이 콘텐츠를 보려면 JoVE 구독이 필요합니다. 로그인하거나 오늘 무료 평가판을 시작하세요.

방법 논문

Type II 실리콘 격환 필름의 제조 및 최적화

1.6K 조회수

⸱

DOI:

10.3791/69215

⸱

2025년 10월 14일

 ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 
1ICube Laboratory, University of Strasbourg, CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique), 2IPCMS Laboratory (Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg), University of Strasbourg, 3Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, École Centrale de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées (INSA) Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1

이 논문에서

요약

2 열 어닐링 방법은 유형 II 반도체 실리콘 클래레이트의 박막을 제조할 수 있습니다. 재료 특성을 개선하기 위해 열 압착 및 반응성 이온 에칭을 포함한 합성 후 처리가 수행되었습니다. 이 접근 방식은 차세대 전자 및 광자 장치에 적합한 조정 가능한 격환 필름을 제조하기 위한 접근 가능한 경로를 제공합니다.

초록

실리콘 클래레이트(SiCL)는 조정 가능한 광전자 특성을 지닌 케이지 구조 재료의 일종으로 광전지 응용 분야에 상당한 잠재력을 제공합니다. 그 중 유형 II SiCL(NaxSi136)은 결정 구조를 손상시키지 않고 게스트 원자를 가역적으로 수용할 수 있는 고유한 능력으로 인해 특히 매력적입니다. 극한의 압력 하에서 합성하거나 글러브 박스 하에서 제조하는 것과 같은 전통적인 합성 방법은 잘 제어된 조건에서 클라트레이트의 본질적인 특성을 조사하는 데 필수적이지만 스케일 업에는 적합하지 않으며 종종 에너지 집약적이며 특수 장비가 필요합니다. 이러한 한계를 극복하기 위해 두 가지 열분해 단계를 기반으로 하는 확장 가능하고 글로브박스가 없는 합성 방법이 개발되어 실리콘 포집체 필름을 생산했습니다. 재료의 전기적 특성을 향상시키기 위해 열 압착 및 반응성 이온 에칭을 포함한 합성 후 처리가 사용되었습니다. 상 형성 및 결정화도는 X선 회절 및 라만 분광법에 의해 확인됩니다. 형태는 주사 전자 현미경(SEM)으로 평가됩니다. 광전자 특성은 광발광에 의해 평가됩니다. 이 접근 방식은 유형 II 실리콘 포착액 필름을 제조할 수 있는 재현 가능하고 확장 가능한 경로를 제공하며 광전자 장치에 통합할 수 있는 유망한 잠재력을 제공합니다.

서론

1950년대 이후 실리콘 기반 재료는 현대 광전자 및 에너지 기술1, 특히 태양광 및 반도체 산업2의 핵심이었습니다. 실리콘은 풍부함, 열 안정성, 내노화 3 및 무독성 기준 4,5를 충족합니다. 그러나 상업적 성공에도 불구하고 다이아몬드 실리콘(d-Si)은 간접 밴드 갭 및 약한 빛 흡수6와 같은 본질적인 한계를 겪고 있으며, 매우 높은 원소 순도를 달성하기 위해 두꺼운 활성층과 에너지 집약적인 처리가필요합니다7. 최근 몇 년 동안 실리콘의 대체 동소체 및 이국적인 상, 특히 격착 상8은 이러한 한계를 극복하기 위한 유망한 후보로 점점 더 주목을 받고 있습니다9. 응용 분야는 개방형 프레임워크 구조와 조정 가능한 전자 특성으로 인해 유망합니다10. 이 중 유형 II SiCL(NaxSi136)은 1.6-2 eV 범위의 준 직접 밴드 갭을 가진 준안정하면서도 견고한 재료로 등장했습니다 9,11.

