MOSFET: 공핍 모드

공핍 모드 MOSFET은 게이트 바이어스 없이 이미 켜져 있지만 스위치를 끄려면 게이트 소스 전압이 필요합니다.

이들은 JFET와 같은 기능을 하며, 여기서 드레인-소스 채널은 채널 도핑으로 인해 본질적으로 전도성이 있습니다. 이렇게 하면 드레인과 소스 사이에 낮은 저항 경로가 생성되어 게이트 바이어스 없이 전류가 흐를 수 있습니다.

n-채널 공핍 MOSFET의 경우, 드레인 특성은 포지티브 게이트 전압이 증가하면 채널이 넓어지므로 드레인 전류가 증가한다는 것을 보여줍니다.

게이트 전압이 음수가 되면 드레인 전류가 감소합니다. 이 동작은 p-채널 공핍 MOSFET에서 반대입니다.

게이트 임계 전압은 채널이 완전히 닫히고 전류 흐름을 중지하는 게이트-소스 전압입니다.

포화 전류는 0 게이트-소스 전압에서 장치를 통해 흐를 수 있는 최대 전류입니다.

Depletion MOSFET은 상시 스위치로 기능하므로 디지털 논리 회로에서 부하 저항기로 유용합니다.

이 커패시터는 시동 보조 전원 공급 장치 회로, 전압 스위핑 회로, 전류 모니터 회로 및 솔리드 스테이트 릴레이 등에 광범위하게 사용됩니다.