Name: シングルダイのフリップチップ実装用のレーザー誘起フォワード転送 (動画) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-03-20T14:00:00.000+00:00
Duration: 8 min 21 s
Description: 学ぶレーザー誘起フォワード転送（LIFT）技術を用いた光電子部品のフリップチップ実装法。低温・低コストで微細ピッチ接続を実現し、高密度回路の製造に応用可能です。

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この作業は、FP7プログラム内で欧州委員会が資金提供したプロジェクト「MIRAGE」の枠組みの中で行われました。

1. LIFTアシストフリップチップボンディング注：あり、LIFTアシストフリップチップアセンブリ、LIFT技術を用いて基材、すなわち、マイクロバンプを実現する熱圧着フリップチップボンディング法を用いてバンプ基板に光電子チップを取り付ける際には、三つの段階であり、かつ最終的に結合したアセンブリのカプセル化。これらの段階のそれぞれは、次のセクションで説明します： <ol><li>リフトを使用マイクロバンピング： <ol><li>ドナーの準備のために、レーザー透過性キャリア基板上にドナー材料の薄膜を堆積させる。 2インチ径のx 0.05センチメートル厚：この実験では、寸法のガラスキャリア基板の上にインジウム金属の厚さ200nmの膜を蒸発させる。 注：ドナー調製方法は、例えば、蒸発を使用して、固相ドナー材料スパッタリング及びスピンコーティングおよびドクターブレードの液相ドナーについて、ドナー材料の相に依存するS。 </li><li>受信機の製造のために、受信機などの5×5×0.07センチメートル3の寸法を有するガラス基板を用いる。パターンフォトリソグラフィを用いて構造プロービングOEチップとファンアウトを接合するための金属接触パッドと、これらの基板。この実験では、パターン厚さ4μmのNi-Auのボンドパッドとファンアウトをガラスレシーバ基板上にトラックを探索する。 </li><li>次に、受信機と接触してドナーを配置し、コンピュータ制御のXY移動ステージ上にドナー - 受信機アセンブリをマウントします。 注：ドナー材料の相（ 例えば、固体（インジウム）または液体（インク/ペースト））及びその厚さは、ドナーに依存し、レシーバ基板を容易に制御することができる最適な分離に配置されている（ 例えば、バイ）金属製のスペーサを使って。 </li><li> 160ミリメートルの焦点距離の対物レンズを用いたキャリア供与体界面に入射したレーザビームを集束し、ドナーsubstratにわたってビーム（20μmのスポットサイズ）をスキャン受信機のボンドパッド上にドナーマイクロバンプを転送するための電子。 270 MJ / cm 2のフルエンスでレシーバボンドパッド上にインジウムバンプを持ち上げるために355 nmの波長と12ピコ秒のパルス持続時間のピコ秒レーザー光源を使用してください。 注：このようなエネルギーなどのレーザ特性、ない。パルスは、対物レンズの高さを、ドナーマイクロバンプ転写されるべき所望のパターンを印刷するためのレシーバ基板上の正確な位置の座標を正確にコンピュータプログラムによって制御される。重要な実験パラメータ（ 例えば、転写フルエンス）は、他のレーザ光 ​​源を用いた場合に最適化される必要がある。 </li><li>厚いバンプのために数回、新鮮な領域にドナーを移動し、ステップ1.1.4を繰り返します。例えば、この実験のために、互いの上に印刷された6インジウムバンプのスタックを取得するために6回ステップ1.1.4を繰り返す。最終的には、バンプは〜1.5μmで20μmの直径（ 図2）の平均高さを持って持ち上げた。 注：これらのexperimについてエントバンプの表面形状と厚さは、光学プロフィロメータを用いて測定した。これは、バンプが1.5μmの平均厚さと、凸/ドーム形態を有し、（ 図3に黄色でマークされたように）、バンプ径にわたって平均化することを検討した。その理由は、ドナーは、レーザ照射ゾーン中で溶融し、ペレットを移し、次いで（インジウム、低融点を有する）受容体表面に到達した時点で再固化するという事実に起因する。これの利点は、VCSELの接触パッドに印刷されたバンプの良好な接着をもたらすことである。 </li></ol></li><li>熱圧着（ 図4-6）基板へのチップ： <ol><li>ぶつかった基板に光電子チップを接合するための半自動フリップチップボンダーを使用してください。 </li><li>ぶつかった受信機とボンダのそれぞれの真空プレートに接合されるチップをロードします。そのアクティブエリアFACで、すなわち 、反転した位置にチップを置きますダウンる。 </li><li>適切なピックアップツールを使用して、チップの中心に位置に合わせます。 図5に示すように、針状のツールを使用します。次に、このピックアップツールを使用してチップを選択します。 </li><li>カメラ·アライメントシステムを使用してレシーバ基板上の対応する接触パッドとチップボンドパッドの位置を合わせます。 </li><li>いったん整列すると、基板上にチップを置く。 </li><li>電気的および機械的な相互接続を基板へチップを実現すると同時に熱（〜200℃）および圧力（12.5重/バンプ）を適用する。 </li></ol></li><li>結合したアセンブリ（ 図4-6）のカプセル化： <ol><li>注射針を使用して接合体​​のエッジの周りに光学的に透明な接着剤を分注する。カプセル化は、結合したアセンブリの機械的信頼性が向上します。結合したチップをカプセル化するためのNOA 86などの単一成分のUV硬化型接着剤を使用してください。 </li><li> 〜30秒間UVランプを用いて接着剤を硬化させる。 </li></ol></li></ol>ボンド垂直共振器型面発光レーザ（VCSELの）のキャラクタリゼーション注：製造後に次のステップでは、結合アセンブリの電気光学的性能を評価することである。デバイスの光電流 - 電圧（LIV）の曲線は、プローブステーションを用いて、接合後に記録されている。次のステップはテストのために関与している： <ol><li>カスタムメイドの透明ステージにデバイスをフリップチップを置きます。ステージは、VCSELはによって放射される光に簡単にアクセスするためのその中心部に孔を有している。 </li><li>透明ステージの下に光検出器（PD）を配置し、顕微鏡を用いて接着チップとの活性領域を揃える。 </li><li>正確に顕微鏡を用いたNi-Auのプロービングパッド上プロービングの針を配置。 </li><li>電流の10 mAまで注入し、VCSELの両端の電圧降下および電流/電圧ソースメータユニットとパワーメータ解像度を使用することによって放出される光を測定するpectively。 </li></ol>