SiCL의 합성은 유동 성장13 또는 이온성 액체의 산화환원 화학14과 같은 고압 방법(12)에 의존하며, 이는 종종 복잡하고 스케일업 및 박막 처리와 항상 호환되는 것은 아닙니다. 그럼에도 불구하고 이러한 전통적인 접근법은 산화 또는 2차 상과 같은 외인적 효과를 억제하여 클라트레이트의 내재적 특성을 조사하는 데 필수적이었습니다 15,16,17. 대조적으로, 이 글러브 박스가 없는 2단계 열분해 프로토콜은 적당한 온도와 진공 조건을 사용하여 반응성 Na4Si4, 중간 화합물을 포함하는 실리콘 클래레이트 박막을 합성할 수 있습니다. 이 프로토콜은 열처리 기간 동안 나트륨 함량을 정밀하게 제어할 수 있게 하여 실리콘 케이지에서 나트륨의 점유에 따라 NaxSi136의 거동을 금속에서 반도체로 변경합니다. 이 공정에서 Na4Si4 전구체 필름은 불활성 분위기 하에서 나트륨과 결정질 실리콘의 열반응에 의해 먼저 형성됩니다(그림 1). 동적 진공 하에서 후속 열 어닐링은 필름에서 나트륨 추출을 촉진하여 오염을 최소화하면서 Zintl 상을 원하는 격환액 프레임워크로 재배열할 수 있습니다18,10 (그림 2).

이 방법을 통한 클라트레이트의 구조적 형성이 입증되었지만, 두 번의 연속적인 합성 후 처리, 열 프레스 및 반응성 이온 에칭 후에 격환체의 조정 가능성 및 반도체 거동에 대한 추가 통찰력을 얻을 수 있습니다. 열 압착은 클래스레이트 필름 두께를 약 절반으로 줄이기 위해 수행되어 추가 가공에 더 적합한 조밀하고 매끄러운 층을 생성합니다. 에칭은 케이지 프레임워크를 보존하면서 표면 상태의 균질성을 더욱 향상시키는 것으로 나타났으며, 이는 전기적 및 광학적 특성을 조정하는 강력한 도구가 됩니다19.

20,21,22개의 SiCL 필름 제조를 성공적으로 보고한 실험실의 수는 한 손의 손가락으로 셀 수 있지만, 이는 원하는 상을 성공적으로 얻기 위해 처리 매개변수를 신중하게 조정해야 하기 때문이라고 생각합니다. 이 현재 프로토콜을 사용하면 적절한 조치를 사용하여 안전을 보장하면서 SiCL 필름 제조에는 아르곤에 관형로 1개와 동적 진공로 1개, 순수 나트륨 및 c-Si 웨이퍼10만 필요합니다. 이 접근 방식은 최소한의 자원과 장비로 간단하고 확장 가능한 합성 공정을 통해 SiCL 필름을 제작하고 엔지니어링할 수 있는 가능성을 보여주며 향후 장치 통합을 위한 길을 열어줍니다.

액세스가 제한되었습니다. 이 콘텐츠를 보려면 로그인하거나 체험판을 시작하세요.

프로토콜

본 연구에 사용된 시약과 장비는 재료표에 나와 있습니다.

