Name: ソリューション処理「銀ビスマス ヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の (動画) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-09-27T14:45:00.000+00:00
Duration: 10 min 19 s
Description: 学ぶ 銀ビスマスヨード三元半導体薄膜の溶液プロセス製造法。鉛フリーで空気安定性を持つ光起電力吸収体として、環境に優しい薄膜太陽電池の開発に応用可能です。TiO₂電極上での成膜プロトコルを解説します。

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この作品は、大邱慶北科学と技術 (DGIST) の研究科学省、ICT、韓国の未来計画 (18-エ-01) の開発 (R & D) プログラムによって支えられました。この作品は、韓国エネルギー技術研究所の評価と Planning(KETEP)、貿易省、産業・韓国 (ナンバー 20173010013200) の Energy(MOTIE) によっても支えられました。

1. 調製裸-ガラス、フッ素ドープ酸化スズ (SnO2: F) 基板
<ol><li>2% トリトン、脱イオン (DI) 水、アセトン、イソプロピル アルコール (IPA)、15 分ごとを含む水溶液で順番に超音波に裸のガラス、フッ素ドープ酸化スズ (FTO) 基板をきれい。</li>
	<li>残留の IPA を削除する 1 h 70 ° C で加熱オーブンの洗浄の基板を置きます。</li>
</ol>2. 電子をブロックするコンパクトな TiO2層 (c TiO2) の準備
<ol><li>C TiO2前駆体溶液の調製、精力的に、攪拌しながら徐々 に 8 mL の無水エタノール (エタノール) の 0.74 mL チタンイソプロポキシド (TTIP) を削除し、ソリューションに塩酸 (HCl) 0.06 mL を急速に注入します。得られた溶液を室温で一晩攪拌します。 注: は、磁気スターラー、HCl 濃度 35 37 %20 mL バイアルを使用します。</li>
	<li>注射器と 0.2 μ m 孔サイズ フィルターを使用して準備された c TiO2前駆体溶液をフィルター処理、ドロップ洗浄 FTO 基板上に、その後、スピン キャスト 30 3,000 rpm で基板 s。</li>
	<li>熱-アニール基板 1 h 500 ° C のオーブンでそれらを加熱することによって、彼らが部屋の温度に冷却します。</li>
	<li>70 の ° C で 30 分間で 0.12 M チタン四塩化 (TiCl4) 水溶液に基板を浸漬し、徹底的に純水を使用して任意の残留 TiCl4を削除するそれらを洗ってください。</li>
	<li>熱アニール 1 h 500 ° C で基板とできる c TiO2層の界面の改善のための部屋の温度に冷却すること。その結果 c TiO2を格納-N2の基板をコーティング-使用までの条件を満たされました。</li>
</ol>3. 電子抽出を図るメソポーラス TiO2層 (m TiO2) の準備
<ol><li>M TiO2前駆体溶液の調製を追加 50 nm サイズ TiO2ナノ粒子の 1 g 3.5 g 2 - プロパノールとテルピネ オールの 1 g を 10 mL のバイアルに (SC HT040) を貼り付けるし、糊が完全に溶けるまで、すべてをかき混ぜます。 注: 50 nm サイズ TiO2ナノ粒子ペーストは高粘度、へらを使用して慎重に処理する必要があります。</li>
	<li>準備された 50 nm サイズ TiO2ナノ粒子ペースト ソリューションの 30 の 5,000 rpm でスピン キャスト 200 μ L c TiO2に s-FTO 基板をコーティングします。</li>
	<li>熱アニール 1 h 500 ° C のオーブンで結果の基板と室温に冷却を。</li>
	<li>70 の ° C で 30 分間で 0.12 M TiCl4水溶液に基板を浸漬、その後、完全に純水を使用して任意の残留 TiCl4を削除するそれらを洗ってください。</li>
	<li>熱アニール 1 h 500 ° C で基板とできる m TiO2層の界面の改善のための部屋の温度に冷却すること。ストア結果 c TiO2- と m TiO2-N2の基板をコーティング-使用までの条件を満たされました。</li>
</ol>4 AgBi2の作製私7薄膜
<ol><li>基板がきれいで、親水性であることを確認する 10 分間クリーナー UV オゾンで 45 mA/cm2の強度と紫外線 (UV) ランプの下での裸からす基板を扱います。C と m TiO2を治療しない-クリーナー UV オゾンと FTO 基板をコーティングします。 注: を x 線回折 (XRD)、吸光、およびフーリエ変換赤外 (FT-IR) 薄膜を用いた Ag-Bi-私の裸からす基板上に作製した調べた。C と m TiO2-太陽電池デバイスのためコーティング FTO 基板に使用されました。</li>
	<li>積極的に渦 BiI3 (0.5087 モル)、ヨウ化銀の 0.06 g 0.3 g (0.2544 モル)、n ブチルアミンのすべてを完全に溶解するまでの 3 mL とし、シリンジ フィルター、混合物は 0.2 μ m 孔サイズ ポリテトラフルオロ エチレン (PTFE) フィルターを使用して。</li>
	<li>ドロップの基板の上に、その後、スピン キャスト前駆体溶液 200 μ L 30 6,000 rpm で 20% 以下制御湿度で s。すぐに N2黄色赤膜の結果を転送-熱処理対応グローブ ボックスを充填します。</li>
	<li>室温で得られたフィルムの熱処理を開始し、150 ° C にフィルムを熱、30 分はすぐに室温に軟膜を消すために 150 ° C の温度を維持します。最終的なフィルムでお越しの際にも光沢があり、ブラウン ブラック カラー。すぐに焼なまし材の基板を消すに 150 ° C に設定されたホット プレートから削除します。</li>
	<li>Ag-Bi-私三項薄膜 Ag2BiI5など、異なる組成の AgI の前駆物質のモル比を 1:2、2:1 ~ BiI3に変更し、n ブチルアミン溶剤と同じボリュームを使用します。上記の方法を使用して得られたフィルムをアニールします。</li>
	<li>温度依存性 Ag-Bi-私形成 XRD パターン、FT-IR スペクトル、表面形態、吸光度スペクトルを使用して調べるため、Ag-Bi-私三元系薄膜の 90、110、150 ° C の熱アニーリングの温度を使用します。</li>
</ol>5. 太陽電池の作製は、AgBi2を使用して工夫私7薄膜
<ol><li>Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) を使用して、AgBi2の正孔輸送材料として私7薄膜太陽電池。クロロ ベンゼン 1 mL に P3HT の 10 mg を追加し、P3HT が完全に溶けるまで 30 分 50 ° C で混合物をかき混ぜます。0.2 μ m 孔サイズ PTFE フィルターを使用してフィルターを適用します。準備し、N2P3HT を格納-グローブ ボックスを充填します。</li>
	<li>ドロップ 100 μ L、P3HT はマイク c と m TiO27薄膜 AgBi2にクロロ ベンゼンに溶解-FTO 基板とし、スピン キャスト 30 4,000 rpm で基板をコーティング s N2-グローブ ボックスを充填します。熱-アニール P3HT の構造方向 10 分 130 ° C で P3HT 膜。</li>
	<li>0.5 の堆積速度と熱蒸発器を使用して Å/秒とバー パターン トップ メタルはマイク7薄膜太陽電池 AgBi2で連絡と 100 nm 厚の金 (Au) 電極の預金をシャドウ マスク。</li>
</ol>

