Name: 게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노 (동영상) | JoVE Journal
Uploaded: 2013-11-01T19:15:00.000+00:00
Duration: 15 min 47 s
Description: 배우세요 게이트 정의 측면 양자점 나노 장치 제작 방법을. 갈륨 비소/알루미늄 갈륨 비소 이종 구조체에서 단일 전자 영역에 도달하는 양자 비트 소자를 제작하는 프로토콜을 익히세요.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

저자는 기술 지원을 마이클 Lacerte 감사합니다. MP-L. 재정 지원에 대한 자연 등 기술 (FRQNT) - 고급 연구 (CIFAR), 자연 과학 및 캐나다의 공학 연구위원회 (NSERC), 혁신에 대한 캐나다 재단 (CFI)과 드퐁 드 공들인 퀘벡의 캐나다 연구소 인정합니다. 여기에 제시된 장치는 나노 퀘벡에 의해 일부 자금 CRN2 및 IMDQ 시설에서 제작되었다. 갈륨 비소 / AlGaAs 기판은 국가 연구위원회 캐나다에서 미세 과학 연구소에서 ZR 바실 레프 스키에 의해 제작되었다. JCL 및 CB-O. 재정 지원 CRSNG 및 FRQNT을 인정합니다.

아래에 설명 된 제조 공정은 1.04 X 1.04 cm의 크기와 갈륨 비소 / AlGaAs 기판에서 수행됩니다. 스물 동일한 장치는이 크기의 기판에 제작되어 있습니다. 프로세스의 모든 단계는 클린 룸에서 수행되는 적절한 보호 장비는 항상 사용할 수 있어야합니다. 탈 이온수는 프로세스 전반에 걸쳐 사용되지만, 간단히 아래의 프로토콜에서 &quot;물&quot;이라고합니다. 1. 메사 에칭 이 제조 단계의 결과는 그림 4A에 표시됩니다. <ol><li> 저항 원치 않는 또는 유기 화합물의 흔적을 제거하는 2 분 75 W에서 O 2 플라즈마 플라즈마 아셀에서 샘플을 놓습니다. </li><li> 5 분 각각 아세톤 (배)와 IPA와 소닉 화장실에서 샘플을 청소합니다. 압축 된 N 2 총을 건조 타격. 제조 프로토콜을 통해, 소닉 목욕을 사용하는 경우, 갈륨 비소 웨이퍼 손상을 방지하기 위해 높은 권한을 사용하지 않도록그 다니엘하는 경향이있다. </li><li> 표면 탈수 적어도 15 분 동안 125 ° C의 오븐에서 샘플을 굽는다. 탈수는 5 분 이상 180 ° C에서 핫 플레이트에 샘플을 배치하여 얻을 수 있습니다. </li><li> 115 60 ° C 초에서 뜨거운 접시에 30 초 굽는다 3,500 rpm에서 쉬 S1818 포토 레지스트로 코팅 샘플을 스핀. 저항의 결과 층은 약 2.5 μm의 두께이어야한다. 그것은 두껍고 에칭 기판 단계 1.11에서 사용되는 솔루션이 매우 적은 영향을주기 때문입니다 S1818이 사용됩니다. 제조 공정 전반에 걸쳐, 그것은 다음 단계에서 쉽게 제거 할 수 있도록 저항 포토 레지스트 및 전자 빔을 overbaking 않도록하는 것이 중요합니다. </li><li> 시료의 바깥 쪽 가장자리에 저항을 노출하는 포토 리소그래피 마스크 얼 라이너와 에지 비드 마스크를 사용하십시오. 에지 비드 마스크는 유리 접시에 1 X 1cm 크롬 사각형으로 구성되어 있습니다. 436 nm의 파장의 빛을 사용하여 15m W / cm 2에서 10 초 동안 저항을 노출합니다. 워싱턴velength 전력은 고정되어 사용되는 기계와 다를 수 있습니다. 적당한 크기의 잘 정의 된 기능을 얻기 위해 노출과 개발 시간을 조정합니다. </li><li> 개발 2 분 10 초 MF-319에서 샘플을 담가 저항 노출. 이 단계 동안 천천히 교반. 15 초 동안 물에 씻어 압축 N 2 총을 불어 건조시킵니다. 에지 비드 샘플의 중간에 저항의 균일 한 두께를 가진 1 x 1 센티미터 표면을 떠나,이 단계의 끝에서 제거해야합니다. 에지 비드가 더 나은 결과를 이끌어 마스크와 샘플 사이에 더 나은 접촉을 얻기 위해 메사 마스크를 노출하기 전에 제거됩니다. </li><li> 아직도 노광 마스크 얼 라이너를 사용하여 노출 15 mW의 / cm 2에서 7 초 메사 마스크와 436 nm의 빛을 사용하여 저항한다. </li><li> 개발 2 분 10 초 MF-319에서 샘플을 담그고 천천히 교반에 의해 저항 노출.에게 물에 15 초 동안 세척하고 압축 된 N 2 총을 불어 건조시킵니다. remainin 저항샘플 G는 이제 메사의 모양을하고 있습니다. 저항은 다음 단계에서 에칭되는 샘플이 지역을 보호합니다. </li><li> 이전에 노출 된 지역에서 저항의 모든 흔적을 제거하려면, 샘플은 플라즈마 아셀에 배치하고 75 1 분 동안 O 2 플라즈마 W. 