방법 논문

잘 정렬 된 수직 지향 ZnO Nanorod 배열 및 그들의 응용 프로그램에서 반전 된 작은 분자 태양 전지

DOI:

10.3791/56149

⸱

2018년 4월 25일

 ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 
1Department of Electrical Engineering, National United University, 2Research Center of Applied Science, Academia Sinica, 3Department of Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, 4Department of Electronic Engineering, Chung Yuan Christian University

이 논문에서

요약

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

이 원고에서는 디자인과 고품질 알 실수로 ZnO (AZO) 씨앗 층에 성장 하는 ZnO nanorods (NRs)와 효율적인 거꾸로 SMPV1:PC71BM 태양 전지를 조작 하는 방법을 설명 합니다. 잘 정렬 된 수직으로 ZnO NRs 전시 높은 결정 속성 지향. 전력 변환 효율의 태양 전지는 6.01%를 도달할 수 있다.

초록

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이 원고 디자인과 효율적인 거꾸로 태양 전지, 2 차원 활용된 작은 분자 (SMPV1)에 근거 하는 조작 하는 방법에 설명 합니다 및 [6,6]-페 닐-C71-ZnO nanorods (NRs)을 이용 하 여 버터 산 메 틸 에스테 르 (PC71BM), 높은 품질 알 실수로 ZnO (AZO) 씨앗 층에 성장. 거꾸로 SMPV1:PC71BM 태양 전지 모두 스퍼터 링 및 졸-겔의 처리 아조 씨 계층에 ZnO NRs와 조작 됩니다. 졸-겔 방법에 의해 준비 된 AZO 박막에 비해, 스퍼터 AZO 박막 더 나은 결정 및 낮은 표면 거칠기, x 선 회절 (XRD) 및 원자 힘 현미경 (AFM) 측정을 전시 한다. 스퍼터 아조 씨앗 층에 성장 하는 ZnO NRs의 방향을 보여줍니다 더 나은 세로 맞춤, 더 나은 표면 형태학 형성 이후 활성 층의 증 착에 대 한 유용 합니다. 일반적으로, 활성 층의 표면 형태는 주로 장치 채우기 비율 (FF)를 지배 한다. 결과적으로, 활성 층의 캐리어 컬렉션을 개선 하 고 태양 전지의 FF를 증가을 잘 정렬 된 ZnO NRs는 사용할 수 있습니다. 또한, 반사 방지 구조, 그것은 또한 이용 될 수 있다 6.01%, 졸-겔 4.74의 효율을 가진 태양 전지를 기반으로 보다 높은 도달 하는 태양 전지의 전력 변환 효율 (PCE) 흡수 층의 빛 수확을 향상 시키기 위해 %.

서론

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유기 태양 전지 (OPV) 장치 최근 놀라운 발전 신 재생 에너지 자원의 응용 프로그램에서 받은. 이러한 유기 장치는 솔루션 프로세스 호환성, 저렴 한 비용, 경량, 유연성, 등1,2,3,,45 지금까지를 포함 하 여 많은 이점이 있다 폴리머 태양 전지 (PSCs) 10%의 PCE PC71BM6혼합 활용 된 고분자를 이용 하 여 개발 되었습니다. 폴리머 기반 Psc에 비해, 작은 분자 기반 OPVs (SM-OPVs)가 관심을 끌었다 더 잘 정의 된 화학 구조, 손쉬운 합성 및 정화를 포함 하 여 그들의 여러 가지 장점으로 인해 OPVs를 날조에 관해서 그리고 일반적으로 높은 개방 회로 전압 (Voc)7,,89. 현재, 2 차원 구조 작은 분자 SMPV1 활용 (2,6-Bis[2,5-bis(3-octylrhodanine)-(3,3-dioctyl-2,2':5,2 '-terthiophene)]-4,8-bis((5-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene) BDT t (benzo [1, 2-b:4, 5-b'] dithiophene) 코어 단위 및 3-octylrodanine 전자 철수 끝-그룹10 PC71BM 유망한 지속 가능한 OPVs 응용 프로그램을 설계 하 고 사용 혼합 되었습니다. 전통적인 작은 분자 태양 전지 (SM-OPVs) SMPV1 PC71BM과 혼합에 따라의 PCE는 8.010,11이상에 도달 했습니다.

