Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Andrew M. Herrero; Paul T. Blanchard; Kris A. Bertness

doi:10.3791/50738

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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

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11:13 min

November 15, 2013

DOI: 10.3791/50738-v

Andrew M. Herrero¹, Paul T. Blanchard¹, Kris A. Bertness¹

¹Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Please note that some of the translations on this page are AI generated. Click here for the English version.

기술은 접촉 / 기판과 하나의 GaN 나노 와이어 장치의 접촉 / NW 인터페이스의 시험 및 특성화를 허용하기 위해, 기판에서의 Ni / AU 접촉 금속 필름을 제거하는 개발되었다.

이 절차의 전반적인 목표는 단일 질화 갈륨 나노 와이어 장치에 대한 접촉 기판 및 접촉 나노 와이어 계면의 검사 및 특성화를 허용하는 것입니다. 이것은 먼저 나노와이어 현탁액을 준비하고 기판에 분산시킴으로써 달성됩니다. 두 번째 단계는 니켈 금 접점을 나노 와이어에 증착 한 다음 샘플을 무릎 꿇리는 것입니다.

마지막 단계는 탄소 테이프에 접착하여 기판에서 항문과 니켈 금 접촉부를 제거하는 것입니다. 궁극적으로 주사 전자 현미경은 공극 형성을 위한 접촉 인터페이스를 검사하는 데 사용됩니다. 이 방법은 반도체 나노와이어를 처리하는 방법에 대한 질문에 답하는 데 도움이 될 수 있습니다.

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