노출되는 </li><li> H 2 SO 4 용액 : H 2 O 2 : H 2 O (5시 1분 55초가) 식각 샘플 사용됩니다. H 2 O 2와 물을 적절한 비율을 결합하고 H 2 SO 4를 추가합니다. 그것이 처음 준비 할 때이 솔루션은 매우 반응이다. overetching을 방지하기 위해 다음과 같은 단계로 진행하기 전에 20 분을 기다립니다. </li><li> 몇 초 동안 산성 용액에 침지하고 즉시 반응을 중지 30 초 동안 물에 세척하여 샘플 에칭. 샘플의 표면은 (SE이 지역에서 고갈을 보장하기 위해 2DEG에 아래의 Si 불순물의 층을지나 에칭 거의 모든 방법으로해야합니다전자 그림 1). 식각 깊이는 기판에 따라 달라질 수 있습니다. 일반적으로 사용되는 기판의 종류에 대해, 34 초 침수 90-100 ㎚의 원하는 식각 깊이에 이르게한다. 그러나 2DEG 손상을 방지하기 위해 overetch하지 않는 것이 중요합니다. 식각 율이 솔루션뿐만 아니라 에칭하기 전에 대기 시간 H 2 SO 4, H 2의 비율 O 2를 강력하게 변화하기 때문에, 그것은 5-10 초 여러 침지하여 에칭을 수행 대신하는 것이 좋습니다 단 34 초 에칭으로, 각 식각 후 profilometer로 식각 깊이를 측정합니다. 이 솔루션의 비교적 느린 식각 속도는 식각 깊이를 잘 조절 할 수 있습니다. 실내 온도 아래의 식각 용액을 냉각하여 식각 속도를 낮출 수 있습니다. 그것은 얕은 식각하고 식각 프로파일이 중요하기 때문에하지만, 다른 에칭 솔루션도 사용할 수 있습니다. </li><li> 3 시간 동안 65 ° C에서 1165 년 리무버에서 샘플을 침지하여 저항을 벗 깁니다. 헹구기5 아세톤과 IPA의 각을 분. profilometer와 식각 프로파일을 측정합니다. </li></ol> 2. 저항 접촉의 제작 이 제조 단계의 결과는 그림 4b에 표시됩니다. <ol><li> 5 분 각각 아세톤 (배)와 IPA의 침수 소닉 화장실에서 샘플을 청소합니다. 압축 된 N 2 총을 불어 건조시킵니다. </li><li> 125 ° C 표면을 탈수하는 15 분 동안 오븐에서 샘플을 굽는다. </li><li> 10 분 동안 150 핫 플레이트 ° C에서 30 초와 빵을 2,500 rpm에서 LOR5A와 코트를 스핀. 그런 다음 60 초 동안 110 ° C에서 뜨거운 접시에 30 초 굽는다 5,000 rpm에서 S1813과 함께 코트를 스핀. 그 결과 저항의 두께 ~ 600 nm의 각각 ~ 1.3 ㎛ 인이다. 저항의 두 레이어는 단계 2.10에 입금됩니다 금속 리프트 오프를 촉진하는 데 사용됩니다. </li><li> 포토 리소그래피 마스크 얼 라이너와 에지 비드 마스크를 사용하여 외부 ED에 저항을 노출15 mW의 / cm 2에서 10 초 동안 436 nm의 빛을 시료의 GE. </li><li> 개발 부드럽게 교반하면서 2 분 10 초 MF-319에서 샘플을 담가 저항 노출.에게 15 초 동안 물에 씻어 압축 N 2 총을 불어 건조시킵니다. </li><li> 아직도 오믹 접촉 마스크 노광 마스크 얼 라이너,하지만이 시간을 사용하여 에칭 메사에 저항 연락처의 패턴을 맞 춥니 다. 15 mW의 / cm 2에서 6 초 동안 436 nm의 빛을 노출합니다. </li><li> 부드럽게 교반하면서 2 분 10 초 MF-319에 저항을 개발합니다. 15 초 동안 물에 씻어 압축 N 2 총을 불어 건조시킵니다. 상기 오믹 접촉이 입금됩니다 지역에서 저항이 더 이상 없습니다. 개발자는 저항의 상위 레이어 아래에 언더컷을 남겨 빠르게 S1813보다 LOR의 5A를 녹인다. 저항이 프로필은 저항의 가장자리에 벽을 형성하는 금속 (단계 2.10에 입금 할 것)을 방지하고 쉽게 remova도 수나머지의 난 저항하고 바람직하지 않은 금속. </li><li> 이전에 노출 된 지역에서 저항의 모든 흔적을 제거하려면 플라즈마 아셀에서 샘플을 배치하고 샘플 플라즈마에 너무 오래 앉게하지 않는 것이 중요합니다 75 W.에서 1 분 동안 O 2 플라즈마에 노출 때문에 약 75 nm의 / 저항의 분은이 단계 새겨 져있다. </li><li> 30 초 동안 H 2 O (1:5) 30 초 동안 물에 세척 : SO 4 H 2 용액에 시료를 침지하여 갈륨 비소 산화막을 제거합니다. 압축 된 N 2 총을 불어 건조시킵니다. 단계 2.10는 가능한 한 빨리 다시 나타나지 네이티브 산화를 방지하기 위해 수행해야합니다. </li><li> 니켈의 25 nm의 창 55 nm의 Au를 80 nm의 입금 전자 빔 증발기를 사용합니다. 증착 속도는 각각 0.2 nm의 / 초, 0.5 nm의 / 초, 0.5 nm의 / 초입니다. 증착 속도는 증착 시간 t의 두께의 정밀도가 떨어질 정도로 짧은되지 않고 챔버를 가열 방지 할 수있을만큼 짧은되도록 선택됩니다그 층을 증착. 