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方法論記事

内視鏡的粘膜下組織に埋込型自律的充電式 Microneurostimulator

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DOI:

10.3791/57268

⸱

2018年9月27日

 , 
12nd Department of Internal Medicine, Third Faculty of Medicine, Charles University, Prague, Czech Republic, 22nd Department of Internal Medicine, University Hospital Královské Vinohrady, Prague, Czech Republic, 3Czech Technical University in Prague, Czech Republic

* These authors contributed equally

この記事について

サマリー

高周波低エネルギッシュな刺激のアプリケーションは、胃運動の症状を軽減できます。本研究では粘膜下ポケットに注入されているミニチュア、植込み型内視鏡とワイヤレスで充電式のデバイスが表示されます。ライブ豚実験中に成功した双方向通信と刺激制御を実現した.

要約

胃の運動は、長年糖尿病など一般的な病気のサインをすることができます。高周波低エネルギッシュな刺激のアプリケーションが効果的に胃運動の症状を緩和する緩和し助けることができることが知られています。研究の目標は、ミニチュア、粘膜下のポケットに内視鏡植込み型デバイスの開発だった。植込み型デバイスは、粘膜下組織の実験を目的として設計された具体的には完全にカスタマイズされた電子パッケージです。デバイスが充電送信コイルから入射磁場を受けることによりワイヤレスで充電できるリチウム イオン バッテリーを装備します。上り通信は、432 MHz 帯 MedRadio で行われます。デバイスは、胃前庭部の具体的には、生体内でモデルとして使用されるライブ国内の豚の粘膜下のポケットに挿入された内視鏡。実験では、設計されたデバイスが粘膜下層に注入することができます、双方向通信可能を確認しました。デバイスは、筋肉組織の双極刺激を実行できます。

概要

胃の運動は、胃不全麻痺、慢性進行によって特徴付けられる通常、患者の社会的、関連の仕事、および物理的な状態のかなり重大な意味を課すなどいくつかの比較的一般的な病気のサインをすることができます。胃不全麻痺のほとんどは通常糖尿病または起源の特発性、利用可能な薬1に耐性が多い。患者のこの条件に苦しんで最も一般的吐き気を呈するし、嘔吐を繰り返します。前の研究に基づいて、それは高周波電気刺激は低エネルギーのアプリケーションが効果的に胃運動1,2の症状を緩和する緩和し助けることができる知られています。

先行研究に基づき、症状や胃内容排出3高周波電気刺激は胃が大幅に向上が証明されます。また、酸の曝露を削減し、プロトン ポンプ阻害剤 (PPI) の使用なしで排除毎日胃食道逆流症 (GERD) の治療のためより低い食道の括約筋の神経療法は安全かつ効果的なこと示されています。刺激は関連副作用4です。人間の試験の前に最初の研究は、動物モデル (犬モデル5) で行われました。これらの研究に基づき、下部食道括約筋 (LES、20 Hz、3 ms のパルス幅) の電気刺激は、レ5の長時間収縮を発生します。似たような効果高 (20 Hz、パルス幅 200 μ s)、(6 サイクル/分、375 ms のパルス幅) 低周波レ逆流性食道炎患者における電気刺激を調べた。高と低周波刺激はあった効果的な6です。しかし、現在、胃や食道の刺激のための 2 つだけの神経デバイスのあります市場7,8。これらのデバイスは、手術や腹腔鏡下ロボット、電極を埋め込むことができます。デバイス自体は、皮下に注入されます。これは全身麻酔を必要とし、かさばるデバイスを装着、胃や食道の筋組織の刺激を可能にする筋肉内のカテーテルを使用しています。だから、決定的な利点と患者の快適性の改善胃の粘膜下層に注入したワイヤレス通信デバイスを使用してのオプションを表します。以前の研究9,10に述べたように、粘膜下組織にミニチュア神経の注入が可能であることがわかった。内視鏡的粘膜下ポケット (ESP) と呼ばれる手法を用いて内視鏡的粘膜下注入用内視鏡的粘膜下トンネル解離10に基づきます。本研究の目的は無線のそれぞれの法令への適合、電源管理 (具体的にはワイヤレス充電機能) の範囲で主の植込み型神経のこの概念をさらに向上させる、します。植込み型の医療機器と双極神経の可能性通信リンク。次に、示された microneurostimulator は双方向通信が可能と刺激パラメーターをリアルタイムで変更できます、デバイスながらも注入されます。