1. 재료 준비

  1. 실리콘의 제조(c-Si(001))
    1. 다이아몬드 팁 펜으로 525μm ± 25μm 두께의 단면 연마, n-도핑 실리콘(001) 웨이퍼를 56 ×38mm 2 크기의 직사각형으로 정밀하게 절단합니다.
    2. 실리콘 기판을 48% HF 병을 사용하여 농도 10% vol.의 불화수소산 용액에 정확히 2분 동안 담가 기판 표면에 존재할 수 있는 천연 이산화규소를 제거합니다.
      알림: 모든 HF 함유 액체 및 오염된 헹굼/용매는 생산자 단위 및 혼합물 조성으로 라벨이 붙은 호환 가능한 전용 HDPE(고밀도 폴리에틸렌) 용기에 수집되어 지정된 폐기물 구역의 보관 트레이에 보관되고 HF는 안전을 위해 특별히 분리되었습니다. 최종 폐기는 프랑스 환경 규정 및 위험물 운송 규칙을 따르는 스트라스부르 대학 폐기 규칙에 따라 SPSE-UNISTRA/Suez를 통해 마련되었습니다.
      주의: 불화수소(HF)는 독성이 강하고 부식성이 있습니다. 휘관 후드 아래에서만 다루고 장갑, 전면 마스크 및 적절한 보호복을 착용하십시오.
    3. HF에 노출된 후에는 탈이온수로 기판을 철저히 헹구어 산을 제거하십시오. 질소 총을 사용하여 웨이퍼를 건조시켜 잔여 물방울을 날려 버리고 표면에 잔류 물이 형성되는 것을 방지합니다.
  2. 나트륨 전처리
    1. 커터를 사용하여 금속 나트륨 조각(순도 99%)을 조심스럽게 절단하여 분석 저울로 측정한 약 0.22g 무게의 작은 직사각형 슬라이스를 얻습니다.
    2. 나트륨 슬라이스를 무수 사이클로헥산(순도 ≥99%)으로 채워진 밀폐 유리(간유리 조인트로 밀봉) 용기에 즉시 넣습니다. 산화를 방지하기 위해 나트륨이 완전히 잠겨 있는지 확인하십시오.
      주의 : 금속 나트륨은 물과 격렬하게 반응합니다. 항상 휘관 후드 아래에서 취급하고 장갑, 보안경, 적절한 실험실 가운을 착용하고 안전을 보장하는 데 필요한 기타 예방 조치를 취하십시오(클래스 D 소화기).
  3. 도가니에서의 조립
    1. 순수 에탄올로 세척하고 인코넬 합금 보트(54 × 18 × 13.3 mm3)에서 300°C에서 4시간 동안 건조시킵니다. 그런 다음 미리 준비된 나트륨 슬라이스를 세척된 인코넬 합금 보트에 넣고 실리콘 웨이퍼를 그 바로 위에 배치하고 광택 표면이 보트 아래를 향하도록 합니다.
    2. 준비된 어셈블리(보트-나트륨-실리콘)를 프로그래밍 가능한 수평 튜브 퍼니스에서 밀봉된 스테인리스 스틸 튜브(O-링 씰이 있는 ISO-KF)의 중앙에 조심스럽게 삽입합니다.
      참고: 튜브는 아세톤과 에탄올로 철저히 세척한 다음 1.5시간 동안 건조시켜야 합니다.
    3. 고순도 탄탈륨(Ta) 와이어를 튜브에 삽입하여 미량의 산소를 걸러냅니다. 사용된 와이어는 직경 0.5mm, 순도 99.95%, 총 길이는 3.4cm입니다.
    4. 아르곤(순도 ≥ 99.9999%)만 튜브 내부를 순환할 수 있도록 튜브의 양쪽 끝을 밀봉합니다.
    5. 1.6bar의 일정한 압력에서 15분 동안 아르곤으로 튜브를 퍼지하여 반응 전반에 걸쳐 불활성 분위기를 보장합니다.