그것은 9 가능한 경우 게르마늄과의 Au 이중층은 공정 GeAu의 단일 레이어로 대체 할 수 있습니다. </li><li> 이전 단계는 샘플의 전체 표면에 금속을 증착. 저항에 증착 된 금속의 제거는 후자를 용해하여 수행됩니다. 이 작업을 수행하려면 3 시간 동안 65 ° C에서 1,165 리무버에서 샘플을 담가. 자체적으로 해제되지 않았을 수 있습니다 원치 않는 금속을 제거하려면 살짝 뜨거운 제거제로 샘플의 표면을 스프레이 피펫을 사용합니다. 5 분 각각 아세톤과 IPA에서 샘플을 씻어. </li><li> 성형 가스의 급격한 열 어닐링 과정은 샘플의 2DEG에 용착 금속을 확산하는 데 사용됩니다. 온도는 ° C / 초 415의 온도 ° C에 도달 할 때까지 50의 속도로 증가된다. 샘플은 20 초 동안이 온도에서 방치 한 후 급속 냉각된다. 기간과 풀림의 온도가 낮거나 옴 접촉을 통해 작은 저항을 얻기 위해 선택됩니다온도. 최적 어닐링 시간은 기판 2DEG의 깊이에 따라 달라질 수 있습니다. </li></ol> 3. 티 / AU 쇼트의 제조 리드 이 제조 단계의 결과는 그림 4C에 표시됩니다. <ol><li> 5 분 각각 아세톤 (배)와 IPA의 침수 소닉 화장실에서 샘플을 청소합니다. 압축 된 N 2 총을 불어 건조시킵니다. </li><li> 125 ° C 표면을 탈수하는 15 분 동안 오븐에서 샘플을 굽는다. </li><li> 90 초 동안 180 ° C에서 뜨거운 접시에 30 초와 빵을위한 5000RPM에서 코트 PMMALMW4 %를 스핀. 그런 다음 180 ° C 90 초에서 뜨거운 접시에 30 초 굽는다 5,000 rpm에서 코트 PMMA HMW 2 %를 스핀. 그 결과 저항의 두께 ~ 75 nm의 ~ 40 nm의, 각각입니다. 티 / 오 리드가 매우 얇은되기 때문에, PMMA의 단일 레이어를 사용할 수 있지만, 회전, 노출 및 개발 매개 변수는 결과로 조정해야합니다. 이 댓글은 t에 적용그는 알 리드 게이트 (4 단계). </li><li> E-빔 과정 : 프로세스의이 부분은 ​​사용되는 프로토콜 따라서 아래에 설명 된 것과 크게 다를 수 있습니다 필요한 장비에 크게 의존합니다. 리드의 패턴은 CAD 파일에 그려집니다. 이 파일에서, 리드가 2 μm의 넓은 닫힌 다각형으로 그려해야합니다. 리드는 알루미늄 문 (4 단계에서 제작)에 본딩 패드 (5 단계에서 제작)에 문의 할 필요가 있습니다. 네 개의 정렬 마크는 티 / AU 쇼트 위에 알 리드 게이트, 수직 수평 및 회전 정렬을 리드 할 수 있도록 노출되어야합니다. <ol><li> 전자빔 리소그래피를 할 장착되어 주사 전자 현미경 (SEM)에서 샘플을 놓습니다. 빔 스폿의 크기를 줄이고 이전에 제작 된 구조를 정렬하는 동안 좋은 대조를 보장하기 위해 10 kV의에 가속 전압을 설정하기 위해 10 ㎛의 구멍을 사용합니다. 초점 stigmatism 및 조리개 정렬을 조정합니다.패러데이 컵 빔 전류를 측정한다. </li><li> 이전 에칭 메사 빔을 정렬하고 300X에 배율을 설정합니다. </li><li> 리드를 노출합니다. SEM은 노출 점의 배열을 작성하여 원하는 영역을 노출하도록 프로그램되어있다. 이러한 점 사이의 거리 (중심 간 거리) 5.5 nm의이며 용량은 43 μC / cm 2 (노출 시간 단계 3.5.1에서 측정 된 빔 전류에 따라 달라집니다)입니다. 4 단계에서 티 / 오 리드 알 게이트의 정렬을 할 수 있도록뿐만 아니라 정렬 마크를 노출합니다. </li><li> 샘플에 20 각 장치에 대해 단계 3.5.2과 3.5.3를 반복합니다. </li></ol></li><li> IPA에서 샘플을 담가 저항 개발 : 30 초 H 2 O (9시 1분). 이 솔루션은 20 ° C.의 온도에 있어야합니다 30 초 동안 물에 씻어 압축 N 2 총을 불어 건조시킵니다. MIBK 용액과 반​​응을 중지 IPA의 세척 : 선호하는 경우, PMMA은 IPA를 사용하여 개발 될 수있다 저항한다. 다른 D이 옵션을 선택한 경우 evelopment 시간이 필요합니다. </li><li> 플라즈마 아셀에서 샘플을 배치하고 전자 빔 과정에서 형성된 트렌치의 바닥에 남아있는 저항에는 없다는 것을이 저항의 5 nm의 제거 및 보장 50 W.에서 4 초 동안 O 2 플라즈마에 노출. </li><li> SO 4 H 2 용액에 시료를 침지하여 갈륨 비소 산화막을 제거 30 초 H 2 O (1:5) 30 초 동안 물에 헹구십시오. 압축 된 N 2 총을 불어 건조시킵니다. 단계 3.8 가능한 한 빨리 다시 나타나지 산화막을 방지하기 위해 수행해야합니다. </li><li> 모두 0.1 나노 미터 / 초의 속도로, TI와 오의 20 나노의 전자 빔 증발기 및 예금 10 나노에서 샘플을 놓습니다. 