クーロン不純物を走査トンネル顕微鏡研究のためのゲート - 調整可能なグラフェンデバイスの作製

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2015年7月24日

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Han Sae Jung¹^,² , Hsin-Zon Tsai¹ , Dillon Wong¹ , Chad Germany¹ , Salman Kahn¹ , Youngkyou Kim¹^,³ , Andrew S. Aikawa¹ , Dhruv K. Desai¹ , Griffin F. Rodgers¹ , Aaron J. Bradley¹ , Jairo Velasco Jr.¹ , Kenji Watanabe⁴ , Takashi Taniguchi⁴ , Feng Wang¹^,⁵^,⁶ , Alex Zettl¹^,⁵^,⁶ , Michael F. Crommie¹^,⁵^,⁶

¹Department of Physics, University of California at Berkeley, ²Department of Chemistry, University of California at Berkeley, ³Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of California at Berkeley, ⁴National Institute for Materials Science (Japan), ⁵Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, ⁶Kavli Energy NanoSciences Institute, University of California at Berkeley and Lawrence Berkeley National Laboratory

この論文は、走査型トンネル顕微鏡研究のためのクーロン不純物で装飾されたゲートチューナブルグラフェンデバイスの製造プロセスを詳述しています。荷電不純物の存在下でのグラフェンの空間依存性電子構造をマッピングすると、局所的なクーロン電位に応答する相対論的電荷担体のユニークな振る舞いが明らかになります。

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Chapters in this video

0:05

Title

2:28

Chemical Vapor Deposition of Graphene on a Cu Foil

4:28

Poly(methyl methacrylate) Transfer of Graphene onto Hexagonal Boron Nitride / Silicon Dioxide Chip

6:29

STM Tip Calibration on Au(111) Surface

8:30

Scanning Graphene

9:40

Results: STM Topography Reveals Coulomb Impurities on Graphene

10:44

Conclusion

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