2. SiCL의 합성

  1. Na4Si4 형성을 위한 열분해
    1. 다음 어닐링 주기로 프로그래밍 가능한 수평 튜브 퍼니스를 시작합니다.
      1. 5°C/min의 램프 속도로 600°C 고원에 도달할 때까지 온도를 올립니다. 이 온도를 600°C에서 19시간 동안 안정적으로 유지합니다. 시스템을 7시간 이상 자연적으로 냉각시키십시오.
    2. 퍼니스와 튜브가 실온으로 돌아오면 아르곤(순도 ≥ 99.9999%)의 연속 흐름으로 튜브를 세척합니다.
  2. 고진공 동적 후처리
    1. 얻은 샘플을 가능한 한 빨리 석영 튜브로 옮기고 동적 진공로에 연결합니다. 튜브는 아세톤과 탈이온수로 순차적으로 헹구고 질소 총으로 건조하여 사전 세척했습니다. 주변 공기에 대한 노출 시간은 상대 습도가 40% 미만으로 유지되는 실험실 환경에서 40초 미만으로 유지되었으며, 이는 재현 가능하고 오염되지 않은 필름을 생성하는 것으로 밝혀졌습니다.
      1. 튜브를 펌핑 시스템에 연결한 후 먼저 1차 펌프로 대피한 다음 5 × 10-7mbar 의 고진공에 도달할 때까지 터보 분자 펌프를 결합합니다.
    2. 30분에 걸쳐 400°C까지 램프; 400°C에서 4시간 동안 유지; 그런 다음 관형 용광로의 전원을 끄고 샘플을 실온으로 자연적으로 식히십시오. 그런 다음 용광로에서 샘플을 내립니다.

3. 후처리

  1. 프레스 어닐링
    1. 두 개의 정사각형 스테인리스 강판(15 × 15 cm2)과 프레스 어닐링 공정을 위해 최대 300°C의 온도에 도달할 수 있는 통합 가열 시스템이 장착된 수동 탁상용 유압 프레스를 사용하십시오.
    2. 상판을 고정하고 하판을 들어 올려 힘을 가합니다. 주변 분위기에서 각인 프로세스를 작동하십시오.
    3. 열 프레스 내부의 두 플레이트 사이에 실리콘 포집물 샘플을 놓습니다.
    4. 압력이 약 2kN 값에 도달할 때까지 하부 플레이트를 들어 올려 힘을 점차적으로 증가시킵니다.
    5. 힘이 2kN에 도달하면 샘플과 접촉하는 두 금속판의 온도를 250°C로 높이고 30분 동안 유지합니다.
    6. 열 압착 중에 공정이 끝날 때까지 힘이 초기 2kN에서 약 8.5kN으로 점진적으로 증가하도록 하십시오.
    7. 30분 후 가열을 중지합니다. 온도가 주변 온도로 돌아올 때까지 냉수 순환 시스템(20°C/min)을 사용하여 급속 냉각을 적용합니다. 압력을 풀어주세요.
      참고: 공정이 끝나면 단면 SEM 이미지에서 결정된 두께가 82μm에서 31μm로 감소합니다. 압착된 재료의 입자 크기는 약 200nm에 달하며 이는 합성 재료보다 4배 더 큽니다.
  2. 건식 식각
    1. 아세톤과 이소프로판올(IPA)을 사용하여 시료를 순차적으로 세척한 다음 질소 건으로 건조시켜 잔류 용매 방울을 날려버리고 잔류물 형성을 방지합니다.
    2. 세척된 샘플을 RIE 에칭 시스템 내부의 하부 전극에 놓습니다.
    3. 챔버를 펌핑하여 5 × 10-7 mbar의 기본 압력에 도달합니다.
    4. 에칭 가스(SF6)를 50 sccm의 유량으로 챔버에 도입합니다.
      알림: 에칭 공정의 모든 SF6 배기 가스는 저감 시스템을 통과해야 합니다. 대기로 직접 배출하는 것은 금지되어 있습니다. 가스 흐름이 시작되기 전에 스크러버를 활성화해야 하며 퍼지가 완료될 때까지 계속 작동해야 합니다.
    5. 통합 냉각 시스템을 사용하여 기판 온도를 5°C로 설정합니다.
    6. 800W ICP 전력을 인가하여 플라즈마를 점화하여 고밀도 플라즈마를 생성하고, 동시에 하부 전극에 400W RF 전력(13.56MHz)을 인가하여 이온 충격 에너지를 제어합니다.
    7. 15초의 지속 시간으로 에칭 테스트를 수행합니다. 이러한 조건에서 프레스된 샘플에서 에칭 속도는 1μm·min-1 로 측정되었습니다.
    8. 에칭 후 ICP 및 RF 전원 공급 장치를 모두 꺼서 플라즈마를 중지합니다.
    9. 남은 공정 가스를 배출한 다음 챔버를 대기압으로 천천히 배출합니다.
  3. 챔버에서 에칭된 샘플을 제거합니다.