この方法は、内視鏡をポケットやトンネル解離を経験した治療医師とチームに適しています。次に、ハードウェアや組込みソフトウェア デザイナー マイクロ コント ローラー ハードウェアのプロトタイプの構築経験、表面実装技術を用いた高周波回路が必要です。ハードウェアのプロトタイプを構築するため、駅および電気計測 (少なくとも、デジタル ・ マルチメータ、オシロ スコープ、スペクトラム ・ アナライザー、PICkit3 プログラマ) の基本的な装置リフロー装備ラボが必要です。

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プロトコル

動物生理学研究所で遺伝学、アカデミー科学チェコ共和国 (バイオメディカル センター PIGMOD)、Libechov、チェコ共和国 (プロジェクトの注入実験動物科目を含む内視鏡のすべてのプロシージャを承認されています。バッテリーレスとバッテリーのデバイスを食道や胃の粘膜下層に-実験的研究)。246/1992 年チェコの法律に準拠してすべての実験を行う「虐待、改正に対する動物の保護」に関する Sb.。動物との直接接触ではない外部のデバイスなので、送信機は、殺菌する必要ありません。

1. 植込み型デバイスの設計

  1. サード パーティ製プリント基板製造サービスを使用して、PCB を準備します。プリント回路基板の設計は、"gerber_implant.7z"の補足のファイルで提供されます。回路図は、図 1で提供しています。
  2. 平らな面 (図 2 a) に基板を配置します。0.6 mm の針、60 psi の圧力とはんだペースト ディスペンサーを使用すると、手動ですべて金属パッド基板上にはんだペーストを塗布します。(図 2 b) プリント基板の上面から始まります。プリント基板の両側のはんだペーストの合計量 15 μ L を超えてはいけません。
  3. 静電気防止ピンセットのペア、PCB (図 2 e) の最上位のレイヤーにすべてのコンポーネントを配置します。図 3を使用して、構成部品の位置とその番号へのコンポーネントの割り当てのための補足ファイル"bom_implantabledevice.csv"。
  4. 260 ° c (図 4 a) のすべてのコンポーネントをはんだ付けするのに基板熱い空気銃ステーションを使用します。すべてのはんだペーストが溶け、熱い空気銃を片付けるまで待ち、部屋の温度にボード クールを許可します。
  5. 基板を裏返して反対側のはんだペーストを塗布します。同じ針と 1.2 (図 2 d) で述べたように圧力を使用します。
  6. 手順 1.3 のように。、PCB の底層のすべてのコンポーネントを配置します。構成部品の位置とその番号へのコンポーネントの割り当てのための補足のファイル「bom_implantabledevice.csv」の図 3を参照してください。
  7. 底側のすべてのコンポーネントをはんだ付けする熱い空気銃を持つ基板の加熱を繰り返します。1.4 の手順と同じプロセスを使用します。
  8. 任意の短い回路のプリント基板を視覚的に確認します。任意の短絡がある場合は、はんだごてで削除します。
  9. 無線/通信充電コイルを製造してください。AWG42 ワイヤーの使用 17 になります。コイルのサイズは 26 × 13.5 mm2 (図 4 d) です。2 つの出力線をツイストします。
  10. 設計、電極を製作します。電極設計は、"gerber_electrodes.7z"の補足のファイルで提供されます。手順 1.1 と同じ製造プロセスを使用します。この基板は製造後、完成し、コンポーネントの上にはんだ付けする必要はありません。小さな長方形の連絡先 (図 4 f) に 2 つの AWG42 電線を半田付け
  11. 7 cm のエナメル線を使用し、一端 (図 4e) からエナメル質の 3 mm 削りによってアンテナを準備します。
  12. (図 4 bc) PCB に PICkit 3 プログラマを接続します。
    1. それぞれピン 2 と 3 PICkit プログラマの 6 および 7 は、図 5によるとパッドを接続します。
    2. パッド TP1、TP2 と TP3 (図 3を参照) をそれぞれ 1、5 および PICkit プログラマの 4 ピンに接続します。
  13. MPLAB IPE ソフトウェアがインストールされたコンピューターの USB ポートに PICkit 3 プログラマに差し込みます。