샘플 홀더가 잘 접지 및 증착 공정 중에 샘플 축적 요금을 방지하기 위해 소스에서 최소 60cm 멀리 배치하는 것이 중요합니다. </li><li> 65 1,165 리무버에서 샘플을 담근 °로 리프트 오프 초과하는 금속C 15 분. 자체적으로 해제되지 않았을 수 있습니다 원치 않는 금속을 제거하려면 살짝 뜨거운 제거제로 샘플의 표면을 스프레이 피펫을 사용합니다. 5 분 각각 아세톤과 IPA에 씻어. </li></ol> 4. 알 쇼트 리드 게이츠의 제작 이 제조 단계의 결과는 그림 4D에 표시됩니다. 알 쇼트의 제조 리드하고 이러한 점을 정의하는 게이트이기 때문에 게이트 제조 공정의 가장 중요한 단계를 구성합니다. 그것은 전자 빔이 잘 초점을 맞추고 현재의 빔이 잘 단계 4.2로 조정하는 것이 중요합니다. 노출과 개발 시간은 물론 소형, 지속적이고 잘 정의 된 게이트를 얻기 위해 조정해야합니다. 많은 프로토콜, 이러한 게이트와 리드는 티 / AU에서 제작하는 단계와 3시 이전에 리드와 동시에 노출됩니다. 그러나 알을 사용하는 장점은, 그것은 산화 될 수 theref입니다광석은 큰 절연 층 (10)의 필요없이 시료의 표면에 직접 입금 할 상위 게이트 등의 요소를 허용. <ol><li> 3.4.2 단계 3.1를 반복합니다. 티 / 오 리드의 손상을 방지하기 위해 샘플을 청소하는 동안 그러나, 소닉 목욕을 사용하지 마십시오. </li><li> E-빔 과정 : 알 리드와 게이트 패턴은 CAD 파일에 그려집니다. 알 리드는 티 / AU는 알 문에 이르게 연락하기 위해 사용되는 200 ㎚의 폭 닫힌 다각형으로 그려집니다. 알 게이트 그러나 폴리곤으로 그려진 것이 아니라 같은 두 개의 단일 선은 20 나노로 구분하지 않습니다. <ol><li> 빔 메사에 부합되면, 1,500 X에 배율을 설정하고 티 / AU 쇼트와 빔 리드를 맞 춥니 다. </li><li> 리드를 노출합니다. 43 μC / cm 2 3.3 ㎚의 중심 간 거리의 용량을 사용합니다. </li><li> 게이트를 노출합니다. 0.149 NC / cm 및 1.1 ㎚의 중심 간 거리의 라인 용량을 사용합니다. 이 이어질 것60 ㎚의 최종 게이트 폭. </li><li> 4.2.3 시료에 20 각 장치에 대한 - 단계 4.2.1를 반복합니다. </li></ol></li><li> 3.7 - 단계 5를 반복합니다. </li><li> 0.3 나노 미터 / 초의 속도로 알의 전자 빔 증발기 및 예금 30 나노에서 샘플을 놓습니다. </li><li> 단계 3.10를 반복합니다. 그것은 작은 알 게이트의 손상을 방지하려면이 단계 이후의 샘플 매우 섬세한 것이 중요합니다. </li></ol> 5. 쇼트 키 리드와 접착 패드의 제조 이 제조 단계의 결과는 그림 4E에 표시됩니다. <ol><li> 단계 2.1를 반복 - 쇼트위한 포토 리소그래피 마스크를 사용하여, 2.9하는 대신 저항 패드 마스크 발생합니다. </li><li> TI와 0.3 nm의 / 초, 1 나노 미터 / 초 각각의 속도로 오의 350 ㎚의 전자 빔 증발기 및 예금 30 나노에서 샘플을 놓습니다. 그것은 생보다 찢어 적은 경향이 있기 때문에 증착 오의 두꺼운 층은 샘플 홀더에 시료의 결합을 용이하게nner 층. </li><li> 리프트 오프 과잉 금속과 나머지 3 시간 동안 65 ° C에서 1,165 리무버에서 샘플을 담가 저항한다. 자체적으로 해제되지 않았을 수 있습니다 원치 않는 금속을 제거하려면 살짝 뜨거운 제거제로 샘플의 표면을 스프레이 피펫을 사용합니다. 5 분 각각 아세톤과 IPA에서 샘플을 씻어. </li></ol> 6. 샘플의 다이 싱 <ol><li> 125 ° C 표면을 탈수하는 15 분 동안 오븐에서 샘플을 굽는다. </li><li> 1 분 동안 115 ° C에서 뜨거운 접시에 30 초 굽는다 3,500 rpm에서 S1818과 함께 코트를 스핀. 저항이 층의 두께는 다이 싱 중에 샘플의 표면을 보호하기에 충분한 두께만큼 중요하지 않습니다. </li><li> 샘플의 상단과 하단면에 테이프를 다이​​ 싱의 레이어를 놓습니다. 맨 얼굴에 테이프의 층은 다이 싱시 장치에 추가적인 보호 계층을 제공합니다. </li><li> 주사위 놀이를하는 사람의 샘플면이 위로를 놓습니다. 다이 싱하여 개별 장치에 샘플을 잘라테이프를 다이​​ 싱의 바닥 층을 절단하지 않고 최고 다이 싱 테이프의 층과 갈륨 비소 / AlGaAs 웨이퍼를 통해 모든 방법입니다. </li><li> 다이 싱 테이프를 제거하고 보호는 몇 분 동안 아세톤에서 샘플을 배치하여 저항한다. 부드럽게 자신에 들지 않는 다이 싱 테이프의 조각을 끌어 핀셋을 사용합니다. IPA에 장치를 씻어 N 2 총을 사용 매만. </li></ol>