액세스가 제한되었습니다. 이 콘텐츠를 보려면 로그인하거나 체험판을 시작하세요.

결과

이 연구는 X선 회절, 라만 분광법 및 광발광 측정의 조합을 사용하여 SiCL 필름을 압착 및 에칭하기 전과 후의 유형 II 격환액 NaxSi136 필름의 구조적 및 광학적 진화를 조사했습니다. 첫 번째 단계는 제작 후 및 후처리 단계 후에 올바른 상을 얻도록 하는 것입니다. 그림 3 은 X선 회절(XRD) θ-2θ 패턴(Cu Kα 소스)을 보여주며, 이는 프레스 샘플과 프레스 에칭 샘플 모두에서 유형 II SiCL 상의 형성을 확인합니다. 패턴은 NaxSi136의 ICDD 01-089-5534 패턴과 밀접하게 일치하는 날카롭고 잘 정의된 피크를 표시하여 원하는 상의 성공적인 합성을 나타냅니다. 또한 Na8Si46 에 기인한 약한 반사도 감지되어 사소한 2차 상의 존재가 확인되었습...

액세스가 제한되었습니다. 이 콘텐츠를 보려면 로그인하거나 체험판을 시작하세요.

토론

2단계 열분해 방법을 통한 유형 II 실리콘 포집 필름(NaxSi136)의 합성에는 최종 재료의 성공과 품질을 결정하는 두 가지 중요한 단계가 포함됩니다. Na4Si4 Zintl 전구체의 초기 형성은 반응성 중간상역할을 하기 때문에 중추적인 역할을 합니다(그림 1). 이 단계에서는 불활성 아르곤 분위기 하에서 실리콘 웨이퍼를 나트륨 증기에 노출시켜야 합니다. 불균일성으로 인해 부분 분해 또는 잔류 미반응 실리콘이 발생할 수 있으므로 Na4Si4의 완전하고 균일한 형성을 보장하는 것이 필수적입니다28. 이는 인코넬 합금 보트 내부 표면을 최대한 덮는 얇은 평행 육면체 나트륨 조각을 사용하여 달성됩니다....

액세스가 제한되었습니다. 이 콘텐츠를 보려면 로그인하거나 체험판을 시작하세요.

공개 사항

저자는 재정적 이해 상충이 없음을 확인합니다.

감사의 글

이 연구는 Exosil-Exotic Silicon Clathrate Films(ANR-22-CE50-0025)에 따라 프랑스 국립 연구국(ANR)의 지원을 받았습니다. 저자는 IPCMS의 XRD 플랫폼과 ICube의 C3Fab 플랫폼 직원에게 감사를 표합니다.

액세스가 제한되었습니다. 이 콘텐츠를 보려면 로그인하거나 체험판을 시작하세요.