<ol><li>Grätzel, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+Light+and+Shade+of+Perovskite+Solar+Cells%5BTitle%5D)+AND+%22Nature+Materials%22%5BJournal%5D)">The Light and Shade of Perovskite Solar Cells.</a> Nature Materials. 13, 838-842 (2014).</li>
<li>Green, M. A., Ho-Baillie, A., Snaith, H. J. <a target="_blank" href="https://www.nature.com/articles/nphoton.2014.134?cacheBust=1508229687919">The emergence of perovskite solar cells.</a> Nature Photonics. 8, 506-514 (2014).</li>
<li>Kojima, A., Teshima, K., Shirai, Y., Miyasaka, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Organometal+Halide+Perovskites+as+Visible-Light+Sensitizers+for+Photovoltaic+Cells%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+American+Chemical+Society%22%5BJournal%5D)">Organometal Halide Perovskites as Visible-Light Sensitizers for Photovoltaic Cells.</a> Journal of American Chemical Society. 131 (17), 6050-6051 (2009).</li>
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<li>Zhu, H., Pan, M., Johansson, M. B., Johansson, E. M. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((High+Photon-to-Current+Conversion+in+Solar+Cells+Based+on+Light-Absorbing+Silver+Bismuth+Iodide%5BTitle%5D)+AND+%22ChemSusChem%22%5BJournal%5D)">High Photon-to-Current Conversion in Solar Cells Based on Light-Absorbing Silver Bismuth Iodide.</a> ChemSusChem. 10 (12), 2592-2596 (2017).</li>
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</ol>