과거에는, Psc 향상 된 고 활성 층의 두께 조정 하 여 최적화 될 수 있습니다. 그러나, PSCs, 달리 SM OPVs 짧은 확산 길이, 활성 층의 두께 크게 제한 일반적으로 있다. 따라서, SM-OPVs의 짧은 전류 밀도 J (sc)을 더욱 높이기 위해 SM OPVs의 광 흡수를 개선 하기 위해 나노 구조12 또는 NRs9 를 활용 하 여 필요한 되었다.

이러한 방법 중에서 반사 NRs 구조는 일반적으로 넓은 범위의 파장; 활성 레이어의 빛 수확에 대 한 효과적 따라서, 잘 정렬 된 세로 방향된 산화 아연 (ZnO) NRs를 성장 하는 방법을 알고 것은 매우 중요 합니다. ZnO NRs 레이어 아래 씨앗 층의 표면 거칠기는 NR 배열;의 방향에 큰 영향 따라서, 잘 지향된 NRs 예금, 씨앗 층의 결정 화 해야 정확 하 게 제어9합니다.

이 작품에서 아조 영화 theRadio 주파수 (RF) 기술을 스퍼터 링에 의해 준비 된다. 다른 기술에 비해, 그것에 대 한 업계에 게 양도할 수는 효율적인 기술 이다 신뢰할 수 있는 증 착 기술, 고 순도, 균일 한, 부드러운, 그리고 자체 지속 가능한 아조 박막 성장 합성 수 있는 것으로 알려져 있다 RF 스퍼터 링 이상 큰 면적 기판. RF 스퍼터 링 증 착을 이용 하 여 감소 된 표면 거칠기와 높은 결정 화 하는 고품질 아조 필름을 형성 수 있습니다. 따라서 이후의 성장 레이어에서는 NRs의 방향은 매우 정렬, 졸-겔 방법에 의해 준비 하는 ZnO 필름에 비해 더욱 그렇고. 이 기술을 사용 하면 세로 방향된 잘 정렬 된 ZnO NR 배열에 따라 거꾸로 작은 분자 태양 전지의 PCE 6.01%를 도달할 수 있다.

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프로토콜

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1. ITO 기판에 아조 스퍼터 씨앗 층의 성장

  1. 사각형 (1.5 x 1.5 cm)를 형성 하는 인듐 주석 산화물 (ITO) 기판의 한 면에 4 부식 방지 테이프 조각 (0.3 x 1.5 c m)를 스틱. 염 산 이토의 노출된 영역을 엣지를 15 분 동안에 이토를 넣어.
  2. 테이프를 제거 하 고 청소 sonicator;를 사용 하 여 샘플 이온 (DI) 물, 아세톤, 에탄올, 그리고 30 분 동안 차례로 소 프로 파 놀과 sonicate. 압축 된 질소 총으로 패턴화 이토 타격 건조.
  3. 테이프, 기판 홀더 위에 청소 패턴된 ITO 기판 부착 하 고 RF 스퍼터 링 시스템의 메인 챔버에 홀더를 로드 합니다. 기계를 통해 4 x 10-6 torr 및 환경 순수성을 보장 하기 위해 확산 펌프의 밑에 약 실 압력 펌프.
  4. 순수한 아르곤 가스를 삽입 (흐름 율: 30 sccm) 메인 챔버 및 제어 1 mtorr에서 챔버의 압력을 유지 하기 위해 펌프에.
  5. 스퍼터 링 방법, 보고 방법13에 따라 RF (13.56 m h z)를 사용 하 여 아조 씨 레이어를 준비 합니다. 원형 2에 차원 아조를 사용 하 여 미리 청소 ITO 유리 기판에 입금 (2 wt % Al2O3 산화 아연에) 세라믹 목표. 10 cm에서 대상 기판 거리를 유지.
  6. 증 착 중 1 mtorr에서 작업 압력 및 RF 전력 40 W 유지 합니다. 실 온에서 기판 온도 제어 합니다. 적용 된 DC 바이어스와 187 V 증 착 속도 및 4 nm/min, AZO 박막을 예금에 각각 설정 합니다. 40에 아조 씨앗 층의 두께 제어 해야 합니다 크리스털 두께 모니터를 기반으로 하는 nm.
  7. 샘플 챔버에 30 ° C까지 냉각, 후 펌프를 해제 하 고 챔버를 열 수 있습니다 때까지 메인 챔버에 질소 가스를 삽입. 기판 홀더에서 샘플을 제거 합니다.