<ol><li>Shor, P. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Polynomial-time+algorithms+for+prime+factorization+and+discrete+logarithms+on+a+quantum+computer%5BTitle%5D)+AND+%22SIAM+J.+Sci.+Comput%22%5BJournal%5D)">Polynomial-time algorithms for prime factorization and discrete logarithms on a quantum computer.</a> SIAM J. Sci. Comput. 26 (5), 1484-1509 (1997).</li>
<li>Björk, M. T., Thelander, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Few-Electron+Quantum+Dots+in+Nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Few-Electron Quantum Dots in Nanowires.</a> Nano Lett. 4 (9), 1621-1625 (2004).</li>
<li>Dekker, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Carbon+Nanotubes+as+Molecular+Quantum+Wires%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Today%22%5BJournal%5D)">Carbon Nanotubes as Molecular Quantum Wires.</a> Phys. Today. 52 (5), 22-28 (1999).</li>
<li>Klein, D. L., McEuen, P. L., Bown Katari, J. E., Roth, R., Alivisatos, A. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((An+Approach+to+Electrical+Studies+of+Single+Nanocrystals%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">An Approach to Electrical Studies of Single Nanocrystals.</a> Appl. Phys. Lett. 68 (18), 2574-2576 (1996).</li>
<li>Kouwenhoven, L. P., Oosterkamp, T. H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Excitation+Spectra+in+Circular+Few-Electron+Quantum+Dots%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Excitation Spectra in Circular Few-Electron Quantum Dots.</a> Science. 278 (5344), 1788-1792 (1997).</li>
<li>Ciorga, M., Sachrajda, A. S. Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Addition+Spectrum+of+a+Lateral+Dot+from+Coulomb+and+Spin-Blockade+Spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Addition Spectrum of a Lateral Dot from Coulomb and Spin-Blockade Spectroscopy.</a> Phys. Rev. B. 61 (24), R16315-R16318 (2000).</li>
<li>Baca, A. G., Ashby, C. I. H. <a target="_blank" href="http://scholar.google.com/scholar?hl=en&safe=off&q=author%3aBaca%2C+AG+%22Fabrication+of+GaAs+Devices%22">Fabrication of GaAs Devices</a>. , The Institute of Electrical Engineers. London, United Kingdom. 350(2005).</li>
<li>Barthel, C., Reilly, D. J., Marcus, C. M., Hanson, M. P., Gossard, A. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Rapid+Single-Shot+Measurement+of+a+Singlet-Triplet+Qubit%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Rapid Single-Shot Measurement of a Singlet-Triplet Qubit.</a> Phys. Rev. Lett. 103 (16), 160503(2009).</li>
<li>S, <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+Survey+of+Ohmic+Contacts+to+III-V+Compound+Semiconductors%5BTitle%5D)+AND+%22Thin+Solid+Films%22%5BJournal%5D)">A Survey of Ohmic Contacts to III-V Compound Semiconductors.</a> Thin Solid Films. 308 (0), 599-606 (1997).</li>
<li>Lim, W. H., Huebl, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrostatically+Defined+Few-Electron+Double+Quantum+Dot+in+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Electrostatically Defined Few-Electron Double Quantum Dot in Silicon.</a> Appl. Phys. Lett. 94 (17), 173502(2009).</li>
<li>Elzerman, J. M., Hanson, R., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Few-Electron+Quantum+Dot+Circuit+with+Integrated+Charge+Read+Out%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Few-Electron Quantum Dot Circuit with Integrated Charge Read Out.</a> Phys. Rev. B. 67 (16), 161308(2003).</li>
<li>Johnson, A. C., Petta, J. R., Marcus, C. M., Hanson, M. P., Gossard, A. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Singlet-Triplet+Spin+Blockade+and+Charge+Sensing+in+a+Few-Electron+Double+Quantum+Dot%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+B%22%5BJournal%5D)">Singlet-Triplet Spin Blockade and Charge Sensing in a Few-Electron Double Quantum Dot.</a> Phys. Rev. B. 72 (16), 165308(2005).</li>
<li>Hanson, R., Kouwenhoven, L. P., Petta, J. R., Tarucha, S., Vandersypen, L. M. K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Spins+in+Few-Electron+Quantum+Dots%5BTitle%5D)+AND+%22Rev.+Mod.+Phys%22%5BJournal%5D)">Spins in Few-Electron Quantum Dots.</a> Rev. Mod. Phys. 79 (4), 1217-1265 (2007).</li>
<li>Long, A. R., Pioro-Ladrière, M., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+Origin+of+Switching+Noise+in+GaAs%2FAlGaAs+Lateral+Gated+Devices%5BTitle%5D)+AND+%22Physica+E+Low+Dimens.+Syst.+Nanostruct%22%5BJournal%5D)">The Origin of Switching Noise in GaAs/AlGaAs Lateral Gated Devices.</a> Physica E Low Dimens. Syst. Nanostruct. 34 (1-2), 553-556 (2006).</li>
<li>Koppens, F. H. L., Buizert, C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Driven+Coherent+Oscillations+of+a+Single+Electron+Spin+in+a+Quantum+Dot%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Driven Coherent Oscillations of a Single Electron Spin in a Quantum Dot.</a> Nature. 442 (7104), 766-771 (2006).</li>
<li>Foletti, S., Bluhm, H., Mahalu, D., Umansky, V., Yakobi, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Universal+Quantum+Control+of+Two-Electron+Spin+Quantum+Bits+Using+Dynamic+Nuclear+Polarization%5BTitle%5D)+AND+%22Nat.+Phys%22%5BJournal%5D)">Universal Quantum Control of Two-Electron Spin Quantum Bits Using Dynamic Nuclear Polarization.</a> Nat. Phys. 5 (12), 903-908 (2009).</li>
<li>Petta, J. R., Lu, H., Gossard, A. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((A+Coherent+Beam+Splitter+for+Electronic+Spin+States%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">A Coherent Beam Splitter for Electronic Spin States.</a> Science. 327 (5966), 669-672 (2010).</li>
<li>Shulman, M. D., Dial, O. E., Harvey, S. P., Bluhm, H., Umansky, V., Yacoby, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Demonstration+of+Entanglement+of+Electrostatically+Coupled+Singlet-Triplet+Qubits%5BTitle%5D)+AND+%22Science%22%5BJournal%5D)">Demonstration of Entanglement of Electrostatically Coupled Singlet-Triplet Qubits.</a> Science. 336 (6078), 202-205 (2012).</li>
<li>Khaetskii, A. V., Loss, D., Glazman, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electron+Spin+Decoherence+in+Quantum+Dots+Due+to+Interaction+with+Nuclei%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Electron Spin Decoherence in Quantum Dots Due to Interaction with Nuclei.</a> Phys. Rev. Lett. 88 (18), 186802(2002).</li>
<li>Sakr, M. R., Jiang, H. W., Yablonovitch, E., Croke, E. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fabrication+and+characterization+of+electrostatic+Si%2FSiGe+Quantum+Dots+with+an+Integrated+Read-Out+Channel%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Fabrication and characterization of electrostatic Si/SiGe Quantum Dots with an Integrated Read-Out Channel.</a> Appl. Phys. Lett. 87 (22), 223104(2005).</li>
<li>Liu, X. L., Hug, D., Vandersypen, L. M. K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Gate-Defined+Graphene+Double+Quantum+Dot+and+Excited+State+Spectroscopy%5BTitle%5D)+AND+%22Nano+Lett%22%5BJournal%5D)">Gate-Defined Graphene Double Quantum Dot and Excited State Spectroscopy.</a> Nano Lett. 10 (5), 1623-1627 (2010).</li>
<li>Frey, T., Leek, P. J., Beck, M., Blais, A., Ihn, T., Ensslin, K., Wallraff, A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Dipole+Coupling+of+a+Double+Quantum+Dot+to+a+Microwave+Resonator%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Dipole Coupling of a Double Quantum Dot to a Microwave Resonator.</a> Phys. Rev. Lett. 108, 046807(2012).</li>
<li>Pioro-Ladrière, M., Tokyra, Y., Obata, T., Kubo, T., Tarucha, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Micromagnets+for+coherent+control+of+spin-charge+qubit+in+lateral+quantum+dots%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Micromagnets for coherent control of spin-charge qubit in lateral quantum dots.</a> Appl. Phys. Lett. 90 (2), 024105(2007).</li>
</ol>

