방법 논문

TADF 이미터의 용액 처리 장치 제조에 의한 유기 발광 다이오드 활용을 위한 단계별 가이드

DOI:

10.3791/68434

⸱

2025년 11월 7일

 ,  ,  ,  ,  , 
1Materials Research Centre, Indian Institute of Science

* These authors contributed equally

이 논문에서

요약

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

유기 발광 다이오드(OLED) 장치는 더 나은 대비로 우수한 디스플레이 품질을 제공하는 동시에 에너지 소비를 줄여 환경적 이점을 제공합니다. 여기에서는 용액 처리 OLED 소자 제작을 위한 간단한 전략을 순차적으로 제시한다.

초록

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최근 환경 문제와 기후 변화에 대한 인식이 높아짐에 따라 에너지 효율적인 광원에 대한 수요가 크게 급증했습니다. 유기발광다이오드(OLED)는 뛰어난 디스플레이 품질, 에너지 효율성 및 지속 가능성을 제공하므로 환경을 생각하는 소비자와 탄소 배출량 감소 기반 산업에 이상적인 선택입니다. 더 얇고 유연한 OLED는 스마트폰, TV, 자동차 디스플레이 및 웨어러블 장치 분야에 혁명을 일으켰습니다. 여기서, 본 논문에서는 공여자-수용체 기반 이미터의 합성에서 시작하여 정제하는 효율적인 OLED 장치를 제작합니다. 유기 합성 과정에 대해 간략하게 설명합니다. 정제를 위해 먼저 생성물 혼합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제한 다음 온도 구배 진공 승화 설정을 사용하여 승화하여 고순도 화합물을 얻습니다. 궁극적인 목표는 초고순도 이미터가 필요한 다층 OLED 장치를 만드는 것입니다. 효율적인 OLED를 만들려면 정밀도와 전문성이 필요합니다. 따라서 상세한 단계별 프로토콜을 보여주는 것은 과학계에 중요합니다. 여기에서는 용액 처리 OLED 소자 제작에 대한 세부 사항을 4단계(기판 세척, 층의 스핀 코팅, 층의 열 증발, 장치 성능 측정)로 전개합니다. 먼저, 잘 확립된 프로토콜을 사용하여 기판을 청소해야 합니다. 다음으로, 원하는 재료를 필요한 두께로 스핀 코팅 및 열 증착하여 계층 구조를 얻습니다. 열 증발은 글러브 박스 설정이 통합 된 고진공 열 증발기를 사용하여 수행됩니다. 마지막으로, 장치의 성능을 얻으려면 어두운 환경에서 측정을 수행해야 합니다. 이 포괄적인 작업은 장치 제조에 대한 심층적인 지식을 제공하고 더 많은 연구자들이 OLED로 이 세상을 장식하도록 영감을 줄 것입니다.

서론

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현대화가 진행됨에 따라 에너지 소비율이 급증하여 여러 가지 에너지 효율적인 에너지원이 등장하게 되었습니다. 조명은 종종 실현되지 않지만 주요 전력 소비 분야 중 하나입니다. 2017년 유엔환경계획(UNEP)이 발표한 보고서에 따르면1. 조명은 전 세계 전력의 15-19%를 소비하고 1,2 전 세계 온실가스의 약 5%를 배출합니다1,3. 이 문제를 방치하면 2030년까지 조명용 전력 소비가 몇 배 증가하여 지구 온난화로 인한 기후 변화에 큰 영향을 미칠 것입니다.1,4. 따라서 에너지 효율적인 조명 기술5의 개발은 지속 가능한 환경을 향한 엄청난 가능성을 가지고 있습니다.