<ol><li>Davis, E., Harding, W., Schwartz, R., Coring, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Solid+logic+technology%3A+versatile%2C+high+performance+microelectronics%5BTitle%5D)+AND+%22IBM+J.+Res.+Develop%22%5BJournal%5D)">Solid logic technology: versatile, high performance microelectronics.</a> IBM J. Res. Develop. 8, 102-114 (1964).</li>
<li>Bigas, M., Cabruja, E., Lozano, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Bonding+techniques+for+hybrid+active+pixel+sensors+%28HAPS%29%5BTitle%5D)+AND+%22Nucl.+Instrum.+Methods+Phys.+Res.+A%22%5BJournal%5D)">Bonding techniques for hybrid active pixel sensors (HAPS).</a> Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 574 (2), 392-400 (2007).</li>
<li>Bohandy, J., Kim, B. F., Adrian, F. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal+deposition+from+a+supported+metal+film+using+an+excimer+laser%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Metal deposition from a supported metal film using an excimer laser.</a> J. Appl. Phys. 60 (4), 1538-1539 (1986).</li>
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<li>Boutopoulos, C., Pandis, C., Giannakopoulos, K., Pissis, P., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polymer%2Fcarbon+nanotube+composite+patterns+via+laser+induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Physc.+Lett%22%5BJournal%5D)">Polymer/carbon nanotube composite patterns via laser induced forward transfer.</a> Appl. Physc. Lett. 96, 041104(2010).</li>
<li>Xu, J., Liu, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-assisted+forward+transfer+of+multi-spectral+nanocrystal+quantum+dot+emitters%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Laser-assisted forward transfer of multi-spectral nanocrystal quantum dot emitters.</a> Nanotechnology. 18 (2), 025403(2007).</li>
<li>Doraiswamy, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excimer+laser+forward+transfer+of+mammalian+cells+using+a+novel+triazene+absorbing+layer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Excimer laser forward transfer of mammalian cells using a novel triazene absorbing layer.</a> Appl. Surf. Sci. 252 (13), 4743-4747 (2006).</li>
<li>Papazoglou, S., Raptis, Y. S., Chatzandroulis, S., Zergioti, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((I.A+study+on+the+pulsed+laser+printing+of+liquid+phase+exfoliated+graphene+for+organic+electronics%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+A%22%5BJournal%5D)">I.A study on the pulsed laser printing of liquid phase exfoliated graphene for organic electronics.</a> Appl. Phys. A. , (2014).</li>
<li>Chatzipetrou, M., Tsekenis, G., Tsouti, V., Chatzandroulis, S., Zergioti, I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Biosensors+by+means+of+the+laser+induced+forward+transfer+technique%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Biosensors by means of the laser induced forward transfer technique.</a> Appl. Surf. Sci. 278, 250-254 (2013).</li>
<li>Stewart, J. S., Lippert, T., Nagel, M., Nuesch, F., Wokaun, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Red-green-blue+polymer+light-emitting+diode+pixels+printed+by+optimized+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Red-green-blue polymer light-emitting diode pixels printed by optimized laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 100 (20), 203303(2012).</li>
<li>Kaur, K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Waveguide+mode+filters+fabricated+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Opt.+Express%22%5BJournal%5D)">Waveguide mode filters fabricated using laser-induced forward transfer.</a> Opt. Express. 19 (10), 9814-9819 (2011).</li>
<li>Kuznetsov, A. I. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser+fabrication+of+large-scale+nanoparticle+arrays+for+sensing+applications%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Laser fabrication of large-scale nanoparticle arrays for sensing applications.</a> ACS Nano. 5 (6), 4843-4849 (2011).</li>
<li>Rapp, L., Diallo, A. K., Alloncle, A. P., Videlot-Ackermann, C., Fages, F., Delaporte, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Pulsed-laser+printing+of+organic+thin-film+transistors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Pulsed-laser printing of organic thin-film transistors.</a> Appl. Phys. Lett. 95 (17), 171109(2009).</li>
<li>Assembly of optoelectronics for efficient chip-to-waveguide coupling. Bosman, E., Kaur, K. S., Missinne, J., Van Hoe, B., Van Steenberge, G. 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Dec 11-13, , 630-634 (2013).</li>
<li>Kaur, K. S., Missinne, J., Van Steenberge, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Flip-chip+bonding+of+vertical-cavity+surface-emitting+lasers+using+laser-induced+forward+transfer%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Flip-chip bonding of vertical-cavity surface-emitting lasers using laser-induced forward transfer.</a> Appl. Phys. Lett. 104 (6), 061102(2014).</li>
<li>Kaur, K. S., al, et <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Laser-induced+forward+transfer+of+focussed+ion+beam+pre-machined+donors%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Surf.+Sci%22%5BJournal%5D)">Laser-induced forward transfer of focussed ion beam pre-machined donors.</a> Appl. Surf. Sci. 257 (15), 6650-6653 (2011).</li>
</ol>