2. 졸-겔의 성장을 처리 ITO 기판에 산화 아연 시드 층

  1. 솔-젤 스핀 코팅 방법14여 패턴화 된 ITO 기판에 ZnO 종자 레이어를 입금. 아연 아세테이트가 수화물, 2-methoxethanol, 및 monoethanolamine (MEA) 각각 시작 물질, 용 제 및 안정제로 사용 됩니다.
    1. 2-methoxethanol (40 mL) 및 0.5 M의 아연 아세테이트 농도 얻기 위해 MEA (1.22 g)의 혼합물에 아연 아세테이트가 수화물 (4.39 g)을 용 해.
    2. 2 h 60 ° C에서 결과 혼합물을 저 어. Sol 명확 하 고 투명 한 균질 솔루션 12 h 동안 앉아 보자.
    3. 스핀 코팅 방법을 사용 하 여 청소 꽃무늬 ITO 유리 기판에 ZnO 종자 층을 예금 한다. 기판에 0.1 mL 솔-젤 솔루션을 추가 하 고 30에 대 한 3000 rpm 회전 스핀 coater를 사용 하 여 s.
    4. 스핀 코팅 후 건조 증발 및 유기 잔류물을 제거 하는 용 매를 허용 하는 뜨거운 접시에 30 분 동안 200 ° C에서 영화. 산화 아연 시드 층의 두께 약 40 nm14이어야 한다.

3. 성장의 씨앗 레이어에 ZnO NR 배열

  1. 열 수 메서드를 사용 하 여 ZnO NR array를 성장.
    1. 믹스 1.49 g 아연 질 산 hexahydrate (Zn (3)2·6H2O) 그리고 0.7 g hexamethylenetetramine (HMT) (C6H12N4) 100 mL 디 물에. 30 분 동안 실내 온도에 결과 혼합물을 저 어.
    2. 테이프를 사용 하 여 덮개 유리를 ZnO 솔-젤 샘플으로 아조 스퍼터 씨앗 층의 이토 측을 연결 합니다. 폴 리 프로필 렌 원뿔 튜브 O와 HMT Zn (3)2·6H2의 50 mL 해결책으로 가득 50 mL에 샘플을 넣어.
    3. 성장, 동안 아래쪽으로 직면 하는 스핀 코팅 샘플 실험실 오븐에서 그것을 수평으로 누워 하 여 폴 리 프로필 렌 원뿔 튜브가 열 하 고 90 분 동안 90 ° C에 온도 유지 합니다.
    4. 성장 기의 끝에는 기판 솔루션에서 제거 하 고 즉시 디 물과 에탄올 (두 세척 병) 내부 표면에서 잔여 소금 제거 각 1 분 동안 차례로 샘플 표면을 헹 굴. 압축 된 질소 총을 사용 하 여 샘플을 타격 건조 하 고 10 분 동안 250 ° C에서 철판에 구워.