  14. MPLAB IPE ソフトウェアを実行し、マイクロ コント ローラーにファームウェアをプログラムします。
    1. MPLAB IPE v3.61 を実行します。選択"設定 |アドバンス モード"
    2. パスワード フィールドに 'マイクロ' は、デフォルトのパスワードを入力します。クリックして「のログ」。左側の別のパネルにタブが表示されます。
    3. 左上、「操作」をクリックし、画面の中央上部に「デバイス フィールド」と"PIC16LF1783"の種類をクリックします。「適用」をクリックします。
    4. (図 6) 左側パネル「パワー」を選択します。
    5. 2.55 に VDD の電圧値を変更します。この手順は重要です。
      注意: は、ボード (図 7) 損傷が 2.8 V を超える値の設定。
    6. (図 7) の「ツール」から「電力ターゲット回路」のチェック ボックスをクリックします。
    7. (図 6) 左側の「動作」タブをクリックしてします。
    8. 「接続」をクリックします。
    9. 補足のダウンロードファイル「IMPLANTABLE_V2。X.production.hex"と、ハード ドライブ上の保存場所に注意してください。IPE ソフトウェア ソース行を見つける、近くにある (図 8)「参照」ボタンをクリックしますします。
    10. [プログラム] をクリックします。ソフトウェアは、マイクロ コント ローラー (図 9) に、ソフトウェアが正常にダウンロードされていることを言うを待ちます。
  15. TP1、TP2 と TP3 のパッドに半田付け配線を desolder ように (図 3) ワイヤー パッド 6 および 7 (図 5) に半田付けだけでなく。
  16. バッテリー (図 10 a) を除く他のすべての電気部品をプリント基板に接続します。
    1. 図 8によるとパッド 2 と 3 を無線/通信充電コイルをはんだ付けします。極性は重要ではありません。
    2. 図 5によると 1 をパッドにアンテナを接続します。パッド数 4 と図 5によると 5 に基板電極を接続します。極性は重要ではありません。
  17. パッド 6 および 7 (図 5) に CG 320 電池をはんだ付けします。バッテリーのマイナス端子は、パッド 7 に半田付けする必要があります。次の手順を実行しながらつけてください。デバイスは電源が今と、回路のショートや金属物体との接触に敏感。
  18. ワイヤレス充電回路の機能をテストするには、パート 2 のすべてのステップを完了する必要があります。その後、デバイスの近くにワイヤレス充電器/送信機を配置します。バッテリーの電圧を測定するのにマルチメータを使用します。バッテリー電圧は、(毎分いくつか mV) をゆっくりと立ち上がりは、充電機能は動いています。
  19. スパイラル (図 10 b) デバイスの周りにアンテナを風します。
  20. 内径が 9.5 mm の熱収縮チューブの 32 mm 長い部分をカットします。
  21. プリント基板のコイルを配置します。正しい配置図 7 bを参照してください。
  22. デバイス、コイル、アンテナの上には、熱収縮チューブを置きます。電極のみは、チューブから突出する必要があります。正しい配置図 7 cを参照してください。
  23. 熱い空気銃に縮小し、(図 10 の d) を冷却することは、150 ° c でチューブを熱します。
  24. チューブ (図 10e) の 1 つの側面をシールに左端にエポキシ接着剤を適用します。
  25. チューブを基板の裏に電極を接着します。また、チューブのもう一方の端に接着します。正しい配置図 10 階を参照してください。
  26. 強化し、完全に硬化する接着剤のため、少なくとも 24 時間待ちます。
  27. 無線送信機充電器/デバイスの終了後に、1 h の飽和食塩水の 30 cm 高の列に配置することによって水漏れの植込み型デバイスをテストします。バッテリー電圧の急激な低下や電子機器を短絡食塩によるデバイスの故障としては、任意の主要なリークを発見できます。テストの後、デバイスが完全に注入される覚悟です。
  28. オシロ スコープを使用してインプラントの刺激関数をテストします。オシロ スコープの 2 つの測定電極を植込み型デバイスの電極の金属錫メッキ接触パッドに接続します。オシロ スコープ画面上の刺激パターンを観察します。正しい刺激パターンは、図 11で与えられます。