著者らは開示するものは何もない。

本稿では、LIFTいわゆるレーザベースの直接描画技術を使用して単一のVCSELチップの熱圧着フリップチップボンディングを示した。 LIFT技術を用いて基板接点パッド上のインジウムのマイクロバンプの印刷を関与アセンブリの製造工程。これは、熱圧着フリップチップバンプ基板にVCSELチップボンディングし、最終的にそれらのカプセル化を行った。 LIFTアシスト結合チップの電気的、光学的および機械的な信頼性は、それらのLIV曲線を測定し、標準8585老化試験を実施することによって評価した。光学特性評価、機械的安定性、および耐久性のために得られた成果は明らかに相互接続技術としてLIFT技術の大きな可能性を強調。 それは、固相材料に来るとき、それは、現在の薄膜に限定される印刷LIFTその言及されるべきであり、それはLIFに困難であるT厚い膜（〜10ミクロン）。それら16を印刷するような事前パターニングドナードナーフィルムを前処理する前により厚くする固体材料のリフティングを実行可能にできることを述べた。 <p ...

レーザー誘起前方転写（LIFT）は、ミクロンおよびサブミクロンの分解能を有するシングルステップパターン定義及び物質移動のための多目的な直接書き込み添加剤の製造方法である。本稿では、チップスケールの垂直共振器型面発光レーザ（VCSEL）のフリップチップ実装用のバンプ技術としてLIFTの使用を報告している。フリップチップシステム·パッケージと電子及び光電子（OE）コンポーネントの統合における重要な技術です。部品の高密度集積化を達成するためにファインピッチ接合が不可欠である。なお、ファインピッチ·ボンディングは、標準的な技術のいくつかによって実証されているが、ボイドが、柔軟性、費用対効果、スピード、精度と低処理温度などの他の重要な特徴を一緒に組み合わせるという点であります。これらの要件を満たすために、我々は、OE部品のファインピッチボンディングのLIFT補助熱圧着法を実証する。 LでIFT、印刷される材料の薄膜（ ドナーと呼ばれる）（ キャリアとも呼ばれる）レーザー透過性支持基板の一方の面上に堆積される。 図1は、この技術の基本原理を示す図である。十分な強度の入射レーザパルスは、次に近接して配置され（ 受信機ともいう）は、別の基板上に照射されたゾーンからのドナーピクセルを転送する転送するために必要な推進力を提供するキャリア供与体界面に集光される。 リフトが最初に損傷を受けたフォトマスク3を修復するためのミクロンサイズの銅配線を印刷する技術としてBohandyによって1986年に報告された。その最初の実証以来、この技術は、セラミックス4、カーボンナノチューブ5、量子ドット6のような広範囲の材料の制御されたパターニングと、印刷、生きた細胞7、グラフのマイクロ·ナノ加工技術として大きな関心を集めているエン8、そのようなバイオセンサー9、OLEDの10、光電子部品11、プラズモンセンサー12、有機エレクトロニクス13とフリップチップボンディング14,15として多様なアプリケーションのために。 LIFTは、OE部品のフリップチップ実装のためのシンプルさ、速度、柔軟性、費用対効果、高分解能と精度などの既存のフリップチップバンプと接合技術に勝るいくつかの利点を提供する。

<table><tbody><tr><td>レーザー光源</td><td>3D MicroMac (3DMM)</td><td>2912-295</td><td></td></tr><tr><td>光検出器</td><td>ニューポート&nbsp;</td><td>818シリーズ</td><td></td></tr><tr><td>・ソース測定ユニット</td><td>・ケースレー&nbsp;</td><td>2401</td><td></td></tr><tr><td>パワーメーター</td><td>ニューポート&nbsp;</td><td>1930</td><td></td></tr>アンダー<tr><td>フィル</td><td>、ノーランド</td><td>、NOA 86</td><td></td></tr><tr><td>、UVランプ</td><td>、オムニキュア</td><td>、シリーズ1000、UV</td><td></td></tr><tr><td>プローブステーション</td><td>、カスケード、マイクロテック</td><td>、モデル42</td><td></td></tr><tr><td>、フリップチップボンダー</td><td>、トレスキー博士</td><td>、T-320 X</td><td></td></tr></tbody></table>

シングルダイのフリップチップ実装用のレーザー誘起フォワード転送

Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies

フリップチップ（FC）パッケージは、マイクロエレクト​​ロニクス産業で高性能、超小型化、高密度回路を実現するための重要な技術である。この技術では、チップおよび/または基板がバンプされ、両者は、これらの導電性バンプを介して接合されている。多くのバンピング技術が開発され、集中的にそのようなステンシル印刷、スタッドバンピング、蒸発電解として1960年にFC技術の導入1/2を電気めっきするので、研究されてきた。これらの方法は、それらすべてが1に苦しむ又はコスト、複雑な処理ステップ、高い処理温度、製造時間及び柔軟性の最も重要な不足などに対処する必要がある複数の欠点の進捗状況にもかかわらず。本稿では、レーザ誘起フォワード転送（LIFT）として知られているシンプルでコスト効率のレーザーベースのバンプ形成技術3を示しています。 LIFT法のバンプ材料の広い範囲を使用すると、bはできRTでの大きな柔軟性、高速かつ正確に一段階で印刷電子。また、LIFTは超小型回路を製造するために重要であるチップスケール、までバンピングとの結合を可能にします。

