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방법 논문

유기 전기화학 트랜지스터에서 시너지 신경 퍼텐셜 효과를 이용한 초저 과산화수소 검출

259 조회수

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DOI:

10.3791/70467

⸱

2026년 3월 31일

 ,  ,  ,  ,  , 
1College of Integrated Circuits, Taiyuan University of Technology

이 논문에서

요약

여기서는 시너지 효과를 기반으로 한 과산화수소의 초저 검출 프로토콜을 제시합니다. 이 프로토콜은 스택 레이어 폴리(3,4-에틸렌디옥시오펜): 브로모티몰 블루(PEDOT: BTB)/폴리스티렌 설폰산염(PEDOT: PSS), 백금 마이크로전극(Pt)의 제조와 구성된 H2O2 센서의 최적 작동 지점 결정을 포함합니다.

초록

유기 전기화학 트랜지스터(OECT) 기반의 시너지 너스트 전위는 Pt 게이트 전극에서 촉매되는 과산화수소(H2O2)와 브로모티몰 블루(BTB) 분자 및 수소 이온 간의 상호작용(H2O2 촉매 부산물)을 통해 생성되며, 10-12 M까지 1.8 × H2O2의 초저 검출에 활용됩니다. 10-11 M에서 10-3 M까지 넓은 선형 탐지 범위를 가집니다. 이 퍼텐셜의 형성은 최적의 작동 지점으로 소스-드레인 전압(VDS)과 게이트 전압(VG)을 −0.6 V로 선택하고, 반도체 채널 재료로 스택 레이어 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜): 브로모티몰 블루/폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):p올리스티렌 설폰산염(PEDOT:BTB/PEDOT:PSS)을 채택함으로써 결정됩니다. 또한, 적층층의 캐리어(탈)도핑 능력을 자외-가시경 분광법을 이용해 특성화하고, 전기화학적 측정을 통해 최적의 작동 지점을 확인하며, 단일 단계 상수 전압 스캔을 이용한 OECT 기반 H2O2 센서의 감지 성능 평가를 통해 관련 검증이 이루어집니다. 마지막으로, OECT 기반 H2O2 센서는 마이크로나노 제조 공정을 통해 제작되며, 스핀 코팅을 통한 적층 반도체 층 준비와 리프트오프 공정 및 마그네트론 스퍼터링을 통한 마이크로전극 제작이 포함됩니다. 이 방법론은 효소 촉매 반응을 통한 분석물의 초저용량 검출에 대한 폭넓은 길을 열어줄 수 있습니다.

서론

과산화수소(H2O2)는 락테이트 산화효소, 글루타메이트 산화효소, 포도당 산화효소1에 의해 매개되는 수많은 효소 촉매 생화학 반응의 널리 퍼진 부산물입니다. 광범위한 생리학적·병리학적 과정에 널리 퍼져 있어 인간 건강과 질병 상태를 이해하는 데 중요한 생체분자입니다. 따라서 초저농도에서의H2O2의 정확한 검출은 신체 조건에 대한 정확한 통찰을 얻는 데 필수적이며, 연구자들이 저검출한계(LOD)를 가진 민감한 검출 방법론 개발에 큰 관심을 갖게 합니다.

분광법, 크로마토그래피, 화학발광과 같은 전통적인 H2O2 검출법 5,6은 정량 분석의 기초를 마련했으나, 광범위한 적용을 방해하는 고유한 한계를 가지고 있습니다. 이러한 기법은 일반적으로 부피가 크고 비용이 많이 드는 기기를 사용하며, 전문 지식이 필요해 현장, 휴대용, 또는 진료 현장 탐지 시나리오에는 실용적이지 않습니다. 따라서 고감도와 소형화, 저비용, 사용 편의성을 결합한 대체 검출 기술이 시급히 필요합니다.

