트랜지스터

MOSFET은 활성 영역에서 전압 제어 전류원으로 작동하며, 여기서 게이트-소스 전압은 드레인 전류를 조정합니다.

이 트랜스컨덕턴스 MOSFET 증폭기는 저항기를 통해 출력 전류를 유도하여 전압 증폭기로 변환할 수 있습니다.

출력 전압은 공급 전압에서 부하 저항을 가로지르는 전압 강하를 빼서 구합니다. 그 결과 출력 전압의 반전 버전이 생성되고 공급 전압에 의해 이동됩니다.

증폭기의 전압 전달 특성 플롯은 출력 드레인과 입력 게이트 전압 간의 관계를 보여줍니다.

이는 증폭기의 활성 영역을 강조하며, 최대 이득을 위한 가파른 경사를 가지고 있지만 비선형 드레인 전압을 제공합니다.

활성 영역 내의 대기 지점에서 게이트-소스 DC 전압 바이어스를 적용하면 일반적으로 MOSFET에서 거의 선형 증폭이 발생합니다.

시간에 따라 변하는 작은 신호가 증폭기에 적용되면 Q-포인트 주변의 DC 바이어스 전압에 오버레이됩니다.

MOSFET은 특성 곡선의 짧고 거의 선형에 가까운 세그먼트 내에서 작동하므로 출력 드레인 전압이 증폭됩니다.