Name: 集中太陽光発電システムにおけるスペクトル分割分散素子の高コントラスト回折格子の作製 (動画) | JoVE Journal
Uploaded: 2015-07-18T14:00:00.000+00:00
Duration: 12 min 8 s
Description: 学ぶナノインプリントリソグラフィーと反応性イオンエッチングを用いた高コントラスト回折格子の作製法。二酸化チタンとガラス基板を用いたスペクトル分割分散素子は、集光型太陽光発電システムの効率向上に貢献します。

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この研究は、米国エネルギー省によって資金を供給エネルギーナノサイエンス、エネルギーフロンティア研究センターセンター、受賞番号DE-SC0001013下科学局の一部としてサポートされていました。また、TiO 2の膜スパッタリングおよび屈折率測定への彼らの助けのために博士マックス·チャンとHP研究所の博士建華ヤンに感謝したいと思います。

1.ナノインプリントモールド用のブランクポリジメチルシロキサン（PDMS）基板を準備します<ol><li>シリコンウェーハ処理プロセス<ol><li>アセトン、メタノール、イソプロパノールですすぐことによって、4インチのシリコンウエハを清掃してください。 </li><li>それは窒素ガンを用いてブロー乾燥。 </li><li> 15分間の内部に浸漬することにより：（30％過酸化水素水と硫酸の1混合物3）ピラニア溶液を使用して清掃してください。 </li><li> DI水でそれを洗浄します。窒素ガンを用いたドライ吹きます。 </li><li>ガラスデシケーター中でウエハを配置します。デシケーター中に薬剤（トリクロロシラン）を放出するドロップ（20滴= 1ミリリットル）を追加します。 </li><li>ゲージは-762トルを読み取るまでデシケーターをポンプダウンし、5時間を待ちます。 </li><li>離型剤で処理されたウェハアウトを取ります。 </li></ol></li><li> PDMSフィルムの作製（ナノインプリントにおけるモールドとして使用されます） <ol><li>シリコーンエラストマーベース10gと硬化剤1gを秤量します。 </li><li>同一のガラスビーカーにそれらを追加します。 </li><li> STI5分間、ガラス棒でrと混ぜます。 </li><li>ゲージはすべて捕捉された気泡を送り出すために-762トルを読み取るまで、真空デシケーターに混合物を入れてください。 </li><li>処理した4インチのシリコンウェーハ上に均等に広げます。 </li><li> PDMS膜を硬化させるために80℃で7時間、真空オーブン中で上にPDMSを有するウェーハを焼きます。 </li></ol></li></ol> 2.ナノインプリントモールド（マスターモールドから複製）を準備<ol><li> 1,500rpmで30秒間清浄なブランクシリコンウェハ上に硬化性レジストをUVの12滴（20滴= 1ml）中（15.2％）をスピン。 </li><li>慎重に処理されたシリコンウェハオフPDMS膜の一部を剥離。 </li><li>硬化性レジストUV上にPDMSフィルムを入れて、それが紫外線を5分間耐えることをはがし吸収しましょう​​。 </li><li> 2回同じPDMS膜上に2.1〜2.3を繰り返します。それぞれ3分、1分間耐えるUVを吸収します。 </li><li> （3回の紫外線吸収に抵抗した後）は、シリコンマスターモールドにPDMSフィルムを配置します。 </li><li>窒素環境と室内に入れて。 </li><li> 5分間のサンプルを硬化させるためにUVランプをオンにします。 </li><li> PDMSフィルムをはがし。 UV硬化PDMS上のレジストは、マスター型のネガパターンを維持します。 </li><li> PDMSモールドを治療するためのRF O 2プラズマを使用してください。 （RFパワー：30 W、圧力：260トール、時間：1分） </li><li> 2時間離型剤の一滴（20滴= 1ml）で真空チャンバ内のPDMSモールドを配置します。 </li></ol> 3.ナノインプリントパターン転写<ol><li> 3,500 rpmで50秒間、インプリントされる基板上にPMMA（996k、3.1％）、8滴（20滴= 1 ml）をスピン。 </li><li> 120℃で5分間、ホットプレート上で焼きます。 </li><li>試料が冷却するのを待ちます。 </li><li> UV硬化性の8滴（20滴= 1 ml）を同一基板上にスピン（3.9％）をレジスト</li><li>サンプル（UVの両方でレジストPMMA）上にPDMSモールド（ステップ2で調製）を配置します。 </li><li>窒素環境と室内に入れて。</li><li> 5分間硬化させるためにUVランプをオンにします。 </li><li>ピールサンプルオフPDMSモールドとPDMSモールド上のパターンを試料に転送されます。 </li></ol> 4.クロムリフトオフプロセス<ol><li> UVの残留層を反応性イオンエッチングレジストおよびPMMA 注：ICPマシンのSOPはhttps://www.nanocenter.umd.edu/equipment/fablab/sops/etch-07/Oxford%20Chlorine%20Etcher%20SOP.pdfで見つけることができます<ol><li> RIE、ICPマシンにログインします。 </li><li>空白の4インチのシリコンウェーハをロードします。 10分間きれいなレシピを実行します。 </li><li>ブランクシリコンウエハを取り出してください。 </li><li>別の清浄なシリコンウェハ上にサンプルをマウントし、マシンにロードします。 </li><li> 2分間のエッチングレシピをレジストUVを実行します（レシピは、表1に見ることができます）。 </li><li>サンプルを取り出します。空白の4インチのシリコンウェーハをロードします。再実行しクリーンなレシピを10分間（ 表1を参照のこと）。 </li><li>清浄なシリコンウェハ上にサンプルをマウントしますマシンにロードします。 </li><li> 2分間（ 表1に見ることができる）、PMMAのエッチングレシピを実行します。 注：ここでの残留がエッチングされたレジストを基板が露出しています。 </li></ol></li><li> Crの電子ビーム蒸着<ol><li>電子ビーム蒸発器にログインします。 </li><li>チャンバー内にCr金属源とサンプルをロードします。 </li><li>厚さ（20 nm）を蒸着速度（0.03 nmの/秒）を設定します。 </li><li>必要な真空（10 -7トル）が到達するまで、チャンバポンプ。 </li><li>堆積プロセスを開始します。 </li><li>成膜終了後の試料を取り出します。 </li></ol></li><li> CRリフトオフ手順<ol><li> 5分間の超音波撹拌しながらアセトン中に試料を浸し。 </li><li>アセトン、メタノール、イソプロパノールでリンスすることにより、サンプルを清掃してください。 注：Crはレジストのリフトオフされ、基板エッチングのためのCrマスクを形成する上で蒸発させました。 </li></ol></li></ol> 5.のTiO 2発osition <ol><li>ロードサンプル。 </li><li>直流マグネトロンスパッタリングマシンのパラメータを設定します<ol><li> 1.5ミリトールのチャンバ圧力、100sccmのアルゴンの流れと130 Wのスパッタ電力を使用して</li><li> 27℃の温度および20回転数のステージ回転速度を使用してください。 </li></ol></li><li>スパッタプロセスを開始し、所望の厚さで停止します。 </li><li>サンプルを取り出し、3時間300℃の酸素雰囲気中のTiO 2膜をアニール。 </li></ol> 6.ハイコントラストグレーティングエッチング<ol><li>誘導結合プラズマ（ICP）反応性イオンエッチング（RIE）マシンにログインします。 </li><li> TiO 2のエッチング<ol><li>ブランク4インチのシリコンウェーハをロードします。 </li><li> 10分間（ 表1に見ることができる）クリーンレシピを起動し、実行します。 </li><li>ブランクウエハをロードアンロードし、Crマスクでサンプルをロードします。 </li><li>エッチング時間を設定します。 TiO 2のエッチングレシピを開始します。エッチングプロセスが自動matically停止。 </li><li>サンプルをアンロードします。 </li></ol></li><li> SiO 2のエッチング<ol><li> SiO 2のエッチングレシピを使用する以外は手順を繰り返し5.2。 </li></ol></li></ol> 7.反射率測定<ol><li>ログインして、測定システムの電源をオンにします。 </li><li>試料ホルダーに、反射率標準ミラーを配置し、光路の位置を合わせます。 </li><li> 100％の反射率のためのシステムのキャリブレーション。 </li><li>反射率標準ミラーを外し、HCGを配置します。 </li><li> HCGの反射率を測定します。 </li><li>データを保存し、測定システムからログアウトします。 </li></ol>

