電磁パルスによって引き起こされる小さな光の点滅を認識されている。これらの小さなライトは、視覚野の種類が刺激されているかに応じて様々な特性を想定することができます。 V1/V2の刺激とV5/MT +複雑な視覚的な領域を介して惹起さとしてこの特定の研究では、動機の閃光を目標とする。6
1)準備
2)V1/V2上の閃光閾値を決定する
3)V5/MT +コンプレックスにわたってPhosphenicしきい値の決定
4)ベースラインの閃光の動作を決定
5)条件ナンバーワン

6)コンディションナンバートゥー

7)図
8)代表の結果
単一方向の動機の刺激への視覚的な適応は、V1/V2を介して同一のphosphenic動きを引き出す必要があります。 
図3。条件最中、右と左半球(被験者の図面に基づいて)で、V1/V2から誘導される閃光の例。
V5/MT +複雑な閃光はまた、閃光が現在適応刺激の運動方向の和とベースラインの閃光のように表示されるように、影響を受ける可能性があります。
しかし、スターバーストパターンの視覚的な適応はV5/MT +複合体から同一のスターバーストphosphenicの動きを引き出す必要がありますが、V1/V2ベースラインを変更しないでください。 
図4。V5/MTから誘導される閃光の例+条件2(被験者の図面に基づいて)中の右と左半球に複雑。
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この実験では、状態依存の中心で取得します。 。V1/V2でのニューロンは、単純な、方向性に対応すると考えられているため7,8、単方向動機の刺激への適応は、この動きを登録するニューロンの興奮性を増加した-などとして、彼らは、TMSに対応する最初のはずですパルス。 V5/MT +複雑なもので、この領域から誘導される閃光にも適応刺激によって影響されるか、単純な並進運動に同調するニューロンが含まれています。しかし、V5/MT +複合体はまた、半径方向の移動を登録する別個の神経細胞を含むと考えられている。9,10はこのため、星形のパターンは、V5の状態ではなく、V1/V2を変更する必要があります。単純な並進または複雑な放射状の動きに適応することによって、我々は効果的に複合体がTMSパルスに最も早く反応するV5/MTの神経集団+制御することができます。
特定の神経集団がニューロンの人口を周辺よりもTMSに迅速に対応プライミングすることができること知っていると認知神経科学と治療の両方のフィールドの信じられないほどの可能性を秘めています。状態依存効果を悪...
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| 名前 | 会社 | カタログ番号 | コメント |
|---|---|---|---|
| 遮光アイマスク | |||
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