유기발광다이오드(OLED) 장치는 디스플레이 및 조명 분야에 혁명을 일으켜 높은 에너지 효율성과 함께 향상된 디스플레이 품질을 제공합니다6,7. 이 외에도 필요한 얇음, 유연성, 고대비 및 넓은 시야각을 제공합니다. 이러한 모든 이점으로 인해 OLED 소재의 유용성은 스마트폰, TV, 웨어러블 기기, 자동차 조명 시스템 등 다양한 응용 분야에서 점차 증가하고 있습니다8. OLED는 유기 화합물을 방출층으로 사용하며 정공과 전자의 복사 재결합 시 빛을 방출합니다 9,10,11. OLED 소자의 개발은 3세대의 이미터 재료(12)를 통해 발전해 왔다. 첫 번째는 일중항 여기자만 수확할 수 있는 형광 물질로, 이론적으로 내부 양자 효율(IQE)은 25%입니다. 2세대 OLED는 인광 방출기를 사용하여 모든 일중항 및 삼중항 여기자에 액세스하며, 효율적인 스핀 궤도 결합으로 인해 모든 삼중항 전자도 수확할 수 있어100% IQE 13,14가 됩니다. 그러나 이러한 복합체에는 이리듐(Ir) 또는 백금(Pt)과 같은 중금속이 포함되어 있어 환경 문제와 비용 문제를 야기합니다. 그 후, 열 활성화 지연 형광(TADF) 방출기(15,16,17,18,19)를 포함하는 3세대 OLED가 나온다.

TADF 분자는 삼중항 및 일중항 여기 상태 사이의 작은 에너지 갭을 나타내어 열 에너지에 의해 활성화되는 역시스템 간 교차(RISC)를 가능하게 하고 100%20의 이론적 IQE를 달성합니다. TADF 분자를 설계하는 것은 핵심 단위의 도움 유무에 관계없이 기증자와 수용체 그룹을 부착하는 전략을 보유합니다. 적절한 코어는 기증자와 수용체 그룹 간의 효율적인 전자 결합을 지원합니다. 전자가 풍부한 그룹(예를 들어, 카르바졸, 페녹사진, 페노티아진, 트리페닐아민)은 일반적으로 공여체로 사용되는 반면, 전자 결핍기는 수용체로 기능하는 반면, 전자결핍기는 트리아진, 옥사디아졸, 벤조페논 또는 시아노기)는 수용체로 기능한다21,22,23,24,25,26,27. TADF 이미터는 RISC(Reverse Intersystem Crossing)28를 촉진하는 데 도움이 되는 작은 일중항-삼중 에너지 갭(ΔEST)을 가지고 있습니다. 여기서, 본 연구에서, 우리는 D-A형 TADF 분자를 준비하며, 이는 녹색 발광 OLED 소자(28)를 만드는 데 더 활용될 것이다.

다층 OLED는 단층 장치에 비해 성능 지표를 향상시켜 OLED 기술을 크게 발전시켰습니다. 다층 OLED 장치는 여러 개의 유기층을 포함하며, 각 유기층은 어떤 특정 기능을 수행합니다29,30. 장치 성능은 각 레이어의 재료, 두께, 농도를 변경하여 조정할 수 있습니다. 이 층의 재료는 가장 높은 점유 분자 궤도(HOMO)와 가장 낮은 비점유 분자 궤도(LUMO)의 에너지 준위에 따라 선택됩니다. 이러한 유기층은 두 전극(음극과 양극) 사이에 끼워져 있습니다. 회로에 연결되면 전자는 방출 분자의 HOMO에서 양극을 통해 전압 소스를 향해 흐르며 구멍을 만듭니다. 반면 전압 소스는 음극을 통해 분자의 LUMO에 전자를 공급합니다. 이러한 반대 전하가 장치를 가로질러 이동하고 방출층에서 재결합하고 exciton의 복사 재결합은 광자를 방출합니다. 발광층 재료와 HOMO-LUMO 에너지 갭에 따라 방출 색상이 달라질 수 있습니다29. 재결합은 방출층(EML)에서 발생하는 것이 바람직합니다. 이를 위해서는 최적화된 장치 구조가 필요합니다. 레이어와 두께가 적절하게 최적화되지 않으면 재조합이 이동하여 장치 성능이 저하될 수 있습니다.