마이크로나노기술의 발전과 함께, 유기전기화학 트랜지스터(OECTs)는 소형화, 저전압, 우수한 신호 증폭 능력, 생체 적합성 등 고유한 장점 덕분에 바이오센싱 응용에 유망한 플랫폼으로 부상했습니다. OECT 기반 센서는 H2O2 감지를 위해 점점 더 많이 연구되고 있으며, 주로 H2O2 민감 재료를 마이크로전극에 변형시켜 탐지 감도를 높이는 데 중점을 두고 있습니다. 예를 들어, Cicoira 등은 5 μM에서 103 μM까지 선형 검출 범위와 Pt가 소스, 드레인, 게이트 재료로 사용될 때 5 μM의 낮은 LOD를 가진 OECT 기반 H2O2 센서를 제작했습니다. Guo 등은 유연한 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET) 기판과 트랜스웰 지지대 위에 OECT를 제작했습니다. 이 장치는 칸 나노튜브와 Pt 나노입자로 변형된 스크린 인쇄 탄소 페이스트 전극을 게이트 전극으로, PEDOT: PSS를 채널 재료로 사용하여 H2O2에 대해 선형 검출 범위 0.5-100 μM, LOD 0.2 μM을 보였습니다. Qi 등은 기증자-수용체(D-A) 유형 양극성 단일 유기 혼합 이온-전자 도체(OMIEC) 폴리머 기반 OECT를 보고했으며, 이는 H2O2에 대해 선형 검출 범위가 0.001-100 μM이고 LOD가 1 nM이었습니다. 앞서 언급한 H2O2 센서는 주로 Pt 기반 게이트 전극이 H2O2를 촉매하는 Nernst 전위에 의존하여 낮은 LOD를 달성했으며, 이는 채널층의 전기화학적 도핑(de) 상태를 조절하여 우수한 신호 증폭 능력을 활용할 수 있습니다. 따라서 이 분야의 이전 연구들은 추가 최적화를 위한 견고한 이론적·실험적 기반을 마련했습니다.

본 연구의 핵심 목표는 전기화학 센서 성능의 핵심 메커니즘인 Nernst 퍼텐셜을 추가로 활용하여 고도로 제어되고 민감한 OECT 기반 H2O2 센서를 개발하는 것입니다. 이를 위해 우리는 두 가지 핵심 요소인 Pt 기반 게이트 전극(H2O 2를 전기촉매하는 게이트 전극)과 H2O2의 부산물로 생성된 수소 이온과 상호작용하는 적층 반도체 채널층(PEDOT: BTB/PEDOT: PSS)의 연쇄 반응에 의존하는 시너지 효과를 제안합니다 촉매 작용. 이 설계는 확립된 연구에 기반을 두고 있습니다: 약산과 약염기의 잘 알려진 화학 지표체인 브로모티몰 블루(BTB)14는 이전 연구에서 PEDOT(PEDOT: BTB)와 OECT 게이트 또는 채널층의 pH 감지에 성공적으로 통합되어 우리 접근법의 핵심인 연쇄반응의 실현 가능성을 검증했습니다.

대체 OECT 기반 H₂O₂ 검출 방법과 비교할 때, 우리의 시너지 효과를 가진 Nernst 퍼텐셜 전략은 뚜렷한 장점을 제공합니다. 기존 설계가 P트 기반 게이트 전극의 촉매 활성만으로 넨스트 전위를 생성하는 것과 달리, 저희 접근법은 이 촉매 과정을 스택드 채널 층의 pH 반응성 거동과 결합하여 제어성을 향상시킵니다. 이 시너지는 센서의 감도를 향상시킬 뿐만 아니라 안정성과 조정 가능성을 높여 기존 OECT 기반 센서의 주요 한계를 해소합니다. 더 나아가, 이 기술은 기능성 소재와 혁신적인 반응 메커니즘의 통합을 강조하는 OECT 기반 바이오센싱의 광범위한 추세와도 일치합니다.