著者が明らかに何もありません。

Ag-Bi-私三元系半導体、メゾスコ ピック デバイス アーキテクチャの薄膜太陽電池における鉛フリー太陽光吸収体として悪用されることであるソリューション作製のための詳しいプロトコルを実施しています。c TiO2層は、FTO FTO 電極に流れる電子の漏れを避けるために基板上に形成されました。m TiO2層の c TiO2に形成された順番に-太陽光吸収体 (すなわち、薄膜中に Ag-Bi-I) から生成された電子の抽出を改善するために FTO 基板をコーティングします。C TiO2と m TiO2の両方がパッシベーション TiO2の表面トラップのために扱われた TiCl4水溶液をこれ各 TiO2層の界面の改善につながります。Ag-Bi-私前駆体溶液だった湿度が 20% 以下でスピン コーティングこのためブチルアミン溶剤低沸点ポイントがあり、非常に強く表面の形態に影響を与えることができる空気中の水分と反応でした。結果黄色赤薄膜がアニールによる N<s...

溶液プロセスによる無機薄膜太陽電池は、太陽光を直接電気1,2,3,4,5に変換しようとして多くの研究者によって広く研究されています。材料合成とデバイス アーキテクチャの開発、鉛ハロゲン系ペロブスカイト型は 225より大きい電力変換効率 (PCE) 最高の太陽電池の吸収体に報告されています。ただし、自体 - ハロゲン化鉛ペロブスカイトの安定性の問題と同様に、有害な鉛の使用について懸念が高まっています。
最近、ビスマス ベースのハイブリッド ペロブスカイトがビスマス ヨウ化複雑なユニットに一価カチオンとこれらがメゾスコ ピック太陽電池アーキテクチャ6、太陽光吸収材として使用することができますを組み込むことによって形作ることができる報告されています 7,8。ペロブスカイトにおける鉛ビスマスは、6 s には置き換えることができます2外側孤立電子対;しかし、彼らは異なる酸化状態と化学的性質9を持っているという事実にもかかわらず、複雑な結晶構造を持つビスマス ベースのハイブリッド ペロブスカイトのところ唯一従来の鉛ハライドの方法論が使用されています。さらに、これらのペロブスカイトの貧しい人々 の表面形態があるし、薄膜デバイス アプリケーションのコンテキストで比較的厚いフィルムを生産したがって、彼らは高いバンド ギャップ エネルギー (> 2 eV)6,7,8で貧しい太陽光発電性能を持っています。したがって、我々 は材料設計と方法論を考慮したビスマス薄膜半導体は、環境に優しい、空気安定を生成する新しい方法を見つける、低いバンド ギャップ エネルギー (< 2 eV) に求めた。
提案するソリューション処理 Ag-Bi-私三元系薄膜、することができます7と Ag2BiI5、鉛フリーおよび大気中安定な半導体10、11AgBi2結晶私。この研究 AgBi2I7組成、ヨウ化銀 (AgI)、ビスマス (BiI3) ヨウ化前駆体を同時に溶解する溶媒として n ブチルアミンを使用します。混合物は、スピン キャストと N2で 30 分間 150 ° C で熱処理-グローブ ボックスをいっぱいその後、フィルムを室温に癒されています。得られた薄膜はブラウン ブラック カラーで。さらに、Ag-Bi-私三元系の結晶組成と表面形態のアニーリングの温度と AgI/BiI3前駆体比によって制御されます。結果として得られる AgBi2私7薄膜展示キュービック相の結晶構造、サイズ、200-800 nm の大きな粒と 740 の波長の光を吸収し始めて 1.87 eV の光学バンド ギャップ緻密で滑らかな表面形態 nm.最近、結晶組成とデバイスのアーキテクチャを最適化することにより、Ag-Bi-私三元系薄膜太陽電池が 4.3% の PCE を達成できることが報告されています。