저자는 공개 아무것도 없어.

위에 제시된 프로세스는 몇 가지 - 전자 정권에 도달 할 수 이중 양자점의 제조 프로토콜을 설명합니다. 그러나 주어진 매개 변수가 사용되는 장비의 모델 및 보정에 따라 다를 수 있습니다. 따라서, 전자 빔 리소그래피 단계에서 노출의 복용과 같은 매개 변수는 장치의 제작 전에 보정해야합니다. 이 과정은 쉽게의 제조에 적용 할 수 있습니다 게이트 정의도 2DEG을 제시 같은시 / SiGe의 같은 기질의 다른 유형에 양자 점입니다. 이러한 수직 양자점 같은 장치의 특정 유형의 점에 대한 소스 및 드레인의 터널 장벽은 제조시 결정되며, 이후 5 다양 할 수 없습니다. 게이트 정의 측면 양자점의 장점은 터널 점 장벽뿐만 아니라 점 사이를 전기적으로 제어 할 수 있다는 것입니다. 그러나이 때문에,주의해야점을 정의하는 다른 게이트에 전압의 조작 중에 이러한 값을 유지합니다. 그것은 몇 가지 - 전자 정권에 도달하면, ...

이 양자 알고리즘이 기하 급수적으로 빠르게 가장 잘 알려진 고전적인 알고리즘 1에 비해 특정 문제를 해결하는 데 사용할 수있는 것으로 나타났습니다 된 이래 양자 정보 과학은 많은 관심을 모으고있다. 이 두 가지 수준의 시스템이기 때문에 양자 비트 (큐 비트)에 대한 명백한 후보는 양자점에 국한 단일 전자의 스핀이다. 다양한 아키텍처는 나노 와이어 2, 탄소 나노 튜브 3, 자기 조립 양자점 4, 반도체 세로 5 횡 양자점 6 반도체 등 양자점의 구현을 위해 제안되었다. 갈륨 비소의 게이트 정의 측면 양자 도트 / AlGaAs 헤테로 때문에 자신의 다재 다능 한 매우 성공하고 그들의 제조 공정이 논문의 초점이다. 측면 양자 도트, 시료 표면에 수직 방향으로 전자의 구속 (Z 방향)으로 나s는 적절한 기판을 선택하여 달성했다. 갈륨 비소 / AlGaAs 변조 도핑 헤테로은 AlGaAs 및 갈륨 비소 층 사이의 인터페이스에 국한 2 차원 전자 가스 (2DEG)를 제공합니다. 이러한 샘플은, 변조 도핑 기술과 결합, 낮은 불순물 밀도를 얻기 위해 분자 빔 에피 택시로 성장 2DEG에서 높은 전자 이동도에 이르게된다. 이종뿐만 아니라 밴드 구조의 다른 레이어의 회로도는 그림 1에 표시됩니다. 높은 전자 이동도는 양자점의 전체 표면 전자 상태의 일관성을 보장하기 위해 2DEG에 필요합니다. 아래에 설명 된 제조 공정에 사용되는 기판은 캐나다의 국립 연구위원회에서 구입 한 2.2 × 10 11cm -2 1.69 × 10 6cm 2 / Vsec의 전자 이동의 전자 밀도를 제공 하였다. 방향 paral 전자의 구속시료 표면에 LEL은 기판의 표면에 금속 전극을 배치하여 얻을 수 있습니다. 이러한 전극의 GaAs 시료의 표면에 증착하는 경우, 쇼트 ​​키 장벽은 7 형성된다. 이러한 전극에 적용 부정적인 전압은 충분한 에너지 만 전자가 통과 할 수있는 아래의 2DEG 현지 장벽으로 이어질. 인가되는 전압이 더 전자가 장벽을 통과 할 수있는 충분한 에너지가없는 충분한 음수 일 때 2DEG의 고갈이 발생합니다. 따라서 신중하게 전극의 형상을 선택하여, 그 샘플의 고갈 영역 사이의 전자의 작은 숫자를 트랩 할 수 있습니다. 점뿐만 아니라 샘플의 나머지 점과 2DEG 사이의 터널링 에너지에서 전자의 수의 제어 전극에 전압에게 미세 조정에 의해 달성 될 수있다. 게이트 전극과 고갈 전자 가스의 개략도는 그림 2에 표시됩니다. 점을 형성하는 게이트 구조의 설계에바델 등으로 사용되는 디자인 spired 8. 제어 점에서 전자의 수에 관한 정보를 읽으려면,이 점을 통해 전류를 유도하고 측정하는 데 유용합니다. 읽기는 또한 2DEG를 통해 전류를 필요로하는 양자 점 접촉 (QPC)를 사용하여 수행 할 수 있습니다. 2DEG 및 전압 소스 사이의 접촉 저항 접촉에 의해 보장됩니다. 이들은 (그림 3A의 및 4B 참조) 표준 급속 열처리 어닐링 과정 7을 사용 2DEG에 시료의 표면에서 모든 방법을 아래로 확산되는 금속 패드입니다. 소스와 드레인 사이의 단락을 방지하기 위해 시료의 표면하십시오 (그림 3B 및 4A) 2DEG는 특정 지역에서 소진되어 현재는 일부 특정 채널을 통해 여행 강제되도록 새겨 져있다. 2DEG는 여전히 남아있는 지역은 &quot;메사&quot;이라고합니다. 갈륨 비소 / AlGaAs 기판 상에 게이트 정의 측면 양자 도트의 다음과 같은 프로토콜 세부 사항은 전체 제조 공정. 제작되는 장치도 싱글, 더블 또는 트리플 양자점이나 양자 도트의 배열 인 경우에 관계없이 동일하게 유지 때문에 프로세스가 확장됩니다. 조작, 측정 및이 방법을 사용하여 제조 된 이중 양자점에 대한 결과는 더욱 섹션에 설명되어 있습니다.