4. 제작 및 측정의 거꾸로 작은 분자 태양 전지

  1. 로드는 글러브에 스핀 coater에 ZnO NR 배열 ITO 기판. 혼합 SMPV1와 PC71BM. 추가 11.25 mg 15 밀리 그램을 포함 하는 톨루엔의 1 mL 0.1 mL 해결책, 40에 대 한 2000 rpm에서 샘플을 회전 스핀 coater를 사용 하 여 s 2 분 동안 60 ° C에서 anneal 고.
  2. 어 닐 링 과정 후 기판 열 증발 시스템에 놓습니다. 펌프 진공 챔버 압력에 도달 4 x 10-2 torr, 터보로 전환 될 때까지 처음 기계식 펌프를 사용 하 여 주위 압력 < 4 x 10-6 torr 수 있도록 펌프.
  3. Z 비 1.0의 105의 입력된 전류와 저항 몰 리브 덴 보트에서 무3 분말을가 열 하 여 0.1 nm/s의 증 착 속도로 보증금 무3 레이어 A. 예금 Ag 레이어 0.5 nm/s의 증 착 속도에 난방은 주 괴는 저항에 의해 ungsten 보트 0.529의 Z 비율 및 190 a.의 입력된 전류 시스템 제어 증발 과정 크리스털 증발 속도 모니터를 포함 되어야 합니다. MoO3 , Ag 레이어 두께 크리스털 두께 모니터를 기반으로 각각 5, 150 nm 되도록 제어 한다.
  4. 후 샘플 챔버에 30 ° C까지 냉각, 펌프, 끄고 챔버를 열 수 있습니다 때까지 질소 가스를 챔버에 삽입. 기판 홀더에서 샘플을 제거 하 고는 글러브에는 샘플을 로드.
  5. 솔 라 시뮬레이터 시스템 열고 광원 시스템의 안정 될 때까지 20 분을 기다립니다. 공기 질량 1.5 글로벌 (오전 1.5G)를 사용 하 여 태양 시뮬레이터에서 100 mW/cm2 샘플을 밝히는 필터. 동시에, 분석기를 사용 하 여 전류 밀도-전압 (J-V) 곡선14,15를 + V 1-V 1에서 장치를 청소.

5. 특성화 기법

  1. 아조 스퍼터 씨앗 층 및 ZnO 솔-젤 처리 씨앗 층에 ZnO NRs의 구조를 공부 하는 Cu Kα 소스와 x-선 회절 측정16 를 수행 합니다. 검사 속도 1 ° / min, 하며 스캔 범위 10-90 ° (2θ) 이어야 한다.
  2. 표면 형태 및 단면 이미지 샘플의 전자 현미경17 10에 동작 전압을 설정 하 여 검색 필드 방출에 의해 특성화 kV.
  3. 구하는 마이크로 photoluminescence 325 nm 그 Cd CW 레이저를 사용 하 여 샘플의 모든 (PL) 스펙트럼 (20 mW) 2400 backscattering 형상에 홈/m m 격자와 여기 소스로. AllPL 측정18 실 온에서 수행 되어야 합니다.

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결과

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소자의 계층된 구조는 ITO 기판/아조의 구성 (40 nm) / ZnO NRs 레이어, SMPV1:PC71BM (80 nm) /3 무 (5 nm) /Ag (150 nm) 그림 1에서 보듯이. 일반적으로, 아조 또는 산화 아연 시드 층 PSCs 장치에서 전자 전송 층 (ETL) 기능을 널리 사용 됩니다. Psc, 떨어져 SM-OPVs는 보통 짧은 확산 길이8에 의해 제한 된 짧은 활성 레이어가 있다. 따라서, 추가 장치 빛 수확 기능 개선, ZnO NRs 레이어 도입 사건 빛의 수집을 강화 하 고 캐리어에 대 한 인터페이스 영역을 증가 하는 반사 층 일 씨앗 레이어에 성장 같은 시간12,14에서 컬렉션.