<table><tbody><tr><td>ヨウ化ビスマス(III)、Puratronic、99.999%(金属ベース)</td><td>Afa Aesar</td><td>7787-64-6</td><td>N2充填状態で保存</td></tr><tr><td>ヨウ化銀、プレミオン、99.999% (金属ベース)</td><td>Afa Aesar</td><td>7783-96-2</td><td>N2充填状態で保存</td></tr><tr><td>ブチルアミン99.5%</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>109-73-9</td><td></td></tr><tr><td>Triton X-100</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>9002-93-1</td><td></td></tr><tr><td>イソプロピルアルコール(IPA)</td><td>Duksan</td><td>67-63-0</td><td>Electric High Purity GRADE</td></tr><tr><td>Titanium(IV) isopropoxide</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>546-68-9</td><td>&ge;97.0%</td></tr><tr><td>エチルアルコール</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>64-17-5</td><td>200プルーフ、ACS試薬、&ge;99.5%</td></tr><tr><td>塩酸</td><td>SAMCHUN</td><td>7647-01-0</td><td>超純</td></tr><tr><td>四塩化チタン(TiCl4)</td><td>sharechem</td><td></td><td></td></tr><tr><td>50nmサイズのTiO2ナノ粒子ペースト</td><td>sharechem</td><td></td><td></td></tr><tr><td>2-プロパノール</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>67-63-0</td><td>無水、99.5%</td></tr><tr><td>テルピネオール</td><td>メルク</td><td>8000-41-7</td><td></td></tr><tr><td>加熱オーブン</td><td>WiseTherm</td><td></td><td></td></tr><tr><td>酸素 (O2) 血漿</td><td>AHTECH</td><td></td><td></td></tr><tr><td>X線回折 (XRD)</td><td>Rigaku</td><td></td><td>Rigaku Miniflex 600 回折計 NaI シンチレーションカウンター付きで、単色化された Cu-K&alpha; radiation (1.5406 &Aring; 波長) を使用しています。</td></tr><tr><td>フーリエ変換赤外(FTIR)</td><td>Bruker</td><td></td><td>Bruker Tensor 27</td></tr><tr><td>電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)</td><td>日立</td><td></td><td>SU8230</td></tr><tr><td>UV-Visスペクトル</td><td>PerkinElmer</td><td></td><td>PerkinElmer LAMBDA 950 分光光度計</td></tr><tr><td>紫外光電子分光法(UPS)</td><td>RBD Instruments</td><td></td><td>PHI5500 Multi-Technique system</td></tr></tbody></table>

ソリューション処理「銀ビスマス ヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の

Solution-Processed "Silver-Bismuth-Iodine" Ternary Thin Films for Lead-Free Photovoltaic Absorbers

ハイブリッドのビスマス系ペロブスカイトは環境および大気中安定な太陽電池のアプリケーションのための有望な写真アクティブ半導体とみなされます。しかし、貧しい人々 の表面形態と比較的高いバンド ギャップ エネルギー彼らの潜在性を限った。(Ag-Bi-私) 銀ビスマス ヨウ素は光電子デバイスの有望な半導体です。したがって、我々 は、薄膜の作製 Ag-Bi-私三元系材料ソリューション処理を使用してを示しています。結果として得られる薄膜制御表面形態とその熱処理温度によると光学バンド ギャップを表わします。さらに、それは、Ag-Bi-私三元系結晶化 AgBi2私7、報告されている Ag2BiI5、前駆体化学物質の比率に従って等。ソリューション処理 AgBi2私7薄膜展示キュービック相結晶構造、200 から 800 までの穀物との密なピンホール フリーの表面形態、nm と 1.87 eV の間接バンド ギャップ。結果 AgBi2私7薄膜を良い空気安定性とエネルギー バンド図だけでなく表面の形態と光学バンド ギャップ鉛フリーと大気安定な単一接合太陽電池に適した。非常に最近、4.3% の電力変換効率を持つ太陽電池は Ag-Bi-私結晶組成と太陽電池デバイス アーキテクチャを最適化することによって得られました。