재료

이 논문에 사용된 재료 목록
이름회사카탈로그 번호댓글
아세톤시그마-올드리치32201-2.5L-M
밀폐 유리맞춤 제작
분석 균형사르토리우스1409 001
무수 사이클로헥산써모 사이언티픽11403087≥ 순도 99%
아르곤 가스린데 가스2890122 2010병 크기 S11 순도 99,9999%
다이아몬드 팁 펜옥스퍼드 인스트루먼츠 사를(Oxford Instruments Sarl)T5357
드라이 스크롤 펌프에드워즈XDS10 
에탄올VWR 케미컬스20821.365
수평관 용광로카볼라이트 게로EST12150B-230SN프로그래머블 퍼니스
유압 프레스론돌수동, 탁상형, 가열판 포함
불화수소산(HF)VWR 케미컬스20319.29148% HF를 사용해 10% 볼륨 용액을 만드는 데 사용됨
인코넬 합금 보트아나랩AR900154 x 18 x 13.3 mm<3>3
이소프로파놀VWR 케미컬스20842.367
금속 나트륨열보 사이언티브 케미컬스L13285.24순도 99%
석영관ALC 석영맞춤 제작외경: 65.5 이상; 0.3 mm, 내경: 57에서 60 mm 사이, 길이: 550 mm
RIE 에칭 시스템코리얼210IL
분할 블레이드 커터파콤844.S9PB9 mm 블레이드 폭
실리콘 (c-Si (001)) 웨이퍼BT 일렉트로닉스재고에서525 이상; 25 & 마이크로; 두께 m, 단면 연마, N-도핑(P) 실리콘 (001)
스테인리스 스틸 튜브호시트라드맞춤 제작밀봉 조립에 사용, 재료 SST304
육불화황 육불화(SF6)에어 리퀴드P0964S05R0A001병 크기 S05 순도 99,9990%
탄탈럼(Ta) 와이어열보 사이언티브 케미컬스10349.G9직경 0.5 mm, 순도 99.95%, 총 길이 25 m
터보펌프에드워즈EXT255H