광범위한 전기화학 검출 문헌 15,16,17,18,19,20,21 맥락에서, OECT는 약한 전기화학 신호를 증폭할 수 있어 저농도 분석물 검출에 이상적인 휴대용 생체감각의 핵심이 되었습니다. 우리의 연구는 Nernst 퍼텐셜 주도 메커니즘을 정교하게 개선하여H-2O2 검출을 위한 OECT 성능을 최적화하는 새로운 관점을 제공합니다. 이 방법의 적용 가능성을 고려하는 독자들에게 저희 설계는 전통적인 방법으로는 비현실적인 현장 진단, 시험관 모니터링, 현장 환경 또는 생물학적 샘플 분석과 같이 고민도, 휴대성, 제어 가능성이 요구되는 시나리오에 특히 적합합니다. 이 서론은 우리 접근법의 개념적 틀과 장점을 명확히 함으로써, 독자들이 이 방법이 자신의 특정 응용 요구에 부합하는지 평가할 수 있도록 필요한 맥락을 제공합니다.

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프로토콜

1. 스택 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 반도체 필름의 제작 및 특성 분석

  1. 샘플 준비
    참고: 단층 PEDOT: PSS를 준비할 때는 1.1.1 단계를 수행하세요. 스택 레이어 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 준비 시 Step 1.1.2를 수행하세요.
    1. 단층 PEDOT: PSS를 스핀 코팅을 통해 준비합니다.
      1. 상업용 PEDOT: PSS 용액을 0.45 μm 필터(폴리에테르설폰 PES)로 필터링합니다.
      2. 여과된 PEDOT: PSS 884 μL, 0.1 wt% 도데실벤젠 설폰산(DBSA) 1 μL, 5 wt% 에틸렌 글리콜(EG) 50 μL, 0.5 wt% 3-글리시도시프로필 트리메톡실란(GOPS) 5 μL 을 완전히 혼합하여 혼합 용액을 만듭니다(즉, PEDOT: PSS 전구체).
      3. PEDOT: PSS 전구체를 자석 교반기로 하룻밤 동안 저어준 후 5분간 초음파 처리합니다
      4. 스핀 코터를 사용해 PSS 반도체 필름을 스핀 코팅하여 소스 및 배수 전극을 연결하며, 회전 속도는 4200rpm, 가속 속도는 200rpm, 유지보수 시간은 60초로 진행됩니다.
      5. 필름을 130°C에서 오븐에서 15분간 구운 후, 10 μL 농축 황산(H2SO₄)을 피펫으로 부어 과도한 PSS를 제거합니다.
      6. 이후 필름을 탈이온수로 헹구고, 130°C에서 10분간 베이킹합니다.
    2. 전적 증착을 통해 쌓인 층 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 준비합니다.
      1. 10 mM 3,4-에틸렌디옥시티오펜(EDOT) 42 μL, 0.02496 g의 BTB, 40 mL의 1 mM 인산염 완충액(PBS), 그리고 0.4044 g의 질산칼륨(KNO3)을 포함한 용액을 준비합니다. 10분간 섞어 흔들어 붉은 용액이 나올 때까지 흔듭니다.
      2. 전기증금 PEDOT: BTB를 스핀 코팅된 PEDOT: PSS 층에 이중 가변 정전기 작업대의 순환 전압계(CV) 방식을 사용하여 부착합니다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 단락시켜 작동 전극으로 사용하고, 포화 칼로멜 전극을 기준 전극으로, Pt 와이어를 상대 전극으로, 혼합 수용액을 전해질로 사용합니다.
      3. 작동 전극에 0에서 1V 사이의 전위를 0.1 V⋅s-1 스캔 속도로 15 사이클 동안 가합니다.
      4. 전기증착된 통로를 탈이온수로 청소한 후 실온에서 건조하세요.
  2. 주사전자현미경(SEM), 원자력현미경(AFM), 자외선-가시광선(UV-vis) 분광법, 그리고 전기화학 특성화가 있습니다.
    1. SEM과 AFM을 이용해 필름의 형태학적 특성 분석을 수행합니다.
      1. 스핀 코팅기를 사용해 각각 단층 및 스택 층 필름을 Au 시트에 착착하며, 회전 속도는 4200rpm, 가속 속도는 200rpm, 유지보수 시간은 60초입니다.
      2. SEM을 2차 전자 모드에서 가속 전압 1 kV와 3 kV로 각각 작동시켜 준비된 층층 필름의 표면 및 단면 형태를 관찰합니다.