다층 장치 제작은 진공 열 증착 (vacuum thermal deposition) 또는 솔루션 처리 (solution processing) 의 두 가지 유형이 될 수 있습니다. 여기서, 이 논문에서는 용액 처리 방법(처음 3개의 층에 대해 스핀 코팅을 한 다음 다음 3개의 층을 진공 증전하는 방법)을 사용하여 TADF 이미터의 장치 제조에 대한 자세한 방법을 제시합니다. 솔루션 처리 장치 제조 공정은 비용 효율적이고 확장성이 뛰어나며 환경적으로 지속 가능하기 때문에 더 많은 관심을 끌었습니다. 또한 재료 낭비는 진공 열 증발보다 비교적 적습니다. 용액 처리 된 재료는 실온에서 증착 될 수 있으므로 유연하고 열에 민감한 기판에 제작 할 수 있습니다. 실제로 열 안정성이 낮은 분자의 경우 이 방법으로만 장치를 만들 수 있습니다. 그러나 제작 전에 고려해야 할 몇 가지 사항이 있습니다. 이미터의 용해도, 안정성 및 필름의 균일성을 확인해야 합니다.

여기서, 우리는 녹색 발광 OLED 장치(28)를 만드는 데 추가로 활용될 D-A형 TADF 분자를 준비했다. 첫째, TADF 이미터 2BPy-oTC의 합성 전략을 간단히 설명합니다. 자세한 논의는 이미 우리 그룹28의 이전 논문에서 보고되었습니다. 또한, 합성된 물질을 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하고, 고순도 물질을 얻기 위해 온도 구배 고진공 승화 셋업을 이용하여 승화시켰다. 미량 불순물이 장치 성능에 영향을 미치기 때문에 정제 단계는 매우 필요합니다. 다음으로, 장치를 제작하기 위해 인듐 주석 산화물(ITO) 패턴 유리 기판을 가져와 세척했습니다. 기판 청소는 매우 중요합니다31. ITO 코팅 기판은 비눗물, 초순수 및 유기 용매로 초음파 처리한 후 오존 세척을 통해 철저히 세척했습니다. 다음으로, ITO 기판(양극) 위에 홀 주입층(HIL)을 스핀 코팅하고, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리스티렌 설포네이트(일반적으로 PEDOT: PSS로 알려짐)의 고분자 층을 HIL로 취하였다. HTL(Hole Transport Layer)은 HIL 위에 스핀 코팅되었습니다. 이 레이어는 구멍이 이미시브 레이어로 이동하는 데 도움이 됩니다. PEDOT: PSS와 유사한 HOMO 에너지 준위를 갖는 폴리(9-비닐카바졸)(PVK)를 HTL로 사용했습니다. 또한, EML(Emissive Layer)은 HTL 위에 스핀 코팅되었습니다. 대부분의 TADF 기반 장치에서 농도 담금질을 방지하기 위해 이미터 분자는 호스트 매트릭스에 분산됩니다. 이 연구에서 2BPy-oTC의 10wt%는 녹색 방출자 32,33,34의 잘 알려진 숙주인 N,N'-Dicarbazolyl-4,4'-biphenyl(CBP) 숙주에서 섭취되었습니다. 그런 다음 이러한 제작된 기판을 열 증발기에 적재했습니다. 전자 전달층(ETL)과 전자 주입층(EIL)은 열 증발에 의해 증착되었습니다. 이 열 증발은 고진공 환경에서 증착 속도를 정확하게 제어해야 합니다. 2,2',2"-(1,3,5-벤지네트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(TPBi)를 ETL로 증착하여 EIL에서 EML로 전자를 전달하는 데 도움을 주고, 터널링 효과를 통해 전자를 장치 구조에 주입하는 EIL로 8-하이드록시퀴놀리놀라토-리튬(Liq)을 EIL로 사용했습니다. 마지막으로 100nm의 알루미늄을 음극 마스크로 증착했습니다. 따라서 전체 장치 구조는 다음과 같습니다 - ITO/ PEDOT:PSS(30nm)/ PVK(30nm)/ 10wt% 2BPy-oTCz in CBP(30nm)/ TPBi(50nm)/ Liq(2nm)/ Al(100nm).