2. 無線充電器/送信機デザイン

  1. プリント基板の設計は、"gerber_transmitter.7z"の補足のファイルで提供されます。体内植込み型装置の場合と同じ製造プロセスを使用します。回路図は、図 12に提供しています。
  2. 基板を平らな面に置きます。0.6 mm の針、60 psi の圧力とはんだペースト ディスペンサーを使用すると、手動ですべて金属パッド基板上にはんだペーストを塗布します。はんだプリント基板の分配の総額 50 μ L を超えてはいけません。
  3. 静電気防止ピンセットのペアとプリント基板の最上位のレイヤーにすべてのコンポーネントを配置します。コンポーネントの位置とその番号へのコンポーネントの割り当てのための補足のファイル"bom_transmitterdevice.csv"の図 13を参照してください。
  4. 260 ° c のプリセット PCB 熱い空気銃ステーションを使用して、すべてのコンポーネントをはんだ付けします。待つすべてのはんだが溶けるまで熱い空気銃を片付けるし、部屋の温度に冷却するボードします。
  5. デバイスの下側の 2.3 – 2.4 の手順を繰り返します。植込み型デバイスの製造時と同様の手順に従ってください。
  6. AWG18 エナメル線 (図 14 c) の 3 ターンでコイルを作成し、COIL1 と COIL2 のパッドに接続 (図 13)。
  7. パワー トランジスタ (図 13、第 1 四半期と第 2 四半期) のアルミ製ヒートシンクを作る。ヒートシンクの正確な形状は重要ではありません。図 9 dに可能な実施形態のいずれかを示します。この場合、ヒートシンクもデバイスのエンクロージャを形作る。
  8. PICkit 3 プログラマを組み立てられたプリント基板に接続します。TP5 に TP1 のパッドを接続 (図 13) PICkit プログラマの 5 に 1 をそれぞれピンで。
  9. MPLAB IPE ソフトウェアがインストールされたコンピューターの USB ポートに PICkit 3 プログラマに差し込みます。
  10. MPLAB IPE ソフトウェアを実行し、マイクロ コント ローラーにファームウェアをプログラムします。プロセスは、VDD 電圧とアップロードされたファイルを除いて、植込み型デバイスの場合と同じです。
    1. MPLAB IPE v3.61 を実行します。選択"設定 |アドバンス モード"。
    2. [パスワード] ボックスに「マイクロ チップ」は、デフォルト パスワードを入力します。クリックして 「ログオン」。左側の別のパネルにタブが表示されます。
    3. 左上、「操作」をクリックし、画面の上部の中央部に「デバイス」と"PIC16LF1783"の種類をクリックします。「適用」をクリックします。
    4. 左側のパネル「パワー」を選択します。
    5. VDD の電圧値を 3.3 に変更します。
    6. 「ツール」から「電力ターゲット回路」のチェック ボックスをクリックします。
    7. 左の「操作」タブををクリックしてします。
    8. 「接続」をクリックします。
    9. 補足のダウンロードファイル「IMPLANTABLE_V2_TRANSMITTER。X.production.hex"と、ハード ドライブ上の保存場所に注意してください。IPE ソフトウェア ソースの行を検索し、近くに「参照」ボタンをクリックしますします。
    10. 「プログラム」をクリックします。ソフトウェアは、ソフトウェアがマイコンへ正常にダウンロードされたことを言うまで待ちます。
  11. Desolder TP5 に TP1 パッドに半田付け配線
  12. 電源電圧は 12 V を v-と V + パッド (図 5) に接続します。マイナス端子は V パッドに接続します。
  13. USB のケーブルを X1 にミニ USB のプラグ コネクタ (図 5) とパテのソフトウェアがプリインストールされているコンピューターに接続します。
  14. パテのソフトウェアを開き、(図 15) を設定します。
    1. パテのソフトウェアを開きます。接続の種類として「連続」を選択します。
    2. X はデバイスの COM ポートの番号、シリアル回線として COMx を入力します。その他の COM ポート デバイスがインストールされていない場合、この番号は 1 になります。
    3. 「38400」速度を入力します。「開く」をクリックします。充電器/トランスミッタ デバイスは、使用する準備が整いました。ヘルプ キーを押して H。