      3. 단층 필름(두께 115 nm 미만)을 40,000 ×의 고배율로 측정합니다. 쌓인 층 필름(총 두께 361 nm)을 10,000 ×과 40,000 ×의 고배율로 측정하여 쌓인 층 필름이 Au 시트에 전해 증착된 상태를 명료하게 합니다.
      4. AFM의 탭핑 모드를 채택하여 단층 및 스택 레이어 필름의 표면 거칠기 변화를 관찰합니다.
      5. AFM 스캔 범위를 5 μm × 5 μm로 설정하세요. 3D 형태를 기록하고 평균평균근 거칠기를 계산하세요.
    2. 자외선-가시광법을 사용하여 쌓인 층의 광전기화학적 특성을 특성화합니다. 파장 범위를 200 nm에서 800 nm, 광학 해상도를 0.73 nm, 슬릿 크기는 10 μm, 적분 시간은 11 ms, 온도 조절은 20–30 °C로 설정합니다.
      1. 스핀 코팅을 인듐 주석 산화물(ITO) 위에 스핀 코팅하는데, 4200 rpm 회전 속도로 60초 동안 200 rpm s-1로 가속합니다.
      2. pH 3에서 pH 9까지의 pH 완충액을 분광광도계 전지의 전해질로 두 자릿수 간격으로 선택하고, 수정된 ITO 전극을 분광광도계 전지에 광 경로와 일치하도록 배치합니다.
      3. 마이크로 주입 펌프를 사용해 pH가 다른 2mL의 전해질 용액을 분광광도계 셀에 차례로 추가하거나 제거합니다.
      4. 각 pH 용액에서 스택 층 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 흡수 스펙트럼을 측정하고 획득합니다.
      5. 분광광도계 셀에 Pt 와이어를 넣고, 이중 정포텐시오틱 전기화학 작업장의 작동 전극(WE)을 Pt 와이어에 연결합니다. +0.6 V 및 -0.6 V 전압을 인가합니다. 이중 정지전기화학 작업장의 제어 전극(CE)을 수정된 ITO 전극에 연결합니다.
      6. 전도도는 0.1× PBS에 H2O2 용액(10-11–10-3 M)을 34.39 ± 0.73 mS·cm-1로 준비합니다. 수정된 ITO 전극을 분광광도계 셀에 넣습니다.
      7. 마이크로 주입 펌프를 사용해 다양한 농도의 H2O2 전해질 용액 2mL를 분광광도계 셀에 차례로 추가하고 제거합니다.
      8. 다양한 H2O2 해액에서 스택 레이어 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 흡수 스펙트럼을 측정하고 획득합니다.
    3. 전기화학 측정을 사용하여 게이트 작동 지점을 결정합니다.
      1. 20 mL의 H2O2 용액에서 서로 다른 농도(0.1× PBS로 구성, 10-3 M에서 10-11 M 사이, 2자릿수 간격으로 구성)에서 동일한 전도도가 34.39 ± 0.73 mS cm-1로 나오는 CV 측정을 수행합니다.
      2. 작동 전극으로는 Pt 와이어를, Au 시트에 변형된 단층 필름을 대전극으로, Ag/AgCl 전극을 기준 전극으로, 그리고 각각 서로 다른 농도의 H2O2 용액을 전해질로 사용하세요.
      3. 작동 전극에 -1에서 1V 사이의 전위를 0.1 V⋅s-1 스캔 속도로 인가합니다.
      4. 전해질 전압(VE)을 0.1 × PBS(1 mM PBS에 해당)로 측정하는데, H2O2를 섞지 않습니다.
      5. 원래 OECT 시스템에 또 다른 Ag/AgCl 전극(소스, 드레인, Ag/AgCl 게이트 전극, 그리고 스택 레이어 PEDOT: BTB/ PEDOT: PSS 반도체 필름 포함)을 도입하고, 기존 OECT 시스템에서 추가 Ag/AgCl 전극과 소스 전극을 전기적으로 단락시킵니다.
      6. 오실로그래프를 추가 Ag/AgCl 전극에 연결하고, 측정 시간 2초, 주파수 10 kHz를 적용한 후 VE를 측정합니다.
      7. V E 스펙트럼을 0.1 × PBS에서 서로 다른 H2O2 농도(10-11 M에서 10-3 M 사이, 두 자릿수 간격)로 측정하며, V G ±0.6 V와 VDS -0.6 V 하에서 전도도가 34.39 ± 0.73 mS cm-1로 동일하게 측정됩니다. 각각
      8. 스캐닝 스펙트럼의 중간 값을 획득하여 VE의 준동등값으로 사용하세요.