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프로토콜

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알림: 장치는 먼지와 이물질에 매우 민감합니다. 모든 종류의 불순물은 이미터의 실제 성능을 변경할 수 있으며 잠재적으로 장치에서 작동하지 않거나 단락을 일으킬 수 있습니다. 따라서 깨끗한 장소에서 최대한 주의를 기울여 만들어야 합니다. 글러브 박스 내부의 장치는 수분 및 산소 환경(산소 및 수분 수준 0.1ppm)이 조절된 상태로 준비하는 것이 좋습니다.

1. 이미터 합성 전략

  1. 문헌 조사를 통해 기증자-수용체 기반 TADF 분자에 적합한 설계를 찾으십시오. 이론적 계산을 통해 제안된 구조를 면밀히 조사합니다. 요구 사항을 충족하면 합성을 진행합니다. 일반적으로 분자의 ΔEST가 0.2eV< 있으면 TADF 특성 35,36,37을 나타낼 수 있습니다.
    참고: 이 연구를 위해 분자 2BPy-oTCz를 방출체28로 사용했습니다. 여기서, 전자가 풍부한 3,6-디-tert-부틸-9H-카바졸(TC)은 전자 공여체 단위로 작용하는 반면, 전기 음성 카르보닐기가 부착된 페닐(피리딘-2-일)메탄논(2BPy)은 수용체 단위로 작용한다. 합성 경로는 그림 1에 나와 있으며, 자세한 특성화는 이전 간행물(28)에 제공된다.

figure-protocol-1
그림 1: 이미터 2BPy-oTC의 합성 공정. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

2. 이미터의 정화

  1. 합성된 화합물을 컬럼 크로마토그래피로 정제합니다. 에틸 아세테이트/n-헥산 혼합물을 용리액으로 사용합니다.
  2. 온도 구배 고진공 열 승화 설정을 사용하여 화합물을 승화시켜 고순도 화합물(>99.9%)을 얻습니다. 이는 승화 온도에 따라 화합물에서 불순물을 분리합니다.

3. 용액 처리 장치 제작

참고: 여기 이 백서에서는 이미터 2BPy-oTC를 사용하여 용액 처리 장치를 만드는 단계를 보여줍니다. 장치 아키텍처 및 분자 구조의 개략적인 이미지는 그림 2에 나와 있습니다.

figure-protocol-2
그림 2: 장치 제조에 사용되는 분자층. (A) 모든 층의 두께와 HOMO-LUMO 에너지 준위를 보여주는 장치 아키텍처. (B) PVK, CBP, Liq 및 TPBi의 분자 구조. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