3. 内視鏡的注入

  1. 生体内でモデル、大人 (8-36 ヶ月)、20-30 kg としてライブのミニ豚を使用します。
    1. 手続きの前に 24 h の高速豚をしましょう。
    2. 透明な液体の自由を許可します。
    3. 麻酔前投薬として筋肉内チレタミン (2 mg/kg)、チレタミン (2 mg/kg) とケタミン (11 mg/kg) を管理します。
    4. チオペン タール静脈内広告 effectum (5% 溶液) とイソフルラン、N2O およびプロポ フォール注射による麻酔を適用します。適切な麻酔は、反射神経と筋肉の緊張や目の位置、眼瞼反射瞳孔反射によって確認されます。循環、酸素化、換気、体温を継続的に監視します。
  2. 注入を行い、可視化、動物モデルを使用するために専用の内視鏡を実行します。生体内でモデルに標準的な方法を使用してそれを挿入します。
  3. スネアと外部デバイスを把握します。その後、胃の中に挿入し、それを解放します。
  4. 内視鏡を取り出して解剖キャップ (15.5 mm) を装備し、胃に再挿入します。
  5. インプラント粘膜下層に生理食塩水ソリューションを適用するために粘膜注射療法針カテーテル (25 G) を使用してにメチレン ブルーを混合しました。
  6. ノブ形の先端で電気ナイフを使用して粘膜に開口部を作成する水平切開を確認します。
  7. 貼付のキャップを使用すると、電気メスの使用と新しく作成した領域にキャップを挿入、中断し、拡張と刺激装置を挿入するのには十分に十分に大きなポケットを作成する粘膜を解剖します。
  8. 挿入および抽出のループと胃の中で自由に転がってるデバイスを把握、把持鉗子を使用して、粘膜下のポケットにそれを移動します。把持鉗子を使用する絶と刺激電極を配置します。
  9. スコープ クリップ、粘膜内でデバイスをセキュリティで保護する上で使用ポケットや任意の移行を防ぐため、外れ。

4. 実験 — 移植後

  1. 留置成功後の注入装置の近くに充電器/送信機コイルを配置します。
  2. PC で RTL2832 ドングルを接続します。
  3. HDSDR ソフトウェアを実行し、432 の mhz の中心周波数を設定します。
    1. HDSDR ソフトウェア (図 15) の正しい設定を開き、パテ ソフトウェア (図 16)。HDSDR ソフトウェアでクリックして"オプション |入力を選択 |ExtIO」。
    2. [帯域幅-「960000」。LO 周波数 431.95 MHz に. は、432.00 MHz にチューニング周波数を選択します。
  4. パテの端末で R キーを押すことによって充電器/送信機からのマンチェスターのコーディング シーケンスを送信し、HDSDR のメイン ウィンドウ (図 17e-f) の観測によるインプラントから OOK 変調返信を受信します。

5. 実験後安楽死

  1. 安楽死 (チオペン タールと KCl の致命的な線量) のため麻酔薬過剰摂取を使用します。

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結果


図 17は、粘膜下組織でポケットに胃の神経刺激装置の内視鏡の配置だけでなく、筋層に電極の適切な配置が成功したことを示します。(図 10) デバイスの寸法 5 mm3 x 15 x 35 ですが重量は 2.15、g.図 17が一緒に接続されている別のモジュール 6 装備されているデバイスを表示するデバイスの回路図を示しています。図 3は、デバイスでプリント基板のレイアウトと構成部品の位置を示します。図 18は、デバイスを粘膜下層に注入、するために、内視鏡的粘膜下ポケット9,10 (ESP) と呼ばれる技術が使用されたことを示しています...

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ディスカッション

体内植込み型装置の設計は、デバイス、達成可能な刺激プロファイル (最大電圧、成果物の最大電流、パルスとパルス周波数の長さ) の全体的なサイズに主に集中する必要があります。ハードウェアの観点からの主な制限は、サイズと適切なコンポーネントの可用性です。全体のサイズを最小限に抑えるために表面実装部品は、コンパクトなパッケージのため優先されます。最善の解決策は、ベア ・ チップを統合する基板上死ぬでしょう。ただし、これはベア ダイ包装オプション コンポーネントの可用性とワイヤボンディング技術のアクセシビリティによって制限されます。2 番目の重要なパラメーターは、バッテリーです。リチウム電池は、エネルギー密度の高い優先されます。また、3.7 V の公称電圧は、有益です。提示されたハードウェア トポロジの主な利点は、その小さなサイズと最小侵襲です。現在ソリューション7,8と比較して、提示されたソリューション小さい大きさおよび外部リード線と神経刺激装置の皮下注入を必要とせず、粘膜下組織に直接注入することができます。