<table><tbody><tr><td>아세톤 - CH3COCH3</td><td>Anachemia</td><td>AC-0150</td><td>67-64-1</td></tr><tr><td>이소프로필 알코올 (IPA) - (CH3)2CHOH</td><td>Anachemia</td><td>AC-7830</td><td>67-63-0</td></tr><tr><td>1165 Remover</td><td>MicroChem Corp</td><td>G050200</td><td>872-50-4</td></tr><tr><td>Microposit MF-319 개발자</td><td>Shipley</td><td>38460</td><td>75-59-2</td></tr><tr><td>황산 - H2SO4</td><td>Anachemia</td><td>AC-8750</td><td>766-93-9</td></tr><tr><td>과산화수소(30%) - H2O2</td><td>Fisher Scientific</td><td></td><td>7722-84-1</td></tr><tr><td>LOR 5A 리프트 오프 저항</td><td>MicroChem Corp</td><td>G516608</td><td>120-92-3</td></tr><tr><td>Microposit S1813 포토 레지스트</td><td>Shipley</td><td>41280</td><td>108-65-6</td></tr><tr><td>Microposit S1818 포토 레지스트</td><td>Shipley</td><td>41340</td><td>108-65-6</td></tr><tr><td>PMMA LMW 4% (애니솔)</td><td>MicroChem Corp</td><td></td><td>100-66-3, 9011-14-7</td></tr><tr><td>PMMA HMW 2% (애니솔)</td><td>MicroChem Corp</td><td></td><td>100-66-3, 9011-14-7</td></tr><tr><td>GaAs/AlGaAs 웨이퍼</td><td>National Research Council Canada (캐나다 국립 연구 위원회</td>) <td>그림 1에서 자세한 레이어 구조를 참조하십시오.</td><td></td></tr><tr><td>Ni (99.0%)</td><td>Anachemia</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Ge (99.999%)</td><td>CERAC inc.</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Au (99.999%)</td><td>카미스</td><td></td><td></td></tr><tr><td>Ti (99.995%)</td><td>커트 J 레스커</td><td></td><td></td></tr><tr><td>알</td><td>카미스</td><td></td><td></td></tr><tr><td>은 에폭시</td><td>에폭시 기술</td><td>H20E</td><td></td></tr></tbody></table>

게이트 정의 갈륨 비소 / algaas 측면 양자점 나노

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots

양자 컴퓨터는 고전 컴퓨터에서 가장 잘 알려진 알고리즘 기하 급수적으로보다 빠르게 특정 문제를 해결하기 위해, 이러한 국가와 얽힘의 중첩으로, 양자 효과를 활용 양자 비트 (큐 비트)로 구성된 컴퓨터입니다. 게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs에 측면 양자점 큐 비트의 이행을위한 탐험 많은 도로 중 하나입니다. 제대로 조작 할 때, 이러한 장치 공간의 특정 영역에서 전자의 소수 트랩 할 수 있습니다. 이러한 전자의 스핀 상태는 다음 양자 비트의 논리 0과 1을 구현하는 데 사용할 수 있습니다. 이러한 양자점 나노 미터 스케일을 감안할 때, 클린 룸 시설 전문 장비와 같은 전자 현미경과 전자 빔 증발기는 - 그들의 제조에 필요한 스캔 등을 제공합니다. 신중은 시료 표면의 청결을 유지하고 구조의 허약 게이트 손상을 방지하기 위해 제조 과정 전반에 걸쳐 수행해야합니다. 본 논문작업 장치로 웨이퍼에서 게이트 정의 측면 양자 도트의 상세 제작 프로토콜을 제공합니다. 특성화 방법과 대표적인 결과는 간략하게 설명합니다. 본 논문은 이중 양자점에 집중하지만, 제조 과정은 하나 또는 세 점 또는 양자 도트도 배열 동일하게 유지됩니다. 또한, 프로토콜은 같은시 / SiGe의 다른 기판에 수평 양자점을 제조에 적용 할 수 있습니다.

위에서 설명한 과정에서 중요한 단계 중 하나는 메사 (1 단계)의 에칭입니다. 그것은 overetching을 피하면서 2DEG 아래를 제거 할 수있을만큼 식각하는 것이 중요합니다. 따라서, 갈륨 비소 / AlGaAs 샘플에 에칭을 수행하기 전에 에칭 솔루션을 테스트하기 위해 대량의 GaAs 더미 샘플을 사용하는 것이 좋습니다. 갈륨 비소 / AlGaAs 이종의 식각 속도는 갈륨 비소보다 크지 만 더미의 에칭 용액이 더 많거나 적은 반응 평소보다이며, 실제 시료의 식각 시간을 적절하게 조정 할 수 있는지 여부에 대한 표시를 제공 할 수 있습니다. 장치가 제작되고 나면, 그들은 실버 에폭시를 사용하여 샘​​플 홀더에 장착 할 준비가 된 것입니다. 샘플의 본딩 패드와 샘플 홀더의 연결 핀 사이의 와이어 본딩은 25 μm의 알루미늄 와이어를 사용하여 수행됩니다. 그들을 손상의 위험이 있기 때문에 주사 전자 현미경 (SEM)에있는 장치를 관찰하지 않는 것이 좋습니다. 대신상당히 높은 ...

본 논문에서는 갈륨 비소 헤테로 구조에서 게이트 정의 반도체 측면 양자 도트에 대한 자세한 제조 프로토콜을 제공합니다. 이러한 나노 장치는 양자 정보 처리 또는 일관된 전도도 측정과 같은 다른 중시 실험을위한 양자 비트로 사용하기 위해 몇 가지 전자를 포획하는 데 사용됩니다.

게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노

A quantum computer is a computer composed of quantum bits (qubits) that takes advantage of quantum effects, such as superposition of states and ...