  1. 기판 세척
    1. 좋은 장치를 만들려면 기판을 철저히 청소해야 합니다. 패턴이 있는 ITO 유리 기판을 사용합니다.
      참고: 이러한 패턴화된 ITO 기판은 다양한 유형일 수 있습니다. 2/4/6/8 픽셀을 포함할 수 있으며 픽셀의 크기도 다를 수 있습니다. 본 논문에서는 6개의 픽셀을 포함하는 기판을 취하였고, 소자 제작 후 1개의 픽셀의 면적은 약 4.5mm2이다.
    2. 청소를 위해 기판을 기판 홀더에 보관하십시오. 그런 다음 아세톤 (비커에)에 담그고 초음파 수조에서 10 분 동안 초음파 처리합니다 (온도 약 40 °C 유지).
    3. 이소프로필 알코올에서 기질을 초음파 처리한 다음 1% (v/v) Helmanex III 비누수, 초순수, 아세톤 및 이소프로필 알코올을 각각 10분 동안 순서대로 초음파 처리합니다. 온도를 약 40°C로 유지하고 기판에서 먼지와 유기 잔류물을 제거하려면 적절한 청소가 필요합니다.
    4. 기판을 꺼낸 다음 질소 총으로 건조시킵니다. 그런 다음 멀티미터를 사용하여 전도도를 확인하여 기판의 ITO 측을 식별한 다음 UV 오존 클리너를 사용하여 ITO 표면을 청소합니다.
  2. HIL, HTL 및 EML의 스핀 코팅
    1. ITO 표면 상단의 홀 주입층(HIL)을 스핀 코팅하려면 먼저 0.45μm PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 주사기 필터(38)를 통해 시중에서 판매되는 PEDOT:PSS를 바이알에 여과합니다. 기판의 전도성 윗면을 필터링된 PEDOT: PSS로 덮습니다.
    2. PEDOT:PSS에는 물이 포함되어 있습니다. 글러브 박스 외부에 코팅하지 않으면 글러브 박스 내부의 수분 수준이 증가합니다.
      참고: 이 작업을 위해 30nm 두께의 층을 5000rpm, 2000 회전/s의 가속도, 60초의 지속 시간으로 스핀 코팅했습니다. 필요에 따라 이 HIL 레이어의 두께를 최적화합니다.
    3. 어닐링을 위해 코팅된 기판을 140°C의 핫 플레이트에 약 20분 동안 보관합니다. 젖은 면봉이나 보푸라기가 없는 티슈를 사용하여 기판의 측면과 바닥을 닦습니다. 어닐링 후 기판을 글로브박스 안에 넣습니다.
    4. 글러브 박스 내부에서 30nm의 PVK(클로로벤젠 10mg/mL 용액)를 홀 수송층(HTL)으로 스핀 코트하고, HIL39 위에 rpm 4000, 가속도 2000회전/s, 지속 시간 60초를 사용합니다.
    5. 다시 어닐링을 위해 140°C의 핫플레이트에 약 20분 동안 보관합니다.
      참고: 물과 클로로벤젠의 끓는 온도는 각각 100°C와 132°C이므로 어닐링 온도는 이러한 끓는 온도 값보다 높은 140°C로 유지되었습니다.
    6. EML을 스핀 코팅하려면 0.45μm PVDF 주사기 필터를 통해 이미터 내장 호스트 용액을 유리 바이알에 걸러냅니다. rpm 3000, 가속도 1500 회전/s, 지속 시간 60초로 30nm 층을 스핀 코팅합니다.
      참고: 이 작업에서 CBP 숙주에서 2BPy-oTC의 10wt%를 EML로 사용했습니다(톨루엔 1mL에서 9mg 숙주 및 1mg 방출체).
      1. 이미터의 10wt%를 만들려면 먼저 별도의 유리 바이알에 이미터와 호스트의 톨루엔에 10mg/mL 원액을 준비합니다. 이미터 바이알을 초음파 처리하고 호스트 바이알을 70°C로 가열하여 균질한 용액을 만듭니다. 이제 호스트: 이미터를 9:1 비율로 추가하여 10wt% 이미터 솔루션을 얻습니다.
    7. ITO 패턴 기판의 측면과 바닥을 톨루엔으로 닦고 금속 기판 홀더의 열 증발기로 옮깁니다(SI에 첨부된 이미지).
  3. 증발 챔버의 준비 및 유기층의 증발.
    진공 열 증착으로 ETL, EIL 및 음극층을 증착합니다. 증발 속도와 시간을 제어하여 층의 필요한 두께를 증착합니다. 50nm TPBi, 2nm Liq 및 100nm의 알루미늄을 증발시켜 장치 제작을 완료합니다.