Ag-Bi-私三項システム、有望な半導体としてみなされるがであるが報告されている7AgBiI4、および Ag2BiI510AgBi2など、様々 な組成の結晶私によるとBiI3AgI のモル比。以前の研究は、Ag-Bi-私三元系の様々 な組成のバルク結晶形が AgI と BiI3のモル比を変更することによって実験的に合成できるし、各組成が異なる XRD パターン10を持っていることを示しています。
バルク結晶とは異なり、我々 はソリューション処理 Ag-Bi-私三項薄膜光電子デバイスのアクティブなレイヤーとして直接使用することができますを開発ましょう。本研究では n ブチルアミンは AgI と BiI<sub...

ここで、我々 現在のソリューション処理銀ビスマス ヨウ素 (Ag-Bi-私) 三元系半導体の詳細なプロトコル TiO2上に作製した薄膜-透明電極および空気安定性として潜在的なアプリケーションおよび鉛フリーめっきオプトエレクトロニクス デバイス。

Bismuth-based hybrid perovskites are regarded as promising photo-active semiconductors for environment-friendly and air-stable solar cell applications. ...

この方法は、環境にやさしい薄膜太陽電池用の溶液処理可能な銀ビスマス-ヨウ素三分半導体の作り方に関する重要な質問に答え、応用を採用するのに役立ちます。この技術の主な利点は、銀ビスマス-ヨウ素の溶液製造であり、その後、顕微鏡デバイスアーキテクチャを有する薄膜太陽電池における鉛フリー光起吸収体として使用される。この技術は、銀ビスマスヨウ素三元半導体が鉛フリーで空気安定性の高い太陽電池吸収体であるため、環境に優しい薄膜太陽電池の製造に潜在的な応用を有する。コンパクトな二酸化チタン層の前駆体溶液の調製を開始するには、20ミリリットルガラスバイアルに無水エタノール8ミリリットルを入れ、激しく攪拌を開始します。攪拌エタノールを滴下するに0.74ミリリットルのチタンイソプロポキシドを加える。そして、濃縮塩酸の0.06ミリリットルを急速に追加します。混合物を室温で12時間から24時間攪拌し、前駆体溶液を形成する。次に、2%水性オクトキシノール-9、アセトン、イソプロピルアルコールでそれぞれ15分間、1インチのFTO基質で1インチの裸のFTO基板を超音波処理する。きれいな基板を70°Cのオーブンで1時間乾燥させ、空気中の室温まで冷却します。次に、基板をスピンコーターチャックに固定します。コンパクトな二酸化チタン層前駆体溶液を1ミリリットルまたは3ミリリットルのシリンジに充填し、0.2ナノメートルのシリンジフィルターを取り付けます。小さなバイアルに溶液をフィルターします。200マイクロリットルの濾過前駆体溶液を基板に塗布し、それを完全にカバーします。3000 RPMで基板を30秒間スピンコートします。500°Cのオーブンでフィルムを1時間アニールします。その後、熱を消し、通常約6時間かかる室温まで空気中で基板を冷却させます。次に、被覆された基板を四塩化チタンの水溶液0.12モル溶液に浸漬する。基板を摂氏70度のオーブンに30分間浸します。その後、残存四塩化チタンを除去するために、その後脱イオン水で基板を十分に洗い流します。フィルムを摂氏500度で1時間アニールし、空気中の室温まで冷却します。冷めたら、コンパクトな二酸化チタンコーティング基板を窒素ガスの下に保管し、後で使用します。5ミリリットルガラスバイアル中空孔性二酸化チタンナノ粒子層の前駆体溶液の調製を開始するには、0.5グラムの50ナノメートルの二酸化チタンナノ粒子ペーストと1.75グラムのイソプロピルアルコールと0.5グラムのテルピネオールを組み合わせます。バイアルにかき混ぜ棒を加え、ペーストが完全に溶解するまでかき混ぜます。通常、この処理には約 1 時間かかります。次に、コンパクトな二酸化チタンコーティングされたFTO基板をスピンコーターに固定し、200マイクロリットルのナノ粒子溶液を基板表面に塗布します。基板を5000RPMで30秒間スピンコートします。コーティングされた基板を500°Cのオーブンで1時間アニールし、室温まで冷却します。