참고문헌

  1. Akinwande, D., et al. Graphene and two-dimensional materials for silicon technology. Nature. 573 (7775), 507-518 (2019).
  2. Luo, W., Ma, Y., Gong, X., Xiang, H. Prediction of silicon-based layered structures for optoelectronic applications. J Am Chem Soc. 136 (45), 15992-15997 (2014).
  3. Huang, H., Du, W., Deng, H., Xiang, H. Aging-resistant, high-strength, reprocessable, and recyclable silicones through dynamic thiol-maleimide chemistry. Ind Eng Chem Res. 63 (35), 15373-15382 (2024).
  4. Liu, Y., et al. Advancements in low-density crystalline silicon allotropes. Appl Phys Lett. 126 (9), 090501(2025).
  5. Matsunami, H. Fundamental research on semiconductor SiC and its applications to power electronics. Proc Jpn Acad Ser B Phys Biol Sci. 96 (7), 235-254 (2020).
  6. Oh, Y. J., Lee, I. H., Kim, S., Lee, J., Chang, K. J. Dipole-allowed direct band gap silicon superlattices. Sci Rep. 5, 18086(2015).
  7. Battaglia, C., Cuevas, A., Wolf, S. D. High-efficiency crystalline silicon solar cells: status and perspectives. Energy Environ Sci. 9 (5), 1552-1576 (2016).
  8. Bi, Y., Xu, E., Strobel, T. A., Li, T. Formation of inclusion type silicon phases induced by inert gases. Commun Chem. 1 (1), 15(2018).
  9. Beekman, M., Wei, K., Nolas, G. S. Clathrates and beyond: low-density allotropy in crystalline silicon. Appl Phys Rev. 3 (4), 040804(2016).
  10. Vollondat, R., et al. Synthesis and characterization of silicon clathrates of type I Na8Si46 and type II NaxSi136 by thermal decomposition. J Alloys Compd. 903, 163967(2022).
  11. Smelyansky, V. I., Tse, J. S. The electronic structure of metallo-silicon clathrates NaxSi136 ( = 0, 4, 8, 16 and 24). Chem Phys Lett. 264 (5), 459-465 (1997).
  12. Yamanaka, S., Komatsu, M., Tanaka, M., Sawa, H., Inumaru, K. High-pressure synthesis and structural characterization of the type II clathrate compound Na30.5Si136 encapsulating two sodium atoms in the same silicon polyhedral cages. J Am Chem Soc. 136 (21), 7717-7725 (2014).
  13. Kanatzidis, M. G., Pöttgen, R., Jeitschko, W. The metal flux: A preparative tool for the exploration of intermetallic compounds. Angew Chem Int Ed Engl. 44 (43), 6996-7023 (2005).
  14. Liang, Y., et al. Synthesis of the clathrate-I phase Ba8−xSi46 redox reactions. Inorg Chem. 50 (10), 4523-4528 (2011).
  15. Stefanoski, S., Beekman, M., WongNg, W., Zavalij, P., Nolas, G. S. Simple approach for selective crystal growth of intermetallic clathrates. Chem Mater. 23 (6), 1491-1495 (2011).
  16. Stefanoski, S., Martin, J., Nolas, G. S. Low temperature transport properties and heat capacity of single-crystal Na8Si46. J Phys Condens Matter. 22 (48), 485404(2010).
  17. Beekman, M. Intrinsic electrical and thermal properties from single crystals of Na24Si136. Phys Rev Lett. 104 (1), 018301(2010).
  18. Fix, T., et al. Silicon clathrate films for photovoltaic applications. J Phys Chem C. 124 (28), 14972-14977 (2020).
  19. Bharwal, A. K., et al. Enhancing morphological and optoelectronic properties of silicon clathrate films through thermal press annealing and SF6 treatment. ACS Appl Energy Mater. 8 (3), 1752-1758 (2025).
  20. Kumar, R., et al. Synthesis and characterization of type II Ge-Si clathrate films for optoelectronic applications. Mater. 17 (2), 504(2024).
  21. Liu, Y., et al. Synthesis and characterization of type II silicon clathrate films with low Na concentration. Appl Phys Rev. 8 (4), 041408(2021).
  22. Martinez, A. D., et al. Synthesis of Group IV clathrates for photovoltaics. IEEE J Photovoltaics. 3 (4), 1305-1310 (2013).
  23. Beekman, M., et al. Framework contraction in Na-stuffed Si(cF136). Inorg Chem. 49 (12), 5338-5340 (2010).
  24. Bharwal, A. K., et al. Influence of sodium concentration on the optoelectronic properties of silicon clathrate films. ACS Appl Energy Mater. 7 (19), 8554-8561 (2024).
  25. Kume, T., et al. NaSi and Si clathrate prepared on Si substrate. Phys Status Solidi C. 10 (12), 1739-1741 (2013).
  26. Kume, T., Ohashi, F., Nonomura, S. Group IV clathrates for photovoltaic applications. Jpn J Appl Phys. 56 (5S1), 05DA05(2017).
  27. Ma, X., et al. A versatile low temperature synthetic route to Zintl phase precursors: Na4Si4, Na4Ge4 and K4Ge4 as examples. Dalton Trans. 46, 10250-10255 (2009).
  28. Vollondat, R., et al. Tunability of silicon clathrate film properties by controlled guest-occupation of their cages. J Chem Phys. 158 (16), 164709(2023).
  29. Kishimoto, K., Koda, S., Akai, K., Koyanagi, T. Thermoelectric properties of sintered type-II clathrates (K, Ba)24(Ga, Sn)136 with various carrier concentrations. J Appl Phys. 118 (12), 125103(2015).
  30. Liu, Y., et al. Formation of type II silicon clathrate with lithium guests through thermal diffusion. Inorg Chem. 62 (18), 6882-6892 (2023).

액세스가 제한되었습니다. 이 콘텐츠를 보려면 로그인하거나 체험판을 시작하세요.

재인쇄 및 허가

태그

제2형 클라스레이트열분해반응성 이온 식각열압착X선 회절라만 분광법광루미네선스 측정주사 전자 현미경광전자 특성
Type II 실리콘 격환 필름의 제조 및 최적화
문의하기
도서관에 추천하기

개인정보 처리방침

이용 약관

정책

저작권 © 2026 MyJoVE Corporation. 모든 권리 보유.