    1. 증발기와 냉각기(물 순환용)를 켭니다.
    2. 승화 등급 ETL, EIL 및 양극 재료를 열 증착을 위해 각각의 석영 도가니에 보관하십시오.
      참고: 2,2',2"-(1,3,5-벤진트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(TPBi)를 ETL로 사용하고, 8-하이드록시퀴놀놀라토-리튬(Liq)을 EIL로 사용하고, 알루미늄을 이 연구에서 양극 재료로 사용했습니다. 그림 3 은 다양한 재료를 증착하기 위해 열 증발기에 최대 10개의 재료를 적재할 수 있음을 보여줍니다.
    3. 증발을 시작하기 전에 모든 센서의 수명을 확인하십시오. 기판을 진공 챔버 내부에 넣은 후 도어를 잠그고 진공 펌프를 켭니다. 진공에 도달하는 데 약 1시간이 걸립니다. 진공이 10-6mbar 에 도달하면 증발 공정을 시작합니다.
      참고: 크리스탈 수명을 확인하십시오. 80 이상이어야 하며 그렇지 않으면 센서 크리스탈을 변경하십시오. 진공에 도달하는 데 필요한 시간은 펌프의 용량에 따라 달라질 수 있습니다.
    4. 균일한 증착을 보장하려면 기판 플레이트의 면내 회전을 시작합니다.
    5. TPBi 도가니의 전원을 켜서 TPBi 도가니를 예열합니다. 전류 흐름을 제어하여 증발 속도를 제어합니다. 속도가 약 1-1.5 Å/s로 안정되면 증착을 위해 셔터를 엽니다.
    6. 50nm TPBi를 증발시킨 후 셔터를 닫아 증착을 중지합니다. 전류 흐름을 줄여 가열을 줄입니다. 도가니가 식을 때까지 기다리십시오.
    7. 비슷한 방식으로 EIL의 경우 Liq 도가니의 전원을 켜서 Liq 도가니를 예열합니다. 증발 속도가 약 0.2 Å/s로 안정되면 증착을 위해 셔터를 엽니다.
    8. 2nm의 Liq를 증발시킨 후 셔터를 닫아 증착을 중지합니다. 전류 흐름을 줄여 가열을 줄입니다. 도가니가 식을 때까지 기다리십시오.
    9. 기판 플레이트의 회전을 끕니다.
    10. 두 유기층이 모두 증착되면 알루미늄(음극용)을 증발시킬 때입니다. 마스크를 변경하여 알루미늄을 증전합니다.
      참고: 일반적으로 모든 설정에는 두 가지 마스크가 유지되며, 하나는 유기층 증착용이고 다른 하나는 음극 재료 증착용입니다.
    11. 균질 증적을 위해 기판 플레이트 회전을 켜고 18rpm으로 설정합니다.
    12. 알루미늄 보트의 전원을 켜서 알루미늄 보트를 예열합니다. 증발 속도가 약 2-3 Å/s로 안정되면 증착을 위해 셔터를 엽니다.
    13. 100nm Al을 증발시킨 후 셔터를 닫아 증착을 중지합니다. 전류 흐름을 줄여 가열을 줄입니다. 보트가 식을 때까지 기다리십시오. 뜨거운 알루미늄의 빛은 SI로 제공됩니다.
    14. 회전을 끕니다.
    15. 챔버 내부의 입자가 가라앉을 때까지 45-60분 동안 기다리십시오. 글러브 박스를 통해 증발기에서 장치를 제거합니다.
  4. 장치 매개변수 측정
    1. OLED 측정 설정을 보정합니다.
    2. 장치를 측정 설정에 유지하십시오. 음극과 양극 사이의 연결이 올바른지 확인하십시오.
    3. 소스 미터와 멀티미터를 사용하여 어두운 환경에서 전압을 0V에서 20V로 0.5V로 변경하여 장치의 특성 플롯을 측정합니다. 실리콘 광 검출기를 사용하여 신호를 감지합니다.
    4. 반면에 EL 방출을 얻으려면 형광 분광 광도계를 사용하여 어두운 환경에서 다양한 전압에서 발광을 측정합니다. 300-800nm의 방출 창을 선택합니다.
    5. OLED 측정 소프트웨어를 사용하여 알려진 픽셀 면적, 장치와 광검출기 사이의 거리 및 광검출기의 이득의 입력 값으로 올바른 장치 매개변수를 얻을 수 있습니다. 전류 밀도(J), 외부 양자 효율(EQE), 발광 효율(ƞP), 전류 효율(ƞL) 및 휘도(L)를 계산할 수 있습니다.