その後、30分間摂氏70度で四塩化チタンの水性0.12モル溶液に基板を浸します。イオン化された水で基板を十分に洗い流します。摂氏500度で1時間アニールし、空気中の室温まで冷まします。後で使用するために、コンパクトでメソポーラス二酸化チタン層を被覆した基板を窒素ガスの下に保管してください。低湿度の窒素で満たされたグローブボックスに含まれるヨウドビスム酸銀、ジビスマスヘプタイオジドの薄膜の調製を開始するには、0.3グラムのビスマス-3ヨウ化物、0.06グラムのヨウ化銀、および3ミリリットルのn-ブチルアミンを組み合わせる。固形物がほとんど溶解するまで混合物を激しく渦を流し、その後、0.2マイクロメートルのポリテトラフルオロエチレンフィルターを介して前駆体溶液をフィルターします。次に、スピンコーターに所望の基板を固定し、濾過前駆体溶液の200マイクロリットルを塗布する。基板を6000RPMで30秒間スピンコートします。ホットプレートに基板を置き、150°Cに加熱します。その温度でフィルムを30分間アニールし、ホットプレートから素早く取り出して焼入れます。窒素で満たされたグローブボックスに、P3HTの10ミリグラムとクロロベンゼン1ミリリットルを組み合わせます。50°Cで30分間攪拌し、P3HTを完全に溶解し、0.2マイクロメートルのPTFEシリンジフィルターで混合物を濾過します。次に、銀二重マスの重症体を付けたFTO基材をコンパクトに、メソポーラス二酸化チタンをスピンコーターに固定します。P3HT溶液の100マイクロリットルを基板に塗布し、基板を4000RPMまたは30秒でスピンコートします。ホットプレート上のP3HTフィルムを130°Cに予熱して10分間アニールします。グローブボックス内の基板を室温まで冷まします。最後に、熱蒸発器を使用して、100ナノメートルの金を基板上に毎秒0.5オングストロームで堆積させて太陽電池の上部金接点を形成します。銀ビスマス-ヨウ素三日薄薄膜は、ヨウ化銀とヨウ化銀の1:2、1:1、および2:1モル比をこの方法で製造した。1:2フィルムは、約42度で単一のピークを示し、立方体構造を示した。1:1および2:1のフィルムについてピーク分割が観察され、六角形の構造を示す。1:2フィルムは2:1フィルムよりも長い波長を吸収した。また、1:2フィルムは大粒で滑らかな表面を有し、2:1フィルムでは過剰なヨウ化銀の粒子が観察された。1:2の映画は、このようにさらなる研究のために選ばれました。X線回折は、1:2フィルムが立方相で完全に結晶化するために150°Cのアニーリング温度が必要であることを示した。フィルムは少なくとも10日間空気中で安定していた。FTIR分光法は、残留n-ブチルアミンが低いアニール温度でビスマス-3ヨウ化物とヨウ化銀に弱く複雑なままであり、銀ビスマスヨウ素ビルディングブロックの形成を抑制することを示唆した。アニーリング温度が上昇するにつれて、穀物はより大きく、より密に詰まりました。150°Cでアニールされたフィルムはまた、太陽電池での使用に最も適した吸収特性を有していた。全体として、150°Cでアニールされた銀の二重マスヘプテオジド膜は、太陽電池の使用に適したエネルギッシュな特性を示した。この技術は、溶液処理可能な薄膜太陽電池の研究者が、鉛フリーおよび空気安定性の高い薄膜太陽電池などの用途における銀ビスマス-ヨウ素三元半導体の方法論をさらに発展させる道を開く。この手順を試みている間に、銀ビスマス-ヨウ素前駆体溶液で基板をスピンコーティングするために20%以下の制御湿度を使用することがよい。前駆体溶液を30%以上の湿度で回転すると、反応性が高いため黄色が表示され、写真スピンコートの湿度を制御できない場合は、N充填グローブボックスで前駆体溶液をスピンコートすることができます。ただし、完了後にグローブボックスを完全にパージする必要がありますのでご注意ください。

solution-processed-silver-bismuth-iodine-ternary-thin-films-for-lead

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ソリューション処理「銀ビスマスヨード」三項薄膜鉛フリー太陽光吸収体の

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