<ol><li>Horne, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+Solid+500+Sun+Compound+Concentrator+PV+Design%5BTitle%5D)+AND+%22Photovoltaic+Energy+Conversion%2C+Conference+Record+of+the+2006+IEEE+4th+World+Conference+on%22%5BJournal%5D)">A Solid 500 Sun Compound Concentrator PV Design.</a> Photovoltaic Energy Conversion, Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on. , 694-697(2006).</li>
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</ol>

著者らは開示するものは何もない。

まず、TiO 2の膜の品質は、HCGのパフォーマンスのために非常に重要です。 TiO 2のフィルムが少ない損失と表面粗さを有する場合、反射率ピークが高くなります。光学モードの閉じ込めがHCGで平坦で広い反射バンドを生じさせることができ指数の高いコントラストによって強化されるため、より高い屈折率を有するTiO 2の膜も良好です。 第二に、製造誤差はHCGに大きな影響を持つことになりますし、避けるべきです。製造に導入された粗さは、より多くの光が散乱されることになりますので、反射率が低くなります。線幅、高さ、ピッチなどのHCG製造のパラメータの偏差は、デバイスシミュレーションのように最適に動作することはできません。また、HCGの反射率が強く、側壁の角度、すなわち 、エッチングプロファイルに依存します。 図11、側壁角の影響でHCGの反射率のSは、数値的に計算されます。側壁角は84°、90°から減少するように側壁角度が小さい場合HCGがより円錐形の反射防止コーティングのよう...

現代社会は、再生可能なエネルギー源へのエネルギー消費量のかなりの部分を移動させずに生存しないであろう。これを実現するために、我々は近い将来、石油系エネルギー源よりも低コストで再生可能エネルギーを収穫する方法を見つける必要があります。太陽エネルギーは地球上で最も豊富な再生可能エネルギーです。進歩の多くは太陽エネルギーハーベスティングで行われていることにもかかわらず、石油系エネルギー源と競合することは非常に困難です。太陽電池の効率を改善することは、太陽エネルギーハーベスティングのシステムコストを低減するための最も効率的な方法の一つです。 それに高価なタンデム多接合太陽電池セル2を利用することが経済的に実行可能であるように光学レンズ及びディッシュ反射器は、通常、小面積の太陽電池に太陽光発電入射高濃度を達成するために最も集中太陽光発電（CPV）システム1で使用されていますCPVシステム、及び妥当性を維持します同時にコスト。それらは通常、より広い太陽スペクトル応答よりも高い全体的な変換効率を有するものの、通常、太陽電池の大面積の設置を必要とするほとんどの非濃縮太陽光発電システムのための、高コストのタンデム太陽電池は、組み込むことができません単接合太陽電池3。 近年、並列スペクトル分割光学系（ すなわち、分散素子）を利用して、並列スペクトル分割太陽光発電技術4により、類似またはより良好なスペクトル範囲と変換効率が高価タンデム型太陽電池を使用することなく達成できることになりました。太陽スペクトルの異なる帯域に分割することができ、それぞれのバンドが吸収され、特殊な単接合太陽電池によって電気に変換することができます。このように、CPVシステムで高価なタンデム型太陽電池は、単接合太陽電池の並列分布に置き換えることができますパフォーマンスに妥協することなく複数。 この報告書に設計された分散素子は、改善された太陽光電力変換効率およびコスト削減のための並列スペクトル分割を実現するために（ディッシュ反射に基づいて）反射CPVシステムに適用することができます。多層高コントラスト回折格子（HCG）5は、光バンドリフレクタとして機能するようにHCGの各層を設計することにより、分散素子として使用されます。分散素子の構造やパラメータが数値的に最適化されています。また、（TiO 2の）誘電スパッタリング、ナノインプリントリソグラフィ6と反応性イオンエッチングを使用して、分散素子のための高コントラスト回折格子の製造を検討し、実証されています。