図7は 、多くのフリップチップ接合のVCSELチップの1つから記録された典型的なLIV曲線を示す。サプライヤーに測定された光パワーとの間に良好な一致が値を引用符で囲まれた接合デバイス接合後の成功の機能を示した。曲線もprior-、ポストカプセル化を記録し、比較には（ 図7に示すように）封入剤には、チップの機能に影響を与えたことが確認されなかった。また、フリップチップ接合のVCSELとベアダイから記録されたもののために記録I-V曲線との比較を持ち上げバンプ（ 図8）に起因して発生したごくわずかな追加の抵抗を示唆し、それによって良い試合になった。 結合した集合体の機械的な耐久性は、たDage 4000シリーズのマシンを使用して試験した。カプセル化されたチップは、ダイ剪断力がそれらに適用されたときに傷がつくことなく、基板から剥離しなかったrebyは、非常に良好な機械的信頼性を証言。結合およびカプセル化されたチップの経時安定性は、標準的な8585（85℃および85％相対湿度）老化試験加速...

私たちは光電子部品のフリップチップ実装用のレーザー誘起フォワード転送（LIFT）技術の使用を示す。このアプローチは、ファインピッチの光電子用途のための高密度回路を実現するためのチップスケール上バンピングと接合するためのシンプルでコスト効率、低温、高速で柔軟なソリューションを提供する。

Flip-chip (FC) packaging is a key technology for realizing high performance, ultra-miniaturized and high-density circuits in the micro-electronics ...

この手順の全体的な目的は、光電子コンポーネントのフリップチップ実装のためのレーザー誘起前方転写（LIFT）リフト技術の使用を実証することです。これは、ドナーとなる金属薄膜を、キャリアである透明ガラス基板上に堆積させることで達成されます。第2のステップでは、フォトリソグラフィを用いて別のガラス基板（レシーバー）にパターンを形成し、金属コンタクトパッドとプローブ構造を設けます。ここにドナーマイクロバンプが転写されます。次に、ドナーとレシーバーを接触させ、キャリア・ドナー界面にレーザーパルスを照射します。このパルスにより、照射領域からレシーバーのコンタクトパッドへドナーマイクロバスが前方転写されます。最終ステップとして、リフトアップされたレシーバー基板に光電子チップをアライメントし、熱圧縮フリップチップボンディングを行い、その後、接合したアセンブリを封止します。最終的に、接合された光電子チップの電気的、光学的、および機械的な特性評価を行い、リフトアシスト接合チップが正常に機能することを確認します。ステンシルプリント、蒸着、電気めっきなどの既存の手法に対するリフト手法の主な利点は、プロセスが単純であることです。この手法は迅速で費用対効果が高く、低温プロセスであり、そして何よりも、多くの標準的な手法に欠けている柔軟性を備えています。この技術の意義は、高密度相互接続に向けて、チップレベルのバンピングおよびボンディングにおいて高い精度とファインピッチを必要とするアプリケーションへの応用にまで及びます。最初のステップは、実験用の基板を準備することです。このビデオでは、ドナー用として2インチのガラス基板を、レシーバー用として5 cm × 5 cmのガラス基板をそれぞれ準備することから始めます。ドナー基板の表面には、厚さ200 nanometerのインジウム金属膜が蒸着されています。レシーバー基板には、フォトリソグラフィによるパターニングが施されています。このパターンには、厚さ数µmのニッケルおよび金によるボンドパッドと、ファンアウトプローブ構造が含まれています。基板の準備が整ったら、レーザー誘起前方転写（LIFT）またはリフトの装置へ移動させます。リフトの装置は、波長 355 nm のレーザーとパルス幅 12 ps のパルス、および対物レンズで構成されています。まず、受容基板をステージの真空テーブル上に設置します。次に、カメラビジョンシステムを用いてレシーバー基板上の印刷位置を定義し、レシーバー基板の上にドナーを配置します。ドナーとレシーバーは、レーザーの光路においてドナーが先に位置するように接触させてください。カメラビジョンシステムを使用して焦点を調整し、レーザービームをキャリア・ドナー界面に集光させます。レーザー制御ソフトウェアで、レシーバーボンドパッドに転写するインジウムバンプの所望のパターンを入力し、スキャンを開始します。以下は、バンプ転写後のレシーバーボンドパッドの例です。ドナーを新しい領域に移動してスキャンを繰り返すことで、より厚いバンプを作成できます。印刷されたバンプは、ソフトウェアのカメラシステムを用いて検査します。次に進むため、上部からドナー基板を取り除いた後、トランスレーションステージからバンプ付きレシーバーを回収します。