2. 전통적인 리프트오프 마이크로패브리케이션 공정을 기반으로 한 H2O2 센서 준비

  1. 3차원(3D) Si 기판(즉, 3D 실리콘 산화물층) 위에 두께 500nm의 SiO2 절연층을 성장시킨 후, 아세톤, 알코올, 탈이온수를 각각 5분씩 순차적으로 초음파 처리합니다. 질소 아래에 1분간 건조하세요.
  2. 스핀 코터를 사용해 실리콘 산화물 층에 음극 광저항 ROL-7133 층을 스핀 코팅합니다 (1단계: 회전 속도 500 rpm, 시간 25초, 가속도 100 rpm/s; 2단계: 회전 속도 3,000 rpm, 시간 54초, 가속 200 rpm/s; 3단계: 회전 속도 4,000 rpm, 시간 6초, 가속 1,000 rpm/s).
  3. 광서레지스트 코팅된 실리콘 산화물 기판을 PET 테이프로 마스크에 고정한 후, 110°C의 일정 온도에서 90초간 가열 플랫폼에 올려놓습니다.
  4. 포토마스크를 리소그래피 기계의 리소그래피 영역에 평평하게 놓고, 다음 리소그래피 조건에서 포토리소그래피 패턴을 수행합니다: 광 전압 0.65 V, 시간 6.5초.
  5. 완성된 포토리소그래피 패턴이 된 실리콘 산화물 기판을 AZ-400K 현상액(기본 용액: 물 = 1:4)에 60초 현상합니다. 제거 후에는 탈이온수로 철저히 세척한 후 질소 가스로 건조합니다.
  6. 마그네트론 스퍼터 기기(전력 50W, 시간 600초)를 사용해 실리콘 산화물 기판 표면에 20 nm Ti층과 100 nm Au 층을 차례로 스퍼터링합니다.
  7. 기질을 아세톤에 10분간 담근 후 남은 포토레지스트를 씻어내세요.
  8. 준비된 마이크로전극 칩을 탈이온수로 1분간 헹구고, 질소로 1분간 건조시킵니다.
  9. 채널 형상의 너비 대 길이 비율을 15:1로 설계하고, 포토마스크에 4μm의 짧은 채널을 설계합니다
  10. 자외선 레이저 절단 기계를 창문으로 사용하여 게이트 전극의 위치를 정렬하는 패턴 PET 테이프(길이 1.2mm, 너비 0.6mm).
  11. 마그네트론 스퍼터 기기(전력 50W, 시간 500초)를 사용해 게이트 전극 표면에 100 nm Pt 층을 순차적으로 스퍼터링합니다.
  12. 자외선 레이저 절단 기계를 창으로 사용하여 채널 위치를 정렬하는 패턴 PET 테이프(길이 60 μm, 너비 15 μm)입니다.
  13. 1.1.1과 1.1.2 단계를 따라 채널에 스핀 코팅을 하세요.