<table><tbody><tr><td>184シルコンエラストマーキット</td>シル<td>ガード</td><td></td><td>ポリジメチルシロキサン(PDMS)</td></tr><tr><td>4インチシリコンウェーハ</td><td>Universitywafer</td><td></td><td></td></tr><tr><td>4インチ溶融シリカウェーハ</td><td>Universitywafer</td><td></td><td></td></tr>ポリ<tr><td>(メタクリレートメチル)</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>182265</td><td></td></tr><tr><td>UV硬化型レジスト</td><td></td><td></td><td>市場でも</td></tr><tr><td>入手可能ではありませんPlasmaLab System 100</td><td>Oxford Instruments</td><td></td><td>ICP IREマシン</td></tr><tr><td>ナノインプリント製造</td><td></td><td></td>用UV硬化システム <td>市場に出回っていません</td></tr><tr><td>Ocean Optics HR-4000&nbsp;</td><td>海洋光学</td><td>HR-4000</td><td>正常な検出器が付いている分光計</td></tr><tr><td>ラムダ950 紫外線/VIS</td> 半<td>球のintergrationの探知器が付いている</td><td>PerkinElmer</td><td></td>の分光計</tr><tr><td>JSM-7001F-LV</td><td>JEOL</td><td></td><td>電界放出SEM</td></tr><tr><td>DCマグネトロン スパッタリング機械</td><td></td><td></td><td>装置は私達がTiO2金属の電子ビーム蒸発器をスパッタリングするのを助けたHPの実験室にある</td></tr><tr><td></td><td>テメスカル</td><td>BJD-1800</td><td></td></tr></tbody></table>

集中太陽光発電システムにおけるスペクトル分割分散素子の高コントラスト回折格子の作製

Fabrication of High Contrast Gratings for the Spectrum Splitting Dispersive Element in a Concentrated Photovoltaic System

高コントラスト格子は設計および製造されており、その応用は、集中型太陽光発電システムの太陽変換効率を向上させることができる並列スペクトル分割分散要素で提案されています。提案されたシステムはまた、高価なタンデム太陽電池を費用対効果の高い単接合太陽電池に置き換えることにより、集光型太陽光発電システムの太陽電池コストも下げます。分散要素の高コントラスト格子の構造とパラメータは、数値的に最適化されました。高コントラストグレーティングの大面積作製を、ナノインプリントリソグラフィーとドライエッチングを用いて実験的に実証した。グレーティング材料の品質と作製されたデバイスの性能の両方を実験的に特徴付けました。測定結果を分析することにより、製造プロセスから起こりうる副作用が議論され、製造プロセスを改善する可能性のあるいくつかの方法が提案され、製造プロセスの光学効率を向上させるのに役立ちます。

図1は、濃縮された太陽光発電システムにおける分散素子（回折格子多層高コントラスト（HCG））の実装を示しています。太陽の光は、第1の一次ミラーで反射され、ビームは反射し、異なる波長の異なる帯域に分割され、反射分散素子に入射されます。各バンドは電気への最高の吸収および変換のための太陽電池アレイ上の特定の場所に衝突します。このシステムの鍵は、HCGの複数の層で構成されている分散素子の設計と実装です。 図2は、分散素子の各層の数値最適化の結果を示しています。結果は、有限差分時間領域（FDTD）7基づく市販のシミュレーションソフトウェア「Lumerical」とさらに厳密結合波解析（RCWA）8によって検証することにより算出しました。屈折率TiO 2からSOPRA 9オンラインデータベースからのものでした。最適化された6層の分散素子は、太陽スペクトル全体10,11の上に90％以上の全反射を提供することができます。...

集中型太陽光発電システムにおける平行スペクトル分割分散素子としての高コントラスト格子の作製が実証されています。ナノインプリントリソグラフィー、TiO2スパッタリング、反応性イオンエッチングなどの製造プロセスについて説明します。反射率の測定結果は、光学性能を特徴付けるために使用されます。

High contrast gratings are designed and fabricated and its application is proposed in a parallel spectrum splitting dispersive element that can improve ...