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開示事項

この作業は、研究プロジェクト プログレ-Q28、によってをサポートされ、プラハのチャールズ大学で授与します。著者らは、お尻に感謝します。教授 1 月 Martínek、博士号を取得、PIGMOD センターします。

謝辞

著者は、彼らは競合する金銭的な利益があることを宣言します。

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材料

この記事で使用された材料の一覧
名前会社カタログ番号コメント
EIA 0402 セラミックコンデンサ 1.8 pFAVX04025U1R8BAT2A1 個
EIA 0402 セラミックコンデンサ 100 nFTDKCGA2B3X7R1H104K050BB7 個
EIA 0402 セラミックコンデンサ 100 pF村田電子GRM1555C1H101JA01D1 個
EIA 0402 厚膜抵抗器 10 kΩVishayCRCW040210K7FKED1 pc
EIA 0402 セラミックコンデンサ 10 nFMurata ElectronicsGRM155R71C103KA01D3 pcs
EIA 0402 セラミックコンデンサ 10 pFMurata ElectronicsGJM1555C1H100JB01D3 pc
EIA 0402 セラミックコンデンサ 12 pFMurata ElectronicsGJM1555C1H120JB01D2 pcs
EIA 0402 セラミックコンデンサ 18 pFKEMETC0402C180J3GACAUTO2個EIA
0402抵抗器1 mΩVishayMCS04020C1004FE0002個EIA
0402抵抗1 kΩ八重雄RC0402FR-071KL1 個
EIA 0402 セラミックコンデンサ 1 nF村田電子GRM1555C1H102JA01D3 個
EIA 0603 セラミックコンデンサ 2.2 uFGCM188R70J225KE22D2 個
EIA 0402 抵抗 220 kΩVishayCRCW0402220KJNED5 pcs
0805 22 uH インダクタTDKMLZ2012N220LT0001 pc
EIA 0402 抵抗 330 kΩVishayCRCW0402330KFKED1 pc
EIA 0603 セラミックコンデンサ 4.7 uFTDKC1608X6S1C475K080AC1 pc
EIA 0402 抵抗 470 & Omega;VishayRCG0402470RJNED1 pc
EIA 0402 抵抗 470 kΩVishayCRCW0402470KJNED1 個
EIA 0603 インダクタ 470 nHMurata ElectronicsLQW18ANR47G00D1 個
EIA 0402 抵抗 47 kΩ村田製作所CRCW040247K0JNED2 個
27.0000 MHz 水晶振動子 5032AVX / 京セラKC5032A27.0000CMGE001 個
EIA 0402 コンデンサ 6.8 pF村田電子GJM1555C1H6R8CB01D1 個
EIA 0402 インダクタ 82 nHEPCOS/TDKB82498F3471J 1 個
ABS05 32.768 kHz 水晶ABS05-32.768KHZ-T1 個
CDBU00340-HFショットキーダイオードCOMCHIP技術CDBU00340-HF2個
CG-320S リチウムイオンピンポイント電池パナソニックCG-320S1個
HSMS282Pショットキーダイオード整流器Broadcom / AvagoHSMS-282P-TR1G1個
MAX8570昇圧コンバータマキシム・インテグレーテッドMAX8570EUT+T1個
MICRF113 RFトランスミッタMicrochip TechnologyMICRF113YM6-TR1 個
4.3 V ツェナー ダイオードON SemiconductorMM3Z4V3ST1G1 個
OPA237 オペアンプTexas InstrumentsOPA237N1 個
PIC16LF1783 8 ビット マイクロコントローラMicrochip TechnologyPIC16LF1783-I/ML1 個
TPS70628 低ドロップ レギュレータTexas InstrumentsTPS70628DBVT1 個
EIA 1206厚膜抵抗器0ΩYageoRC1206JR-070RL2個
EIA0603厚膜抵抗0ΩYageoRC0603JR-070RL1 pc
EIA 0402 厚膜抵抗器 100 kΩYageoRC0402FR-07100KL1 pc
EIA 0603 厚膜抵抗器 100 kΩYageoRC0603FR-07100KL1 個
EIA 0805 セラミックコンデンサ 100 nFKEMETC0805C104K5RAC72102 個
EIA 0402 厚膜抵抗器 10 kΩYageoRC0402JR-0710KL1 個
EIA 1206 セラミックコンデンサ 10 nFSamsungCL31B103KHFSW6E2 個
EIA 0402 厚膜抵抗器 1 kΩYageoRC0402JR-071KL2個
EIA0402厚膜抵抗器220Ω八重雄RC0402JR-07220RL2個