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토론

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NRs interlayer를 이용 하 여 Jsc 와 소자의 FF 모두 개선할 수 있습니다. 그러나, NRs의 표면 거칠기 또한 후속 프로세스를 좌우할 것 이다. 따라서, 방향과 NRs의 표면 형태 해야 신중 하 게 조작할 수 있습니다. 티 오2 및 ZnO 했다 그들의 간단한 절차 때문에 Psc 사용 일반적으로 오랜 시간 졸-겔 ETL 처리. 그러나, 솔-젤 처리 층의 결정 화는 일반적으로 비정 질 유형, 그리고 층의 표면 형태는 대부분의 경우에 거친. 따라서, 본이 연구에서는 정확 하 게 제어할 영화 품질 씨앗 층의 스퍼터 씨앗 층 선정 되었습니다 솔-젤 처리 씨 레이어를 대체. 스퍼터 아조 씨앗 층에 성장 하는 ZnO NRs는 또한 후속 프로세스에 대 한 도움이 더 나은 세로 맞춤을 표시 합니다. 그것은 NRs 성장 과정의 끝에는 NRs에 잔여 전조 용 매 제거 될 필요가 있고 샘플 따라서 잔여 용 매를 완전히 마르면 되도록 뜨거운 접시에 구운 될 필요가 주목 됩니다. 또한, 표면 형태를...

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공개 사항

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저자 들은 아무 경쟁 금융 관심사 선언 합니다.

감사의 글

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

저자 계약 번호 아래이 연구의 재정 지원에 대 한 중국의 국가 과학 위원회를 감사 하 고 싶습니다. 대부분 106-2221-E-239-035, 그리고 대부분 106-2119-M-033-00.

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재료

이 논문에 사용된 재료 목록
이름회사카탈로그 번호댓글
AZO 표적궁극적인 물자 기술 Co., 주식 회사.없음AZO (ZnO 중 2 중량 % Al2O3), 3 " ψ x 3mmt
+ 3mmt Cu B/P + 본딩
SMPV1발광 기술 공사1651168-29-42,6-Bis[2,5-bis(3-octylrhodanine)-(3,3-dioctyl-2,2':5,2''-terthiophene)]-4,8-bis((5-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene
RF 스퍼터링 시스템Kao Duen Technology Co., Ltd없음http://www.kaoduen.com.tw/index.php?action=product
아연 아세테이트 이수화물J. T. Baker59704564.39g
모노에탄올아민J. T. Baker141435 1.22 g
2-메톡시에탄올Sigma-Aldrich10986440 mL
질산아연 HexahydrateJ. T. Baker101961861.49 g
헥사메틸렌테트라민Sigma-Aldrich100-97-00.7 g
인듐 주석 산화물 (ITO)RiTdisplay없음코팅 유리 기판 (< 10 & 오메가; 제곱– 1)
AFMVeecoInnova SPM SEM
FEINova 200 NanoSEM작동 전압: 10 kV
XRDBrukerD8 X-선 회절계2θ 범위: 10– 90 °; 단계 크기: 0.008 °
PLHoribaJobin-Yvon HR800여기 소스: 325nm UV 레이저 20mW
태양광 시뮬레이터Newport91192AAM 1.5G
정밀 반도체 매개변수 분석기Keysight TechnologiesAgilent 4156C-1에서 +1V까지 스윕
톨루엔Sigma-Aldrich108-88-31mL
PC71BMSigma-Aldrich609771-63-311.25 mg
열 증발 시스템Kao Duen Technology Co., LtdKao Duen PVD 시스템
http://www.kaoduen.com.tw/index.php?action=product HClSigma-Aldrich7647-01-0
MoO3Alfa Aesar1313-27-599.50%
은 주괴ADMAT Inc.없음100.00%
박막 증착 컨트롤러INFICONXTC
부식 방지 테이프(폴리이미드 필름)3M Taiwan Corporation없음http://solutions.3m.com.tw/wps/portal/3M/zh_TW/InsulatingTape/home/product/Polyimide/
스핀 코터Chemat Technology, IncKW-4Ahttp://www.chemat.com/chematscientific/KW-4A.aspx

참고문헌

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Al ZnOAZOAZOX

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