本実験の全体的な目的は、集光型太陽光発電システムにおける高コントラスト波長分割素子の作製を実演することです。これは、UV硬化型フォトレジスト層で覆われた二酸化チタンガラス基板上に、PDMSナノインプリントリソグラフィを行うことで達成されます。第二のステップとして、残留したナノインプリントフォトレジストをエッチングで除去し、リフトオフ法を用いてパターン化されたクロムハードマスクを作製します。次に、分光計による測定結果に基づき、二酸化チタンおよびガラスのグレーティングアレイを形成するために反応性イオンエッチングを用いました。作製された高コントラストグレーティングは広帯域反射を示し、集光型太陽光発電システムの分散素子として利用可能です。従来の回折格子とは異なり、これらの二酸化チタン高コントラストグレーティングが特異な反射プロファイルを示すことを発見したことで、本手法を着想しました。したがって、これを利用してスペクトル分割分散素子を構築でき、低コストのシングルジャンクション太陽電池におけるエネルギー吸収を大幅に向上させることが可能です。高価なマルチジャンクション太陽電池技術を用いて広帯域の太陽光を吸収する既存の手法に対するこの技術の主な利点は、グレーティング（回折格子）を用いることで、より低い製造コストでより高い吸収効率を実現できる点にあります。また、インプリントリソグラフィは、大面積で高コントラストなグレーティングの作製に適した、低コストで高歩留まりの製造技術です。マイクロファブリケーションプロセスを開始するために、洗浄済みのシリコンウェハーをガラス製真空デシケーターに入れ、デシケーター内の小型ビーカーに液体トリクロロエチレンを1滴加えます。デシケーターの蓋を閉め、ゲージが1気圧を下回るまでチャンバー内を排気します。次に、真空源のレギュレーターを閉じ、静的真空下で気化したsine溶液がウェハー表面をコーティングするように5時間放置します。処理後、真空を解除し、ウェハーをデシケーターから取り出します。次に、10 gのPDMSと1 gのPDMS硬化剤を量り取ります。中サイズのビーカーで、ガラス棒を用いて両者を均一に混合し、混合液からすべての気泡を除去するため、ディッシュを真空デシケーター内に20〜30分間置いて脱気します。脱気後、ウェハーをプラスチック製ペトリ皿に入れ、シリコンウェハーの上にPDMSをゆっくりと注ぎます。ウェハーを真空オーブンに移し、80 °Cで7時間、PDMSを硬化させます。最後に、硬化したPDMSをオーブンから取り出し、ポリマーフィルムを室温まで冷却します。別のシリコンウェハーを用意し、基板をスピンコーターにセットします。ウェハー上にUV硬化型フォトレジストを12滴滴下し、レジストがまだ濡れている状態で、1500 RPMで30秒間スピンコートします。前のウェハーから硬化させたPDMSの一部を慎重に取り除き、UV硬化型レジストの上にPDMSをそっと押し付けます。PDMSをフォトレジストに5分間接触させたままにし、その後、PDMSをフォトレジスト基板から慎重に剥がして、ソフトフォトレジスト層にグレーディング構造のインプリントを作成します。次に、目的のネガレリーフ構造を持つ既存のシリコンマスターモールドの上に、PDMSフィルムをそっと押し付けます。PDMSとシリコンマスターを組み合わせたものをUVオーブンに入れ、窒素雰囲気下で5分間UVランプを点灯し、挟み込まれたソフトフォトレジスト層を硬化させます。硬化後、シリコンマスターウェハーからPDMSモールドを剥離します。これにより、PDMS表面に、ナノグレーディング構造に対応する表面レリーフを持つ硬化フォトレジストの薄い層が形成されます。最後に、硬化したフォトレジスト表面をRF酸素プラズマで短時間洗浄します。次に、PDMSモールドを真空デシケーターに入れ、トリクロロエチレン1滴を加えて2時間インキュベートします。これで、PDMSフォトレジストナノインプリントモールド上のパターンを、任意の基板に転写する準備が整いました。まず、表面に340 nmのスパッタリングした二酸化チタン層を備えた合成石英デバイスウェハを、スピンコーターのチャックに設置します。ウェハ上にPMMAを8滴滴下し、基板を3,500 RPMで50秒間スピンコートします。ウェハを120 °Cに予熱したホットプレートに移し、PMMAを5分間ハードベイクします。ウェハーを室温まで冷却した後、デバイス基板をスピンチャックに戻します。表面にUV硬化型レジストを8滴滴下し、スピンコートを行います。2層目のレジストを1500 RPMで30秒間塗布します。得られたデバイスウェハーは、UVレジストがまだ濡れている状態で、ナノインプリント転写ステップへの準備が整います。