EIA 0402 セラミックコンデンサ 220 nFTDKC1005X5R1C224K050BB1個
EIA 1206 セラミックコンデンサ 22 nFTDKC3216X7R2J223K130AA2個
SMC B タンタルコンデンサ 22 uFAVXTPSB226K010T0700 1 個
EIA 0402厚膜抵抗器27ΩYageoRC0402FR-0727RL2個
EIA1206厚膜抵抗器3.3ΩYageoRC1206JR-073K3L3個
SOT23 3.3V ツェナー ダイオードON 半導体BZX84C3V3LT1G1 個
SMC A タンタル コンデンサ 4.7uFKEMETT491A475M016AT2 個
EIA 0603 厚膜抵抗器 470 Ω八重雄RC0603JR-07470RL2個
EIA 1206 セラミックコンデンサ 470 nFケメットC1206C471J5GACTU3個
電解コンデンサ 470 uFパナソニックEEE-1CA471UP3個
EIA 0402 セラミックコンデンサ 47 pFAVX04025A470JAT2A2 個
0603 緑色LEDライトオンLTST-C191KGKT1個
0603 RED LEDLite-On Inc.LTST-C191KRKT1 pc
16 MHz CX3225 クリスタルEPSONFA-238 16.0000MB-C31 pc
0805 フェライトビーズWurth Electronics Inc.7427920401 pc
IR2110SO FETドライバInfineon TechnologiesIR2110SPBF1 pc
FT230XS USB to seriál コンバータFTDI Ltd.FT230XS-R1個
ミニUSBコネクタEDAC株式会社690-005-299-0431 pc
PIC16F1783 8 ビット マイクロコントローラMicrochip TechnologyPIC16F1783-I/ML1 pc
REG1117 3.3 V レギュレータ SOT223Texas InstrumentsREG1117-3.3/2K51 pc
Schottky SMB ダイオード整流器STMicroelectronicsSTPS3H100UF1 pc
SMB パッケージ TVS ダイオードLittelfuse Inc.1KSMBJ6V81 pc
IRLZ44NPBF NチャネルMOSFETInfineon TechnologiesIRLZ44NPBF2 pcs
RTL2832U レシーバードングルEVOLVEOMars1 pc
PICkit 3Microchip TechnologyPICkit 31 pc
Mini USB to USB A ケーブルOEMMini USB to USB-A1 pc
プリント回路基板、埋め込み型デバイス---付属の補足ファイルで製造1個
プリント基板、送信機/受信機---付属の補足ファイルで製造1個
プリント基板、埋め込み型デバイス---付属の補足ファイルで製造1本
AWG18線アルファワイヤー3055 BK0012 m
AWG42 ワイヤーダバーンElectronics2420/42 BK-1001 m
Olympus GIFQ-160OlympusN/A (一部は廃止)1 個
ノブ型の先端と一体型ジェット機能付き使い捨て電気メスナイフOlympusKD-655L1 pc
使い捨て楕円形電気メススネアOlympusSD-210U-151 pc
15.5 mm レンズフードFujiFilmDH-28GR1 PC
注射療法針カテーテルボストンサイエンティフィック25G1個
アリゲーター法把持鉗子オリンパスFG-6L-11個
インスタントミックス 5分 エポキシロックタイトN/A1個
熱収縮チューブ、内径9.5mmTEコネクティビティRNF-100-3/8-X-STK1個
ChipQuikはんだペーストチップクイックSMD4300AX101 個
振動子

参考文献

  1. Abell, T., et al. Gastric electrical stimulation for medically refractory gastroparesis. Gastroenterology. 125 (2), 421-428 (2003).
  2. O'Grady, G., Egbuji, J., Du, P., Cheng, L. K., Pullan, A. J., Windsor, J. A. High-frequency gastric electrical stimulation for the treatment of gastroparesis: a meta-analysis. World J Surg. 33 (8), 1693-1701 (2009).
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  11. Jiang, G., Zhou, D. D. Technology advances and challenges in hermetic packaging for implantable medical devices. , (2017).
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