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결과

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그림 3A 는 열 증발기 내부의 모든 도가니(또는 보트)의 배열과 해당 위치에 사용되는 재료를 보여줍니다. 설정에는 10개의 보트가 포함되어 있어 최대 10개의 서로 다른 재료를 적재할 수 있습니다. 그림 3B 는 6개 센서 모두의 위치를 보여줍니다. 이 QCM(Quartz Crystal Microbalance) 센서는 증발된 층의 실제 두께 값을 결정하는 데 도움이 됩니다.

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그림 3: 증발실 내부 배치. ...

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토론

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위의 절차는 TADF 분자의 합성 전략, 정제, 용액 처리 장치 제조 및 OLED의 특성화에 대한 포괄적인 가이드 역할을 합니다. OLED 장치는 발광층의 용액 처리(40 )에 의해 제작되었다. 그 결과 비용이 저렴하고 이미시브 레이어에서 호스트의 가중치 백분율을 쉽게 제어할 수 있습니다. 이 방법은 또한 장치의 확장성을 쉽게 허용하고, 필름의 농도, 두께, 형태를 더 잘 제어하는 것과 함께 유연한 기판에 쉽게 통합할 수 있습니다. 용액 처리 방식은 또한 재료 낭비를 크게 줄여 보다 친환경적인 공정에 기여합니다. 재료의 열 분해가 더 심한 경우 용액 공정 방법이 더 효과적입니다. 따라서 이 방법은 폴리머, 양자점 및 페로브스카이트를 포함한 광범위한 유기 및 무기 재료의 장치 제조에 사용될 수 있습니다.

그러나 몇 가지 단점도 있습니다. 용액 처리 장치를 만드는 것은 시간이 많이...

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공개 사항

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저자는 이해 상충이 없음을 공개합니다.

감사의 글

$$\rightleftharpoonup{xx}$$ $$\longleftharp{xx}$$, $$\longrightharp{xx}$$,

총리 연구 펠로우십(PMRF)은 감사하게도 SIC와 SC로부터 박사 펠로우십을 인정받았습니다. SB IISc-IoE(Institute of Eminence) 박사후 연구원 덕분입니다. 대학 보조금 위원회(UGC)와 교육부(MoE)는 각각 SHN과 NY로부터 박사 펠로우십을 인정받았습니다. PR은 과학산업연구위원회(CSIR)의 재정 지원을 인정합니다[보조금 코드 - 01WS(031)/2023-24/EMR-II/ASPIRE].

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재료

이 논문에 사용된 재료 목록
이름회사카탈로그 번호댓글
13 mm X 0.22 & mu; m  PVDF 주사기 필터BSB 파르마BSBPTF1345
13 mm X 0.45 & mu; m  PTFE 주사기 필터BSB 파르마BSBPV1345
2,2&프라임;,2"-(1,3,5-벤지네트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤지미다졸) (TPBi)BLD 파마BD234896승화됨
8-하이드록시퀴놀놀라토-리튬 (Liq)BLD 파마BD446731승화됨
아세톤퓨레켐그렇게 사용되었습니다
알루미늄 펠릿  커트 J. 레스커EVMAL50EXQD99.999% 순수함
클로로벤젠분광화학10342>99% 순수 AR
헬마넥스 III 비누 용액시그마 - 올드리치Z805939사용한 1% (v/v) 비누 용액
이소프로필 알코올퓨레켐그렇게 사용되었습니다
ITO 패턴 유리 기판주하이 카이보 광전자기술유한회사.품목 번호 004-1520-SK시트 저항 < 17옴/평방어, 크기=15*20*1.1mm, 투과율>82%
N,N′-디카바졸릴-4,4′-비페닐 (CBP)BLD 파마BD21599승화됨
PEDOT:PSS오실라 (구매)클레비오스 P VP AI 4083 
폴리(9-비닐카바졸) (PVK)시그마 - 올드리치182605평균 Mw ~1,100,000, 다음과 같이 사용됩니다
톨루엔분광화학52035분광 등급

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