이 절차의 전반적인 목표는 단일 전자 영역에 도달할 수 있는 측면 양자점을 제작하는 것입니다. 이는 먼저 적절한 기판을 선택하고 메사(mesa)를 식각하여 2차원 전자 가스가 존재할 샘플 영역을 제한함으로써 수행됩니다. 두 번째 단계는 포토리소그래피와 급속 열처리 공정을 사용하여 오믹 접점을 제작하는 것입니다.다음으로, 전자빔 리소그래피를 통해 도트를 정의하는 리드와 게이트를 제작합니다. 마지막 단계는 포토리소그래피를 사용하여 본딩 패드와 더 큰 리드를 제작하는 것입니다. 최종적으로, 소수 전자 영역(few electron regime)에 도달할 수 있음을 보여주기 위해 저온에서 안정성 다이어그램을 측정합니다.수직 양자점과 같은 기존 스핀 큐비트와 비교하여 이 장치의 주요 장점은 가로형 양자점의 특성을 조절할 수 있다는 것입니다. 본 프로토콜은 갈륨 비소 알루미늄, 갈륨 비소 이종 구조 위에 가로형 양자점을 제작하는 데 사용되지만, 실리콘이나 실리콘-게르마늄과 같은 다른 기판 위에 장치를 제작하는 방식으로도 쉽게 응용될 수 있습니다.레지스트와 유기 화합물의 흔적이 제거된 변조 도핑 갈륨 비소 알루미늄 갈륨 비소 헤테로 구조 기판으로 시작합니다. 한 변의 길이가 1cm보다 약간 더 긴 정사각형 모양의 이 샘플에는 동일하게 제작된 장치 20개가 포함되어 있습니다. 아세톤을 사용하여 저출력 초음파 세척기에서 샘플을 5분 동안 두 번 세척하십시오.그 다음, 이소프로필 알코올을 사용하여 초음파 세척기에서 5분 동안 추가로 세척합니다. 압축 질소 건의 질소를 사용하여 샘플을 불어 말립니다. 다음으로, 표면을 탈수하기 위해 오븐에서 125 °C로 최소 15분 동안 샘플을 굽습니다. 탈수 후 샘플을 상온으로 식힌 다음, Shipley S 1818 포토레지스트를 도포하여 3,500 RPM으로 30초 동안 스핀 코팅합니다.그런 다음 핫플레이트에서 115 °C로 60초 동안 샘플을 베이크합니다. 레지스트를 스핀 코팅하는 동안 샘플의 윤곽을 따라 엣지 비드(edge bead)가 형성되었습니다. 이 엣지 비드를 제거하여 마스크와 샘플 표면 사이의 접촉을 개선하기 위해 포토리소그래피 공정을 사용합니다.현상 과정 중에는 샘플 가장자리의 노출된 레지스트만 제거되며, 중앙에는 완전히 평평한 레지스트 표면이 남게 됩니다. 다음으로 포토리소그래피 마스크 정렬기를 사용하여 유리 플레이트 위에 1 cm x 1 cm 크기의 크롬 사각형으로 구성된 엣

nanofabrication-of-gate-defined-gaasalgaas-lateral-quantum-dots

Research

연구

JoVE Journal

Engineering

공학

전기적 주소, 높은 종횡비 (&gt; 1000:1)의 제작은 템플릿으로 희생 알루미늄과 은색의 레이어 또는 자기 조립 단일 층을 사용하여 단일 나노 미터의 간격으로 구분하여 금속 나노 와이어가 설명되어 있습니다. 이 nanogap 구조는 nanoskiving로 알려진 첨단 리소그래피의 형태로 클린 룸 또는 사진이나 전자빔 리소그래피 공정없이 제작되어 있습니다.

Nanoskiving으로 Nanogaps을 제조

이 논문은 터널링 현미경 연구를 스캔하기 위해 쿨롱 불순물로 장식된 게이트 조정 가능한 그래핀 장치의 제조 과정을 자세히 설명합니다. 하전된 불순물이 있는 상태에서 그래핀의 공간적으로 의존하는 전자 구조를 매핑하면 국소 쿨롱 전위에 대한 반응으로 상대론적 전하 운반체의 고유한 거동이 드러납니다.

쿨롱 불순물 스캐닝 터널링 현미경 연구 게이트 - 조정 가능한 그래 핀 장치의 제작

실리콘 금속 산화물 반도체 양자점을 기반으로 하는 단일 전자 펌프와 관련된 제조 공정 및 실험적 특성화 기술에 대해 설명합니다.

단일 전자 펌핑 실리콘 금속 - 산화물 - 반도체 양자 점

프로토콜은 autoxidized 알루미늄 음극을 채용 하 여 높은-성능, 퓨어 블루 ZnCdS/ZnS 기반 양자 점 발광 다이오드 날조를 위한 제공 됩니다.

향상 된 전자 주입 및 순수한 청색 양자 점 발광 다이오드 부분적으로 도입 하 여에 대 한 여 기자 감 금 산화 알루미늄 음극

2차원 전자가스(2DEG)로서0.75Ga0.25를기반으로 하는 평면 및 탄도 요셉슨 접합부(JJS)의 배열로 구성된 양자 집적 회로(QIC)가 입증되었습니다. 2차원(2D) JJ와 QIC의 제조를 위한 두 가지 방법이 논의된 후, 켈빈 이하의 온도에서 양자 수송 측정을 시연합니다.

초전도 2차원 전자 가스 플랫폼의 확장 가능한 양자 집적 회로

문서 미래의 낮은 차원 일렉트로닉스의 개발에 대 한 표준 및 신뢰할 수 있는 제조 절차를 소개 하는 것을 목표로.

2 차원 일렉트로닉스를 조작 하는 표준 및 신뢰할 수 있는 방법

나노 패턴 사파이어 기판에 고품질 AlN 필름의 그래 핀 지원 성장을위한 프로토콜이 제시된다.

자외선 발광 다이오드용 나노 패턴 사파이어 기판에 대한 알N 필름의 그래핀 지원 준 반 데르 발스 에피택시

이 기사는 고도로 조정 가능한 맞춤형 전달 설정을 기반으로 하는 수정된 건식 전달 기술을 활용하여 정밀한 비틀림 각도를 가진 고품질 그래핀 기반 모아레 초격자 장치를 제작하기 위한 최적화된 경험 기반 프로토콜을 제시합니다.

고품질 그래핀 기반 모아레 초격자 소자를 위한 최적화된 제작 절차

우리는 단일 분자 형광 이미징을위한 최소화 유체 역학적 크기 콜로이드 양자 점의 준비에 대해 설명합니다. 기존의 양자 점에 비해,이 나노 입자는 구형 단백질의 크기와 비슷합니다 및 단일 분자 밝기, photodegradation에 대한 안정성 및 단백질과 세포에 특이 현상 바인딩에 대한 저항에 최적화되어 있습니다.

단일 분자 이미징을위한 소형 양자 점

구배 에코 메모리 원자 앙상블 광의 광학 양자 상태를 저장하기위한 프로토콜이다. 양자 메모리는 양자 키 분배의 범위를 확장 할 수있는 양자 중계기의 핵심 요소이다. 3 - 레벨 원자 앙상블에서 구현 될 때 우리 방식의 동작 개요.

온난 한 원자 증기의 그라데이션 에코 양자 메모리

배우세요 게이트 정의 측면 양자점 나노 장치 제작 방법을. 갈륨 비소/알루미늄 갈륨 비소 이종 구조체에서 단일 전자 영역에 도달하는 양자 비트 소자를 제작하는 프로토콜을 익히세요.

게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노

더 많은 동영상 탐색