3. 스택된 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 반도체 층을 이용한 OECT 기반 H2O2 센서의 성능 감지

참고: 고정된 게이트 전압 +0.6 V에서 OECT 기반 H2O2 센서를 측정할 때는 3.1단계를 수행하세요. 고정된 게이트 전압인 -0.6 V에서 측정할 때는 3.2단계를 따르세요.

  1. 고정된 게이트 전압 +0.6 V 하에서 서로 다른 H2O2 농도의 출력 전류(IDS) 변동을 측정합니다.
    1. 20 μL H2O2 용액을 서로 다른 농도로 (0.1× PBS로 구성, 10-3 M에서 10-11 M 사이, 간격 2자릿수 간격으로 사용), 채널 표면에서 순차적으로 34.39 ± 0.73 mS cm-1 의 동일한 전도도를 가집니다.
    2. H2O2 센서의 소스, 드레인, 게이트 전극을 각각 듀얼 포트 소스 미터에 연결합니다.
    3. V DS -0.6 V, VG + 0.6 V, 준상대평형 출력 IDS를 얻기 위한 40-150초 측정 시간, 단일 단계 상수 전압 모드에서 10초의 측정 시간을 적용합니다.
    4. 다음 H2O2 용액을 측정하기 전에 채널 표면을 탈이온수로 헹구세요.
    5. 정상 상태 IDS 값을 획득하세요.
  2. 고정된 게이트 전압 -0.6 V 하에서 서로 다른 H2O2 농도의 IDS 변동을 측정합니다.
    1. 서로 다른 농도(0.1× PBS로 구성되어 있으며, 2자릿수 간격으로 10-3 M에서 10-11 M 사이)로 20 μL H2O2 용액을 담그고, 채널 표면에서 순차적으로 34.39 ± 0.73 mS cm-1의 전도도를 보입니다.
    2. H2O2 센서의 소스, 드레인, 게이트 전극을 각각 듀얼 포트 소스미터에 연결합니다.
    3. V DS -0.6 V, VG G -0.6 V, 준상대평형 출력 IDS를 얻는 데 40-150초의 측정 시간, 그리고 단일 단계 상수 전압 모드에서 10초의 측정 시간을 적용합니다.
    4. 다음 H2O2 용액을 측정하기 전에 채널 표면을 탈이온수로 헹구세요.
    5. 정상 상태 IDS 값을 획득하세요.

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결과

이 논문은 처음에 SEM, AFM, UV-VIS 분광법 및 전기화학 측정을 사용하여 스택 레이어 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS 채널 재료를 특성화합니다. SEM 및 AFM 이미지(그림 1 및 그림 2)는 두께 241nm의 층층 PEDOT: BTB/PEDOT: PSS가 풍부한 과립 구조를 보이며, 이는 120 nm 두께의 단층 PEDOT: PSS 필름의 비교적 매끄러운 표면과 대조적입니다. 단일층 필름은 3.02 nm, 스택 레이어 필름은 22.1 nm로, 상당한 차이를 보여주며 적층 필름이 Au 기판에 성공적으로 전해 증적이 됨을 확인했습니다.

전해질/채널층 경계면에서의 전기화학적 및 광전기화학적 특성 조사는 고정된 게이트 전압인 -0.6 V가 스택 레이어 PEDOT: BTB...

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토론

프로토콜의 성공은 세 가지 상호 의존적인 핵심 단계에 달려 있으며, 각각은 실험적 특성화로 검증됩니다. 첫째, 스택 레이어 채널 재료(프로토콜 1.1)의 제작은 PEDOT: PSS 스핀 코팅(4200 rpm에서 60초, 130 °C에서 베이킹)과 PEDOT: BTB 전전증착(단락된 PEDOT: PSS 채널이 작동 전극 역할을 하며, 0.1 V s⁻1 스캔 속도에서 0에서 1 V 사이 전기 전위를 가지는 경우)에 대한 정밀한 제어가 필요합니다. 15 사이클 동안). 특히, 입자 크기와 층 두께의 차원 편차(±10 nm)는 SEM/AFM 특성화(프로토콜 1.2.1, 그림 1 및 그림 2)에서 BTB와 H⁺ 분자 간 상호작용에 뚜...