硬化したレジスト構造面を下に向けて、ナノインプリントされたPDMSモールドをソフトUVレジスト表面にそっと接触させます。このサンドイッチ構造全体をUVオーブンに入れ、窒素雰囲気下で5分間、UV照射により濡れたレジスト層を硬化させます。UVレジストの硬化後、デバイスウェハーからPDMSモールドを剥がし、グレーディング構造の凹部内に残っているUVレジストを除去します。ウェハーを誘導結合プラズマエッチャーに移し、このステップの最後に酸素プラズマを用いてUVレジストのエッチングレシピを2分間実行します。これで、ナノ構造の凹部においてPMMAアンダーレイが露出します。露出したPMMA層を除去し、その下の二酸化チタン膜を露出させるために、エッチャーのコンソールからPMMAエッチングプログラムを選択し、酸素プラズマ処理を2分間行います。この時点で、デバイスウェハは、ナノグレーディングの最終的な形状を決定する金属蒸着およびパターニング工程への準備が整ったことになります。二酸化チタンの上にクロムエッチングマスクを作成するには、まず、プラズマエッチャーからウェハーを取り出し、クロム源を含む電子ビーム金属蒸着機に基板を移します。チャンバー内を真空にした後、金属源を溶融させ、0.03 nanometers per secondの速度で20 nanometersのクロムを蒸着させます。電子ビーム蒸着機からウェハーを取り出し、アセトンを満たしたガラス容器に基板を浸します。次に、容器を超音波洗浄機に入れ、室温で5分間超音波洗浄を行います。ウェハに超音波振動を加えることで、溶剤が下層のPMMA層を速やかに溶解し、これにより二酸化チタン表面に密着していなかったクロムが除去されます。その結果、ウェハ上に残った安定したクロムパターンの配列が、ピンセットを用いて行うグレーディングの最終的な形状を決定します。デバイスをアセトンバスから取り出し、アセトン、メタノール、イソプロパノールの順にすすぐことで、PMMAの痕跡と緩い金属切粉をすべて除去します。窒素気流または圧縮空気でウェハーを穏やかに乾燥させ、顕微鏡下でウェハーに欠陥がないか短時間で確認します。次に、ウェハーをプラズマエッチャーにロードし、二酸化チタンのエッチングレシピを開始します。エッチング後にウェハーをアンロードし、顕微鏡下で露出した二酸化チタン層が除去されていることを確認し、二酸化チタンの下にあるガラスサブグレーティング構造を形成します。ウェハーをプラズマエッチャーに再度ロードし、二酸化ケイ素のエッチングレシピを開始します。基板を取り出し、顕微鏡下でウェハーに欠陥がないか検査します。最後に、クイックアシッドを用いてクロムハードマスクを除去します。露出した二酸化チタンパターンをエッチングし、ガラスの凹部溝を形成することで、高コントラストグレーディングの最終構造が完成します。酸化チタングレーディングの広帯域反射率を測定するには、まず光学測定システムを起動し、サンプルホルダーに参照標準ミラーを設置します。サンプルホルダーを入射ビーム経路に合わせて配置し、標準ミラーからの全測定反射率が理論上の100%レベルになるように検出器を校正します。次に、標準ミラーを高コントラストの酸化チタングレーティングに交換し、デバイスの広帯域反射率測定を開始します。測定データを保存し、基板温度を上昇させながら測定システムからログアウトします。メタルスパッタリングプロセスを用いることで、二酸化チタンの結晶粒径が大きくなり、屈折率が高くなります。電子顕微鏡で観察すると、表面粗さが大きくなるため、より低温で堆積させた金属酸化物膜と比較して、トップグレーディング材料としては不適切です。二層グレーディング構造のアスペクト比、サイドウォール角度、ピッチ、および線幅は、取得した反射率データと比較して容易に確認できます。受光角が小さい通常の検出器を用いた場合。受光角がより広い球形検出器を使用すれば、より粗い金属酸化物表面からの勾配反射率および散乱を捕捉し、特性評価することが可能です。データが示すように、屈折率がわずかに増加することで、反射帯域幅が劇的に増大することがあります。さらに、側壁の角度が完全な直角から逸脱すると、反射帯域幅が著しく低下します。一度習得すれば、適切に実施することでこの手法は数時間で完了できます。インプリント工程において欠陥を制御することが重要です。このビデオを視聴することで、ナノプリンティング技術を用いて大面積で高コントラストなグレーティングを作製し、それをフォトボッタシステムアーキテクチャに適用する方法について深く理解することができます。

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