バンプ付きレシーバーを半自動フリップチップボンダーに移し、光電子チップにボンディングします。レシーバーを適切な真空プレートの上に配置します。次に、バンプ処理されたレシーバー基板に接合するためのvixo光電子チップを用意します。以下はvixoチップの画像であり、サイズは約1000 micrometers × 350 micrometersです。vleをボンダーの真空プレート上に、活性領域を下に向けた状態で載せます。次に、ボンディング工程を開始します。まず、針状のピックアップツールを選択し、vleチップの中心に合わせて配置します。チップをピックアップし、カメラアライメントシステムを使用して、チップのボンドパッドをレシーバー基板上の対応するバンプ接点パッドに合わせて調整します。パッドが整合したら、チップを基板上に配置し、約200 °Cの温度で、バンプあたり12.5 gの荷重を約5分間かけて印加し、両者を接合します。接合が完了した後면、シリンジ針を用いて、アセンブリの周囲に光学的に透明なUV硬化性接着剤を塗布します。UVランプを用いて、接着剤を約30秒間硬化させます。その後、アセンブリを取り出して特性評価を行います。作製後、接合されたアセンブリは電気光学性能の評価が可能な状態になります。プローブステーションを使用して、光電流-電圧曲線を記録してください。装置に、接合されたvleから放出される光を通すための中心に穴が開いたステージを備え、そこにフリップチップ基板を固定します。接合されたvleが穴に揃っていることを確認してください。次に、ステージの下に光検出器を配置します。顕微鏡を用いて、活性領域を接合済みチップに合わせ、その後、プローブニードルをニッケル金プローブパッド上の正確な位置に配置します。これは、測定のためにプローブが適切に配置され、チップが正しくアライメントされた状態の画像です。測定中、最大10 mAの電流を注入し、vleの両端の電圧降下および放出光の強度を測定します。青の実線と赤の点線は、封止前後の光電子チップの電流-電圧測定データである。黒の実線と黒の点線は、封止前後の光電子チップから放出される光出力のデータである。これらのデータにより、ボンディング後のVIX Excelsが正常に機能していること、およびENCAPSULANTがチップの機能に影響を与えなかったことが確認された。このプロットでは、異なる圧力で接合したフリップチップアセンブリで記録された電流-電圧曲線と、ベアダイから記録された曲線が比較されています。これにより、レーザー誘起前方転写（LIFT）でプリントされたバンプによる追加抵抗は無視できるという結論が裏付けられます。接合された垂直共振器面発光レーザーチップは、環境試験槽にて85 °C、相対湿度85%の条件下で400時間の加速劣化試験に付されました。赤色で示された平均DC抵抗は、時間経過に伴う変化は見られず、青色で示された平均光出力では0.3 dB未満の変化が記録されました。リフトプリントおよび熱圧接のパラメータを最適化すれば、パッケージングを10分以内に完了させることができます。このビデオを視聴することで、単一の最適化された慢性コンポーネントのフリップチップパッケージングにおけるリフト技術の使用方法について十分に理解でき、さらにこれをウェハーレベルまでスケールアップすることが可能になります。

laser-induced-forward-transfer-for-flip-chip-packaging-of-single-dies

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高強度レーザーパルスを用いた薄い金箔の自動照射プロトコルを提示します。このプロトコルには、マイクロマシニングターゲット製造プロセスのステップバイステップの説明と、ターゲットが0.2Hzの速度でレーザーの焦点に持ち込まれる方法についての詳細なガイドが含まれています。...

激しいレーザー照射実験のためのマイクロ加工対象の自動送達

このプロトコルは、3Dレーザー印刷を使用した埋め込み型統合イメージングウィンドウの作成について説明しています。このウィンドウは、マイクロレンズとマイクロスキャフォールドを組み合わせたシステムで構成されています。この方法では、生体適合性フォトレジストSZ2080の2光子重合(2PP)を連続的に行い、製造効率と異なるコンポーネント間のアライメントを最適化します。...

高度な In vivo イメージングのための微細構造イメージングウィンドウに統合された埋め込み型光学系の微細加工

学ぶレーザー誘起フォワード転送（LIFT）技術を用いた光電子部品のフリップチップ実装法。低温・低コストで微細ピッチ接続を実現し、高密度回路の製造に応用可能です。

シングルダイのフリップチップ実装用のレーザー誘起フォワード転送

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