クーロン不純物を走査トンネル顕微鏡研究のためのゲート - 調整可能なグラフェンデバイスの作製
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2015年7月24日
DOI :10.3791/52711-v
2015年7月24日
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Han Sae Jung1,2 , Hsin-Zon Tsai1 , Dillon Wong1 , Chad Germany1 , Salman Kahn1 , Youngkyou Kim1,3 , Andrew S. Aikawa1 , Dhruv K. Desai1 , Griffin F. Rodgers1 , Aaron J. Bradley1 , Jairo Velasco Jr.1 , Kenji Watanabe4 , Takashi Taniguchi4 , Feng Wang1,5,6 , Alex Zettl1,5,6 , Michael F. Crommie1,5,6
1Department of Physics, University of California at Berkeley, 2Department of Chemistry, University of California at Berkeley, 3Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California at Berkeley, 4National Institute for Materials Science (Japan), 5Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 6Kavli Energy NanoSciences Institute, University of California at Berkeley and Lawrence Berkeley National Laboratory
この論文は、走査型トンネル顕微鏡研究のためのクーロン不純物で装飾されたゲートチューナブルグラフェンデバイスの製造プロセスを詳述しています。荷電不純物の存在下でのグラフェンの空間依存性電子構造をマッピングすると、局所的なクーロン電位に応答する相対論的電荷担体のユニークな振る舞いが明らかになります。
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Chapters in this video
0:05
Title
2:28
Chemical Vapor Deposition of Graphene on a Cu Foil
4:28
Poly(methyl methacrylate) Transfer of Graphene onto Hexagonal Boron Nitride / Silicon Dioxide Chip
6:29
STM Tip Calibration on Au(111) Surface
8:30
Scanning Graphene
9:40
Results: STM Topography Reveals Coulomb Impurities on Graphene
10:44
Conclusion
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