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공개 사항

저자들은 공개할 이해 상충이 없습니다.

감사의 글

이 연구는 중국국가자연과학기금(52175542 및 52203316), 산시성 과학기술 협력 및 교류 특별사업(제202304041101032호), 산시성 선정된 해외 인재 과학활동 기금 프로그램(20240007), 중국 산시 장학위원회 지원 연구 프로젝트(제2024062호), 산시성 특허 전환 특별 프로그램(제202304012호), 중국 박사후 과학기금(번호 2024M762331), 산시성 자연과학기금(번호 20210302123136 및 202103021223068), 산시성 박사 혁신 연구소(신저우)가 이 연구를 지원했습니다.

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재료

이 논문에 사용된 재료 목록
이름회사카탈로그 번호댓글
10번과 10번; 인산염 완충 식염수(PBS)란볼라이드 트레이딩 컴퍼니 주식회사P7209순도: ≥ 99%
3,4-에틸렌디옥시티오펜 (EDOT)상하이 알라딘 생화학기술유한회사, 중국E105649-25g순도: ≥ 99%
3-글리시독시프로필 트리메톡실실란 (GOPS)상하이 알라딘 생화학기술유한회사, 중국G107576순도: ≥ 97%
개발자쑤저우 연차이 위나 테크놀로지 유한회사.애리조나 400K
브로모티몰 블루 (BTB)시노팜 그룹 화학 시약 주식회사B801811-25g순도: ≥ 95%
탈이온수상하이 알라딘 생화학기술유한회사, 중국W11942418.2 Mfigure-materials-1 cm 
디지털 현미경일본 올림푸스 주식회사DSX1000준비된 OECT 채널에 대한 간단한 관찰
도데실 벤젠 설폰산(DBSA)상하이 알라딘 생화학기술유한회사, 중국D106550순도: ≥ 90%
이중 포텐시오스탯 전기화학 작업대메트로옴 AG, 스위스바이오닉
듀얼 포트 소스미터텍 테크놀로지 주식회사키슬리 2636B
이중 표적 마그네트론 스퍼터선양커징 자동화 장비 유한회사VTC-600-2HD
에틸렌 글리콜 (EG)상하이 알라딘 생화학기술유한회사, 중국E119700순도: ≥ 99.8%
과산화수소 (H2O2)후이즈 생화학 회사EL순도: ≥ 35%
N-메틸1-2-피롤리돈 (NMP)시그마-올드리치(상하이) 무역회사328634순도: ≥ 99.5%
폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜): 폴리스티렌 설폰네이트 (PEDOT: PSS)시그마-올드리치(상하이) 무역회사739332순도: ≥ 99.7%
폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)시그마-올드리치(상하이) 무역회사GF09063581
질산칼륨 (KNO3)시노팜 그룹 화학 시약 주식회사10017218순도: ≥ 99.0%
포토레지스트쑤저우 연차이 마이크로나노 테크놀로지 주식회사ROL-7133
주사 전자현미경(SEM)독일 칼 자이스 회사제미니 시그마 300
스핀 코팅기장쑤 레이보 과학기기 유한회사EZ4
황산 (H2SO4)시노팜 그룹 화학 시약 주식회사1002160895.0-98.0%
원자력 현미경(AFM)미국 브루커 코퍼레이션브루커 차원 아이콘
자외선 레이저 마킹 기계상하이 시팡 전기기술유한회사(Shahang Cifang Electrical Technology Co., LTD)RD-JW355
자외선-가시광선 분광광도 분광법(UV-vis)오션 인사이트 컴퍼니 오브 더 미 스테이츠오션-HDX-UV-비즈

참고문헌

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